JPS6262583A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS6262583A JPS6262583A JP20362785A JP20362785A JPS6262583A JP S6262583 A JPS6262583 A JP S6262583A JP 20362785 A JP20362785 A JP 20362785A JP 20362785 A JP20362785 A JP 20362785A JP S6262583 A JPS6262583 A JP S6262583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- current
- conductivity type
- diffused
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は半導体レーザに関し、特に埋込ヘテロ接合構造
を有する半導体レーザ素子に関するものである。
を有する半導体レーザ素子に関するものである。
〈従来技術〉
レーザ発振用活性層を活性層より屈折率が小さくエネル
ギーギャップの大きい半導体層で囲んだ埋込み型の半導
体レーザ素子は、発振閾電流値が低く安定な横モードで
発振し、高速変調が可能である等の利点を有しており、
光通信システムや光ファイバーを用いた計測システム用
の光源として利用され、産業上非常に重要な素子となっ
ている。
ギーギャップの大きい半導体層で囲んだ埋込み型の半導
体レーザ素子は、発振閾電流値が低く安定な横モードで
発振し、高速変調が可能である等の利点を有しており、
光通信システムや光ファイバーを用いた計測システム用
の光源として利用され、産業上非常に重要な素子となっ
ている。
しかし、この埋込み型レーザ素子では、注入電流量を増
加していくと活性層を通らない無効電流が急激に増大し
、これが出力の最大値を制限する結果上なっている。ま
た、この無効電流は温度の上昇とともに増加することも
知られており、特に産業上重要なＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎ
Ｐ系の埋込み型半導体レーザでは実用上の障害となって
いる。
加していくと活性層を通らない無効電流が急激に増大し
、これが出力の最大値を制限する結果上なっている。ま
た、この無効電流は温度の上昇とともに増加することも
知られており、特に産業上重要なＩｎＧａＡｓＰ／Ｉｎ
Ｐ系の埋込み型半導体レーザでは実用上の障害となって
いる。
上記無効電流の原因は次の様に考えられる。即ち、埋込
み型半導体レーザは、主として第２図または第３図に示
す様な構造に作製される。第２図は例えばｎ型１ｎＰ基
板１上にｎ型１ｎＰバッファ層２、ノンドープＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４を順次エピタ
キシャル成長した後、通常の化学エツチング法を用いて
エピタキシャル成長層をメサ型にエツチング成型し、こ
の両側にｐ型ＩｎＰ埋込層５、ｎ型ＩｎＰ埋込層６を成
長させたものである。第３図は例えばｎ型１ｎＰ基板１
上にｐ型ＩｎＰ埋込層５、ｎ型ＴｎＰ埋込層６を順次エ
ピタキシャル成長させた後、通常の化学エツチング法を
用いて溝を彫り、その後ｎ型１ｎＰバッファ層２、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型１ｎＰクラッド層４を順次溝
内にエピタキシャル成長させたものである。いずれの方
式で作製された素子においてもレーザ発振は活性層３を
通る注入電流７に依存しており、活性層３の両側の埋込
層５．６によって作られるｐ−ｎ接合は逆バイアスされ
ているため、注入電流７が小さい時はこの部分には殆ん
ど電流は流れない。しかし、注入電流量を大きくしてい
く七活性層３の両側の埋込層５，６にも相当量の電流が
流れるようになる。この原因はクラノド層４から埋込層
５へ流れるゲート電流７ｂによって、クラッド層４、埋
込層５及びバッファ層２（又は基板１）で形成されるサ
イリスタが導通するためである（樋ロ他：レーザ研究第
１３巻、第１５６頁、１９８５年）。注入電流７ｂを小
さくするためには活性層３を下方の埋込層５と上方の埋
込層６の頂度接合面の箇所π層設すればよいが、現在の
液相エピタキシャル技術と化学エツチング技術では、こ
のような精巧な層厚制御は不可能であり、上述の原因で
生じる無効電流を防ぐことはできないＯ 〈発明の目的〉 本発明は上述の間開点に鑑み、埋込層に流れ込む電流を
極力抑制して無効電流が注入電流量によって大幅には変
化しないような構造の埋込型半導体レーザ素子を提供す
ることを目的とする。
み型半導体レーザは、主として第２図または第３図に示
す様な構造に作製される。第２図は例えばｎ型１ｎＰ基
板１上にｎ型１ｎＰバッファ層２、ノンドープＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４を順次エピタ
キシャル成長した後、通常の化学エツチング法を用いて
エピタキシャル成長層をメサ型にエツチング成型し、こ
の両側にｐ型ＩｎＰ埋込層５、ｎ型ＩｎＰ埋込層６を成
長させたものである。第３図は例えばｎ型１ｎＰ基板１
上にｐ型ＩｎＰ埋込層５、ｎ型ＴｎＰ埋込層６を順次エ
ピタキシャル成長させた後、通常の化学エツチング法を
用いて溝を彫り、その後ｎ型１ｎＰバッファ層２、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型１ｎＰクラッド層４を順次溝
内にエピタキシャル成長させたものである。いずれの方
式で作製された素子においてもレーザ発振は活性層３を
通る注入電流７に依存しており、活性層３の両側の埋込
層５．６によって作られるｐ−ｎ接合は逆バイアスされ
ているため、注入電流７が小さい時はこの部分には殆ん
ど電流は流れない。しかし、注入電流量を大きくしてい
く七活性層３の両側の埋込層５，６にも相当量の電流が
流れるようになる。この原因はクラノド層４から埋込層
５へ流れるゲート電流７ｂによって、クラッド層４、埋
込層５及びバッファ層２（又は基板１）で形成されるサ
イリスタが導通するためである（樋ロ他：レーザ研究第
１３巻、第１５６頁、１９８５年）。注入電流７ｂを小
さくするためには活性層３を下方の埋込層５と上方の埋
込層６の頂度接合面の箇所π層設すればよいが、現在の
液相エピタキシャル技術と化学エツチング技術では、こ
のような精巧な層厚制御は不可能であり、上述の原因で
生じる無効電流を防ぐことはできないＯ 〈発明の目的〉 本発明は上述の間開点に鑑み、埋込層に流れ込む電流を
極力抑制して無効電流が注入電流量によって大幅には変
化しないような構造の埋込型半導体レーザ素子を提供す
ることを目的とする。
〈発明の概要〉
本発明は、上記目的を達成するだめ、導電型がｐ型又は
ｎ型に選定された第１導電型の化合物半導体基板内の上
部に、第１導電型と逆導電型の不純物を、幅２μｍ乃至
１０μｍのストライプ状の部分を除いて拡散したのち、
上記半導体基板の不純物を拡散していない部分にストラ
イプ状の溝を刻設し、その後溝内に第１導電型のバッフ
ァー層、バッファー層よりエネルギーギャップが小さく
屈折率の高い活性層、及び第１導電型と逆導電型のクラ
ノド層を順次エピタキシャル成長させてレーザ発振用多
層結晶構造を形成したことを特徴とする。
ｎ型に選定された第１導電型の化合物半導体基板内の上
部に、第１導電型と逆導電型の不純物を、幅２μｍ乃至
１０μｍのストライプ状の部分を除いて拡散したのち、
上記半導体基板の不純物を拡散していない部分にストラ
イプ状の溝を刻設し、その後溝内に第１導電型のバッフ
ァー層、バッファー層よりエネルギーギャップが小さく
屈折率の高い活性層、及び第１導電型と逆導電型のクラ
ノド層を順次エピタキシャル成長させてレーザ発振用多
層結晶構造を形成したことを特徴とする。
〈実施例〉
以下、本発明の１実施例について図面を参照しながら詳
説する。
説する。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の構
成図である。このレーザ素子の基板の製作工程を第４図
（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す。まず例えばｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１上にプラズマＣＶＤ法等を用いて第４図（Ａ）
の如く窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜９を蒸着する。次に
フォトリソグラフィー技術により幅６μｍのフォトレジ
ストマスクのストライプパターン（図示せず）を＜０２
＞方向に形成し、これをマスクとして第４図（Ｂ）の如
（ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝Ｉ ： ４０の溶液によりＳｉＮｘ
膜９をエツチングし、更に同様にＳｉＮｘ膜をマスクと
して例えばＺｎ等の不純物を深さ１μｍ程度まで拡散し
、Ｚｎ拡散領域８を形成する。次に上記ＳｉＮｘ膜９を
除去し、再度フォトリソグラフィー技術により第４図（
Ｃ）に示す如くＺｎを拡散していない部分の中央部分を
幅３μｍ程度除いてその両側にフォトレジストマスクＩ
Ｏを形成する。この時、Ｚｎ拡散領域８は上記ＳｉＮｘ
膜９の下方にも拡がっておシ、従ってＺｎが拡散されて
いない部分の幅は約５μｍ程度となっている。このため
、フォトレジストマスクｌ０ｉＺｎの拡散していない領
域に精密に合わせる必要があるので、フォトレジストを
塗布する前にＫＯＨ：に３ Ｆ ｅ（ＣＮ）ｓ ： Ｈ
２０＝ Ｉ ： Ｉ ： ６の混合溶液でＺｎ拡散領域
８を選択的にエツチングしＺｎを拡散した部分としてい
