JPH0513883A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH0513883A JPH0513883A JP15892191A JP15892191A JPH0513883A JP H0513883 A JPH0513883 A JP H0513883A JP 15892191 A JP15892191 A JP 15892191A JP 15892191 A JP15892191 A JP 15892191A JP H0513883 A JPH0513883 A JP H0513883A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- groove
- light emitting
- coating film
- emitting layer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ反射面の形成とコーティング膜の形成
とを連続的に行うことを可能にする半導体レーザの製造
方法を提供すること。 【構成】 まず、基板３上に発光層２を結晶成長したレ
ーザウェハを準備する。次に、レジストパターン６を用
いてドライエッチングを施し、発光層２から基板３にと
どく溝７を形成する。これにより、溝７の緑部分にに現
れる発光層２の端面を反射面８に形成することができ
る。その後、レーザウェハ全体にコーティングを施し、
リフトオフを用いて溝７中に形成されたコーティング膜
のみを残留させる。最後に、基板３を溝７の中央で分離
し、各々が発光層２を有するレーザチップバーを形成す
る。
とを連続的に行うことを可能にする半導体レーザの製造
方法を提供すること。 【構成】 まず、基板３上に発光層２を結晶成長したレ
ーザウェハを準備する。次に、レジストパターン６を用
いてドライエッチングを施し、発光層２から基板３にと
どく溝７を形成する。これにより、溝７の緑部分にに現
れる発光層２の端面を反射面８に形成することができ
る。その後、レーザウェハ全体にコーティングを施し、
リフトオフを用いて溝７中に形成されたコーティング膜
のみを残留させる。最後に、基板３を溝７の中央で分離
し、各々が発光層２を有するレーザチップバーを形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの製造方
法に関し、さらに詳しくは、レーザ反射面にコーティン
グ膜を施した半導体レーザの製造方法に関する。
法に関し、さらに詳しくは、レーザ反射面にコーティン
グ膜を施した半導体レーザの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ反射面にコーティング膜を施した
レーザチップの製造方法を簡単に説明する。まず、基板
上に活性層を含むエピタキシャル多層膜を積層したレー
ザウェハからレーザチップバーを劈開によって切り出
す。次に、反射面となるべきレーザチップバーの劈開面
を上側にして多数並列に固定し、レーザチップバーの劈
開面にコーティングを施す。最後に、各レーザチップバ
ーから個々のレーザチップを切り出していた。かかる技
術の詳細は、例えば特開昭６１−１９１８８、特開平１
−２０４４９０等に記載されている。
レーザチップの製造方法を簡単に説明する。まず、基板
上に活性層を含むエピタキシャル多層膜を積層したレー
ザウェハからレーザチップバーを劈開によって切り出
す。次に、反射面となるべきレーザチップバーの劈開面
を上側にして多数並列に固定し、レーザチップバーの劈
開面にコーティングを施す。最後に、各レーザチップバ
ーから個々のレーザチップを切り出していた。かかる技
術の詳細は、例えば特開昭６１−１９１８８、特開平１
−２０４４９０等に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の製造方
法では、レーザチップバーをコーティング用治具に一本
一本取り付けていたため、この作業に多大な時間を要し
ていた。また、レーザチップバーに機械的ダメージを与
えたり、レーザチップバーを落として紛失することが多
く、これらのことが、レーザチップの製造の歩留まり悪
化をもたらす主要因となっていた。さらに、上記の製造
方法ではレーザチップバーの両方の反射面を同時にコー
ティングすることができないので、上記のコーティング
工程を２度繰り返さなければならず、生産性が極めて悪
かった。
法では、レーザチップバーをコーティング用治具に一本
一本取り付けていたため、この作業に多大な時間を要し
ていた。また、レーザチップバーに機械的ダメージを与
えたり、レーザチップバーを落として紛失することが多
く、これらのことが、レーザチップの製造の歩留まり悪
化をもたらす主要因となっていた。さらに、上記の製造
方法ではレーザチップバーの両方の反射面を同時にコー
ティングすることができないので、上記のコーティング
工程を２度繰り返さなければならず、生産性が極めて悪
かった。
【０００４】そこで本発明は、レーザ反射面にコーティ
ング膜を施した半導体レーザを簡易に製造する方法を提
供することを目的とする。
ング膜を施した半導体レーザを簡易に製造する方法を提
供することを目的とする。
【０００５】さらに本発明は、レーザ反射面の形成とコ
ーティング膜の形成とを連続的に行うことを可能にする
半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
ーティング膜の形成とを連続的に行うことを可能にする
半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法は、
（ａ）ドライエッチングを用いて発光層を横切る反射面
を形成する工程と、（ｂ）反射面上にコーティング膜を
形成する工程とを備える。
するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法は、
（ａ）ドライエッチングを用いて発光層を横切る反射面
を形成する工程と、（ｂ）反射面上にコーティング膜を
形成する工程とを備える。
【０００７】上記半導体レーザの製造方法によれば、発
光層の形成に引き続いて、ドライエッチングを用いて発
光層を横切る反射面を形成した後、ウエハの状態のまま
で連続的にコーティング膜を形成することができる。し
たがって、レーザチップ或いはレーザチップバーを切り
出した後に再度治具に取り付けてコーティングを施すと
いった作業を省略することができる。
光層の形成に引き続いて、ドライエッチングを用いて発
光層を横切る反射面を形成した後、ウエハの状態のまま
で連続的にコーティング膜を形成することができる。し
たがって、レーザチップ或いはレーザチップバーを切り
出した後に再度治具に取り付けてコーティングを施すと
いった作業を省略することができる。
【０００８】別の半導体レーザの製造方法は、（ａ）基
板上に発光層を成長する工程と、（ｂ）ドライエッチン
グを用いて発光層から基板にとどく溝を形成するととも
に、溝の縁部分にレーザの反射面を形成する工程と、
（ｃ）溝の縁部分にコーティング膜を形成する工程と、
（ｄ）基板を溝で分離し、各々が発光層を有するレーザ
チップバーを形成する工程とを備える。
板上に発光層を成長する工程と、（ｂ）ドライエッチン
グを用いて発光層から基板にとどく溝を形成するととも
に、溝の縁部分にレーザの反射面を形成する工程と、
（ｃ）溝の縁部分にコーティング膜を形成する工程と、
（ｄ）基板を溝で分離し、各々が発光層を有するレーザ
チップバーを形成する工程とを備える。
【０００９】上記半導体レーザの製造方法によれば、発
光層の形成に引き続いて発光層を横切る反射面を形成す
る。その後反射面上にコーティング膜を形成し、さらに
レーザチップバーに切り出す。したがって、レーザチッ
プバーを切り出した後に再度治具に取り付けてコーティ
ングを施すといった作業を省略することができる。
光層の形成に引き続いて発光層を横切る反射面を形成す
る。その後反射面上にコーティング膜を形成し、さらに
レーザチップバーに切り出す。したがって、レーザチッ
プバーを切り出した後に再度治具に取り付けてコーティ
ングを施すといった作業を省略することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細な説明を行う。
つつ詳細な説明を行う。
【００１１】図１及び図２は、実施例の製造工程を示し
た図である。図１（ａ）は、予め準備するレーザウェハ
の一部を取り出した部分斜視図である。このレーザウェ
ハは、裏面に下部電極４を形成した基板３上に活性層を
含む発光層２をエピタキシャル成長し、その上に上部電
極１を形成してある。活性層を含む発光層２は、ＬＰ
Ｅ、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ等の各種成長方法によって形成
される。なお、参照番号５は、発光領域となるストライ
プ部分を示している。
た図である。図１（ａ）は、予め準備するレーザウェハ
の一部を取り出した部分斜視図である。このレーザウェ
ハは、裏面に下部電極４を形成した基板３上に活性層を
含む発光層２をエピタキシャル成長し、その上に上部電
極１を形成してある。活性層を含む発光層２は、ＬＰ
Ｅ、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ等の各種成長方法によって形成
される。なお、参照番号５は、発光領域となるストライ
プ部分を示している。
【００１２】図１（ｂ）は、図１（ａ）のレーザウェハ
に適当なレジストパターンを形成した後の状態を示した
もので、レーザウェハの面Ａに垂直な方向からの断面図
である。レジストパターン６の幅はレーザチップバーの
幅に対応している。レジストパターン６の上方より垂直
にドライエッチングガスを入射させ、レジストパターン
６のない領域をエッチングする。
に適当なレジストパターンを形成した後の状態を示した
もので、レーザウェハの面Ａに垂直な方向からの断面図
である。レジストパターン６の幅はレーザチップバーの
幅に対応している。レジストパターン６の上方より垂直
にドライエッチングガスを入射させ、レジストパターン
６のない領域をエッチングする。
【００１３】図１（ｃ）は、ドライエッチング後の状態
を示した図である。ドライエッチングガスの入射方向を
レーザウェハの上面に垂直な方向とし、ガスの種類、ガ
ス圧、ガス流量を予め適当な条件に設定しておけば、エ
ッチングがガスの入射方向にのみ進行し、図示のように
発光層２に対して垂直に削られた垂直溝７が形成され
る。この結果、垂直溝７の縁部分に露出した発光層２の
断面には反射面８が形成され、レーザチップの共振器長
Ｌに対応する幅を有するリッジ状のメサが形成される。
また、これらメサ間の垂直溝７の幅はコーティング膜の
膜厚ｄの２倍に対応している。
を示した図である。ドライエッチングガスの入射方向を
レーザウェハの上面に垂直な方向とし、ガスの種類、ガ
ス圧、ガス流量を予め適当な条件に設定しておけば、エ
ッチングがガスの入射方向にのみ進行し、図示のように
発光層２に対して垂直に削られた垂直溝７が形成され
る。この結果、垂直溝７の縁部分に露出した発光層２の
断面には反射面８が形成され、レーザチップの共振器長
Ｌに対応する幅を有するリッジ状のメサが形成される。
また、これらメサ間の垂直溝７の幅はコーティング膜の
膜厚ｄの２倍に対応している。
【００１４】図２（ａ）は、図１（ｃ）のレーザウェハ
にコーティング膜を施した状態を示す。レーザウェハの
上方からコーティング物質を堆積することにより、垂直
溝７内部とレジストパターン６上にコーティング膜９が
形成される。この結果、レーザチップバーとなるべきリ
ッジ状のメサの両反射面８を同時にコーティングするこ
とができる。
にコーティング膜を施した状態を示す。レーザウェハの
上方からコーティング物質を堆積することにより、垂直
溝７内部とレジストパターン６上にコーティング膜９が
形成される。この結果、レーザチップバーとなるべきリ
ッジ状のメサの両反射面８を同時にコーティングするこ
とができる。
【００１５】図２（ｂ）は、次の工程を示したものであ
る。リフトオフ法を用いてレジストパターン６をアセト
ン等の有機溶媒によって溶解し、レジストパターン６と
ともにその上の不要なコーティング膜９を除去する。つ
まり、垂直溝７に形成されたコーティング膜９のみが残
留し、レジストパターン６の存在した部分に上部電極１
が露出する。この状態のレーザウェハに垂直溝７の中央
の位置（図中の点線）で劈開、スクライブ等を施す。こ
れにより、レーザチップバーを得ることができる。
る。リフトオフ法を用いてレジストパターン６をアセト
ン等の有機溶媒によって溶解し、レジストパターン６と
ともにその上の不要なコーティング膜９を除去する。つ
まり、垂直溝７に形成されたコーティング膜９のみが残
留し、レジストパターン６の存在した部分に上部電極１
が露出する。この状態のレーザウェハに垂直溝７の中央
の位置（図中の点線）で劈開、スクライブ等を施す。こ
れにより、レーザチップバーを得ることができる。
【００１６】図２（ｃ）は、得られたレーザチップバー
の断面を示した図である。つまり、両反射面８に所望の
膜厚ｄのコーティング膜９が形成され、かつ、所望の共
振器長Ｌを有するレーザチップバー得ることができる。
の断面を示した図である。つまり、両反射面８に所望の
膜厚ｄのコーティング膜９が形成され、かつ、所望の共
振器長Ｌを有するレーザチップバー得ることができる。
【００１７】以上、実施例に即して本発明を説明した
が、本発明は上記実施例に限られるものではない。
が、本発明は上記実施例に限られるものではない。
【００１８】例えば、上記の工程をレーザウェハではな
くレーザチップバーに直接施すこともできる。すなわ
ち、図１（ａ）のレーザウェハから単一のストライプ部
分を含むレーザチップバーを切り出し、このレーザチッ
プバーに上記の工程を施すことにより、コーティング膜
を施したレーザチップを簡易な方法によって得ることが
できる。
くレーザチップバーに直接施すこともできる。すなわ
ち、図１（ａ）のレーザウェハから単一のストライプ部
分を含むレーザチップバーを切り出し、このレーザチッ
プバーに上記の工程を施すことにより、コーティング膜
を施したレーザチップを簡易な方法によって得ることが
できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係る半導体レーザの製造方法に
よれば、発光層の形成に引き続いてウエハ状態のままで
発光層を横切る反射面を形成することができるので、レ
ーザチップ或いはレーザチップバーを切り出し後に行わ
れていた複雑な作業を省略することができ、レーザチッ
プバー等の作製プロセスを簡略化することができ、結果
としてレーザチップバー等の作製時間を短縮することが
できる。また、レーザチップバー等の取り扱い時に於け
るその破損や紛失を防止することができ、歩留まり向上
を図ることができる。さらに、レーザチップバー等の両
反射面のコーティングを同時に行うことができるので、
生産性の向上に寄与することができる。
よれば、発光層の形成に引き続いてウエハ状態のままで
発光層を横切る反射面を形成することができるので、レ
ーザチップ或いはレーザチップバーを切り出し後に行わ
れていた複雑な作業を省略することができ、レーザチッ
プバー等の作製プロセスを簡略化することができ、結果
としてレーザチップバー等の作製時間を短縮することが
できる。また、レーザチップバー等の取り扱い時に於け
るその破損や紛失を防止することができ、歩留まり向上
を図ることができる。さらに、レーザチップバー等の両
反射面のコーティングを同時に行うことができるので、
生産性の向上に寄与することができる。
【図１】実施例の製造工程（前半）を示した図である。
【図２】実施例の製造工程（後半）を示した図である。
２…発光層
３…基板
７…溝
８…反射面
９…コーティング
Claims (2)
- 【請求項１】 ドライエッチングを用いて発光層を横切
る反射面を形成する工程と、 前記反射面上にコーティング膜を形成する工程と、 を備える半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 基板上に発光層を成長する工程と、 ドライエッチングを用いて前記発光層から前記基板にと
どく溝を形成するとともに、該溝の縁部分にレーザの反
射面を形成する工程と、 前記溝の縁部分にコーティング膜を形成する工程と、 前記基板を前記溝で分離し、各々が前記発光層を有する
レーザチップバーを形成する工程と、 を備える半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15892191A JPH0513883A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15892191A JPH0513883A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513883A true JPH0513883A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15682254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15892191A Pending JPH0513883A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513883A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8206627B2 (en) | 2006-03-22 | 2012-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Systems and methods of making molded composite blocks |
| CN114665375A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-06-24 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体芯片制造方法 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15892191A patent/JPH0513883A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8206627B2 (en) | 2006-03-22 | 2012-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Systems and methods of making molded composite blocks |
| CN114665375A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-06-24 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 半导体芯片制造方法 |
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