JPH0247886A - 面発光型半導体レーザの製造方法 - Google Patents

面発光型半導体レーザの製造方法

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JPH0247886A
JPH0247886A JP19926488A JP19926488A JPH0247886A JP H0247886 A JPH0247886 A JP H0247886A JP 19926488 A JP19926488 A JP 19926488A JP 19926488 A JP19926488 A JP 19926488A JP H0247886 A JPH0247886 A JP H0247886A
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JP
Japan
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layer
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semiconductor laser
gaas substrate
gaas
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Pending
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JP19926488A
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Kenichi Iga
伊賀　健一
Kotaro Furusawa
浩太郎 古沢
Akira Ibaraki
茨木　晃
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Japan Science and Technology Agency
Sanyo Electric Co Ltd
Tokyo Institute of Technology NUC
Original Assignee
Research Development Corp of Japan
Sanyo Electric Co Ltd
Tokyo Institute of Technology NUC
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Publication date
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    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レ
ーザの製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
エピタキシャル面と基板端面とで共振器を作成して面方
向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザは、デバ
イスの高集積化の傾向に伴ってその用途が開発されてい
る。そしてこのような面発光型半導体レーザにあっては
、内部電流狭窄構造を導入することは容易に考えられる
が、その製造方法においては有効のものが考案されてい
ない。
例えばＧａＡｓメサ部にＧａｌ−ｙ　Ａｌｙ　Ａｓブロ
ック層を成長させ、次いでこのＧａＡｓメサ部（及び基
板）を選択的にメルトバンク除去した後、各層を連続成
長させてダブルへテロ構造を形成する方法、つまり選択
的メルトバックを利用したインナストライブ構造の製造
方法が考えられる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが上述したような方法では、ＧａＡｓメサ部が基
板に直接形成されているので、基板を後にエツチング除
去する面発光型半導体レーザにあっては、選択的メルト
バック法を直接には適用できないという問題点がある。
また、基板を除去しているので従来の面発光型半導体レ
ーザでは一般的にｎ−ｃａ＋−ｇ　Ａｌｇ　Ａｓクラッ
ド層部分の抵抗が大きいという問題点がある。
本発明はかかる事情に鑑゛みてなされたものであり、内
部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザを少ない
成長回数にて製造でき、しかもその素子抵抗を低減でき
る面発光型半導体レーザの製造方法を提供することを目
的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る面発光型半導体レーザの製造方法は、内部
電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザの製造方法
において、ＧａＡｓ基板上に、該ＧａＡｓ基板と同じ導
電型のＧａｐ−ｘ　ＡＩＸ　Ａｓ層（ｘ≧０．１）及び
ｎ−ＧａＡｓ層をこの順に成長させる工程と、前記ｎ−
ＧａＡｓ層にメサ部を形成する工程と、前記メサ部の表
面を含む前記ｎ−ＧａＡＳ層上に、ｐ−Ｇａｔ−、ＡＩ
、　Ａｓブロック層（ｙ≧０．１）を成長させる工程と
、前記メサ部をその下の前記Ｇａｌ□＾１．　Ａｓ層ま
で選択的にメルトバック除去する工程と、メルトバック
除去された領域を含んで前記ｐ−Ｇａ　Ｉ　−ｙ＾Ｉ、
　Ａｓブロック層上面に、Ｇａｐ−、八Ｌ　Ａｓクラッ
ド層、　Ｇａ１−ｗ　Ａｌｗ　Ａｓ活性層＋　Ｇａ、−
ｚ　ＡｔｇＡｓクラッド層及びＧａｐ−ｕＡｌｕ　Ａｓ
キャップ層をこの順に成長させる工程とを有することを
特徴とする。
〔作用〕
本発明の面発光型半導体レーザの製造方法にあっては、
ＧａＡｓ基板上にＧａｐ−Ｘ　ＡＩＸ　Ａｓ１ｉ及びｎ
−ＧａＡｓ層を成長させた後、このｎ−ＧａＡｓ層にメ
サ部を形成する。次いでｐ−Ｇａ、□ＡＩ、　Ａｓブロ
ック層を成長させ、メサ部をＧａ１−、　Ａ１．　Ａｓ
層に到るまで選択的メルトバック法を用いて除去した後
、ダブルへテロ構造をなす各層を連続的に成長させる。
そうすると本発明ではＧａＡｓ基板とメサ部を形成する
ｎ−ＧａＡｓ層との間にＧａ、−ＸＡ１．　Ａｓｊｉを
成長させているので１、選択的メルトバック法をｆｔＩ
用することが可能である。また基板を除去しないので、
素子抵抗は低減する。
（実施例〕 以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。
第１図〜第６図は本発明の面発光型半導体レーザの製造
方法の工程を示す模式図である。
まずｎ−ＧａＡＳ基板１０上に、ｎ−Ｇａｇ、ｂ　Ａｇ
ｏ１Ａｓ層１（膜厚０．５〜１．０μｍ）及びｎ−Ｇａ
Ａｓ層２（膜厚４．０〜５．０ＩＩｍ）をこの順に成長
させる（第１図）。
次いでｎ−ＧａＡｓ層２に、径５μｍ、高さ０．５〜１
．０μｍのメサ部２ａを形成する（第２図（ａ）及び（
ｂ））。
次にメサ部２ａの表面を含んでｎ−ＧａＡｓ層２上面に
、ｐ−Ｇａｏ、ｂ　Ａｌｏ、ａ　ＡｓブロックＮ３を成
長させ（第３図）た後、未飽和メルトによる選択的メル
トバックにより、前記ｎ−ＧａＡｓ層２のメサ部２ａを
、ｎ−Ｇａｏ、　ｂＡｌ、、４Ａｓ層１までメルトバッ
ク除去する（第４図）。
なおこの際ｎ−Ｇａｏ、ｂ　Ａｌｏ、４　Ａｓ層１の存
在によりｎＧａＡＳ基板１０は全く除去されない。
次いでメルトバック除去された領域を含んでｐＧａｙ、
ｂＡＩ。、、Ａｓブロック層３上面に、ダブルへテロ層
、つまりｎ−Ｇａｏ、ｉ　ＡＩＤ、４　Ａｓクラッド層
４．ｐＧａｙ、　ｇ　Ａｌｏ、　ＨＡｓ活性層５．　ｐ
−Ｇａｏ、ａ　Ａｏｌｏ、４Ａｓクラフト層６及びｐ−
Ｇａｏ、　ｇｓＡｌｏ、　＋５Ａｓキャップ層７をこの
順に成長させる（第５図）。最後にｎ−ＧａＡＳ基板１
０を部分的にエツチングし、エツチングされた面とこれ
に対応するｐ−Ｇａｏ、　８５Ａ１０．　Ｉ　ＳＡＳキ
ャンプ層７層面上面々反射鏡９，９を形成し、エツチン
グされないｎ−ＧａＡｓ基板１０の下面及び反射鏡９が
形成されていないρ−Ｇａｏ、　ａｓＡｌｏ、　＋ｓＡ
ｓキャップ層７上面に夫々電極８，８を形成して面発光
型半導体レーザを製造する（第６図）。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く本発明の製造方法では、２回の結晶成
長によって容易に面発光型半導体レーザを製造すること
ができる。また製造された面発光型半導体レーザは素子
抵抗が小さい等、本発明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第６図は本発明の面発光型半導体レーザの製造
方法における製造工程を示す模式図である。 ｌ　−ｎ−Ｇａ、、　６　八ｔｏ、４　　へＳ層　　２
−ｎ−ＧａＡｓ層　　２ａ−＝メサ部　３・・・ｐ−Ｇ
ａ０．６ＡＩ０．４ＡＳフ゛ロック層　４・・・ｎ−Ｇ
ａｏ、　ｂ　へ１．．．Ａｓクラッド層　　５−ｐ−Ｇ
ａ、０．　　八１０．　ＩＡｓ活性ｆｉｉ　　６−ｐ−
Ｇａｏ、　ｂ　Ａｌｅ、　４＾Ｓクラッド層７　＝−ｐ
−Ｇａｏ、　ｅｓＡｌｏ、　＋ｓＡｓキャンプ層　８・
・・電極９・・・反射鏡　１０・・・ｎ−ＧａＡｓ基板
特　許　出願人　　　新技術開発事業団外２名