ない部分の間に段差をつけておく。
成図である。このレーザ素子の基板の製作工程を第４図
（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す。まず例えばｎ型Ｉｎ
Ｐ基板１上にプラズマＣＶＤ法等を用いて第４図（Ａ）
の如く窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜９を蒸着する。次に
フォトリソグラフィー技術により幅６μｍのフォトレジ
ストマスクのストライプパターン（図示せず）を＜０２
＞方向に形成し、これをマスクとして第４図（Ｂ）の如
（ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝Ｉ ： ４０の溶液によりＳｉＮｘ
膜９をエツチングし、更に同様にＳｉＮｘ膜をマスクと
して例えばＺｎ等の不純物を深さ１μｍ程度まで拡散し
、Ｚｎ拡散領域８を形成する。次に上記ＳｉＮｘ膜９を
除去し、再度フォトリソグラフィー技術により第４図（
Ｃ）に示す如くＺｎを拡散していない部分の中央部分を
幅３μｍ程度除いてその両側にフォトレジストマスクＩ
Ｏを形成する。この時、Ｚｎ拡散領域８は上記ＳｉＮｘ
膜９の下方にも拡がっておシ、従ってＺｎが拡散されて
いない部分の幅は約５μｍ程度となっている。このため
、フォトレジストマスクｌ０ｉＺｎの拡散していない領
域に精密に合わせる必要があるので、フォトレジストを
塗布する前にＫＯＨ：に３ Ｆ ｅ（ＣＮ）ｓ ： Ｈ
２０＝ Ｉ ： Ｉ ： ６の混合溶液でＺｎ拡散領域
８を選択的にエツチングしＺｎを拡散した部分としてい
ない部分の間に段差をつけておく。
次に第４図（Ｄ）に示す如くフォトレジストをマスクと
して濃塩酸によりストライプ状に深さ２μｍの溝１１全
形成した後、フォトレジストマスク１０を除去する。溝
１１の底部はＶ字状に下方へ突設されており、この内部
にレーザ発振動作用結晶構造が形成される。即ち第１図
に示す如く、通常の液相エピタキシャル法により、第１
層としてｎ−ＩｎＰバッファー層２と第２埋込層６．第
２層としてノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３と第３埋
込層６′。
して濃塩酸によりストライプ状に深さ２μｍの溝１１全
形成した後、フォトレジストマスク１０を除去する。溝
１１の底部はＶ字状に下方へ突設されており、この内部
にレーザ発振動作用結晶構造が形成される。即ち第１図
に示す如く、通常の液相エピタキシャル法により、第１
層としてｎ−ＩｎＰバッファー層２と第２埋込層６．第
２層としてノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３と第３埋
込層６′。
第３層としてｐ型１ｎＰクラッド層４を順次成長させる
。バッファ層２と活性層３は溝１１の内方に成長されて
レーザ発振動作部となり、第２埋込層６と第３埋込層６
′は溝１１の外方の第１埋込層５に重畳形成される。ま
たｐ−クラッド層４は溝ＩＩの内外にわたって広く堆積
される。以上の多層結晶構造ｌｃｎ側及びｐ側の電極（
図示せず）を基板１表面とクラッド層４表面にそれぞれ
形成した後、（＋１０）面で骨間してレーザ共振器を形
成する。
。バッファ層２と活性層３は溝１１の内方に成長されて
レーザ発振動作部となり、第２埋込層６と第３埋込層６
′は溝１１の外方の第１埋込層５に重畳形成される。ま
たｐ−クラッド層４は溝ＩＩの内外にわたって広く堆積
される。以上の多層結晶構造ｌｃｎ側及びｐ側の電極（
図示せず）を基板１表面とクラッド層４表面にそれぞれ
形成した後、（＋１０）面で骨間してレーザ共振器を形
成する。
上記構造では、注入された電流はストライプ状の溝！■
内に狭窄されて流れるが第２図や第３図に示した従来の
構造の半導体レーザ素子と異なり、クラッド層４．５
ＺＡ拡散領域８とがそれらとは逆導電型の基板１によっ
て分離されているため、ゲート電流７−ｂは流れること
ができなくなっている。このため、出力を増加する目的
で注入電流７を増加させても、クラッド層４、第２埋込
層６、拡散領域８及び基板１で構成されるサイリスタ構
造の電流阻止層が導通することは殆んどなく、無効電流
を非常に小さく保つことが可能となっている。この点に
ついて更に詳しく説明する。第２図又は第３図に示す構
造の半導体レーザ素子の等価回路を第５図囚に、第１図
に示す本実施例の半導体レーザ素子の等価回路を第５図
（Ｂ）に示す。電流阻止構造はいずれの素子構造でもサ
イリスタの等価回路（破線内の回路）で表わされるが、
第５図（Ａ）の構造では注入電流（ＩＴ）７が増加する
につれてゲート電流（１に）７ｂも増加し、このためサ
イリスタが導通しその増幅作用のためＩＧよりはるかに
大きな電流Ｉ５が流れる。ＩｓはダイオードＤＡで表わ
される活性層を通らない無効電流であるから、この等価
回路で表わされる従来の素子では注入電流■Ｔが増加す
るにつれて無効電流も急激に増加することとなる。一方
、第５図（Ｂ）の構造では注入電流ＩＴが増加するにつ
れて活性層と並列に接続されたダイオードＤｓを通る無
効電流は増加するが、その量は注入電流量に単に比例す
るだけであり、サイリスタは非導通状態を保つため、無
効電流の増加は第５図（Ａ）の場合と比較すると極めて
小さい。ダイオードＤｓはクラッド層４と基板１によっ
て形成されるｐ−ｎ接合を表わしている。上記実施例で
は無効電流が小さいため、室温で７０ｍＷ以上の高出力
動作が可能となり、また無効電流知よる発熱の影響が少
ないため、１４０℃以上の高温までレーザ発振が可能で
あった。
内に狭窄されて流れるが第２図や第３図に示した従来の
構造の半導体レーザ素子と異なり、クラッド層４．５
ＺＡ拡散領域８とがそれらとは逆導電型の基板１によっ
て分離されているため、ゲート電流７−ｂは流れること
ができなくなっている。このため、出力を増加する目的
で注入電流７を増加させても、クラッド層４、第２埋込
層６、拡散領域８及び基板１で構成されるサイリスタ構
造の電流阻止層が導通することは殆んどなく、無効電流
を非常に小さく保つことが可能となっている。この点に
ついて更に詳しく説明する。第２図又は第３図に示す構
造の半導体レーザ素子の等価回路を第５図囚に、第１図
に示す本実施例の半導体レーザ素子の等価回路を第５図
（Ｂ）に示す。電流阻止構造はいずれの素子構造でもサ
イリスタの等価回路（破線内の回路）で表わされるが、
第５図（Ａ）の構造では注入電流（ＩＴ）７が増加する
につれてゲート電流（１に）７ｂも増加し、このためサ
イリスタが導通しその増幅作用のためＩＧよりはるかに
大きな電流Ｉ５が流れる。ＩｓはダイオードＤＡで表わ
される活性層を通らない無効電流であるから、この等価
回路で表わされる従来の素子では注入電流■Ｔが増加す
るにつれて無効電流も急激に増加することとなる。一方
、第５図（Ｂ）の構造では注入電流ＩＴが増加するにつ
れて活性層と並列に接続されたダイオードＤｓを通る無
効電流は増加するが、その量は注入電流量に単に比例す
るだけであり、サイリスタは非導通状態を保つため、無
効電流の増加は第５図（Ａ）の場合と比較すると極めて
小さい。ダイオードＤｓはクラッド層４と基板１によっ
て形成されるｐ−ｎ接合を表わしている。上記実施例で
は無効電流が小さいため、室温で７０ｍＷ以上の高出力
動作が可能となり、また無効電流知よる発熱の影響が少
ないため、１４０℃以上の高温までレーザ発振が可能で
あった。
尚、上記実施例は成長用基板としてｎ型基板を用いた場
合について説明を行なったがｐ型基板を用いた場合でも
同様である。基板ｌに拡散する不純物ＵＺｎ以外にＣｄ
等のｐ型不純物を用いることができる。また第１．第２
．第３の埋込層としてＩｎＰを用いた場合について説明
を行なったが、これらの埋込層としては活性層より屈折
率が小さくかつエネルギーギャップの小さいＩｎＧａＡ
ｓＰ等他の材料を用いてもよい。エピタキシャル成長ｆ
ｆｉもＴｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の半導体材料に限定さ
れるものではなく、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体
レーザ素子等にも適用できるこさは明らかである。
合について説明を行なったがｐ型基板を用いた場合でも
同様である。基板ｌに拡散する不純物ＵＺｎ以外にＣｄ
等のｐ型不純物を用いることができる。また第１．第２
．第３の埋込層としてＩｎＰを用いた場合について説明
を行なったが、これらの埋込層としては活性層より屈折
率が小さくかつエネルギーギャップの小さいＩｎＧａＡ
ｓＰ等他の材料を用いてもよい。エピタキシャル成長ｆ
ｆｉもＴｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の半導体材料に限定さ
れるものではなく、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系の半導体
レーザ素子等にも適用できるこさは明らかである。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、本発明によれば、注入電流を増加さ
せても電流阻止層を通って流れる電流を殆んど増加させ
ることなく、高出力動作を可能とすることができ、信号
光源として適する半導体レーザ素子を作製することがで
きる。またその結果、活性層を通らない無効電流による
素子の発熱を防止することができ、極めて高い温度まで
動作させることが可能な半導体レーザ素子が得られる。
せても電流阻止層を通って流れる電流を殆んど増加させ
ることなく、高出力動作を可能とすることができ、信号
光源として適する半導体レーザ素子を作製することがで
きる。またその結果、活性層を通らない無効電流による
素子の発熱を防止することができ、極めて高い温度まで
