KR950010245A - 반도체 레이저 소자 및 제조 방법 - Google Patents
반도체 레이저 소자 및 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950010245A KR950010245A KR1019930020358A KR930020358A KR950010245A KR 950010245 A KR950010245 A KR 950010245A KR 1019930020358 A KR1019930020358 A KR 1019930020358A KR 930020358 A KR930020358 A KR 930020358A KR 950010245 A KR950010245 A KR 950010245A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- refractive index
- mesa
- active
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 a)반도체 기판상에 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층 및 캡층을 순차적으로 에피택시 성장시키는 공정; b) 상기 캡층을 사진식각공정에 의해 식각하여 공진기 길이보다 짧고 일정 폭을 갖는 메사 스크립 리지구조를 형성하는 공정; 및 c)상기 메사 스트립리지 구조가 오버랩되지 않은 활성층의 좌우영역은 굴절률을 낮추고 선후영역은 밴드갭 에너지를 높이기 위해 상기 메사 스트립 리지 구조가 형성된 반도체 기판에 레이저빔을 스캔조사하는 공정을 구비하여 상기 활성층에 굴절률 도파형 구조 및 NAM구조를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 수평 횔방향 굴절률 도파 구조와 NAM구조를 한 공정으로 동시에 형성함으로써 공정의 단순화를 꾀할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체 레이저소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면,
제2도는 본 발명에 의한 활성층을 설명하기 위한 도면.
Claims (4)
- a)반도체 기판상에 하부 클래드층, 활성층, 상부 클래드층 및 캡층을 순차적으로 에피택시 성장시키는 공정; b)상기 캡층을 사진식각공정에 의해 식각하여 공진기 길이보다 짧고 일정 폭을 갖는 메사 스크립 리지 구조를 형성하는 공정; 및 c) 상기 메사 스트립리지 구조가 오버랩되지 않은 활성층의 좌유영역은 굴절률을 낮추고 선후 영역은 밴드갭 에너지를 높이기 위해 상기 메사 스트립 리지 구조가 형성된 반도체 기판에 레이저빔을 스캔조사하는 공정을 구비하여 상기 활성층에 굴절률 도파형 구조 및 NAM구조를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 캡층을 p형 GaAs인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층은 InGaP와 GaAs층이 교호로 반복 적층된 다중양자 우물형인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 제조방법.
- 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 마련되는 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층의 샌드위치구조; 상기 상부 클래드층상에 형성되고 공진기의 길이보다 일정 폭을 갖는 메사 스트립 리지구조의 캡층; 상기 캡층에 오버랩되는 상기 활성층의 활성영역; 상기 활성영역보다 굴절률이 낮아 광도파 구조를 제공하는 상기 활성층의 조우 영역들; 및 상기 활성영역보다 밴드겝 에너지가 높아 NAM구조로 제공되는 상기 활성층의 선후 영역들을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020358A KR100278623B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 소자 및 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020358A KR100278623B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 소자 및 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010245A true KR950010245A (ko) | 1995-04-26 |
| KR100278623B1 KR100278623B1 (ko) | 2001-02-01 |
Family
ID=66824470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930020358A KR100278623B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 반도체 레이저 소자 및 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100278623B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100601968B1 (ko) | 2004-10-27 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | 굴절율이 조절된 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-09-28 KR KR1019930020358A patent/KR100278623B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100278623B1 (ko) | 2001-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09153638A (ja) | 導波路型半導体受光装置およびその製造方法 | |
| KR20030065054A (ko) | 단일 집적 반도체 광소자 제작방법 | |
| KR950010245A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 제조 방법 | |
| US5518954A (en) | Method for fabricating a semiconductor laser | |
| JPS6079785A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0837341A (ja) | 半導体光集積素子およびその製造方法 | |
| JPS63213383A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6184891A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0376287A (ja) | ブロードエリアレーザ | |
| JPH10190122A (ja) | 波長可変半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH06130236A (ja) | 交差型光スイッチ | |
| JP2742358B2 (ja) | 半導体光検出器およびその製造方法 | |
| JPH02303084A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR100284760B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2908124B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH0680864B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS63164383A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| JPS62165388A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04369269A (ja) | 光集積回路の製造方法 | |
| KR950012894A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPS63278288A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0691295B2 (ja) | 半導体レ−ザ及び製造方法 | |
| JPH07202261A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| KR960006170A (ko) | 반도체 레이저 및 그 제조방법 | |
| KR950012878A (ko) | 반도체 레이저 소자와 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |