JPH01120885A - モノリシツクに形成されたレーザーダイオードの切り離し方法 - Google Patents

モノリシツクに形成されたレーザーダイオードの切り離し方法

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JPH01120885A
JPH01120885A JP63231444A JP23144488A JPH01120885A JP H01120885 A JPH01120885 A JP H01120885A JP 63231444 A JP63231444 A JP 63231444A JP 23144488 A JP23144488 A JP 23144488A JP H01120885 A JPH01120885 A JP H01120885A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、レーザー動作に適した層列がエピタキシャ
ル成長している半導体基板にレーザーダイオードの鏡面
がマスクエツチングにより所望の構造に形成されている
多数のレーザーダイオードを溝エツチングにより個々の
ダイオードに切り離す方法に関するものである。
〔従来の技術〕
１つの半導体基板（ウェーハ）上に多数のチップを完成
することは半導体デバイスの能率的な製作法の１つであ
る。レーザーダイオード・先導波路デバイスの場合、こ
れはレーザー反射鏡を製作する複雑な操作を含む全技術
的過程をウェーハ上で実施しなければならないことを意
味している。
最近レーザー・ミラーが実際にウェーハ上に作られるよ
うになった。これは物理的又は物理化学的乾式エツチン
グ過程によるものであって、モノリシツク・レーザー技
術と呼ばれている。
レーザー・ミラーの製作に際しては半導体表面が所望構
造のフォトレジスト層で覆われ、乾式エツチング過程に
より所望のミラー構造がウェーハ上に作られる。この場
合乾式エツチングにより図に示すように幅がｄで深さが
ｈの溝が半導体に堀られ、溝の側壁の一部がレーザー・
ミラーとなる。
鏡面の高さは、レーザー光が妨害されることなくレーザ
ーダイオードから放出されるという最低の要求を満たし
ていなければならない、鏡面間の溝幅ｄは一定でなくて
もよい。
製造工程のこの段階で例えばレーザーダイオードの完成
したｐ接触がウェーハ上に置かれている。
製造工程にはなお個々のレーザーダイオードに分割する
工程段と、例えばダイオードのｎ接触の簡単な製造工程
段が残されている。
このレーザーチップへの分割は従来の分割法による場合
次の問題を伴う。
ダイヤモンドを使用してウェーハに例えばｐ側から切れ
目を入れて破断すると、間隔ｄが小さいとき（ｄ＝１０
μ霧）レーザーダイオードのミラーにダメージが生ずる
。
ウェーハの背面に小さい間隔ｄで切れ目を入れる場合に
は、完成したレーザー・ミラーをレーザーダイオードか
ら切り離す必要があるため、位置合わせの不精確さと破
断部のミスブレーシングの結果収率が低下する。
ウェーハに単に切れ目をいれた後分割しても同様な問題
が起こる。収率はいずれの場合にも控え目である。レー
ザーダイオードから放出される光錐は約６０″の開き角
であって、この場合破断縁端によって妨害されることは
ない。
別の方法としては鏡面の溝幅を広くして（ｄ＞５０μ霧
）、切れ目と破断をＰ側とｎ側のいずれから行っても問
題が起こらないようにする。しかしこの場合レーザーダ
イオードから放出される光錐が破断縁端での反射によっ
て乱されて特定の様式でガラスファイバに結合できなく
なるから、このレーザーダイオードをＬＷＬデバイスと
して使用することは問題外となる。
〔発明か解決しようとする課題〕
この発明の目的は、モノリシック形成のレーザーダイオ
ードを溝エツチングにより分断する方法として、特に遠
視野ひずみを起こす破断縁端を避けて遠視野を確保する
溝エツチングを可能にすることにより上記の欠点が生じ
