JPS59227179A - 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザ装置及びその製造方法

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JPS59227179A
JPS59227179A JP58100795A JP10079583A JPS59227179A JP S59227179 A JPS59227179 A JP S59227179A JP 58100795 A JP58100795 A JP 58100795A JP 10079583 A JP10079583 A JP 10079583A JP S59227179 A JPS59227179 A JP S59227179A
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JP
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etching
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light absorption
absorption layer
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JP58100795A
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Shinichi Nakatsuka
慎一 中塚
Yuichi Ono
小野　佑一
Takashi Kajimura
梶村　俊
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、複素屈折率差導波形半導体レーザ及びその製
造方法に係り、光吸収層の一部に組成の異なるエツチン
グ停止層を設けることにょシ光吸層のエツチングによる
除去の精度を向上させる半導体レーザ装置に関するもの
である。
〔発明の背景〕
従来の複素屈折率差導波形半導体レーザは、第１図に示
すように、クラッド層４に隣接して、光吸収のある層５
を形成し、その一部をエツチングによリストライプ状に
取り除いた後、光吸収のない層８を結晶成長することに
ょシ、光吸収層の一部を光吸収のない層でおきかえ、両
者の複素屈折率差を利用して導波路を形成したものであ
った。
この場合、光吸収層５と隣接するクラッド層４の膜厚は
０．２〜０．４μｍと薄くする必要がおるため、光吸収
層のエツチング精度の問題上活性層３までエツチングし
ないようにエツチングを制御することはむつかしく、歩
留の低下をまねいた。
なお、第１図において、１はｎ−ＧａＡ３基板、２は”
　　（ＧａＡｔ）Ａｓクラッド層、３はＧ　ａｏ、ｓｓ
　Ａｔｏ、ｏ　Ａ　８活性層、４はｐ−（ＧａＡｔ）Ａ
ｓ活性層、５はｎ−ＧａＡＳ光吸収層、６はｐ−（Ｇａ
Ａｔ）Ａｓエツチング停止層、７はｎ　　ＧａＡｓ光吸
収層、８はｐ−（ＧａＡｔ）Ａｓ層、９はＧ　ａ　Ａ　
Ｓキャップ層である。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、複素屈折率差導波形半導体レーザにお
いて、活性層との間に薄いクラッド層をへだてて設けら
れる光吸収層のエツチングの精度を向上させることによ
シ、素子の生産歩留シを向上させることにある。
〔発明の概要〕
複素屈折率差導波形半導体レーザにおいて、エツチング
による光吸収層の除去を容易にするために、光吸収層中
に光吸収層と組成の異なる薄い層を設け、選択エッチに
よシ光吸収層のエツチングを一旦この層で止め、残った
薄い光吸収層を通常のエツチングによシ精度よく除去す
る。これにより、十分な厚さの光吸収層を、活性層に十
分近接して、歩留よく形成することができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第２図によシ説明する。
ｎ形ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯ−ＣＶＤ法により、”　
　Ｇ　ａｏ−ｓｓＡ−に、ｉｓＡ　ｓクラッド層（１〜
２μｍ）２、ｕｎｄｏｐｅ活性層（０，０５〜０．１μ
ｍ）３、ｐ−Ｇ　ａｏ、５ｓＡ４．４ｓＡ　Ｓクラッド
層（０，２〜０．４μｍ）４、ｎ−ＧａＡｓ光吸収層（
〜０．１μｍ）５、ｐ−Ｇａｏ、ｉｓＡム、ｉｓＡ　ｓ
エツチング停止層（０，０５μｍ）６、ｎ　　ＧａＡｓ
光吸収層（〜０．３μｍ）７、を順次結晶成長した後、
ＳｊＯ＊スパッタ膜をマスクとして光吸収層をストライ
プ状に取シ除く。この際、Ｇ　ａ　Ａ　ａを選択的にエ
ツチングするリン酸系のエツチング液によ’）、ＧａＡ
ｓ光吸収層をエツチング停止層までエツチングし、次に
エツチング停止ノーをＨＦ系のエツチング液で取シ除き
、残シの光吸収層を、結晶表面を荒さない通常のリン酸
系エツチング液で除去した。この際、エツチング停止層
を取り除いた後に残留している光吸収層は、ｐクラッド
層に比べ十分薄いので、光吸収層のみを容易にエツチン
グできる。以上のようにして形成した構造に、再びＭＯ
−ＣＶＤ法により、ｐ−Ｇ　ａｏ、５ｓＡｔｏ、ｉｓＡ
　８層（〜１μｍ）、ｐ　ＧａＡｓキャップ層８を結晶
成長し、レーザチップとした。
〔発明の効果〕
本発明によれば、複素屈折率差導波型半導体で従来問題
であった、薄いｐ形り２ラド層で止めるエツチングが容
易になシ、試作段階で７０チの歩留りを得ている。本発
明による半導体レーザの特性は、しきい値電流３０ｍＡ
で、光出力３０ｍＷまで横モード安定な発振を行なうな
ど良好な特性を示し、エツチング停止層による悪影響は
見られない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の複素屈折率差導波形半導体レーザの断面
図、第２図は、本発明の一実施例としての半導体レーザ
の断面図であるう

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、複素屈折率差導波型レーザにおいて、少なくとも光
    吸収層中に吸収層と組成の異なる薄い層を有し、両者の
    エツチング選択性により光吸収層のエツチングをこの層
    で一担止め、その後に残留している光吸収層を通常のエ
    ツチングによシ精度よく取り除くことを可能ならしめた
    半導体レーザ装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、エツチング停止層
    をｐ形、光吸収層をｎ型とすることにより、停止層によ
    るキャリアの閉じ込めをなくし、停止ノー下の残留吸収
    層をより薄くすることによりエツチング精度を向上させ
    たことを特徴とする半導体レーザ装置。 ３、複素屈折率差導波型レーザの製造方法において、少
    なくとも光吸収層中に吸収層と組成の異なる薄い層を有
    し、両者のエツチング選択性によシ光吸収層のエツチン
    グをこの層で一担止め、その彼に残留している光吸収１
    １１を通常のエツチングにより精度よく取シ除くことを
    可能ならしめた半導体レーザ装置の製造方法。
JP58100795A 1983-06-08 1983-06-08 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 Pending JPS59227179A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61163688A (ja) * 1985-01-11 1986-07-24 Rohm Co Ltd 半導体レ−ザおよびその製造方法
US5153148A (en) * 1989-01-24 1992-10-06 Rohm Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor lasers
US5395792A (en) * 1993-06-02 1995-03-07 Rohm Co., Ltd. Process for fabricating a semiconductor laser device
US5587334A (en) * 1992-03-31 1996-12-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device fabrication method

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