JP2812024B2 - 面発光素子の製造方法 - Google Patents
面発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2812024B2 JP2812024B2 JP3298052A JP29805291A JP2812024B2 JP 2812024 B2 JP2812024 B2 JP 2812024B2 JP 3298052 A JP3298052 A JP 3298052A JP 29805291 A JP29805291 A JP 29805291A JP 2812024 B2 JP2812024 B2 JP 2812024B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- forming
- reflective film
- multilayer reflective
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、面発光素子、特に面発
光レーザの製造方法に関する。
光レーザの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】将来の光コンピュータ、光演算回路では
マトリクス状に発光デバイスが集積された光集積回路が
必要とされている。これに適する光源として、面発光レ
ーザが盛んに研究開発されている。この一例としてＪ．
Ｌ．Ｊｅｗｅｌｌ氏らの発表した面発光レーザ（エレク
トロニクスレターズ ２５巻 ｐｐ１１２３−１１２
４）がある。ここでは、１μｍ〜５μｍ径のマイクロサ
イズの面発光レーザにおいて発振電流１ｍＡ程度の低消
費電力で発振する事に成功している。
マトリクス状に発光デバイスが集積された光集積回路が
必要とされている。これに適する光源として、面発光レ
ーザが盛んに研究開発されている。この一例としてＪ．
Ｌ．Ｊｅｗｅｌｌ氏らの発表した面発光レーザ（エレク
トロニクスレターズ ２５巻 ｐｐ１１２３−１１２
４）がある。ここでは、１μｍ〜５μｍ径のマイクロサ
イズの面発光レーザにおいて発振電流１ｍＡ程度の低消
費電力で発振する事に成功している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述の従
来の面発光レーザでは閾値電流が１ｍＡ程度に小さくな
っているものの、本来の閾値電流密度１ｋＡ／ｃｍ2 か
ら予想される閾値電流（〜３０μＡ，φ２μｍ）から比
べると非常に大きいという問題があった。この理由とし
ては、活性層側面が大気に露出した構造となっておりこ
こでの表面再結合を介した無効電流が１ｍＡ程度あるた
めと考えられる。そこで、この無効電流を低減出来れば
さらに閾値電流を低減できると考えられる。
来の面発光レーザでは閾値電流が１ｍＡ程度に小さくな
っているものの、本来の閾値電流密度１ｋＡ／ｃｍ2 か
ら予想される閾値電流（〜３０μＡ，φ２μｍ）から比
べると非常に大きいという問題があった。この理由とし
ては、活性層側面が大気に露出した構造となっておりこ
こでの表面再結合を介した無効電流が１ｍＡ程度あるた
めと考えられる。そこで、この無効電流を低減出来れば
さらに閾値電流を低減できると考えられる。
【０００４】そこで本発明の目的は、表面再結合による
無効電流を低減する事により、低閾値電流の、面発光素
子の製造方法を提供する事にある。
無効電流を低減する事により、低閾値電流の、面発光素
子の製造方法を提供する事にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の面発光素子の製
造方法は、半導体基板上に第１導電型の第１半導体多層
反射膜を形成する工程と、この第１半導体多層反射膜上
に少なくとも１つ以上の量子井戸活性層を含む活性層構
造を形成する工程と、この活性層構造の上に第２導電型
の第２半導体多層反射膜を形成する工程と、この第２半
導体多層反射膜上にマスクを形成する工程と、このマス
クを用いて前記第１半導体多層反射膜の上部に達するま
で選択エッチングを行なう事により側壁が垂直又はアン
ダーカット形状の半導体柱を形成する工程と、この半導
体柱の頂部および底部のみに拡散マスクを形成する工程
と、この拡散マスクを用いて前記半導体柱の側面だけに
不純物の選択拡散を行なう工程と、前記第２半導体多層
反射膜の頂部に電極を形成する工程とを含む事を特徴と
する。
造方法は、半導体基板上に第１導電型の第１半導体多層
反射膜を形成する工程と、この第１半導体多層反射膜上
に少なくとも１つ以上の量子井戸活性層を含む活性層構
造を形成する工程と、この活性層構造の上に第２導電型
の第２半導体多層反射膜を形成する工程と、この第２半
導体多層反射膜上にマスクを形成する工程と、このマス
クを用いて前記第１半導体多層反射膜の上部に達するま
で選択エッチングを行なう事により側壁が垂直又はアン
ダーカット形状の半導体柱を形成する工程と、この半導
体柱の頂部および底部のみに拡散マスクを形成する工程
と、この拡散マスクを用いて前記半導体柱の側面だけに
不純物の選択拡散を行なう工程と、前記第２半導体多層
反射膜の頂部に電極を形成する工程とを含む事を特徴と
する。
【０００６】
【作用】前述の課題を解決するには、表面再結合を抑制
する事が必要である。表面再結合を抑制するにはヘテロ
接合を用いれば良い事は良く知られているが、これの一
実現手段として不純物導入等による無秩序化技術があ
る。これは、量子井戸からなる活性層に不純物あるいは
熱応力を導入する事によって量子井戸構造の構成元素の
相互拡散を促進し、量子井戸構造を無秩序化してほぼ一
様な組成の半導体とする技術である。このように活性層
の側面を無秩序化することによって、活性層側面がこの
側面の内側の活性層よりも禁制帯幅の広い半導体とな
り、活性層の横方向にヘテロ接合が形成されるため表面
再結合が抑制される。この技術を前述の面発光レーザに
適用するには一つの問題がある。すなわち、前述の面発
光レーザは半導体柱の形状となっているが、これの全て
の表面に前述した様な不純物あるいは熱応力を導入して
無秩序化領域を形成すると、半導体柱の頂上部において
も無秩序化領域が形成されてしまう。そうすると、半導
体頂上部の半導体多層反射膜の反射率の劣化及びそこで
の電極抵抗の増大を引き起こしてしまうから、レーザ特
性が悪化する。そこで本発明では不純物拡散のための拡
散マスクを半導体頂部と底部のみに形成する方法を用い
て、側面だけに無秩序化領域を形成している。この不純
物拡散のための拡散マスク形成において、半導体柱の側
壁の垂直性あるいはアンダーカット形状を利用して、こ
の上から拡散マスクをビーム状に堆積させると半導体柱
の側面には拡散マスクが堆積しない。従ってこの拡散マ
スクを用いれば、半導体柱の側面だけに不純物拡散を行
なう事が出来る。
する事が必要である。表面再結合を抑制するにはヘテロ
接合を用いれば良い事は良く知られているが、これの一
実現手段として不純物導入等による無秩序化技術があ
る。これは、量子井戸からなる活性層に不純物あるいは
熱応力を導入する事によって量子井戸構造の構成元素の
相互拡散を促進し、量子井戸構造を無秩序化してほぼ一
様な組成の半導体とする技術である。このように活性層
の側面を無秩序化することによって、活性層側面がこの
側面の内側の活性層よりも禁制帯幅の広い半導体とな
り、活性層の横方向にヘテロ接合が形成されるため表面
再結合が抑制される。この技術を前述の面発光レーザに
適用するには一つの問題がある。すなわち、前述の面発
光レーザは半導体柱の形状となっているが、これの全て
の表面に前述した様な不純物あるいは熱応力を導入して
無秩序化領域を形成すると、半導体柱の頂上部において
も無秩序化領域が形成されてしまう。そうすると、半導
体頂上部の半導体多層反射膜の反射率の劣化及びそこで
の電極抵抗の増大を引き起こしてしまうから、レーザ特
性が悪化する。そこで本発明では不純物拡散のための拡
散マスクを半導体頂部と底部のみに形成する方法を用い
て、側面だけに無秩序化領域を形成している。この不純
物拡散のための拡散マスク形成において、半導体柱の側
壁の垂直性あるいはアンダーカット形状を利用して、こ
の上から拡散マスクをビーム状に堆積させると半導体柱
の側面には拡散マスクが堆積しない。従ってこの拡散マ
スクを用いれば、半導体柱の側面だけに不純物拡散を行
なう事が出来る。
【０００７】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を用いて詳
細に説明する。図１は本発明の一実施例の製造方法を示
す図である。
細に説明する。図１は本発明の一実施例の製造方法を示
す図である。
【０００８】まず図１（ａ）に示す様にｎ型ＧａＡｓ半
導体基板１上にｎ型ＡｌＡｓ ８０２Å／ｎ型ＧａＡｓ
６７０Åの２３周期からなるｎ型多層反射膜２、Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ １４３０Å／Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ
１００Å／Ａｌ0.5 Ｇａ0. 5 Ａｓ １４３０Åからな
る活性層構造３、Ｐ型ＧａＡｓ ６７０Å／Ｐ型ＡｌＡ
ｓ ８０２Å１０周期からなるＰ型多層反射膜４、Ｐ型
ＧａＡｓ ３０Åのキャップ層５を結晶成長する。ここ
で活性層構造３内部のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層は歪単一
量子井戸の活性層である。次に図１（ｂ）に示す様に、
通常のホトエッチング技術によってメサ円柱７を形成す
る。エッチング深さはｎ型多層反射膜２に達するまでと
する。エッチング方法は反応性イオンビームエッチング
（ＲＩＢＥ）法や反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法
等のドライエッチング技術を用いて側壁が垂直あるいは
アンダーカット形状となる様にエッチングする。本実施
例では、ＳｉＯ2 膜６をエッチングマスクとして用い、
Ｃｌ2 とＡｒを用いたイオンビームアシストエッチング
（ＩＢＡＥ）法でエッチングしている。次に拡散マスク
８を図１（ｃ）に示す様にメサ円柱７の頂部及び底部だ
けに形成する。拡散マスク８はＳｉ膜（厚さ３００〜１
０００Å）からなり、真空蒸着により形成する。形成方
法として真空蒸着を用いたのは、拡散マスクをビーム状
に堆積させるためである。次に試料をＺｎＡｓ2 などと
共に真空アンプルに封入してＺｎ拡散を行なう。拡散の
深さは、Ａｌ組成によって大きく変化するが、０．１〜
２μｍの範囲が適当である。このＺｎ拡散は拡散マスク
８のためにメサ円柱７の側壁だけに行なう事が出来る。
このとき、活性層構造３のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからな
る量子井戸のメサ円柱７側壁近傍がＺｎ拡散による無秩
