KR950007214A - 반도체 레이저 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 소자 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950007214A
KR950007214A KR1019930017536A KR930017536A KR950007214A KR 950007214 A KR950007214 A KR 950007214A KR 1019930017536 A KR1019930017536 A KR 1019930017536A KR 930017536 A KR930017536 A KR 930017536A KR 950007214 A KR950007214 A KR 950007214A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
cavity
semiconductor laser
substrate
opening
Prior art date
Application number
KR1019930017536A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100255695B1 (ko
Inventor
김택
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019930017536A priority Critical patent/KR100255695B1/ko
Publication of KR950007214A publication Critical patent/KR950007214A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100255695B1 publication Critical patent/KR100255695B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

초격자 현상을 억제하여 단파장화가 가능하고 간단한 습식 식각공정으로 제조할 수 있는 면발광 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. <110>배향성을 갖는 n형 GaAs 기판상에, n형 GaAs 버퍼층이 형성되고, 버퍼층상에 n형 InGaAlP 제1클래드층이 형성된다. 제1클래드층상에는 활성층이 형성되고, 활성층상에 형성되 p형 InGaAlP 제2클래드층이 형성되고, 제2클래드층상에 p형 InGap 통전 용이층이 형성된다. 통전용이층상에 p-형 GaAs 캡층이 형성되어 레이저 다이오드 소자를 형성한다. 레이저 다이오드소자의 발광면측에는 수직이고, 그 대향면인 반사측면에는 둥근면을 갖는 공동(cavity)을 구비되어 있다. 초격자 현상이 억제되어 단 파장의 발신이 가능하다.

Description

반도체 레이저 소자 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일예에 따른 레이저 다이오드의 개략적 단면도,
제3도는 본 발명의 다른 예에 따른 레이저 다이오드의 개략적 단면도.

Claims (5)

  1. <110>배향성을 기판상에 성장된 활성층가 그 상부의 제2클래드층 및 그 하부의 제1클래드층에 의한 레이저 발진층이 형성되고, 상기 레이저 발진층의 상부에는 레이저 발진 영역을 구획하는 공동이 형성되고, 상기 레이저 발진영역에 접한 공동의 제1측면은 기판에 대해 수직을 이루고, 그 반대측의 제2면은 기판에 대해 소정 각도 경사지게 형성되어 상기 제1측면을 투과한 레이저 광이 기판의 평면에 대해 수직 또는 수직에 대해 소정각도 경사진 방향으로 반사되도록 구성되어 반도체 레이저 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저 소자는 상기 제2클래드층상에 형성되고 상기 공동을 노출하는 개구부를 갖는 통전용이층과 캡층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 캡층에 형성되어 공동을 형성하는 개구부는 상기 통전 용이층에 형성되어 공동을 구성하는 개구부와는 불연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  4. <110>배향성을 갖는 제1도전형 GaAs 기판상에, 제1도전형 InGaAlP 제1클래드층, 활성층, 제2도전형 InGaAlP 제2클래드층, 제2도전형 InGap 통전 용이층 및 제2도전형 GaAs 캡층을 순차적으로 기상 성장법에 의해 형성한 후, 상기 캡층상에 공동을 형성하기 위한 개구부를 갖는 마스크층을 형성하고, 상기 개구부를 통하여 습식 식각하여 레이저 발진면과 반사면으로 구성된 공동을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 개구부를 형성하기 전에, 상기 공동이 형성될 부위상의 캐핑층의 일부를 선택적으로 식각한 후, 공동을 형성함으로써, 레이저 빔의 방향을 조절하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019930017536A 1993-08-31 1993-08-31 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법 KR100255695B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930017536A KR100255695B1 (ko) 1993-08-31 1993-08-31 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930017536A KR100255695B1 (ko) 1993-08-31 1993-08-31 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950007214A true KR950007214A (ko) 1995-03-21
KR100255695B1 KR100255695B1 (ko) 2000-05-01

Family

ID=19362742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930017536A KR100255695B1 (ko) 1993-08-31 1993-08-31 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100255695B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100528976B1 (ko) * 2003-12-23 2005-11-16 한국전자통신연구원 단일 주파수 레이저

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102375096B1 (ko) * 2020-10-28 2022-03-16 한국광기술원 일 끝단에 벽개면을 포함하는 레이저 광원 및 그를 제조하는 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100528976B1 (ko) * 2003-12-23 2005-11-16 한국전자통신연구원 단일 주파수 레이저

Also Published As

Publication number Publication date
KR100255695B1 (ko) 2000-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1175537A (en) Transverse light emitting electroluminescent devices
KR960043371A (ko) 단파 수직 캐비티면 방출 레이저 장치 및 그 제조 방법
KR890016720A (ko) 선택적 에피택시법에 의한 표면 방출형 ALGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
KR950007214A (ko) 반도체 레이저 소자 및 그의 제조방법
JPH06224469A (ja) 半導体発光装置
KR950004667A (ko) 반도체레이저소자 및 그 제작방법
KR950012833A (ko) 반도체 레이저 다이오드 제조방법
JPS61280686A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
KR970072507A (ko) 수평 방향 반도체 피엔(pn) 접합 어레이 제조방법
KR940017023A (ko) 메사패턴이 있는 기판을 이용한 표면방출 반도체 레이저 다이오드 소자의 제조방법
KR960032817A (ko) 면발광 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
KR930007018A (ko) 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
KR100265804B1 (ko) 반도체 레이저 다이오드
KR940010166B1 (ko) 표면방출형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
KR920020801A (ko) 고출력 가시광 반도체 레이저 소자의 제조방법
KR19980014878A (ko) 양자상자형 발광 다이오드(led) 및 그의 제조방법
KR950012940A (ko) 굴절율도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법
KR930022615A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR930003478A (ko) 표면 방출형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
KR930005297A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR950012930A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR950012870A (ko) 이중 클래드 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드
KR950010218A (ko) 반도체 레이저 다이오드
KR950012546A (ko) 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
KR950012652A (ko) 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090202

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee