JPH036877A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分舒〕 この発明は、特性のばらつきの小さな自助発振する半導
体レーザの製造方法に関するものである。

（従来の技術） 第４図、第５図は従来の半導体レーザの製造方法を説明
するための図で、第４図は半導体レーザの断面図、第５
図はエツチング状況を示す断面図である。

第４図において、１はｎ型のＡ　１１　ｏ、　５　Ｇ　
ａ　ｏ。

Ａｓ上クラッド層（以下の説明では単に下クラッド層と
いう。その他の符号も同様とする。）、２はｐ型のＡ　
１２　ｏＩ５Ｇ　ａ　ａＩ５Ａ　ｓ活性層、３はｐ型の
Ａ１゜５Ｇａｏ、ｓＡｓ上クラッド層、４はストライブ
状のマスクである。

第５図において、６は前記上クラッド層３がエツチング
によって除去され・た部分であり、活性層２上でｄｌの
厚みを残している。このエツチングによりｄｌを所定の
厚さに残すのは、矢印で示す上クラッド層３表面による
反射光と、活性層２表面による反射光の光路差による干
渉光５の強さの程度によってエツチング停止時間を決定
するためである。７はエッチャントであり、酒石酸＝Ａ
酸化水素＝＝１０：１である。

〔発明が解決しようとする課題］ 従来の半導体レーザは、以上のようにして製造されるた
め、自励発振されるためには、厚みｄ。

を０．３μｍ以上０．４μｍ以下に設定しなければなら
なかった。

上記０．３〜０．４μｍのｄｌの厚みでエツチングを停
止する場合には、干渉光５が弱いため、エツチング停止
時間の判定がむづかしく、そのため、ｄｌの膜厚の制御
性が悪かった。ｄｌがうすすぎる場合には、シグナルモ
ード、ｄｌが厚すぎる場合には動作電流が大きすぎる等
の問題点が生じていた。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、自励発振を得るための膜厚ｄ１を制御性よ
く残すことがきる半導体レーザの製造方法を得ることを
目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体レーザの製造方法は、第１の導電
型を有するＧａＡｓ半導体基板と、このＧａＡｓ＋導体
基板上に順次積層された第１の導電型を有するＡ１１．
Ｇａｚ・ｚＡｓ下ツクラッド層　Ａ　ｆｌ　ｙ　Ｇ　ａ
　＋　−ｙ　Ａ　”活性層、第２の導電型を有し、膜厚
ｄ１のＡＩｌ、Ｇａｚ・ｚＡｓ上クラッド層、第２の導
電型を有する膜厚ｄ２のＡＪｌ、・Ｇ　ａ　ｌ−ｚ・Ａ
ｓエツチングストップシグナル層、第２の導電型を有す
る膜厚ｄ３のＡＪ２．ｃａｔ−。

Ａｓ上クラッド層を有し、Ａ　ｌｌ　ｚ・Ｇ　ａ　ｚ・
ｔ−Ａ　ｓエツチングストップシグナル層上の膜厚ｄ３
のＡ１１□Ｇａｚ・ｚＡｓ上クラッド層をストライブ状
の凸部を残して選択的にエツチングを行い、膜厚ｄ２の
Ａ　ｊ２ｚ・Ｇ　ａ　ｚ・、・Ａｓエツチングストップ
シグナル層による干渉光が消滅した時にエツチングを停
止するものである。

〔作用〕

この発明における半導体レーザの製造方法は、残すべき
膜厚ｄｌの上クラッド層の上部にＡ１組成の異なる膜厚
ｄ２のエツチングストップシグナル層が設けであるため
、このエツチングストップシグナル層がエツチングされ
ると、エツチングストップシグナル層とその上部にある
膜ｐＪｄ３の上クラッドとの干渉光が消滅する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図面について説明する。

第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、この
図において、１はｎ型のＡＪ！ｏ、６Ｇａａ、ｓＡｓＡ
ｓ上クラッド層はｐ型のＡｎ、、、、ＧａＯ，ａＳＡＳ
活性層、３はｐ型のＡ　Ｊ２　ｏ、　ｓ　Ｇ　ａ　６．
５Ａｓ上クラツド層で、ｄ＋　＝０．３５ａｍ、４はス
トライブ状のマスク、１３はｐ型の／１４！ＧａＡｓ上
クラッド層で、ｄ３　＝１．０μｍ、１１は残すべき上
クラッド層３の膜厚ｄ１の上に形成された膜厚ｄ２のＡ
　１１　ｏｌ、Ｇ　ａ　Ｏ，１！＋５Ａ　Ｓエツチング
ストップシグナル層で、ｄ２＝０．０５μｍである。

