JPS62128586A - 光電子集積回路の製造方法 - Google Patents
光電子集積回路の製造方法Info
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- JPS62128586A JPS62128586A JP26972885A JP26972885A JPS62128586A JP S62128586 A JPS62128586 A JP S62128586A JP 26972885 A JP26972885 A JP 26972885A JP 26972885 A JP26972885 A JP 26972885A JP S62128586 A JPS62128586 A JP S62128586A
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- Japan
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- semiconductor laser
- integrated circuit
- metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光電子集積回路の製造方法に関するものである
。
。
従来の技術
第３図は従来技術による光電子集積回路の構造を示した
ものである。従来の技ｌ１１１では、ファブリペロ−型
半導体レーザを製造する場合、共振器端面をへき開で形
成するかまたはエツチングにて形成するかである。しか
し電気素子と同時に半導体レーザを製造する場合、プレ
ーナ化が必要であり、そのため、共振器端面の形成とし
てへき開による方法が主に用いられている。従って、第
３図のように集積回路のチップサイズが共振器長にて制
限されている。第３図において、１はレーザ部、２は活
性層、３は電気回路部、４は共振器端面、６は溝である
。
ものである。従来の技ｌ１１１では、ファブリペロ−型
半導体レーザを製造する場合、共振器端面をへき開で形
成するかまたはエツチングにて形成するかである。しか
し電気素子と同時に半導体レーザを製造する場合、プレ
ーナ化が必要であり、そのため、共振器端面の形成とし
てへき開による方法が主に用いられている。従って、第
３図のように集積回路のチップサイズが共振器長にて制
限されている。第３図において、１はレーザ部、２は活
性層、３は電気回路部、４は共振器端面、６は溝である
。
発明が解決しようとする問題点
従来の技術では、プレーナ型の光集債回路を製造する場
合、半導体レーザの共振器端面をへき開で形成するため
、チップ面積が前記半導体レーザの共振器に制限される
という問題点があった。
合、半導体レーザの共振器端面をへき開で形成するため
、チップ面積が前記半導体レーザの共振器に制限される
という問題点があった。
本発明はこのような問題点を解消し、共振器長に制限さ
れることのない半導体レーザを含む光電子集積回路を製
造できるようにしようとするものである。
れることのない半導体レーザを含む光電子集積回路を製
造できるようにしようとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、半導体基板上に、少なくとも半導体レーザを
製造するに際し、前記半導体レーザの少なくとも１つの
共振器端面を形成すると同時に半導体レーザ部を囲む溝
を形成する工程、基板全面に金属膜を堆積する工程、続
いて、異方性イオンビームエツチングにて、前記半導体
レーザ部以外の金属膜を除去する工程を含んでなる光電
子集積回路の製造方法である。
製造するに際し、前記半導体レーザの少なくとも１つの
共振器端面を形成すると同時に半導体レーザ部を囲む溝
を形成する工程、基板全面に金属膜を堆積する工程、続
いて、異方性イオンビームエツチングにて、前記半導体
レーザ部以外の金属膜を除去する工程を含んでなる光電
子集積回路の製造方法である。
作用
本発明では、半導体レーザの共振器端面および半導体レ
ーザの囲シに溝をエツチングで形成し、その後、全面に
金属を蒸着し、続いて異方性イオンビームエツチングで
、半導体部以外の金属を除去するため、前記半導体レー
ザの共振器端面の側壁部に金属が残シ、これが、反射膜
コートの役目をし、また、電気素子等への光のもれも遮
断する。
ーザの囲シに溝をエツチングで形成し、その後、全面に
金属を蒸着し、続いて異方性イオンビームエツチングで
、半導体部以外の金属を除去するため、前記半導体レー
ザの共振器端面の側壁部に金属が残シ、これが、反射膜
コートの役目をし、また、電気素子等への光のもれも遮
断する。
従って、プレーナ型光集積回路を製造する場合、チップ
面積は半纏体レーザの共振器長に制限されることがない
。
面積は半纏体レーザの共振器長に制限されることがない
。
実施例
第１図は本発明の一実１ｍ例における光電子集積回路の
製造方法を示す工程断面図である。半絶縁性ＧａＡｓ１
板１０上に、Ｐ型ＧａＡｓバｙ７７層１１、続いてＰ型
ＡｌＯ，３Ｇ＆０．７人Ｓクラッド層１２、続いてＰ型
ＧａＡｓ活性層１３、続いてＮ型Ａｌ ｏ３Ｇａ ０．
７人Ｓクラッド層１４全分子臓エピタキシーにて成長さ
せ、さらにＡｕＧｅ／Ａｕを蒸着して半導体レーザのカ
ソード電極１６′（ｉｌ−形成する。続いて、フォトエ
ッチにて、半導体レーザ部１と電気回路部２の境界部お
よび半導体レーザ部に溝を形成する部分１６以外をレジ
スト１７で覆い（第１図（ａ） ） 、異方性イオンビ
ーム１８のエツチングにてエツチングすることによシ溝
２３および溝２３の側面に共振器端面を形成する。続い
て、全面に５ｉｏ２１９’ｉ堆積させ、さらに、Ａｕ２
０をＥＢ蒸着で６０００人全面に堆積させる（第１図（
ｂ））。絖いて、異方性イオンビーム２２のエツチング
にて人ｕ２０ ｋ除去する。この工程では、ムｕ２０の
平面部はエツチング除去され、半導体レーザの共振器端
面の側壁部にムＵ膜２ｏを残す（第１図（Ｃ））。
製造方法を示す工程断面図である。半絶縁性ＧａＡｓ１
板１０上に、Ｐ型ＧａＡｓバｙ７７層１１、続いてＰ型
ＡｌＯ，３Ｇ＆０．７人Ｓクラッド層１２、続いてＰ型
ＧａＡｓ活性層１３、続いてＮ型Ａｌ ｏ３Ｇａ ０．
７人Ｓクラッド層１４全分子臓エピタキシーにて成長さ
せ、さらにＡｕＧｅ／Ａｕを蒸着して半導体レーザのカ
ソード電極１６′（ｉｌ−形成する。続いて、フォトエ
ッチにて、半導体レーザ部１と電気回路部２の境界部お
よび半導体レーザ部に溝を形成する部分１６以外をレジ
スト１７で覆い（第１図（ａ） ） 、異方性イオンビ
ーム１８のエツチングにてエツチングすることによシ溝
２３および溝２３の側面に共振器端面を形成する。続い
て、全面に５ｉｏ２１９’ｉ堆積させ、さらに、Ａｕ２
０をＥＢ蒸着で６０００人全面に堆積させる（第１図（
ｂ））。絖いて、異方性イオンビーム２２のエツチング
にて人ｕ２０ ｋ除去する。この工程では、ムｕ２０の
平面部はエツチング除去され、半導体レーザの共振器端
