KR950012878A - 반도체 레이저 소자와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 소자와 그 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은 그 저면에 전극이 마련되는 기판과, 상기 기판 상부에 형성되는 것으로, 그 상,하부에는 크래드층이 마련되어 있으며 레이저를 발진시키는 활성층과, 상기 상부 크래드층의 상부에 형성되는 것으로 오믹 접촉을 위한 캡층을 구비하는 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 활성층의 상부와 하부에는 제1크래드층과 제2크래드층이 각각 적층 형성되어 있으며, 상기 상부측의 제2크래드층 내에는 소정 폭의 복수개의 V형 채널이 소정 간격을 두고 형성되어 채널과 채널 사이에 리지 스트라이프가 형성되어 있다.

따라서, A1의 산화에 의한 소자의 열화를 방지할 수 있으며, 광섬유등과 관련된 광증폭 레이저분야에 사용될 경우 고신뢰도의 레이저 특성을 얻을 수 있다.

Description

반도체 레이저 소자와 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 제조광정을 나타낸 것으로서, (가)는 1차성장 후의 단면구조도, (나)는 식각에 의해 V형 채널이 형성된 상태도, (다)는 마스크층에 의해 전류주입구가 형성된 상태도, (라)는 상,하전극이 형성되어 소자가 완성된 상태도.

Claims (4)

1. 그 저면에 전극이 마련되는 기판과, 상기 기판 상부에 형성되는 것으로, 그 상,하부에는 크래드층이 마련되어 있으며 레이저를 발진시키는 활성층과, 상기 상부 크래드층의 상부에 형성되는 것으로 오믹 접촉을 위한 캡층을 구비하는 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 활성층의 상부와 하부에는 제1크래드층과 제2크래드층이 각각 적층 형성되어 있으며, 상기 상부측의 제2크래드층 내에는 소정 폭의 복수개의 V형 채널이 소정 간격을 두고 형성되어 채널과 채널 사이에 리지 스트라이프가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1크래드층은 GaInP, 제2크래드층은 AlGaAs의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
3. (1) 기판상에 n-버퍼층, 제2크래드층, 제1크래드층, 활성층, 제1크래드층, 제2크래드층 및 캡층을 순차적으로 적층 성장하는 단계; (2) 상기 성장 후, 식각에 의해 상기 활성층 상부에 제2크래드층에 V형 채널을 형성하는 단계; (3) 상기 V형 채널을 형성 후, 패터닝에 따라 선택적으로 마스크층을 형성하는 단계; 및 (4) 상기마스크층 형성 후, 기판의 저면과 마스크층 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 V형 채널의 식각은 선택적 식각에 의해 형성되며, 이때 사용되는 식각액은 H₂SO₄:H₂O₂:H₂O=1:2:7의 비율을 가지는 혼합용액이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.