この構造のエツチングされてゆく状況を第２図、第３図
に示す。

エッチャント７により上クラッド層１３がエツチングさ
れ、エツチングストップシグナル層１１と上クラッド層
１３のエツチング表面で反射される光の光路のため、上
クラッド第１３の膜厚ｄ４が０．４μｍ以下になると徐
々に干渉しまが発生する。この干渉光は、徐々に強くな
り、エツチングストップシグナル層１１がエツチングさ
れてしまうと消滅する。また、この時、上クラッド層３
の表面（第３図）と活性層２により干渉光５が発生する
が、先のエツチングストップシグナル層１１とエツチン
グストップシグナル層１１の上部の上クラッド層１３に
より生ずる干渉光１５の方が強度が強いため、エツチン
グストップシグナル層１１の消滅は明瞭に判定でき、こ
こで、エツチングを停止すると上クラッド層３としては
結晶成長により設定した膜ＮｄＩの部分のみが残ること
になり、エツチングより制御性の高い結晶成長膜厚が自
助発振用の上クラッド層３の膜厚として適用できるため
、膜厚ｄ、の制御性が向上する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は、第１の導電型を有す
るＧａＡｓ半導体基板と、このＧａＡｓ半導体基板上に
順次積層された第１の導電型を有するＡ　ｆｌ　、　Ｇ
　ａ　ｚ・、Ａ　ｓ下クラッド層、Ａｎ。

Ｇａ１−ｚＡｓ活性層、第２の導電型を有し、膜厚ｄ１
のＡｉｚ　Ｇ　ａ　１−１　Ａ　ｓ下クラッド層、第２
の導電型を有する膜厚ｄ２のＡ　ｆｌ　、・Ｇ　ａ　ｚ
・，４ｓ　エツチングストップシグナル層、第２の導電
型を有する膜厚ｄ３のＡ　１１　ｚ　Ｇ　ａ　１−Ｚ　
Ａ　ｓ下クラッド層を有し、Ａｊ２．・Ｇａｚ・、・Ａ
ｓエツチングストップシグナル層上の膜厚ｄ３のＡｌｚ
ＧＢｌ−ＺＡｓ上クラッド層をストライブ状の凸部を残
して選択的にエツチングを行い、膜厚ｄ２のＡｌｚＧ　
ａ　ｚ・ｚＡｓエツチングストップシグナル層による干
渉光が消滅した時にエツチングを停止するので、結晶成
長による上クラッド層の膜厚ｄ、がそのまま自励発振を
行うための膜厚として使用できるため、従来よりもエツ
チング後の膜厚の制御が容易になり、かつ精度よく行え
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザを示す
断面図、第２図、第３図はこの発明の一実施例による半
導体レーザのエツチング状況を示す断面図、第４図、第
５図は従来の半導体レーザとエツチング状況を示す断面
図である。 図において、１は下クラッド層、２は活性層、３は上ク
ラッド層、４はストライブ状のマスク、５は活性層と上
クラ９１層の反射により発生する干渉光、６はエツチン
グ部分、７はエッチャント、１１はエツチングストップ
シグナル層、１３はエツチングストップシグナル層より
上部の上クラッド層、１５はエツチングストップシグナ
ル層と、その上部にある上クラッド層の反射により発生
する干渉光を示す。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１の導電型を有するＧａＡｓ半導体基板と、このＧａ
   Ａｓ半導体基板上に順次積層された第１の導電型を有す
   るＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ下クラッド層、Ａｌ＿
   ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ活性層、第２の導電型を有し、
   膜厚ｄ＿１のＡｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓ上クラッド
   層、第２の導電型を有する膜厚ｄ＿２のＡｌ＿ｚ・Ｇａ
   ＿１＿−＿ｚ・Ａｓエッチングストップシグナル層、第
   ２の導電型を有する膜厚ｄ＿３のＡｌ＿ｚＧａ＿１＿−
   ＿ｚＡｓ上クラッド層を有し、前記Ａｌ＿ｚ・Ｇａ＿１
   ＿−＿ｚ・Ａｓエッチングストップシグナル層上の前記
   膜厚ｄ＿３のＡｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓ上クラッド
   層をストライプ状の凸部を残して選択的にエッチングを
   行い、前記膜厚ｄ＿２のＡｌ＿ｚ・Ｇａ＿１＿−＿ｚ・
   Ａｓエッチングストップシグナル層による干渉光が消滅
   した時にエッチングを停止することを特徴とする半導体
   レーザの製造方法。