JPS6223191A - リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6223191A JPS6223191A JP16457885A JP16457885A JPS6223191A JP S6223191 A JPS6223191 A JP S6223191A JP 16457885 A JP16457885 A JP 16457885A JP 16457885 A JP16457885 A JP 16457885A JP S6223191 A JPS6223191 A JP S6223191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cladding layer
- upper cladding
- forming
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、リツジ型半導体レーザ装置の製造方法に関
するものである。以下説明の都合上、■−Ｖ族混晶とし
工、ＧａＡｓを例にとる。
するものである。以下説明の都合上、■−Ｖ族混晶とし
工、ＧａＡｓを例にとる。
第３図は例えば、５８年春季応用物理学会予稿集Ｐ１６
０１Ｃ掲載されたりツジ凰牛導体レーザ装置の構造を示
す断面図で、１はｎ−ＧａＡｓからなる基板、２はｎ−
ＧａＡｓからなるバッフ７層、３はｎ Ａ１（１，ｓ
Ｇ ａ６，７Ａｓからなる下側クラッド層、４は７ン
ドーブｎ −ＧａＡｓからなる活性層、５はｐ−−Ａｌ
６．ｘ ＧａｏｙＡ ｓ からなる上側クラッド層、６
はｐ−ＧａＡａからなるコンタクト層、７はＳｉ ０２
からなる絶縁膜、８はｐＨ極、９はｎ電極である。
０１Ｃ掲載されたりツジ凰牛導体レーザ装置の構造を示
す断面図で、１はｎ−ＧａＡｓからなる基板、２はｎ−
ＧａＡｓからなるバッフ７層、３はｎ Ａ１（１，ｓ
Ｇ ａ６，７Ａｓからなる下側クラッド層、４は７ン
ドーブｎ −ＧａＡｓからなる活性層、５はｐ−−Ａｌ
６．ｘ ＧａｏｙＡ ｓ からなる上側クラッド層、６
はｐ−ＧａＡａからなるコンタクト層、７はＳｉ ０２
からなる絶縁膜、８はｐＨ極、９はｎ電極である。
第３図に示した従来のりツジ型半導体レーザ装置の製造
方法は、以下に示すとおりである。まず、Ｉ、ＰＫ、Ｍ
ＢＥ、ＭＯＣＶＤ等の結晶成長法で。
方法は、以下に示すとおりである。まず、Ｉ、ＰＫ、Ｍ
ＢＥ、ＭＯＣＶＤ等の結晶成長法で。
基板１上にパフフッ層２を介して下側クラッド層３、活
性４４．および上側クラッド層５かうなるダブル４７９
層およびフンタクト層６の各層を形成する。結晶成長後
、フォトリングラフィによってストライプ状に形成され
たレジストの部分以外を、クエットエッチあるいはドラ
イエッチによって上側クラッド層５の途中までエツチン
グする。
性４４．および上側クラッド層５かうなるダブル４７９
層およびフンタクト層６の各層を形成する。結晶成長後
、フォトリングラフィによってストライプ状に形成され
たレジストの部分以外を、クエットエッチあるいはドラ
イエッチによって上側クラッド層５の途中までエツチン
グする。
次Ｋ、エツチング忙よって形成されたリッジ部分以外の
上側クラッド層５上を絶縁膜７で覆い、さらに、ｐ電極
８．ｎｔ電極を蒸着によって形成する。
上側クラッド層５上を絶縁膜７で覆い、さらに、ｐ電極
８．ｎｔ電極を蒸着によって形成する。
このような構造のりンジ型半導体レーザ装置では、リッ
ジ部分以外は絶縁膜７Ｋ［われているので容易ＶＣ′１
ｔｆＩｔ、狭搾が行われる。またりツジ部分以外の上側
クラッド層５を十分に薄くして利得導波型から屈折率導
波型のレーザとし、横モードの安定や単−縦モード、し
きい値ＩＥ流の減少等の特性の改善がはかられている。
ジ部分以外は絶縁膜７Ｋ［われているので容易ＶＣ′１
ｔｆＩｔ、狭搾が行われる。またりツジ部分以外の上側
クラッド層５を十分に薄くして利得導波型から屈折率導
波型のレーザとし、横モードの安定や単−縦モード、し
きい値ＩＥ流の減少等の特性の改善がはかられている。
上記のような従来のりツジ型半導体ンーザ装置の製造方
法では、リッジ部分以外の上側クラッド層５を完全に除
去してしまうと、活性層４と絶縁１１１７どの屈折率差
が大ぎ（なりすぎて横モード不安定となり、また逆に上
側クラッド層５が厚いと利得導波型となり、しきい値′
ＷＬｆＩＬが上昇したり縦モードがマルチモードになる
。利得導波型に比ベニ特性的に優れている屈折率導波型
とするのに必要なりツジ部分以外での上側クラッド／１
５の厚さの最適値は非常に限定されている。
法では、リッジ部分以外の上側クラッド層５を完全に除
去してしまうと、活性層４と絶縁１１１７どの屈折率差
が大ぎ（なりすぎて横モード不安定となり、また逆に上
側クラッド層５が厚いと利得導波型となり、しきい値′
ＷＬｆＩＬが上昇したり縦モードがマルチモードになる
。利得導波型に比ベニ特性的に優れている屈折率導波型
とするのに必要なりツジ部分以外での上側クラッド／１
５の厚さの最適値は非常に限定されている。
しかし、従来の上側クラッド層５のエツチングを屈折率
導波聾Ｋｆｉ適な層厚の部分で止めるという方法におい
ては、高精度のエツチングレートフン）ｃ−−ルをワエ
ハ全面にわたって均一性よく行うことが必要であるが、
これは技術的に非常に困峻であり、そのため屈折率導波
型のりフジ型半導体レーザ装置を高歩留りで製造できな
いという問題点があった。
導波聾Ｋｆｉ適な層厚の部分で止めるという方法におい
ては、高精度のエツチングレートフン）ｃ−−ルをワエ
ハ全面にわたって均一性よく行うことが必要であるが、
これは技術的に非常に困峻であり、そのため屈折率導波
型のりフジ型半導体レーザ装置を高歩留りで製造できな
いという問題点があった。
この発明は、かかる問題点’ｔＭ決するため沢なされた
もので、屈折率導波型のリッジ型半導体レーザ装置［？
高歩留りで製造できるリッジ型半導体レーザ装置の製造
方法を得ることを目的とする。
もので、屈折率導波型のリッジ型半導体レーザ装置［？
高歩留りで製造できるリッジ型半導体レーザ装置の製造
方法を得ることを目的とする。
この発明に係るリッジ型半導体レーザ装置の製造方法は
、活性層上に第１の上側クラッド層を形成し、さら忙そ
の上に第２の上側クラッド層ケ形成し、エツチングによ
るりツジ部形成のｖｐＥＫフンタクト層と第２の上側ク
ラッド層のみを選択的にエツチングするようＫしたもの
である。
、活性層上に第１の上側クラッド層を形成し、さら忙そ
の上に第２の上側クラッド層ケ形成し、エツチングによ
るりツジ部形成のｖｐＥＫフンタクト層と第２の上側ク
ラッド層のみを選択的にエツチングするようＫしたもの
である。
この発明におい′Ｃは、フンタクト層と第２の上側クラ
ッドｊ−のみを選択的にエツチングし１リッジ部を形成
することにより、リッジ部以外では第１の上側クラッド
層のみが最終的に上側クラッド層となる。
ッドｊ−のみを選択的にエツチングし１リッジ部を形成
することにより、リッジ部以外では第１の上側クラッド
層のみが最終的に上側クラッド層となる。
第１図り急）〜（＠）はこの発明のリッジ型半導体レー
ザ装置の製造方法の一実施例を示す図で、１０はｎ −
Ｇａ Ａｓからなる基板、１１はｎ−ＧａＡ＋ｓからな
るバッファ層、１２はｎ −Ａｌｏ、ｎ５ＧＩｔｓ７Ａ
８からなる下側クラッド層、１３は７ンドープｎ −Ａ
ｌ ｏｌｒＧ ＆ａｓ＊ Ａ ｓからなる活性層、１４
はｐ−ＡｌｏｏＧａｏ、１ｙＡｊからなる第１の上側ク
ラッド層、１５はｐ−ＡＩ。■Ｇ＆ｅ、ｙｉＡｓからな
る第２の上側クラッド層、１６はｐ−ＧａＡｓからなる
コンタクト層、１７はレジスト膜、１８はＳｉ鶴からな
る絶縁膜、１９はｐｔ極、２０はｎ１１極である。
ザ装置の製造方法の一実施例を示す図で、１０はｎ −
Ｇａ Ａｓからなる基板、１１はｎ−ＧａＡ＋ｓからな
るバッファ層、１２はｎ −Ａｌｏ、ｎ５ＧＩｔｓ７Ａ
８からなる下側クラッド層、１３は７ンドープｎ −Ａ
ｌ ｏｌｒＧ ＆ａｓ＊ Ａ ｓからなる活性層、１４
はｐ−ＡｌｏｏＧａｏ、１ｙＡｊからなる第１の上側ク
ラッド層、１５はｐ−ＡＩ。■Ｇ＆ｅ、ｙｉＡｓからな
る第２の上側クラッド層、１６はｐ−ＧａＡｓからなる
コンタクト層、１７はレジスト膜、１８はＳｉ鶴からな
る絶縁膜、１９はｐｔ極、２０はｎ１１極である。
以下、製造方法について説明する。まず、第１図（ａ）
Ｋ示すよう′ＶＣ１液晶成長法、気相成長法。
Ｋ示すよう′ＶＣ１液晶成長法、気相成長法。
ＭＢＥ法等の結晶成長法のいずれかを用い工、基板１０
．バッファ１１．下側クラッド層１２．活性層１３．第
１の上側クラッド層１４．第２の上側クラッド層１５．
フンタクト層１６の各層を順次成長させる。次に第１図
（ｂ） Ｋ示すように、フオドリングラフィ技術によっ
てンジスト［１７Ｙストライプ状に形成する。次に第２
の上側クラッド層１５のみを選択的にエツチングするよ
うなエッチャントを用いてリッジ構造を形成する。この
ようなエッチャントとしては、例えばＮＨ４／Ｈ。
．バッファ１１．下側クラッド層１２．活性層１３．第
１の上側クラッド層１４．第２の上側クラッド層１５．
フンタクト層１６の各層を順次成長させる。次に第１図
（ｂ） Ｋ示すように、フオドリングラフィ技術によっ
てンジスト［１７Ｙストライプ状に形成する。次に第２
の上側クラッド層１５のみを選択的にエツチングするよ
うなエッチャントを用いてリッジ構造を形成する。この
ようなエッチャントとしては、例えばＮＨ４／Ｈ。
０２溶液が考えられ、ＮＨ４０Ｈ： ＨｚＯｘ＝２０
： １溶液は第２図に示すように、Ａｌ、 Ｇａ、 、
Ａ ｓのエラチングレー）Ｋ組成依存性がある。
： １溶液は第２図に示すように、Ａｌ、 Ｇａ、 、
Ａ ｓのエラチングレー）Ｋ組成依存性がある。
したがって、このエラチャントラ使用することＫより容
易に選択エツチングを行うことができ、第１図（ｃ）
Ｋ示すよ５なリッジ部を形成する。次いで第１図（ｄ）
に示すよ５に、レジスト膜１７を残した状態で絶縁膜１
８を形成する。セし工、リフトオフによってリッジ部上
の絶縁膜１８をレジスト膜１１ごとはがし、フンタクト
層１６上面と基板１０下面にそれぞれオーミンク用のｐ
ｔ極１９およびｎ電極２Ｇｆｔ蒸着によつ工形成する。
易に選択エツチングを行うことができ、第１図（ｃ）
Ｋ示すよ５なリッジ部を形成する。次いで第１図（ｄ）
に示すよ５に、レジスト膜１７を残した状態で絶縁膜１
８を形成する。セし工、リフトオフによってリッジ部上
の絶縁膜１８をレジスト膜１１ごとはがし、フンタクト
層１６上面と基板１０下面にそれぞれオーミンク用のｐ
ｔ極１９およびｎ電極２Ｇｆｔ蒸着によつ工形成する。
以上の工程を経て＠１図（・ンに示すよ５なリッジ型半
導体レーザ装置が得られる。
導体レーザ装置が得られる。
上記の実施例に示した製造方法では、従来のリッジ部を
加工する際Ｋ、上側クラッド層のエツチングを屈折率導
波型にするのに最適なりラッド層厚の部分で止めるとい
う方法の代わりに５選択エツチングにより組成の異なる
第１および第２の上側クラッド層１４．１５のうち、フ
ンタクト層１６に＠接しｒＳ第２の上側クラッド層で５
までのみを除去するという方法をとっている。この方法
によれば、結晶成長時の第１の上側クラッド層１４０層
厚が最終的にリッジ部分以外での上側クラッド層厚とな
る。第１および第２の上側クラッド層１４゜１５は、液
相あるいは気相成長法のはかいずれの結晶成長法を用い
ても、ワエハ全面にわたって均一に十分な精度で任意の
厚さ忙形成できるので、リツジ部分以外の上側クラッド
層厚を容易１’（最適値にすることができろ。まＬ選択
エツチングなのでエツチング時にニッチヤントが第１の
上側クラッド層１４に到達すると止まり、ワエハ、全面
にわたつ１均−な層厚となる。
加工する際Ｋ、上側クラッド層のエツチングを屈折率導
波型にするのに最適なりラッド層厚の部分で止めるとい
う方法の代わりに５選択エツチングにより組成の異なる
第１および第２の上側クラッド層１４．１５のうち、フ
ンタクト層１６に＠接しｒＳ第２の上側クラッド層で５
までのみを除去するという方法をとっている。この方法
によれば、結晶成長時の第１の上側クラッド層１４０層
厚が最終的にリッジ部分以外での上側クラッド層厚とな
る。第１および第２の上側クラッド層１４゜１５は、液
相あるいは気相成長法のはかいずれの結晶成長法を用い
ても、ワエハ全面にわたって均一に十分な精度で任意の
厚さ忙形成できるので、リツジ部分以外の上側クラッド
層厚を容易１’（最適値にすることができろ。まＬ選択
エツチングなのでエツチング時にニッチヤントが第１の
上側クラッド層１４に到達すると止まり、ワエハ、全面
にわたつ１均−な層厚となる。
なお、上記′実施例では、ｎ −ＧａＡａからなる基板
ｔＯ１ｔ使用したがｐ−ＧａＡｓ基板を使用してもよく
、七の場合には反対の導電型の各層な成長させればよい
。また上記実施例では、活性層’］１−ＡｔｘＧａ、−
エＡｓ 系で構成したが、単ＫＧａＡａで構成しても
よ〜・ことは（・５までもない。
ｔＯ１ｔ使用したがｐ−ＧａＡｓ基板を使用してもよく
、七の場合には反対の導電型の各層な成長させればよい
。また上記実施例では、活性層’］１−ＡｔｘＧａ、−
エＡｓ 系で構成したが、単ＫＧａＡａで構成しても
よ〜・ことは（・５までもない。
さらに、上記実施例では、ＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ系の
リッジを半導体レーザ装置の製造につい１説明したが、
他のＩ−Ｖ系化合物半導体においても同様である。
リッジを半導体レーザ装置の製造につい１説明したが、
他のＩ−Ｖ系化合物半導体においても同様である。
この発明は以上説明したとおり、活性層上に第１の上側
クラッド層を形放し、さらにその上に第２のクラッド層
を形放し、エツチングによるりツジ部形成の際にコンタ
ク層と第２の上側クラッド層を選択的にエツチングする
ようＫしたので、第１の上側クラッド層の厚さが最終的
にリッジ部外のクラッド層厚となるが、第１および第２
の上側クラッド層の厚さは任意の厚さで正確に形成でき
るので、屈折率導波型のリッジ型半導体レーザ装置を高
歩留りで製造できるという効果がある。
クラッド層を形放し、さらにその上に第２のクラッド層
を形放し、エツチングによるりツジ部形成の際にコンタ
ク層と第２の上側クラッド層を選択的にエツチングする
ようＫしたので、第１の上側クラッド層の厚さが最終的
にリッジ部外のクラッド層厚となるが、第１および第２
の上側クラッド層の厚さは任意の厚さで正確に形成でき
るので、屈折率導波型のリッジ型半導体レーザ装置を高
歩留りで製造できるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明のリッジ型半導体レー
ザ装置の製造方法の一実施例を示す図、第２図はＮＨ４
ＯＨ： Ｈ，０２：２０：１溶液のエツチングレートの
組成依存性を示しに図、第３図は従来のリッジ型半導体
レーザ装置の構造を示す断面図である。 図において、１０はｎ−ＧａＡｇからなる基板、１１は
ｎ−ＧａＡｍからなるバッファ層、１２はｎ−Ａｌ。４
．Ｇ＆。５ｙＡｓ からなる下側クラッド層、１３は
アンドープｎ −Ａ １ｏ、＋ ｒ Ｇ ＆ｏ、ｓ ｓ
Ａ ｓからなる活性層、１４はｐ−Ａ１ｏ４３ＧＩＬ
ｏ、ｓｔ Ａｓかうなる第１の上側クラッド層、１５は
ｐ Ａ １ｏ、ｘｓ Ｇ ＆ｏ、ｙｓ Ａ ｓ か
らなる第２の上側クラッド層、１６はｐ−ＧａＡａから
なるコンタクト層、１７はレジスト膜、１８はＳ ＩＯ
。 からなる絶縁膜、１９はｐｍ極、２０はｎ’［極である
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第１図 第１図 （ρ） １９゛ｐ！、極 ２０’ ｎ電極 第２図 第３図 手続補正書（自発） １．事件の表示 待願昭８０−１６４５７８号２、
発明の名称 リッジ型半導体レーザ装置の製造方法
３、補正をする者 代表者志岐守哉 ＼２０． ５、補ＩＥの対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁１行の［アンドープｎ−Ｇ＆ＡｓＪ
を、「アレドープＧａＡｓｊと補正する。 （２） 同じく第６頁７行の［アンドープｎ −Ａ
１６、 ）ＩＣ； ａ６．８＋１Ａ Ｓ Ｊを、「アン
１：−プＡ ｌ ６． ｌＩＧ ａ。１ａＡｓＪと補正
する。 （３）１目にく第６頁１５行の「液晶成長法、気相成長
法、」を、ｌ ＬＰＥ、ＭＯＣＶＥ、Ｊ と？ｔｌｌ正
する。 （４） 同じく第６頁１７行の１バツフア１１」を、
１バッファ層１１］と補正する。 （５）同１／ ＜第７頁１６行の「オーミック用の」を
削除する。 （６） 同しく第９頁１３行の「コンタク層］を、「
コンククト層」と補正する。 （７）同じく第１０頁１０行の「７ンドーブｎ−Ａ ｌ
ａ、 ｔｌＧ ａｏ、 ｇｅＡ ｓＪを、１アンドー
プＡ ｌ ｏ、 ＩｔＧ ａｏ、 １１９Ａ ＳＪと補
正する。 （８） 図面の第１図（＆）を別紙のように補正する
（符号の説明）。 以 上 第１図
ザ装置の製造方法の一実施例を示す図、第２図はＮＨ４
ＯＨ： Ｈ，０２：２０：１溶液のエツチングレートの
組成依存性を示しに図、第３図は従来のリッジ型半導体
レーザ装置の構造を示す断面図である。 図において、１０はｎ−ＧａＡｇからなる基板、１１は
ｎ−ＧａＡｍからなるバッファ層、１２はｎ−Ａｌ。４
．Ｇ＆。５ｙＡｓ からなる下側クラッド層、１３は
アンドープｎ −Ａ １ｏ、＋ ｒ Ｇ ＆ｏ、ｓ ｓ
Ａ ｓからなる活性層、１４はｐ−Ａ１ｏ４３ＧＩＬ
ｏ、ｓｔ Ａｓかうなる第１の上側クラッド層、１５は
ｐ Ａ １ｏ、ｘｓ Ｇ ＆ｏ、ｙｓ Ａ ｓ か
らなる第２の上側クラッド層、１６はｐ−ＧａＡａから
なるコンタクト層、１７はレジスト膜、１８はＳ ＩＯ
。 からなる絶縁膜、１９はｐｍ極、２０はｎ’［極である
。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第１図 第１図 （ρ） １９゛ｐ！、極 ２０’ ｎ電極 第２図 第３図 手続補正書（自発） １．事件の表示 待願昭８０−１６４５７８号２、
発明の名称 リッジ型半導体レーザ装置の製造方法
３、補正をする者 代表者志岐守哉 ＼２０． ５、補ＩＥの対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁１行の［アンドープｎ−Ｇ＆ＡｓＪ
を、「アレドープＧａＡｓｊと補正する。 （２） 同じく第６頁７行の［アンドープｎ −Ａ
１６、 ）ＩＣ； ａ６．８＋１Ａ Ｓ Ｊを、「アン
１：−プＡ ｌ ６． ｌＩＧ ａ。１ａＡｓＪと補正
する。 （３）１目にく第６頁１５行の「液晶成長法、気相成長
法、」を、ｌ ＬＰＥ、ＭＯＣＶＥ、Ｊ と？ｔｌｌ正
する。 （４） 同じく第６頁１７行の１バツフア１１」を、
１バッファ層１１］と補正する。 （５）同１／ ＜第７頁１６行の「オーミック用の」を
削除する。 （６） 同しく第９頁１３行の「コンタク層］を、「
コンククト層」と補正する。 （７）同じく第１０頁１０行の「７ンドーブｎ−Ａ ｌ
ａ、 ｔｌＧ ａｏ、 ｇｅＡ ｓＪを、１アンドー
プＡ ｌ ｏ、 ＩｔＧ ａｏ、 １１９Ａ ＳＪと補
正する。 （８） 図面の第１図（＆）を別紙のように補正する
（符号の説明）。 以 上 第１図
Claims (2)
- （１）半導体基板上にバッファ層を形成する工程と、こ
のバッファ層上にIII−Ｖ族混晶の下側クラツド層を形
成する工程と、この下側クラッド層上にIII−Ｖ族混晶
の活性層を形成する工程と、この活性層上にIII−Ｖ族
混晶の第１の上側クラッド層を形成する工程と、この第
１の上側クラッド層上にIII−Ｖ族混晶の第２の上側ク
ラッド層を形成する工程と、この第２の上側クラッド層
上にコンタクト層を形成する工程と、このコンタクト層
上にリツジ部形成用のレジストを設ける工程と、前記コ
ンタクト層および前記第２の上側クラッド層のみを選択
的にエッチングしてリツジ部を形成する工程と、このリ
ツジ部表面および前記第１の上側クラツド層上に絶縁膜
を形成する工程と、前記レジストをリフトオフした後に
電極を形成する工程とからなることを特徴とするリツジ
層半導体レーザ装置の製造方法。 - （２）活性層がＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層（０＜
ｘ＜０．１５）、下側クラッド層がＡｌ＿ｙＡａ＿１＿
−＿ｙＡｓ層（０．３０＜ｙ、ｙ−ｘ＞０．２５）、第
１の上側クラッド層がＡｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓ層
（０．３０＜ｚ、ｚ−ｘ＞０．３０）、第２の上側クラ
ッド層がＡｌ＿ａＧａ＿１＿−＿ａＡｓ層（０．２５＜
ａ＜ｚ）であり、エッチャントがＮＨ＿４ＯＨ／Ｈ＿２
Ｏ＿２溶液であることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載のリツジ型半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16457885A JPS6223191A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16457885A JPS6223191A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223191A true JPS6223191A (ja) | 1987-01-31 |
Family
ID=15795829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16457885A Pending JPS6223191A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223191A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174178A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH02178986A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH02178985A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| US6661822B1 (en) | 1999-04-26 | 2003-12-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7339967B2 (en) | 2004-02-06 | 2008-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, semiconductor laser device, manufacturing method for semiconductor device, manufacturing method for semiconductor laser device, optical disk device and optical transmission system |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP16457885A patent/JPS6223191A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174178A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH02178986A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH02178985A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| US6661822B1 (en) | 1999-04-26 | 2003-12-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7339967B2 (en) | 2004-02-06 | 2008-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, semiconductor laser device, manufacturing method for semiconductor device, manufacturing method for semiconductor laser device, optical disk device and optical transmission system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3833435A (en) | Dielectric optical waveguides and technique for fabricating same | |
| JPH0673390B2 (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体デバイスの製作方法 | |
| US3883219A (en) | Dielectric optical waveguide | |
| JPH02288288A (ja) | 埋め込みヘテロ構造レーザダイオードの製造方法 | |
| JPS6223191A (ja) | リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JP2525788B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPH0552676B2 (ja) | ||
| JPS58114477A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3689733B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS62179790A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61272990A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2525776B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6351558B2 (ja) | ||
| JPS61284985A (ja) | 半導体レ−ザ装置の作製方法 | |
| JPH02209782A (ja) | リッジ導波路の製造方法 | |
| JPH04340284A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH01293686A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0897501A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPH10303511A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS63287079A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH04133315A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005072623A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH01236676A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS6370474A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |