JPH08274368A - 半導体光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】絶縁膜による効果的な電流狭窄構造を有し、か
つ、電極との十分大きな接触面積を確保できる半導体光
素子、およびそのような半導体光素子を容易に形成でき
る製造方法を提供する。 【構成】半導体基板１０２の表面上に、ストライプ状の
溝を有する誘電体膜１１２が形成され、このストライプ
状の溝によって露出された上記半導体基板１０２の表面
上に、半導体バッフア層１０３、半導体活性層１０４お
よび半導体クラッド層１０５が順次積層され、上記半導
体クラッド層１０５は、逆台形の断面形状を有してい
る。 【効果】半導体クラッド層１０５の断面形状が逆台形で
あるため、半導体キャップ層との接触面積を十分大きく
なり、また、半導体活性層１０４の幅が絶縁膜１１２に
設けられた溝によって規定されるため、半導体活性層１
０４以外の部分に漏れる電流は効果的に抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体光素子およびそ
の製造方法に関し、詳しくは、光通信や光情報処理等の
分野で用いられる化合物半導体光素子およびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、例えば半導体レーザや半
導体光増幅器など順方向半導体光素子においては、順方
向電流を流すことによって活性層に荷電担体が注入さ
れ、この荷電担体が誘導放射過程を通じて再結合するこ
とによりレーザ光を発生する。半導体光素子の発光効率
を向上させるためには、上記順方向電流の電流使用効率
を高くするのが有効であり、そのための方法として、活
性層の幅を狭めて、活性層に注入される上記順方向電流
の電流密度を高くする第１の方法と、活性層以外に流れ
る漏れ電流を低減して、活性層に閉じこめられる荷電担
体の密度を増大させる第２の方法が行われている。

【０００３】上記第１の方法は有効な方法ではあるが、
活性層の幅をどこまで狭くできるかは作製方法に依存
し、制限されるので、活性層の幅をさらに狭くすること
のできる新しい作製方法が必要であり、広く検討されて
いる。

【０００４】上記第２の方法は、漏れ電流を低減するた
めに、活性層以外の部分を電流狭窄構造とすることが一
般的に行われている。従来、この電流狭窄構造は半導体
から構成され、例えばｐｎｐｎ接合を含む電流ブロック
層によって活性層を挟むように設ける構造が用いられて
いる。このような構造は、通常、下記のような方法によ
って形成される。すなわち、半導体基板上に、クラッド
層、活性層および第２のクラッド層を順次成長させて半
導体の多層構造を形成した後、周知の選択エッチングを
行って、導波路パターンをエッチし、さらに、上記導波
路パターン以外の部分の上に、ｐｎｐｎ電流ブロック層
を成長させる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法は、
２回以上の結晶成長が必要であるなど、極めて繁雑であ
るため、得られる活性層の最小幅には限界があり、上記
第１の方法と併用することは困難である。また、上記電
流ブロック層の電流狭窄効果は必ずしも十分とは言えな
い。特に、光出力を増大させるために大電流を流すと、
ｐｎｐｎ電流ブロック層がブレークダウンして、使用不
能になってしまうという問題点があった。

【０００６】この電流狭窄構造を、半導体ではなく、絶
縁体によって構成した下記構造が提案されている（和田
浩、小川洋、上条健、第５５回応用物理学会学術講演会
講演予稿集、第三分冊、９６４ページ）。この方法は、
まず、二酸化珪素膜が表面上に成長された第１のインジ
ウム燐基板と、インジウム燐クラッド層およびインジウ
ムガリウム砒素層が表面上に積層して成長された第２の
インジウム燐基板を、上記二酸化珪素膜とインジウム燐
クラッド層を互いに対向させて直接接着した後、上記第
２のインジウム燐基板およびインジウムガリウム砒素層
を除去して、上記第１のインジウム燐基板上に上記二酸
化珪素膜およびインジウム燐クラッド層が積層された構
造を形成する。

