JPS61284985A - 半導体レ−ザ装置の作製方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の作製方法Info
- Publication number
- JPS61284985A JPS61284985A JP12603385A JP12603385A JPS61284985A JP S61284985 A JPS61284985 A JP S61284985A JP 12603385 A JP12603385 A JP 12603385A JP 12603385 A JP12603385 A JP 12603385A JP S61284985 A JPS61284985 A JP S61284985A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、横モード安定な発振を行うことのできる半導
体レーザの製造方法に係り、特に半導体V−ザの発光領
域以外でのもれ電流が少なく、且つ発光領域内に結晶欠
陥が導入されにくくすることによシ信頼性も向上した半
導体V−ザの製造方法に関する。
体レーザの製造方法に係り、特に半導体V−ザの発光領
域以外でのもれ電流が少なく、且つ発光領域内に結晶欠
陥が導入されにくくすることによシ信頼性も向上した半
導体V−ザの製造方法に関する。
従来の自己至合構造半導体ンーザは、第1図に示すよう
にnff1GaAs4板(1)上にn−(GaAl)A
sクラッド層(2)、アンドープ(GaAI)As活性
層(3)、p−(GaAI)xsクラッド層(4)、n
−Gall光吸収+m(s)を形成し、光吸収ノーの
一部のエツチングによシストライプ状に取シ除きp−(
GaAl)A S (6)で埋−込んだ麦、屯傷形成の
為のp−GaA3層(7)を結晶成長したもので、(レ
ター・コールマン他、アップライド フィジックス レ
ター 第37巻 第262頁、1980年(J、 J、
colemane t a 1 、 Appt、p
hys、Lett、37(3)262.1980)参照
)光吸収層によシ電流狭搾と導波路の形成を同時に行っ
たものであるが、この構造をMOCVDやMBEなどの
熱非平衡状態での結晶成長を用いて形成する場合、段差
上への結晶成長に伴う結晶欠陥や、二回成長の成長界面
が電気的、光学的に活性な頭載に有するため素子の信頼
性を低下させていた。
にnff1GaAs4板(1)上にn−(GaAl)A
sクラッド層(2)、アンドープ(GaAI)As活性
層(3)、p−(GaAI)xsクラッド層(4)、n
−Gall光吸収+m(s)を形成し、光吸収ノーの
一部のエツチングによシストライプ状に取シ除きp−(
GaAl)A S (6)で埋−込んだ麦、屯傷形成の
為のp−GaA3層(7)を結晶成長したもので、(レ
ター・コールマン他、アップライド フィジックス レ
ター 第37巻 第262頁、1980年(J、 J、
colemane t a 1 、 Appt、p
hys、Lett、37(3)262.1980)参照
)光吸収層によシ電流狭搾と導波路の形成を同時に行っ
たものであるが、この構造をMOCVDやMBEなどの
熱非平衡状態での結晶成長を用いて形成する場合、段差
上への結晶成長に伴う結晶欠陥や、二回成長の成長界面
が電気的、光学的に活性な頭載に有するため素子の信頼
性を低下させていた。
本発明は、従来構造の自己整合型半導体レーザにおいて
問題であった、段差のある基板上への結晶成長に伴う結
晶欠陥と、2回成長の成長界面の欠陥による素子寿命の
低下を防止する半導体レーザの作製方法を提供すること
にある。
問題であった、段差のある基板上への結晶成長に伴う結
晶欠陥と、2回成長の成長界面の欠陥による素子寿命の
低下を防止する半導体レーザの作製方法を提供すること
にある。
従来構造の自己陸合型牛導本ノーザに訃いて問題でめっ
た、段差のある基板上への結晶成長に伴う結晶欠陥と、
2回成長の成長界11]iの欠陥による素子寿命の低下
を防止するため岨流と光のVfj度が大きいストライプ
の内k (Gaxl)AsでJdめるかわりに、ストラ
イプ外部のp!クラッド層の上にストライプ状に設けた
S!02又は5jsN4 ZどのfP3縁物才物マスク
いてp型りラッド層をエツチングし、絶縁物の上には結
晶成長せず、ストライプ外部にのみ結晶成長が行われる
MOCVD法により、GaAS又は屈折率がp型りラッ
ド層よりも小さい(GaAl)xsで埋め込むことによ
り導波路を形成する半導体レーザの作製方法。
た、段差のある基板上への結晶成長に伴う結晶欠陥と、
2回成長の成長界11]iの欠陥による素子寿命の低下
を防止するため岨流と光のVfj度が大きいストライプ
の内k (Gaxl)AsでJdめるかわりに、ストラ
イプ外部のp!クラッド層の上にストライプ状に設けた
S!02又は5jsN4 ZどのfP3縁物才物マスク
いてp型りラッド層をエツチングし、絶縁物の上には結
晶成長せず、ストライプ外部にのみ結晶成長が行われる
MOCVD法により、GaAS又は屈折率がp型りラッ
ド層よりも小さい(GaAl)xsで埋め込むことによ
