JPS58114477A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS58114477A JPS58114477A JP56213973A JP21397381A JPS58114477A JP S58114477 A JPS58114477 A JP S58114477A JP 56213973 A JP56213973 A JP 56213973A JP 21397381 A JP21397381 A JP 21397381A JP S58114477 A JPS58114477 A JP S58114477A
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- JP
- Japan
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- layer
- mesa
- type
- inp
- etched
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、埋込み型半導体レーザの構造に関する。
（２）技術の背景
近年光通信技術の実用化にともない１発光源でめる半導
体レーザの製造歩留を上げることは重要な課題となって
きている。この場合、製造プロセスにおいて微細な構造
をもつ半導体チップをどのような構造とするかは製造歩
留に関係する大きな要因のひとつとなっている。
体レーザの製造歩留を上げることは重要な課題となって
きている。この場合、製造プロセスにおいて微細な構造
をもつ半導体チップをどのような構造とするかは製造歩
留に関係する大きな要因のひとつとなっている。
（３）従来技術と問題点
従来の埋込み型半導体レーザの製造例を第１図に示す。
まず、結晶構造が（１００）面の半導体基板１上に第１
のクラッド層２．活性層３．第２のりこの後、再びこの
半導体基板に結晶成長を行ここで、従来は第１図に示し
た構造断面図にたいし直角の方向である光導波方向が＜
０１１）方向となるように、メサ加工を施していた。
のクラッド層２．活性層３．第２のりこの後、再びこの
半導体基板に結晶成長を行ここで、従来は第１図に示し
た構造断面図にたいし直角の方向である光導波方向が＜
０１１）方向となるように、メサ加工を施していた。
これは９次の理由による。すなわち、光導波方向を例え
ば＜０１１＞方向にするとメサ部が順メサ形状となるた
め９発振横モード制御および発振しきい値電流低減に必
要となる活性層幅Ｗの縮小が困難であるのに対し、＜０
１１＞方向の場合では、メサ部が容易に逆メサ形状とな
るため活性層幅の縮小が容易となるからである。
ば＜０１１＞方向にするとメサ部が順メサ形状となるた
め９発振横モード制御および発振しきい値電流低減に必
要となる活性層幅Ｗの縮小が困難であるのに対し、＜０
１１＞方向の場合では、メサ部が容易に逆メサ形状とな
るため活性層幅の縮小が容易となるからである。
しかし、この場合活性層幅を３μｍ以下にすると逆メサ
形状が機械的に弱くなるため、メサ加工時おるいは２回
目の結晶成長時にメサ部が壊れやすくなり、このため埋
込みレーザの製造歩留まりが悪くなシやずいという欠点
があった。
形状が機械的に弱くなるため、メサ加工時おるいは２回
目の結晶成長時にメサ部が壊れやすくなり、このため埋
込みレーザの製造歩留まりが悪くなシやずいという欠点
があった。
（４）本発明の目的
本発明は、メサエッチング時に歩留りが良好なる埋込み
型半導体レーザを提供することを目的とする。
型半導体レーザを提供することを目的とする。
（５）本発明の構成
上記目的を達成するために９本発明においては、（１０
０）回生導体基板上に形成する埋込み型半導体レーザの
光導波方向を＜０１０＞方向るるいは＜００１＞方向に
選定することを特徴とする。
０）回生導体基板上に形成する埋込み型半導体レーザの
光導波方向を＜０１０＞方向るるいは＜００１＞方向に
選定することを特徴とする。
すなわち９本発明においては、（Ｚｏｏ） 回生導体
をメサ加工する場合、（０１０）面および（００１）面
が上記（１００）面にたいし垂直になシやすいことを利
用するものでチリ、埋込みレーザのメサ加工時のメサ形
状を改善して製造歩留まシ、が向上するようにしたもの
である。
をメサ加工する場合、（０１０）面および（００１）面
が上記（１００）面にたいし垂直になシやすいことを利
用するものでチリ、埋込みレーザのメサ加工時のメサ形
状を改善して製造歩留まシ、が向上するようにしたもの
である。
（６） 本発明の実施例
本発明の実施例をＧａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ／ Ｉ ｎ Ｐ
埋込ｎ−１ｎＰ 層１０アンドープのＧａＩｎＡｓＰ活
性層１１（厚さ約０．２μｍ）、およびクラッド層とな
るＰ−ＩｎＰ層１２．ならびにＰ＋−ＧａｌｎＡｓＰ
層１３（厚さ約０．２μｍ）を液相エピタキシャル法に
より結晶成長さゼる。次にこの基板の成長表面に幅１．
５〜５μｍの帯状の５ｉ０２膜１４（厚さ１，５０°０
〜３，０ＯＯＡ）を要談１４をエツチング用マスクとし
て、溶液体積比が）（２０：Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２＝１
：３： １の構成からなるエツチング液を丸い、温度約
３０℃においてｐ＋ ＧａＩｎＡｓＰ層１３をエツチ
ングする。次に、溶液体積比がＨＣ１： ）（２０＝
４：１のエツチング液を用い、０℃（ないし１０’Ｃ）
＆ｆＯ温度でＰ−ＩｎＰｊｊ１２をエツチングする。こ
のとき、ＩｎＰ（００１）面（あるいに（０１０）面）
＃′ｉ垂直にエツチングされやすいという性質をもりて
いるのでエツチング底面付近のメサ部の幅は、上記８２
０２ ｊｌの幅とはば同じになり、この結果逆メサ形状
にはならず垂直メサ形状１５となる。従って、形成され
たメサ部は、底面部の幅が表面部の幅と同程度でおるた
め、逆メサ形状よりも機械的に強くなる。
埋込ｎ−１ｎＰ 層１０アンドープのＧａＩｎＡｓＰ活
性層１１（厚さ約０．２μｍ）、およびクラッド層とな
るＰ−ＩｎＰ層１２．ならびにＰ＋−ＧａｌｎＡｓＰ
層１３（厚さ約０．２μｍ）を液相エピタキシャル法に
より結晶成長さゼる。次にこの基板の成長表面に幅１．
５〜５μｍの帯状の５ｉ０２膜１４（厚さ１，５０°０
〜３，０ＯＯＡ）を要談１４をエツチング用マスクとし
て、溶液体積比が）（２０：Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２＝１
：３： １の構成からなるエツチング液を丸い、温度約
３０℃においてｐ＋ ＧａＩｎＡｓＰ層１３をエツチ
ングする。次に、溶液体積比がＨＣ１： ）（２０＝
４：１のエツチング液を用い、０℃（ないし１０’Ｃ）
＆ｆＯ温度でＰ−ＩｎＰｊｊ１２をエツチングする。こ
のとき、ＩｎＰ（００１）面（あるいに（０１０）面）
＃′ｉ垂直にエツチングされやすいという性質をもりて
いるのでエツチング底面付近のメサ部の幅は、上記８２
０２ ｊｌの幅とはば同じになり、この結果逆メサ形状
にはならず垂直メサ形状１５となる。従って、形成され
たメサ部は、底面部の幅が表面部の幅と同程度でおるた
め、逆メサ形状よりも機械的に強くなる。
続いて再び上記Ｈ２０：Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２溶液およ
びＨＣＩ：Ｈ２０溶液を用いて、それぞれＣｉ Ｉ ｎ
ＡｓＰ 活性層１１およびｎ−１ｎＰ 層１０をエツ
チングする。ここで、ｎ−ＩｎＰ層１によｔ）、Ｐ−Ｉ
ｎＰ層１６．ｎ−ＩｎＰ層１７゜ｎ−ＧａｌｎＡｓＰ層
１８を結晶成長させ、メサ部を埋め込む。成長後９表面
の帯状の８ｉ０２膜を除去した後、再度幅１００〜５０
０μｍの帯状の５ｉ０２膜を長示方向が＜００１＞方向
となるように形成する。これは、エツチングによシレー
ザ反射鏡面を形成するためのマスクに用いるためでおる
。続いて、前述と同様のエツチングを行い１．形成した
エツチング側面をレーザ反射鏡面として用いる。ここで
、＃！後のｎ−ＩｎＰのエツチング深さは、５〜２０μ
ｎとする。
びＨＣＩ：Ｈ２０溶液を用いて、それぞれＣｉ Ｉ ｎ
ＡｓＰ 活性層１１およびｎ−１ｎＰ 層１０をエツ
チングする。ここで、ｎ−ＩｎＰ層１によｔ）、Ｐ−Ｉ
ｎＰ層１６．ｎ−ＩｎＰ層１７゜ｎ−ＧａｌｎＡｓＰ層
１８を結晶成長させ、メサ部を埋め込む。成長後９表面
の帯状の８ｉ０２膜を除去した後、再度幅１００〜５０
０μｍの帯状の５ｉ０２膜を長示方向が＜００１＞方向
となるように形成する。これは、エツチングによシレー
ザ反射鏡面を形成するためのマスクに用いるためでおる
。続いて、前述と同様のエツチングを行い１．形成した
エツチング側面をレーザ反射鏡面として用いる。ここで
、＃！後のｎ−ＩｎＰのエツチング深さは、５〜２０μ
ｎとする。
（７）発明の効果
本発明によれば、埋込みレーザの製造工程の一つである
メサ加工時にメサ部の機械的強度を従来のものよシも強
くすることができる。このため、埋込みレーザの製造に
おいて歩留１りが向上できる。
メサ加工時にメサ部の機械的強度を従来のものよシも強
くすることができる。このため、埋込みレーザの製造に
おいて歩留１りが向上できる。
図において、１は（１００面１半導体基板、 ２，４，
７゜８はクラッド層、３は活性層９．は（Ｚｏｏ）面Ｉ
ｎＰ基板、１０．１７はｎ−ＩｎＰ層、 １ ｉｔｉ
’ｙント−フ１７）ＧａＩｎＡｓＰ活性層、１２．１６
はＰ−ＩｎＰ層。
７゜８はクラッド層、３は活性層９．は（Ｚｏｏ）面Ｉ
ｎＰ基板、１０．１７はｎ−ＩｎＰ層、 １ ｉｔｉ
’ｙント−フ１７）ＧａＩｎＡｓＰ活性層、１２．１６
はＰ−ＩｎＰ層。
１３はＰ十−ＧａＩｎＡｓＰ層、１４は５ｉｏ２膜。
１８Ｆｉ、ｎ−ＧａＩｎＡｓＰ層を示ス。
Claims (1)
- （１００）内生導体基板上に＜’０１０＞方向あるいは
＜００１＞方向を長手方向とし、かつ光導波方向とする
クラッド層、活性層、クラッド層から成る帯状の半導体
層が形成され、この半導体層の両側に電流絶縁作用を有
するＰ−ｎ接合のクラッド層を有することを特徴とする
半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213973A JPS58114477A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213973A JPS58114477A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114477A true JPS58114477A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16648124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56213973A Pending JPS58114477A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114477A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216389A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| US5070510A (en) * | 1989-12-12 | 1991-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| GB2292005A (en) * | 1994-07-25 | 1996-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor ridge laser |
| JPH08162625A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Korea Electron Telecommun | 半導体の光集積回路の製造方法 |
| KR100493639B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2005-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 화합물 반도체 레이저 다이오드 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496386A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of buried optical semiconductor device |
| JPS55143091A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56213973A patent/JPS58114477A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496386A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of buried optical semiconductor device |
| JPS55143091A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62216389A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| US5070510A (en) * | 1989-12-12 | 1991-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| GB2292005A (en) * | 1994-07-25 | 1996-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor ridge laser |
| US5604764A (en) * | 1994-07-25 | 1997-02-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US5656539A (en) * | 1994-07-25 | 1997-08-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating a semiconductor laser |
| GB2292005B (en) * | 1994-07-25 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser and method of fabricating semiconductor laser |
| JPH08162625A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Korea Electron Telecommun | 半導体の光集積回路の製造方法 |
| KR100493639B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2005-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 화합물 반도체 레이저 다이오드 |
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