序化によってＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓとの混晶化が生じ
て、等価的に禁制帯幅が増大する。このためＩｎ0. 2 Ｇ
ａ0.8 Ａｓ量子井戸のメサ円柱７側面での表面再結合は
著るしく抑制されるから、低閾値電流での面発光レーザ
発振が可能となる。次に図１（ｄ）に示す様に拡散マス
ク８及びＳｉＯ2 膜６を除去した後ＳｉＯ2 膜９、Ｐ型
電極１０、ｎ型電極１１、レーザ光出射窓１２を形成し
て完成する。
導体基板１上にｎ型ＡｌＡｓ ８０２Å／ｎ型ＧａＡｓ
６７０Åの２３周期からなるｎ型多層反射膜２、Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ １４３０Å／Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ
１００Å／Ａｌ0.5 Ｇａ0. 5 Ａｓ １４３０Åからな
る活性層構造３、Ｐ型ＧａＡｓ ６７０Å／Ｐ型ＡｌＡ
ｓ ８０２Å１０周期からなるＰ型多層反射膜４、Ｐ型
ＧａＡｓ ３０Åのキャップ層５を結晶成長する。ここ
で活性層構造３内部のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層は歪単一
量子井戸の活性層である。次に図１（ｂ）に示す様に、
通常のホトエッチング技術によってメサ円柱７を形成す
る。エッチング深さはｎ型多層反射膜２に達するまでと
する。エッチング方法は反応性イオンビームエッチング
（ＲＩＢＥ）法や反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法
等のドライエッチング技術を用いて側壁が垂直あるいは
アンダーカット形状となる様にエッチングする。本実施
例では、ＳｉＯ2 膜６をエッチングマスクとして用い、
Ｃｌ2 とＡｒを用いたイオンビームアシストエッチング
（ＩＢＡＥ）法でエッチングしている。次に拡散マスク
８を図１（ｃ）に示す様にメサ円柱７の頂部及び底部だ
けに形成する。拡散マスク８はＳｉ膜（厚さ３００〜１
０００Å）からなり、真空蒸着により形成する。形成方
法として真空蒸着を用いたのは、拡散マスクをビーム状
に堆積させるためである。次に試料をＺｎＡｓ2 などと
共に真空アンプルに封入してＺｎ拡散を行なう。拡散の
深さは、Ａｌ組成によって大きく変化するが、０．１〜
２μｍの範囲が適当である。このＺｎ拡散は拡散マスク
８のためにメサ円柱７の側壁だけに行なう事が出来る。
このとき、活性層構造３のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからな
る量子井戸のメサ円柱７側壁近傍がＺｎ拡散による無秩
序化によってＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓとの混晶化が生じ
て、等価的に禁制帯幅が増大する。このためＩｎ0. 2 Ｇ
ａ0.8 Ａｓ量子井戸のメサ円柱７側面での表面再結合は
著るしく抑制されるから、低閾値電流での面発光レーザ
発振が可能となる。次に図１（ｄ）に示す様に拡散マス
ク８及びＳｉＯ2 膜６を除去した後ＳｉＯ2 膜９、Ｐ型
電極１０、ｎ型電極１１、レーザ光出射窓１２を形成し
て完成する。
【０００９】本実施例では、多層反射膜としてＧａＡｓ
／ＡｌＡｓ多層構造を用いたがＡｌＡｓ／ＧａＡｓのヘ
テロ界面にグレーデッド層を挿入して抵抗低減を行なっ
ても本発明は適用できる。また、活性層構造として量子
井戸活性層を含みＰｎＰｎ構造としたものを用いても良
い。この場合には電気特性にＰｎＰｎ構造特有のスイッ
チング特性が生ずる。そのためレーザ発振とスイッチン
グの２つの機能を有する面発光素子が実現出来る。Ｐｎ
Ｐｎ構造の詳細構造は、目標性能によるが一例としてｎ
−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ １５００Å Ｓｉ＝２×１０
18ｃｍ-3／Ｐ±Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ ５０Å Ｂｅ＝
１×１０19ｃｍ-3／ｉ−Ａｌ0.25Ｇａ0. 75Ａｓ １００
０Å ｕｎｄｏｐｅｄ／（ｉ−Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ
１００Åｕｎｄｏｐｅｄ／ｉ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
１００Å ｕｎｄｏｐｅｄ）×３／ｉ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ １０００Å ｕｎｄｏｐｅｄ／ｎ−Ａｌ0.25
Ｇａ0.75Ａｓ ３０００Å Ｓｉ＝２×１０17ｃｍ-3／
Ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ１５００Å Ｂｅ＝５×１０
18ｃｍ-3の構造が考えられる。また、図１では、メサ円
柱をアンダーカット形状としたが垂直な側壁を有するメ
サ円柱においても本発明は適用出来る。また、本実施例
では活性層構造に単一量子井戸構造を用いたが多重量子
井戸構造を用いても本発明を実現できる。また、本実施
例では、材料系としてＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ系を用いたがこれに限らずＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系等の他の材料を用いても本発明を実施する事が
出来る。さらに、本発明では拡散マスクとしてＳｉ膜を
用いたがこれに限らずＳｉＯ2 膜等の真空蒸着を行なう
事でも本発明は実現できる。
／ＡｌＡｓ多層構造を用いたがＡｌＡｓ／ＧａＡｓのヘ
テロ界面にグレーデッド層を挿入して抵抗低減を行なっ
ても本発明は適用できる。また、活性層構造として量子
井戸活性層を含みＰｎＰｎ構造としたものを用いても良
い。この場合には電気特性にＰｎＰｎ構造特有のスイッ
チング特性が生ずる。そのためレーザ発振とスイッチン
グの２つの機能を有する面発光素子が実現出来る。Ｐｎ
Ｐｎ構造の詳細構造は、目標性能によるが一例としてｎ
−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ １５００Å Ｓｉ＝２×１０
18ｃｍ-3／Ｐ±Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ ５０Å Ｂｅ＝
１×１０19ｃｍ-3／ｉ−Ａｌ0.25Ｇａ0. 75Ａｓ １００
０Å ｕｎｄｏｐｅｄ／（ｉ−Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ
１００Åｕｎｄｏｐｅｄ／ｉ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓ
１００Å ｕｎｄｏｐｅｄ）×３／ｉ−Ａｌ0.25Ｇａ
0.75Ａｓ １０００Å ｕｎｄｏｐｅｄ／ｎ−Ａｌ0.25
Ｇａ0.75Ａｓ ３０００Å Ｓｉ＝２×１０17ｃｍ-3／
Ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ１５００Å Ｂｅ＝５×１０
18ｃｍ-3の構造が考えられる。また、図１では、メサ円
柱をアンダーカット形状としたが垂直な側壁を有するメ
サ円柱においても本発明は適用出来る。また、本実施例
では活性層構造に単一量子井戸構造を用いたが多重量子
井戸構造を用いても本発明を実現できる。また、本実施
例では、材料系としてＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ系を用いたがこれに限らずＩｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系等の他の材料を用いても本発明を実施する事が
出来る。さらに、本発明では拡散マスクとしてＳｉ膜を
用いたがこれに限らずＳｉＯ2 膜等の真空蒸着を行なう
事でも本発明は実現できる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、メサ側面において表面
再結合が低減されるために低閾値電流で面発光レーザ発
振が可能な面発光素子が実現できる。
再結合が低減されるために低閾値電流で面発光レーザ発
振が可能な面発光素子が実現できる。
【図１】本発明の一実施例の面発光素子の製造工程図。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型多層反射膜 ３ 活性層構造 ４ Ｐ型多層反射膜 ５ キャップ層 ６ ＳｉＯ2 膜 ７ メサ円柱 ８ 拡散マスク ９ ＳｉＯ2 膜 １０ Ｐ型電極 １１ ｎ型電極 １２ レーザ光出射窓 １３ Ｚｎ拡散領域
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１導電型の第１半導体
多層反射膜を形成する工程と、この第１半導体多層反射
膜上に少なくとも１つ以上の量子井戸活性層を含む活性
層構造を形成する工程と、この活性層構造の上に第２導
電型の第２半導体多層反射膜を形成する工程と、この第
２半導体多層反射膜上にマスクを形成する工程と、この
マスクを用いて前記第１半導体多層反射膜の上部に達す
るまで選択エッチングを行なう事により側壁が垂直又は
アンダーカット形状の半導体柱を形成する工程と、この
半導体柱の頂部および底部のみに拡散マスクを形成する
工程と、この拡散マスクを用いて前記半導体柱の側面だ
けに不純物の選択拡散を行なう工程と、前記第２半導体
多層反射膜の頂部に電極を形成する工程とを含む事を特
徴とする面発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298052A JP2812024B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 面発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298052A JP2812024B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 面発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05110202A JPH05110202A (ja) | 1993-04-30 |
