KR950012870A - 이중 클래드 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents

이중 클래드 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 InGaP/InGaAlP계 반도체 레이저 다이오드는 제1도전형 GaAs 기판의 상부에 순차적으로 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층 및 제2도전형 AlGaAs 내부 클래드층이 적층되어 형성된다. 제1도전형 GaAs 기판중 중앙부위에 스트라이프 형태로 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층이 적층되어 있고, 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층을 노출시키면서 상기 제2도전형 AlGaAs 내부 클래드층의 상부에 제1도전형 GaAs 전류저지층이 적층되어 형성된다. 개구부를 통하여 노출되는 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층의 상부에는 제2도전형 InGaP 통전용이층이 적층되고, 그 상부에는 전면에 제2도전형 GaAs 캡층이 적층되어 있다. 또한, 소자의 상부 및 하부에 제2도전형 금속전극 및 제1도전형 금속전극이 구비된다. 여기서, 제2도전형 AlGaAs 내부 클래드층 및 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층은 서로 다른 습식 식각 특성을 갖는 것으로, 보다 용이하게 릿지 구조를 갖는 레이저 다이오드의 제작이 가능하게 되는 잇점이 있다.

Description

이중 클래드 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 및 제3B도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드에서의 굴절률 및 광모드 분포를 나타내는 그래프들이다.

Claims (6)

  1. 제1도전형 GaAs 기판; 상기 제1도전형 GaAs 기판의 상부에 순차적으로 적층되는 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층 및 제2도전형 AlGaAs 내부 클래드층; 상기 제1도전형 GaAs 기판중 중앙부위가 광출력면에 수직된 방향으로 스트라이프 형태로 적층되는 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층; 및 상기 스트라이프 형태의 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층의 상부를 노출시키면서 상기 제2도전형 AlGaAs 내부 클래드층의 상부에 적층된 n형 GaAs 전류저지층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 GaAs 전류저지층을 통하여 노출되어 있는 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층의 상부에 적층되는 제2도전형 InGaP 통전용이층; 상기 제2도전형 InGaP 통전용이층 및 제1도전형 GaAs 전류지지층로 이루어진 표면의 상부에 적층되는 제2도전형 GaAs 캡층; 및 상기 제2도전형 GaAs 캡층의 상부 및 상기 제1도전형 GaAs 기판의 하부에 각각 형성되는 제1도전층 및 제2도전층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 InGaAlP 클래드층 및 제2도전형 InGaAlP 클래드층은 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 InGaP 활성층은 In0.5Ga0.5P 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형 AlGaAs 내부 클래드층은 Al0.75Ga0.25As 물질로 구성되고, 상기 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층은 In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  6. 제1도전형 GaAs 기판의 상부에 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층, 제2도전형 AlGaAs 내부 클래드층, 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층 및 제2도전형 InGaP 통전용이층을 순차적으로 결정 성장시키는 공정; 릿지 형성을 위한 소정 마스크 패턴을 상기 제2도전형 InGaP 통전용이층 및 상기 제2도전형 InGaAlP 외부 클래드층을 선택적으로 식각하는 공정; 상기 식각 공정을 통하여 노출된 제2도전형 AlGaAs 내부 클래드층의 상부에, 상기 마스크 패턴을 결정성장 방지 마스크로 사용하여, 제1도전형 GaAs 전류저지층을 선택적으로 성장시키는 공정; 및 상기 마스크 패턴을 제거한후, 상기 제2도전형 InGaP 통전용이층 및 상기 제1도전형 GaAs 전류저지층로 이루어진 표면의 상부에 제2도전형 GaAs 캡층을 성장시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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