【０００７】次に、周知の選択エッチング法を用いて、
導波路パターンをエッチングし、除去された部分上に、
インジウムガリウム砒素燐からなる活性層を成長させ
る。この方法は、良好な電流狭窄特性が得られたと報告
されているが、上記直接接着および接着後における、上
記インジウム燐基板除去のプロセスが、極めて繁雑であ
る。しかも、厚いインジウム燐クラッド層を選択エッチ
ングして、導波路パターンが形成されるので、活性層の
幅をあまり狭くすることができず、第１の方法と併用す
ることは困難である。

【０００８】このように、上記第２の方法にはいくつか
の問題があって実用化が困難であるため、上記第２の方
法ではなく、上記第１の方法を実用化するための第３の
方法として、新しい電流狭窄構造を形成する方法が、北
村、他、アイ・イー・イー・イー・ホトニクス・テクノ
ロジー・レター・第６巻第１７３頁（K.Kitamura,K.Kom
atsu,K.Kitamura,IEEE Photonics Technology Letters
vol 6,page173)に提案されている。ここで提案されてい
る電流狭窄構造は、（１００）インジウム燐基板上に、
結晶方位＜０１１＞に沿って二酸化珪素からなるストラ
イプマスクを２本形成し、これら２本のストライプマス
クに挟まれた窓領域（溝）上に、半導体活性層を選択成
長させる。次に選択エッチャントを用いて半導体活性層
付近のストライプマスクを部分的に除去して、マスク間
に挟まれた窓領域を拡大し、半導体活性層を埋め込むよ
うにその拡大された窓領域上に半導体クラッド層を成長
させものである。

【０００９】上記第３の方法によれば、活性層の幅を
０.５μｍまで狭くすることが可能で、良好な電流狭窄
特性が得られたと報告されているが、この構造において
も、下記のようにいくつかの問題点がある。まず、この
電流狭窄構造を有するデバイスでは、上記ストライプマ
スクである二酸化珪素膜は、半導体活性層の側から除去
されている。そのため、半導体活性層の近傍では、半導
体活性層を埋め込む半導体クラッド層とインジウム燐基
板の間に形成されたｐｎ接合によって、漏れ電流がブロ
ックされる。従って、光出力を増加させるために大電流
を流すと、幅の狭いストライプ領域の電圧降下を介して
両電極間の電圧上昇を招く結果、ｐｎ接合のブレークダ
ウンが起こり、使用不能になってしまう。

【００１０】また、成長した活性層や半導体クラッド層
が、メサ形状（台形）になるため、エピタキシャル成長
によって形成され上記活性層や半導体クラッド層の、基
板と反対側の面の面積が、基板側の面の面積より小さく
なってしまい、電流注入のために形成される電極との、
十分な接触面積を確保することが困難になる。そのた
め、活性層を成長した後に、選択エッチャントを用いて
マスク間に挟まれた窓領域を拡大し、この拡大された窓
領域上に半導体クラッド層を成長させるという、複雑な
工程を付加しなければならない。

【００１１】本発明の目的は、従来の技術の有する上記
問題を解決し、電極との良好な接触を確保できるととも
に、効果的な電流狭窄構造を有する半導体光素子および
そのような電流狭窄構造を有する半導体光素子を、簡便
なプロセスで容易に形成することのできる、半導体光素
子の製造方法を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、第１導電型を有する化合物半導体基板の表面
上に形成された、誘電体膜の有するストライプ状の溝内
に、上記第１導電型を有する化合物半導体からなるバッ
フア層および当該バッフア層とは異なる種類の化合物半
導体からなる活性層から構成された積層膜が形成され、
当該積層膜上に、断面形状が逆台形の、上記第１導電型
とは逆の第２導電型を有する化合物半導体からなるクラ
ッド層を形成するものである。上記誘電体膜として、二
酸化硅素、四窒化三硅素、ほう珪酸ガラス、アモルファ
スシリコン、三酸化二アルミニウムのいずれかを組成に
含む誘電体を使用できる。

【００１３】本発明において、上記ストライプ状の溝
は、上記半導体基板の結晶方位〈１１０〉から、０．１
度〜１４度、好ましくは、０．５度〜１０度の範囲内の
角度に形成される。

【００１４】本発明の半導体光素子は、（００１）面と
なす角度が２度以下である第１導電型半導体基板表面上
に、結晶方位〈１１０〉からの角度が、０．１度〜１４
度、好ましくは、０．５度〜１０度の範囲内にあるスト
ライプ状の溝（開口部）を有する誘電体膜を形成した
後、上記溝の上に順次エピタキシャル成長を行って、バ
ッフア層、活性層およびクラッド層を形成することによ
って形成され、上記エピタキシャル成長には、有機金属
気相成長法または有機金属分子線エピタキシー法を用い
ることができる。

【００１５】特に、該ストライプ構造の長さ方向が半導
体基板の結晶方位＜１１０＞より測って０.１度から１
４度好ましくは０．５度から１０度の間の角度をなすこ
とを特徴とする。

【００１６】

【作用】上記のように、本発明においては第１導電型半
導体基板上には、ストライプ状の溝を有する誘電体膜が
形成され、このストライプ状の溝を介して露出された上
記半導体基板の表面上に、上記第１導電型半導体膜およ
びこの半導体膜とは異なる種類の半導体からなる膜の積
層膜が形成され、上記ストライプ状の溝は、結晶方位＜
１１０＞との角度が０.１度から１４度、好ましくは
０．５度から１０度の間の方向に形成されており、この
溝内に形成された上記積層膜の表面が露出されている。

【００１７】上記従来技術では、＜１１０＞と平行な方
向に溝が形成されていたが、本発明では、これとは全く
異なる方向に溝が形成される。このように、溝の方向を
＜１１０＞から傾けることによって、下記のように、エ
ピタキシャル結晶成長によって形成された活性層および
導電型半導体クラッド層の断面形状は、上記従来技術と
は反対の逆台形になって、上面の面積が下面の面積より
大きくくなる。

【００１８】すなわち、第２導電型半導体からなるクラ
ッド層の、ストライプと垂直に切った断面における形状
は、上記活性層と上記第２導電型半導体からなるクラッ
ド層との間のヘテロ界面に平行な二辺を有する逆台形を
含む形状となり、しかもこの逆台形の活性層に近い側の
下辺の寸法は、活性層より遠い側の上辺の寸法より小さ
くなる。第２導電型電極は、クラッド層の上辺に接して
設けられるから、このような逆台形状の導電型半導体ク
ラッド層が得られることによって、電極との接触面積を
確保することが極めて容易となる。

【００１９】活性層、クラッド層およびキャップ層は、
有機金属気相成長法によって、順次、エピタキシャル結
晶成長される。周知のように、二酸化硅素膜、四窒化三
硅素膜、ほう珪酸ガラス膜、又はアモルファスシリコン
膜、三酸化二アルミニウム膜など各種誘電体膜上では、
半導体結晶の成長は起こらず、露出された化合物半導体
上のみに、エピタキシャル結晶成長が起こる。従って、
活性層、クラッド層およびキャップ層は、誘電体膜に形
成された上記ストライプ状の溝の底の部分から、順次成
長する。

【００２０】その結果、活性層は誘電体膜の溝内に、誘
電体膜に両端を接して形成される。誘電体膜と化合物半
導体は、屈折率が著しく異なるので、最終的に得られる
光導波路は、横方向に関する強い光閉じこめ効果を有し
ている。また、これら誘電体膜は良好な絶縁膜であるた
め、活性層以外に漏れる電流は効果的は抑制され、半導
体を用いた上記従来技術よりも、はるかに良好な電流狭
窄構造が構成される。

【００２１】さらに、活性層の幅は、誘電体膜にエッチ
ングによって形成された上記ストラオイプ状の溝の幅に
よって定まるので、膜厚の小さい誘電体膜を用いること
により、溝の幅をフォトリソグラフィの限界まで狭くす
ことができ、これによって、一層良好な電流狭窄効果が
得られる。

【００２２】しかも、本発明の半導体光素子の形成は、
上記のように、誘電体膜にストライプ状の溝を形成し、
この溝内に順次エピタキシャル成長を行えばよいのであ
るから、従来の半導体光素子よりも、はるかに簡単な工
程によって、容易に形成することができる。

【００２３】

【実施例】

〈実施例１〉図１は、本発明の半導体光素子の一例を示
す断面図である。図１に示したように、ｎ型インジウム
燐（１００）基板１０２の表面上に、周知の熱化学気相
成長法によって膜厚２５０ｎｍの二酸化珪素膜１１２が
形成されている。

【００２４】上記二酸化珪素膜１１２には、上記インジ
ウム燐基板１０２に達する溝（幅１．７μｍ）が、周知
の選択エッチングによって形成されており、この溝の方
向は、インジウム燐基板１０２の＜０１１＞方向に対し
て３度傾いている。

【００２５】上記溝内には、インジウム燐バッファ層１
０３およびアンドープのインジウムガリウム砒素燐活性
層１０４が積層して形成され、さらにその上には、ｐ型
インジウム燐クラッド層１０５が形成されている。上記
溝の方向が、上記インジウム燐基板１０２の＜０１１＞
方向に対して３度傾いているため、クラッド層１０５の
断面形状は、図１に示したように逆メサ状の形状を有し
ている。

【００２６】そのため、クラッド層１０５とｐ型インジ
ウムガリウム砒素からなるキャップ層１０６の間には、
十分大きな接触面積が確保することができ、しかも、活
性層１０４の幅は十分狭い。上記キャップ層１０６の上
に設けられたｐ電極１０７とインジウム燐基板１０２の
の裏面上に設けられたｎ電極１０１との間に順方向電圧
を印加して、活性層１０４にキャリアを注入すると、活
性層１０４以外の部分を流れる漏れ電流は、絶縁体でも
ある誘電体膜１１２によって効果的にブロックされ、半
導体レーザーダイオードとして使用したとき、高い内部
量子効率が得られた。

【００２７】なお、図１において、記号１１１は、パッ
シベーション膜を表わし、本実施例では二酸化珪素膜を
用いた。記号１２１は表面を平坦化するのための樹脂膜
を表わし、本実施例ではポリイミド膜を使用した。

【００２８】〈実施例２〉図２は、本発明の半導体光素
子を用いて形成された半導体光増幅器の一例を示す。図
２に示したように、ｎ型インジウム燐（１００）基板１
０２の表面上には、熱化学気相成長法によって形成され
た膜厚２５０ｎｍの二酸化珪素膜１１２が設けられてい
る。この二酸化珪素膜１１２には、上記インジウム燐基
板１０２の表面に達する溝（幅１．７μｍ）が周知の選
択エッチングによって形成され、この溝の方向は、基板
の＜０１１＞方向に対して３度傾けられている。

【００２９】上記溝によって露出された上記インジウム
燐基板１０２の表面上には、ｎ型インジウム燐バッファ
層１０３、アンドープのインジウムガリウム燐砒素活性
層１０４、ｐ型インジウム燐クラッド層１０５およびｐ
型インジウムガリウム砒素キャップ層１０６が、順次積
層して形成されている。

【００３０】上記のように、誘電体膜１１２に形成され
た溝の方向は、基板１０２の＜０１１＞方向に対して３
度傾いているため、再成長されたクラッド層１０５の断
面形状は逆台形になり、キャップ層１０６を介してｐ電
極１０７と、十分大きな接触面積を得ることができた。
そのため、ｎ電極１０１とｐ電極１０７の間に順方向電
圧を印加して活性層１０４にキャリアを注入すると、活
性層１０４以外の部分を流れる漏れ電流は、絶縁体でも
ある誘電体膜１１２により効果的にブロックされ、半導
体増幅器として使用したとき、高い電流効率を得ること
ができた。さらに、光導波路の方向を劈開面より傾ける
ことによって、端面からの反射がさらに低減され、高い
特性を有する光増幅器を得ることができた。

【００３１】なお、図２において、記号１２１は表面を
平坦化するのための樹脂膜を表わし、本実施例ではポイ
リミド膜を使用した。１０１および１０７は、それぞれ
ｎ電極およびｐ電極、２０１は誘電体多層膜からなる無
反射化膜を表わす。

【００３２】〈実施例３〉図３は、本発明により構成さ
れた半導体レーザの一例を示す。図３に示したように、
ｎ型インジウム燐（１００）基板１０２の表面には、導
波路方向と垂直なグレーティング４０１が刻印されてい
る。上記基板１０２の上には、熱化学気相成長法によっ
て形成された膜厚２５０ｎｍの二酸化珪素膜１１２が設
けられ、この二酸化珪素膜１１２には、図３に示したよ
うに、上記インジウム燐基板１０２の表面に達する溝
（幅１．７μｍ）が、周知の選択エッチング法によって
形成されている。この溝の方向は、基板の＜０１１＞方
向に対して３度傾けられている。

【００３３】この溝によって露出された上記インジウム
燐基板１０２の表面上には、インジウム燐バッファ層１
０３、アンドープのインジウムガリウム燐砒素活性層１
０４、ｐ型インジウム燐クラッド層１０５が順次積層し
て形成され、さらにその上に、ｐ型インジウムガリウム
砒素キャップ層１０６およびｐ電極１０７が形成されて
いる。

【００３４】上記二酸化珪素膜１１２に形成された溝の
方向が、基板１０２の＜０１１＞方向に対して３度傾い
ているため、再成長されたクラッド層１０５の断面形状
は逆台形となり、キャップ層１０６を介してｐ電極１０
７と、十分大きな接触面積を得ることができた。そのた
め、ｎ電極１０１とｐ電極１０７の間に順方向電圧を印
加して活性層１０４にキャリアを注入すると、活性層１
０４以外の部分を流れる漏れ電流は、絶縁体でもある誘
電体膜１１２により効果的にブロックされ、半導体増幅
器として使用したとき、高い電流効率を得ることができ
た。さらに、光導波路の方向が劈開面より傾けることに
よって、端面からの反射がさらに低減され、高い特性を
有する光増幅器を得ることができた。

【００３５】なお、図３において記号１２１は表面を平
坦化するのための樹脂膜を表わし、本実施例ではポリイ
ミド膜を使用した。１０１および１０７は、それぞれｎ
電極およびｐ電極、２０１は誘電体多層膜からなる無反
射化膜を表わす。

【００３６】〈実施例４〉図４は、本発明による半導体
光素子の製造法を示す工程図である。まず、図４（１）
に示したように、モノシランガスおよび酸素ガスを用い
た周知の熱化学気相成長法を用いて、膜厚が０.２μmの
二酸化硅素膜１１２を、ｎ型（００１）インジウム燐基
板１０２上に形成した。

【００３７】次に、この二酸化硅素膜１１２上に有機レ
ジストを回転塗布して、膜厚が０.５μmのレジスト膜
（図示せず）を形成した後、結晶方位＜１１０＞から１
度傾いたストライプパターンを有するマスクを用いて、
露光および現像を行い、結晶方位＜１１０＞から１度傾
いたストライプ状のレジストパターンを形成した。

【００３８】フッ化水素酸緩衝溶液エッチ液として用い
た化学エッチングによって、露出された部分の上記二酸
化硅素膜１１２を、インジウム燐基板１０２の表面が露
出するまでエッチングした後、残ったレジストを除去し
て、図４（２）に示したように、結晶方位＜１１０＞か
ら１度傾いた溝を、二酸化硅素膜１１２に形成した。

【００３９】図４（３）に示したように、上記溝によっ
て露出されたインジウム燐基板１０２の表面を、硫酸、
過酸化水素水および水の混合液（体積比４：１：１）に
よってエッチングして前処理した。次に、トリエチルイ
ンジウムガス、トリエチルガリウムガス、アルシンガ
ス、フォスフィンガスを用いた有機金属気相成長法によ
り、ｎ型インジウム燐バッファ層１０３、アンドープの
インジウムガリウム燐砒素活性層１０４、Ｐ型インジウ
ム燐クラッド層１０５およびＰ型インジウムガリウム砒
素キャップ層を、順次エピタキシャル結晶成長させた。

【００４０】このエピタキシャル結晶成長は、二酸化硅
素膜１１２上では起こらず、露出されたインジウム燐基
板１０２の表面上のみに、バッファ層１０３、活性層１
０４、クラッド層１０５、キャップ層１０６が、上記誘
電体膜１１２に形成された溝の底部から、順次成長し
た。また、上記溝の方向が結晶方位＜１１０＞から１度
傾いているので、各層の断面形状を逆台形になったた。

【００４１】なお、上記実施例１〜４では、上記溝と結
晶方位＜１１０＞との間の角度が、３度および１度の場
合を示したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、０．１度から１４度の範囲内で実施することがで
き、０．５度〜１０度の範囲ならば、極めて好ましい結
果が得られる。上記角度が０．１度より小さいと、断面
が逆台形にならず、１４度より大きいと、結晶欠陥や偏
析など、好ましくない現象が起こるので、上記角度は、
０．１度から１４度、好ましくは０．５度〜１０度の範
囲内にする必要がある。上記角度が、０．５度〜１０度
の範囲内であれば、上記結晶欠陥や偏析など、好ましく
ない現象を起こすことなしに、クラッド層の下面の面積
に対する上面の面積の比を、ほぼ１．５〜３とすること
ができ、実用上極めて好ましい結果が得られた。

【００４２】

【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、結晶方位＜１１０＞から０.１度から１４度好
ましくは０．５度から１０度の間の角度をなす溝を有す
る誘電体膜を基板上に形成し、この溝によって露出され
た上記基板上に、バッフア層、活性層および半導体クラ
ッド層を順次エピタキシャル結晶成長させることによっ
て、断面形状が逆台形の半導体クラッド層が得られる。

【００４３】そのため、上記半導体クラッド層の、活性
層に接する下面の面積が、活性層とは遠い側の上面の面
積より小さくなり、活性層の幅が極めて小さく、かつ、
電極との接触面積が十分大きい半導体光素子が得られ
る。

【００４４】また、良好な絶縁膜でもある誘電体膜によ
って活性領域の幅が規定されているため、活性層以外に
漏れる電流は効果的に抑制され、良好な電流狭窄構造が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体光素子の一例を示す断面図、

【図２】本発明の半導体光増幅器の一例を示す図、

【図３】本発明のレーザーの一例を示す図、

【図４】本発明の半導体光素子の製造方法の一例を示す
工程図。

【符号の説明】

１０１……ｎ電極、 １０２……化合物半導体基板、１
０３……化合物半導体バッファ層、 １０４……化合物
半導体活性層、１０５……化合物半導体クラッド層、
１０６……化合物半導体キャップ層、１０７……ｐ電
極、 １１２……誘電体膜、 １１１……パッシベーシ
ョン膜、１２１……樹脂膜、 ２０１……無反射化膜、
４０１……グレーティング。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 雅博 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１導電型を有する半導体基板と、当該半
   導体基板の表面上に形成されたストライプ状の開口部を
   有する誘電体膜と、上記開口部を介して露出された上記
   半導体基板上に順次積層して形成された、上記第１導電
   型を有する化合物半導体からなるバッフア層，当該バッ
   フア層とは異なる化合物半導体からなる活性層および上
   記第１導電型とは逆の第２導電型を有する化合物半導体
   からなるクラッド層を少なくとも具備し、上記クラッド
   層の上辺の幅は上記開口部の下端部の幅より大きいこと
   を特徴とする半導体光素子。
2. 【請求項２】上記ストライプ状の溝の長さ方向は、上記
   半導体基板の結晶方位＜１１０＞より０.１度から１４
   度の間の角度だけ傾いていることを特徴とする請求項１
   に記載の半導体光素子。
3. 【請求項３】上記ストライプ状の溝の長さ方向は、上記
   半導体基板の結晶方位＜１１０＞より０.５度から１０
   度の間の角度だけ傾いていることを特徴とする請求項２
   に記載の半導体光素子。
4. 【請求項４】上記誘電体膜は、二酸化珪素、四窒化珪
   素、ほう珪酸ガラス、アモルフアスシリコンおよび三酸
   化二アルミニウムからなる群から選択された材料からな
   ることを特徴とする請求項１から３のいずれ一に記載の
   半導体光素子。
5. 【請求項５】上記クラッド層の上には、化合物半導体か
   らなるキャップ層が形成されていることを特徴とする請
   求項１から４のいずれ一に記載の半導体光素子。
6. 【請求項６】上記誘電体膜上には、第２の開口部を有す
   る平坦化膜が形成されており、当該平坦化膜と上記クラ
   ッド膜の上面はほぼ平坦であることを特徴とする請求項
   １から５のいずれ一に記載の半導体光素子。
7. 【請求項７】上記平坦化膜は有機樹脂からなることを特
   徴とする請求項６に記載の半導体光素子。
8. 【請求項８】上記平坦化膜と上記クラッド層の間にはパ
   ッシベーション層が介在していることを特徴とする請求
   項６若しくは７に記載の半導体光素子。
9. 【請求項９】上記半導体基板はｎ型インジウム燐からな
   ることを特徴とする請求項１から８のいずれか一に記載
   の半導体光素子。
10. 【請求項１０】上記バッフア層はｎ型インジウム燐から
    なることを特徴とする請求項１から９のいずれか一に記
    載の半導体光素子。
11. 【請求項１１】上記活性層はアンドープのインジウムガ
    リウム砒素燐からなることを特徴とする請求項１から１
    ０のいずれか一に記載の半導体光素子。
12. 【請求項１２】上記クラッド層はｐ型インジウ燐からな
    ることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一に記
    載の半導体光素子。
13. 【請求項１３】請求項１から１２のいずれか一に記載の
    半導体光素子を用いて形成されたことを特徴とする半導
    体光増幅器。
14. 【請求項１４】第１導電型を有する半導体基板の表面上
    に誘電体膜を形成する工程と、当該誘電体膜に、結晶方
    位＜１１０＞となす角度が０.１度から１４度好ましく
    は０．５度から１０度の間であるストライプ状の溝を形
    成する工程と、当該溝によって露出された上記半導体基
    板の表面上に、上記第１導電型を有する第１の化合物半
    導体膜、当該第１の化合物半導体膜とは異なる組成を有
    する第２の化合物半導体膜および上記第１導電型とは逆
    の第２導電型を有する第３の化合物半導体膜を順次積層
    して成長させることにより、断面形状が逆台形である上
    記第３の化合物半導体膜を形成することを特徴とする半
    導体光素子の製造方法。
15. 【請求項１５】上記第１、第２および第３の化合物半導
    体膜は、有機金属気相成長法若しくは有機金属分子線エ
    ピタキシー法によって成長されることを特徴とする請求
    項１４に記載の半導体光素子の製造方法。