| JP2812024B2 true JP2812024B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=17854511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3298052A Expired - Fee Related JP2812024B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 面発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812024B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738196A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Nec Corp | 面発光素子 |
| US9484492B2 (en) * | 2015-01-06 | 2016-11-01 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
| US9865772B2 (en) | 2015-01-06 | 2018-01-09 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
| JPWO2021117411A1 (ja) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750807B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1995-05-31 | 東北大学長 | 接合型半導体発光素子 |
| JPS6179280A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 面発光型半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| JPS6351686A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP3298052A patent/JP2812024B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05110202A (ja) | 1993-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4932033A (en) | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same | |
| JPH0418476B2 (ja) | ||
| JP3095545B2 (ja) | 面発光型半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPS6288389A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2710171B2 (ja) | 面入出力光電融合素子 | |
| JPH07288362A (ja) | 垂直共振器型面発光半導体レーザ | |
| JP2812024B2 (ja) | 面発光素子の製造方法 | |
| JPH11284280A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH0775265B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US5805628A (en) | Semiconductor laser | |
| JP2555984B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2689694B2 (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 | |
| JP3241360B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2674592B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3223969B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2504372B2 (ja) | 超格子構造体 | |
| JP3358197B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2754671B2 (ja) | 半導体量子細線構造およびその作製方法 | |
| JPH05145170A (ja) | 面発光レーザ | |
| JPH0793471B2 (ja) | 半導体量子井戸レ−ザ | |
| JP3217461B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0770779B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3306390B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH06291414A (ja) | 面発光型半導体レーザ素子 | |
| JPS63211785A (ja) | 多重量子井戸型光双安定半導体レ−ザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980707 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |