KR950012833A - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, InGaAlP 재료를 이용한 반도체 레이저 제조시 각 층간의 계면에 발생하는 결함을 최소화시키기 위하여 제1도전형의 기판(1) 위에 버퍼층(20), 제1도전형 클래드층(3), 활성층(4), 제2도전형의 1차 클래드층(5a), 식각저지층(9), 제2도전형의 2차 클래드층(5b), 전류주입층(8)을 차례로 성장시켜 더블헤테로 구조를 형성하는 단계와, 상기 더블헤테로 구조를 식각저지층(9)까지 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 단계. 상기 릿지가 형성된 웨이퍼상에 전류차단층(6)을 성장시키는 단계, 상기 전류차단층(6)을 선택적으로 식각하고 이에 따라 노출되는 제1차 증발방지층(11)을 선택적으로 식각하여 상기 릿지 상에 전류주입영역을 형성하는 단계, 상기 결과물 전면에 캡층(7)을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법을 제공한다.
이에따라 고출력의 신뢰성이 우수한 반도체 레이저가 실현될 수 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 이득 도파형 반도체 레이저 다이오드 구조도,
제2도 및 제3도는 종래의 굴절율 도파형 반도체 레이저 다이오드 구조도,
제4도는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (7)

  1. 제1도전형의 기판(1) 위에 버퍼층(20), 제1도전형 클래드층(3), 활성층(4), 제2도전형의 1차 클래드층(5a), 식각저지층(9), 제2도전형의 2차 클래드층(5b), 전류주입층(8)을 차례로 성장시켜 더블헤테로 구조를 형성하는 단계와, 상기 더블헤테로 구조를 식각저지층(9)까지 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 단계 상기 릿지가 형성된 웨이퍼상에 전류차단층(6)을 성장시키는 단계, 상기 전류차단층(6)을 선택적으로 식각하여 상기 릿지상에 전류주입영역을 형성하는 단계, 상기 결과물 전면에 캡층(7)을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 릿지를 형성하는 단계는 상기 전류주입층(8)을 사진 식각 공정을 통해 선택적으로 식각하고 이어서 제2도전형의 2차 클래드층(5b)의 일부를 식각한 다음 상기 식각저지층(9)이 노출될 때까지 남아 있는 제2도전형의 2차 클래드층(2b)을 식각해 내는 공정에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 식각저지층을 두지않고 제2도전형의 클래드층을 성장시킨후 제2도전형의 클래드층이 0.2-0.3㎛ 정도 남도록 식각하여 릿지를 형성하고 릿지가 형성된 웨이퍼상에 저류차단층을 성장시키고 상기 전류차단층을 선택적으로 식각하여 릿지상에 전류주입영역을 형성하고 캡층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  4. 제1도전형 기판(1) 위에 버퍼층(2), 제1도전형 클래드층(3), 활성층(4), 제2도전형의 1차 클래드층(5a), 식각저지층(9), 제2도전형의 2차 클래드층(5b), 전류주입층(8)을 차례로 성장시켜 더블헤테로 구조를 형성하는 단계와, 상기 전류주입층(8) 위에 제2차 증발방지층(1)과 제1차 증발방지층(11)을 차례로 성장시키는 단계, 상기 결과물을 식각저지층(9)까지 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 단계, 상기 릿지가 형성된 웨이퍼 상에 전류차단층(6)을 성장시키는 단계, 상기 전류차단층(6)을 선택적으로 식각하고 이에 따라 노출되는 제1차 증발방지층(11)을 선택적으로 식각하여 상기 릿지 상에 전류주입영역을 형성하는 단계, 상기 결과물 전면에 캡층(7)을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1차 증발방지층(11)은 상기 전류차단층(6) 성장시 노출되는 층의 원소와 동일한 원소를 갖는 물질로 형성함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제2차 증발방지층(10)은 상기 캡층(7) 형성시 노출되는 층의 원소와 동일한 원소를 갖는 물질로 형성함을 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 릿지를 형성하는 단계는 상기 제1차 증발방지층(11), 제2차 증발방지층(10), 전류주입층(8)을 선택적으로 식각하고 이어서 제2도전형의 2차 클래드층(5b)의 일부를 식각한 후 상기 식각저지층(9)이 노출될 때까지 남아있는 제2도전형의 2차 클래드층(2b)을 식각해내는 공정에 의해 행해지는 것을 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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