KR960006170A - 반도체 레이저 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 N형 GaAs 반도체기판상에 N형 AlGalnP(Al=0.7) 제1 클래드층과 InGaP로된 활성층과 P형 AlGalnP(Al=0.7) 제2 클래드층과 N형 GaAs 전류차단층을 순차적으로 일차 성장한 후, 상기 전류차단층과 예정된 깊이의 제2 클래드층을 예정된 폭 및 방향으로 제거하여 스트라이프를 형성하고, 상기 구조의 전표면에 P형 AlGalnP(Al=0.5) 광가이드층과 P형의 AlGalnP(Al=0.7) 제3 클리드층과 P형 GaAs로된 캡층을 순처적으로 이단계 성장하여 스트라이프에서는 제1 클래드층과 활성층과 제2클래드층과 광가이드층 및 제3 클래드층으로 구성되는 5층 슬랩 웨이브 가이드를 가지며, 스트라이프 이외의 부분에서는 제1 클래드층과 활성층과 제2 클래드층으로 구성되는 3층 슬랩 웨이브 가이드를 갖도록 하였으므로, 주어진 유효굴절율차(△n)에 대하여 충분히 좁은 트라이프 폭을 형성하여, 접합면을 따라 유효굴절율 차를 갖는 레이저 다이오드가 실수 굴절율 가이드를 갖도록하여 안정된 기본 횡모드를 얻을 수 있고, 문턱전압이 감소되며, 유효굴절율차가 작아 비점수차가 낮아 소자동작의 신뢰성과 공정수율을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 레이저 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따른 반도체 레이저의 단면도.

제2도는 제1도의 반도체 레이저의 유효굴절을 접근방식에 따른 횡모드 분석에 대한 웨이브 가이드 구조를 도시한 개략도.

제3A도 내지 제3E도는 본 발명에 따른 반도체 레이저의 제조 공정도.

Claims (6)

1. 제1도전형 GaAs반도체기판상에 형성되어 있는 제1도전형의 AlGalnP(Al=0.7)로된 제1클래드층과, 상기 제1클래드층상에 형성되어 있는 InGaP로 된 활성층과, 상기 활성층상에 형성되어 있는 제2도전형 AlGalnP(Al=0.7)로된 제2클래드층과, 상기 제2클래드층상에 형성되어 있는 제1도전형 GaAs로 된 전류차단층과, 상기 전류차단층과 일부 제2클래드층이 예정된 방향 및 폭을 갖고 제거되어 있는 스트라이프와, 상기 구조의 전표면에 형성되어 있는 제2도전형 AlGalnP(Al=0.5)로 된 광가이드층과, 상기 광가이드층상에 제2도전형 AlGalnP(Al=0.7)로 형성되어 있는 제3클래드층과, 상기 제3클래드층상에 형성되어 있는 제2도전형 GaAs로 된 캡층을 구비하는 반도체 레이저.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형이 N형이고, 제2도전형이 P형인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
3. 제1항에 있어서, 상기 제3클래드층과 캡층의 사이에 제2도전형의 InGaP로 된 저항저하층이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저.
4. 제1도전형 GaAs 반도체기판상에 제1도전형의 AlGalnP(Al=0.7)로된 제1클래드층과 InGaP로 된 활성층과 제2도전형 AlGalnP(Al=0.7)로 된 제2클래드층과 제1도전형 GaAs로 된 전류차단층을 순차적으로 형성하는 일차 성장 공정과, 상기 전류차단층과 예정된 깊이의 제2클래드층을 예정된 폭 및 방향으로 제거하여 스트라이프를 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제2도전형 AlGalnP(Al=0.5)로 된 광가이드층과 제2도전형의 AlGalnP(Al=0.7) 제3클래드층과 제2도전형 GaAs로 된 캡층을 형성하는 이차 성장 공정을 구비하는 반도체 레이저의 제조 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 반도체 기판이 (100)면을 가질때 상기 스트라이프를 [011]방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 제조방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 스트라이프 형성 공정이 소정폭으로 전류차단층을 노출시키는 산화막 패턴을 마스크로 습식 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.