面の側壁部にムＵ膜２ｏを残す（第１図（Ｃ））。
上記の方法によって、プレーナ型光電子集積回路の半導
体レーザの少なくとも１つの共振器端面が、集積回路の
内部に反射膜（たとえばムＵ膜２０）コートによって形
成することができ、第２図のごとく、チップ面積も従来
列のように共振器長に制限されることがなく、また、半
導体レーザを反射膜コートで囲んでいるため、素子間の
光のもれも防ぐことができる。
体レーザの少なくとも１つの共振器端面が、集積回路の
内部に反射膜（たとえばムＵ膜２０）コートによって形
成することができ、第２図のごとく、チップ面積も従来
列のように共振器長に制限されることがなく、また、半
導体レーザを反射膜コートで囲んでいるため、素子間の
光のもれも防ぐことができる。
なお、上記の実施レリではム１ＧａＡｓ／ＣａＡｓ系の
場合を示したが、他の半導体材料、例えばＩｎＰ／ Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系でも同様な効果が得られることはいうま
でもない。
場合を示したが、他の半導体材料、例えばＩｎＰ／ Ｉ
ｎＧａＡｓＰ系でも同様な効果が得られることはいうま
でもない。
発明の効果
本発明の光電子集積回路の製造方法によれば、プレーナ
型光電子集積回路を、発光素子である半導体レーザの共
振器長に制限されることがなく製造することができ、か
つ、素子間の光の漏れもさえぎることができる。
型光電子集積回路を、発光素子である半導体レーザの共
振器長に制限されることがなく製造することができ、か
つ、素子間の光の漏れもさえぎることができる。
第１図は本発明の光電子集積回路の製造方法の一実施例
を示す工程断面図、第２図は同−実施列の方法によシ製
造された光電子集積回路の構造を示す概略平面図、第３
図は従来の光電子集積回路の構造を示す概略平面図であ
る。 １・・・・・・レーザ部、３・・・・・・電気回路部、
１８・・・・・イオンビーム、２０・・・・・Ａｕ、２
３・・・・・・溝。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （ｃＬ） 第２図 第３図
を示す工程断面図、第２図は同−実施列の方法によシ製
造された光電子集積回路の構造を示す概略平面図、第３
図は従来の光電子集積回路の構造を示す概略平面図であ
る。 １・・・・・・レーザ部、３・・・・・・電気回路部、
１８・・・・・イオンビーム、２０・・・・・Ａｕ、２
３・・・・・・溝。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （ｃＬ） 第２図 第３図
Claims (1)
- 半導体基板上に、少なくとも半導体レーザを製造するに
際し、前記半導体レーザの少なくとも１つの共振器端面
を形成すると同時に半導体レーザ部を囲む溝を形成する
工程、前記基板の全面に金属膜を堆積する工程、続いて
、異方性イオンビームエッチングにて前記金属膜を除去
するとともに前記半導体レーザ部の共振器端面に金属膜
を残存させる工程を含んでなる光電子集積回路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26972885A JPS62128586A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 光電子集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26972885A JPS62128586A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 光電子集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128586A true JPS62128586A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17476336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26972885A Pending JPS62128586A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 光電子集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128586A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260878A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ |
| JPH027588A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH0629623A (ja) * | 1990-01-03 | 1994-02-04 | Arthur A Karpinski | モノリシックレーザーダイオードアレイ及びその製造方法 |
| US8994000B2 (en) | 2005-07-29 | 2015-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
| JP2017092382A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザデバイス |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP26972885A patent/JPS62128586A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260878A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ |
| JPH027588A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH0629623A (ja) * | 1990-01-03 | 1994-02-04 | Arthur A Karpinski | モノリシックレーザーダイオードアレイ及びその製造方法 |
| JP2858964B2 (ja) * | 1990-01-03 | 1999-02-17 | エイ． カルピンスキー アーサー | モノリシックレーザーダイオードアレイ及びその製造方法 |
| US8994000B2 (en) | 2005-07-29 | 2015-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
| JP2017092382A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザデバイス |
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