KR930022615A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 발광소자 및 그 제조방법Info
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Abstract
이 발명은 LPE법을 이용하여 클래드층을 InGaAIP대신 AlGaAs층으로 하며, 또 에피택시공정중에 멜트 백 기법으로 전류 제한층을 형성하고 재성장방법으로 캡층을 성장하여 SAS(Self-Aligned Stripe) 구조의 640㎚파장대의 InGap 가시 영역의 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
또한 이와같이 구성된 반도체 발광소자는 전류제한 효과를 강화하고 발진개시 전류의 저감화, 모우드의 안정화와 광출력 및 광효율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명의 일 실시예에 의한 반도체 발광소자의 단면도.
제3도의 (a)~(c)는 이 발명에 의한 제2도반도체 발광소자의 제조공정순서도이다.
Claims (3)
- 제2도는전형의 기판위에 순차 형성된 제1도전형의 제1클래드층, 인도우프 활성층, 제1도전형의 제2클래드층 으로 이루어지는 이중 헤테로 구조를 가지는 SAS구조의 반도체 발광소자에 있어서, 상기 제1 및 제2클래드층에는 큰 밴드겝 에너지의 AlxGa1-xAs(x=0.7)층을 적충하고, 또 상기 제2클래드층상에 통진영역부를 갖춘 제2도전형의 전류 제한층을 형성함으로써 SAS 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형, 제2도전형은 P형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 제2도전형의 기판상에 LPE법에 의해 제2도전형의 제1클래드층, 언도우프 활성층, 제1도전형의 제2클래드층 및 제2도전형의 전류 제한층을 형성하는 공정과, 상기 전류 제한층의 중앙부분을 패터닝한 후 일부분을 멜트백(Mell-Back) 기법으로 에칭하여 스트라이프상으로 남겨서 제거하는 공정과, 상기 전류제한층과 제 2클래드층의 표면에 재성장하여 제1도전형의 캡층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930022615A true KR930022615A (ko) | 1993-11-24 |
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