り導波路を形成する半導体レーザの作製方法。
以下本発明の実施例を図に従い説明する。
実施例1
第2図に、本実施列による半導体フープの断面構造を示
す。この構造は作製工程は以下のとおシである。
す。この構造は作製工程は以下のとおシである。
n−GaAS基板(1)上にMOCVD法によりn−G
ap、55 AIo、45 As クラッド層(2)、
77ドープGa6.g s AIO,14As活性層(
3)、p −GaO,5s lO,,5Asクラッド層
(4)、p−GaASキャップ!4(8)を順次結晶成
長した後、通なのフォトリングラフ技術を用いて8i0
zマスクを設はリン酸系のエツチング液を用いて、スト
ライプ外部をp型りラッド層を0.1〜0.3μm浅し
てエツチングした。第三図は、この段階での素子の断面
構造を示す。このようにして作製した構造を、褥びMO
CVD法によりn−GaAS(9)によシ埋込んだ。こ
のときS i(h膜の上に結晶成長がおこらないMOC
VD法の特性のため3i(h膜は露出したままとなシ、
埋込成長後にフッ酸系のエツチング液により取り除くこ
とが出来た。この構造にp成極としてCr/λuuOを
n成極としてAuQeNi/Cr/Au (11)を蒸
着し300μm角にへきかいしてレーザチップとした。
ap、55 AIo、45 As クラッド層(2)、
77ドープGa6.g s AIO,14As活性層(
3)、p −GaO,5s lO,,5Asクラッド層
(4)、p−GaASキャップ!4(8)を順次結晶成
長した後、通なのフォトリングラフ技術を用いて8i0
zマスクを設はリン酸系のエツチング液を用いて、スト
ライプ外部をp型りラッド層を0.1〜0.3μm浅し
てエツチングした。第三図は、この段階での素子の断面
構造を示す。このようにして作製した構造を、褥びMO
CVD法によりn−GaAS(9)によシ埋込んだ。こ
のときS i(h膜の上に結晶成長がおこらないMOC
VD法の特性のため3i(h膜は露出したままとなシ、
埋込成長後にフッ酸系のエツチング液により取り除くこ
とが出来た。この構造にp成極としてCr/λuuOを
n成極としてAuQeNi/Cr/Au (11)を蒸
着し300μm角にへきかいしてレーザチップとした。
実施例2
第2の実施例として、p型りラッド層をp −Gao
、 s s A Io 、4S As層4一層とするか
わりにp−Gao 、 t A Io、s As層(4
)とpGao、s Alo、s A$層uりの2層構造
とした第4図のような構造の素子を試作したOここでX
p−Gao、yAIo、3Asm(4)の厚みを0.1
〜0.3μmとした。この構造では、沃素系のエツチン
グ液を用いる事によ、Lp−Gao、sA’0.5 ”
層重をp−Gao、tkI6.sks層(4)に対して
選択的に取り除く事が出来る。第5図は、この段階での
素子の1g′rlfi411aを示す。以下、実施例1
と同様なプロセスによシ半導体レーザテップを作製した
。
、 s s A Io 、4S As層4一層とするか
わりにp−Gao 、 t A Io、s As層(4
)とpGao、s Alo、s A$層uりの2層構造
とした第4図のような構造の素子を試作したOここでX
p−Gao、yAIo、3Asm(4)の厚みを0.1
〜0.3μmとした。この構造では、沃素系のエツチン
グ液を用いる事によ、Lp−Gao、sA’0.5 ”
層重をp−Gao、tkI6.sks層(4)に対して
選択的に取り除く事が出来る。第5図は、この段階での
素子の1g′rlfi411aを示す。以下、実施例1
と同様なプロセスによシ半導体レーザテップを作製した
。
第1図は、従来の自己整合形半導体レーザの断面構造図
、第2図は実施例1の半導体V−ザの断面構造図、第3
図は埋込成長前の実施例1の半導体レーザの断面構造図
、第4図は、実施例20半導体レーザの断面構造図、第
5図は埋込成長前の実施例10半導体V−ザの断面構造
を示した図である。 fz)−−・n−Ga、ts基板、(21・・n −G
ao 、5g AIo、45ASクラッド層、(3)−
7yドープGao、sa入1G、I4A$活性層、(4
)・−pGaG、55AI0.45ASクラッド層、(
5)・・・p−()a71s光吸収層、(6)−p −
(GaAI )As層、(7)−p GaAs層、(
8)・” p−GaAsキャップ層、(9) ・・・n
−G a A S l−1110−Cr / A u
電極、αυ−AuGeNi/Cr/Au を極、113
−Qao、s Alo 、5 As層。 !41目 第2図
、第2図は実施例1の半導体V−ザの断面構造図、第3
図は埋込成長前の実施例1の半導体レーザの断面構造図
、第4図は、実施例20半導体レーザの断面構造図、第
5図は埋込成長前の実施例10半導体V−ザの断面構造
を示した図である。 fz)−−・n−Ga、ts基板、(21・・n −G
ao 、5g AIo、45ASクラッド層、(3)−
7yドープGao、sa入1G、I4A$活性層、(4
)・−pGaG、55AI0.45ASクラッド層、(
5)・・・p−()a71s光吸収層、(6)−p −
(GaAI )As層、(7)−p GaAs層、(
8)・” p−GaAsキャップ層、(9) ・・・n
−G a A S l−1110−Cr / A u
電極、αυ−AuGeNi/Cr/Au を極、113
−Qao、s Alo 、5 As層。 !41目 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも第一の半導体層と、該第一の半導体層を
はさむように設けた、該半導体層より広い禁制帯幅で導
電型の互いに異なる第二、及び第三の半導体層を有し、
第三の半導体層のストライプ状の部分を除いて第三の半
導体層を、活性層で発生した光がしみだすに十分な深さ
まで光吸収のある第四の半導体又は第三の半導体層より
も屈折率の小さな第五の半導体層により置きかえた半導
体レーザ構造を、該第三の半導体層を第三の半導体層の
上にストライプ状に設けたSiO_2又はSi_3N_
4などの絶縁物マスクを用いてエッチングし、絶縁物の
上には結晶成長せず、ストライプ外部にのみ結晶成長が
行われる MOCVD法により第四又は第五の半導体を形成するこ
とを特徴とする半導体レーザ装置の作製方法。 2、上記第三の半導体層を活性層の光がしみだすに十分
な薄さとし、該第三の半導体層の上に第三の半導体層と
同一の導電型で、第三の半導体層に対して選択的に化学
エッチングすることが可能な第六の半導体層を設け、第
六の半導体層を選択的にエッチングすることによつて構
成することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
導体レーザ装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12603385A JPS61284985A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12603385A JPS61284985A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61284985A true JPS61284985A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14925020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12603385A Pending JPS61284985A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 半導体レ−ザ装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61284985A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63196088A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
US4959839A (en) * | 1988-07-25 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rib waveguide type semiconductor laser |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51118395A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor emitting unit and manufacturing process |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12603385A patent/JPS61284985A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51118395A (en) * | 1975-04-10 | 1976-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor emitting unit and manufacturing process |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63196088A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-15 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
US4959839A (en) * | 1988-07-25 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rib waveguide type semiconductor laser |
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