動作させることが可能な半導体レーザ素子が得られる。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の断
面図である。第２図及び第３図は従来の埋込型半導体レ
ーザ素子を示す断面図である。第４図は本発明の１実施
例の製作工程を示す工程説明図である。第５図は埋込型
半導体レーザ素子の電気的等価回路を示す回路図である
。 １・・・基板、２・・・バッファー層、３・・・活性層
。 ４・・クラッド層、５・・・拡散部、６・・・埋込層。 ７・・・注入電流、９・・・窒化膜、１０・・・フォト
レジストマスク、１１・・・溝 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）／ａ
７ｂ 第４図 （Ａ） （Ｂ）第５図
面図である。第２図及び第３図は従来の埋込型半導体レ
ーザ素子を示す断面図である。第４図は本発明の１実施
例の製作工程を示す工程説明図である。第５図は埋込型
半導体レーザ素子の電気的等価回路を示す回路図である
。 １・・・基板、２・・・バッファー層、３・・・活性層
。 ４・・クラッド層、５・・・拡散部、６・・・埋込層。 ７・・・注入電流、９・・・窒化膜、１０・・・フォト
レジストマスク、１１・・・溝 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）／ａ
７ｂ 第４図 （Ａ） （Ｂ）第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型の半導体基板にストライプ状の中央部分
を除いて第１導電型と逆導電型の不純物が拡散された拡
散領域が形成され、前記不純物を拡散していない中央部
分に形成されたストライプ状の溝に第１導電型のバッフ
ァー層、バッファー層よりエネルギーギャップが小さく
、屈折率の高い活性層及び第１導電型と逆導電型のクラ
ッド層から成るレーザ発振動作部が前記拡散領域と離間
して形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子
。 ２、半導体基板が（１００）ＩｎＰであり、不純物を拡
散していない中央部分の方向が〈０１１〉方向である特
許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子。 ３、半導体基板がｎ型ＩｎＰであり、拡散する不純物が
ＺｎまたはＣｄである特許請求の範囲第２項記載の半導
体レーザ素子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20362785A JPS6262583A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 半導体レ−ザ素子 |
| US06/897,337 US4839900A (en) | 1985-08-21 | 1986-08-15 | Buried type semiconductor laser device |
| EP86306486A EP0212977B1 (en) | 1985-08-21 | 1986-08-21 | A buried type semiconductor laser device |
| DE8686306486T DE3686970T2 (de) | 1985-08-21 | 1986-08-21 | Halbleiterlaservorrichtung vom vergrabenen typ. |
| US07/229,212 US4841534A (en) | 1985-08-21 | 1988-08-05 | Buried type semiconductor laser device |
| US07/314,363 US4908831A (en) | 1985-08-21 | 1989-02-22 | Buried type semiconductor laser device |
| US07/313,982 US4908830A (en) | 1985-08-21 | 1989-02-22 | Buried type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20362785A JPS6262583A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262583A true JPS6262583A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16477171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20362785A Pending JPS6262583A (ja) | 1985-08-21 | 1985-09-12 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262583A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190087A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS58207690A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Nec Corp | 埋め込み形半導体レ−ザ |
| JPS6080292A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP20362785A patent/JPS6262583A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190087A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS58207690A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Nec Corp | 埋め込み形半導体レ−ザ |
| JPS6080292A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4870468A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| EP0205307B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| US4841534A (en) | Buried type semiconductor laser device | |
| US4910744A (en) | Buried heterostructure semiconductor laser device | |
| JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPS6262583A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS61242091A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS5840881A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ・フオトダイオ−ド光集積化素子の製造方法 | |
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS6261386A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0437598B2 (ja) | ||
| JPS6260285A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS61104687A (ja) | 埋込み型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP3080643B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPS6266694A (ja) | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 | |
| JPS63278288A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| KR100287202B1 (ko) | 반도체레이저소자및그제조방법 | |
| JPH01309393A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPS6292385A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS58114478A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04229682A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS58131787A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS593872B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH0433387A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS63287079A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 |