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザの
    製造方法において、 ＧａＡｓ基板上に、該ＧａＡｓ基板と同じ導電型のＧａ
    ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ層（ｘ≧０．１）及びｎ−Ｇ
    ａＡｓ層をこの順に成長させる工程と、 前記ｎ−ＧａＡｓ層にメサ部を形成する工程と、前記メ
    サ部の表面を含む前記ｎ−ＧａＡＳ層上に、ｐ−Ｇａ＿
    １＿−＿ｙＡｌ＿ｙＡｓブロック層（ｙ≧０．１）を成
    長させる工程と、 前記メサ部をその下の前記Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡ
    ｓ層まで選択的にメルトバック除去する工程と、メルト
    バック除去された領域を含んで前記 ｐ−Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙＡｓブロック層上面に、
    Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚＡｓクラッド層、Ｇａ＿１＿
    −＿ｗＡｌ＿ｗＡｓ活性層、Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｚ
    Ａｓクラッド層及びＧａ＿１＿−＿ｕＡｌ＿ｕＡｓキャ
    ップ層をこの順に成長させる工程と を有することを特徴とする面発光型半導体 レーザの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992010867A1 (en) * 1990-12-14 1992-06-25 Bell Communications Research, Inc. Phase-locked array of reflectivity-modulated surface-emitting lasers
JPH05267781A (ja) * 1991-12-24 1993-10-15 Samsung Electron Co Ltd レーザダイオード及びレーザダイオードアレイの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63157489A (ja) * 1986-12-20 1988-06-30 Sanyo Electric Co Ltd 面発光型半導体レ−ザの製造方法

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