ないものを提供する°　ことである、これによって同時
に製造工程が簡略化され、高い収率が達成される。
〔課題を解決するための手段〕
この目的はこの発明によれば、半導体基板にミラー構造
をエツチングによって作った後保護が必要な半導体部分
をマスクで覆い、湿化学又は乾式エツチングによりレー
ザーダイオード間のミラー中間室に溝を作り、直接破断
するかあるいは切れ目入れ、溝エツチング、のこ引合等
の工程を追加して個々のレーザーダイオードに切り離す
ことによって達成される。
〔作用効果〕
この発明の方法においては、保護すべき半導体部分のマ
スキングを追加した復温化学又は乾式エツチングにより
ミラー中間室に溝を堀る。この目的に対しては使用材料
に通したエツチング剤、例えば湿式エツチング剤として
３：１：１エツチング剤（３ＨｉＳＯａ　　：　Ｉ　Ｈ
ｔＯｔ　　：　ｌ　ＨｔＯ）あるいは乾式エツチング剤
として塩素プラズマが使用される。
完成した溝は破断に際してウェーハの厚さ又は分離溝の
深さに応じて単独であるいは切れ目入れ、溝エツチング
、のこ引き等の補助手段と共にきれいな破断を可能にす
る。この分断技術の場合遠隔場を乱す破断縁端が生じな
いことは重大であって特に有利な点である。追加補助手
段無しに情確な破断を行うには、ウェーハの厚さＤが鏡
面溝幅ｄの２倍に等しいかそれ以下であることが必要で
あって、例えばＤ−８０μｍ、ｄ≧４０μ−とする。
分断溝の深さｔはそれ程臨界的ではなく、例えば容易に
達成されるウェーハの厚さＤの１／４程度とすればよい
。
この発明の方法により簡略化された製造工程の下に高い
収率が達成される。
〔実施例〕
図面に示した実施例についてこの発明を更に詳細に説明
する。
図面にはｎ型の半導体基板（ウェーハ）ｌの断面が概略
的に示されている。ウェーハ１のｎサイドの上に接する
ｐサイドは記号ｐで示される。厚さＤのウェーハ１の表
面には、レーザーダイオード６のミラー面２がマスクを
使用する溝エツチングにより所定構造に形成される。乾
式エツチングによって作られた溝（又はミラー中間室）
３０幅はｄで深さはｈである。半導体基ｉ（ウェーハ）
１にミラー構造２をエツチングした後、保護が必要な半
導体部分にマスク例えばフォトレジストマスクを設ける
。続いて湿式又は乾式エツチングによりレーザーダイオ
ード６の間のミラー中間室３の底面に深さもの溝（分断
溝）４を堀る。ウェーハｌの厚さＤがミラー中間室３の
幅ｄの２倍に等しいとき溝４は分離切断溝となる。完成
した溝４は前記のようにウェーハ１の厚さＤ又は溝４の
破断個所５における深さｔに応じて直接に、あるいはｐ
サイド又ｎサイドの切れ目入れ、溝エツチング、ｎサイ
ド又はｐサイドからののこ引き等の追加手段と共にきれ
いな破断分離に使用される。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の方法を実施する半導体基板の断面を概
略図に示す。 ■・・・半導体ウェーハ ２・・・レーザー鏡面 ３・・・ミラー中間室 ４・・・分断溝 ６・・・レーザーダイオード

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）レーザー動作に適した層列がエピタキシャル成長し
    ている半導体基板にマスクエッチングによりレーザー鏡
    面が作られている多数のレーザーダイオードを個々に切
    り離す方法において、半導体基板（１）にミラー構造を
    エッチングによって形成した後保護しなければならない
    半導体部分を第２マスクで覆うこと、続いて湿化学エッ
    チング又は乾式エッチングによりレーザーダイオード間
    のミラー中間室（３）に溝（４）を作ること、続いてレ
    ーザーダイオードを直接の破断によるかあるいは切れ目
    入れ、溝エッチング、のこ引き等の追加工程により個々
    に切り離すことを特徴とするモノリシックに形成された
    レーザーダイオードの切り離し方法。 ２）湿化学エッチング剤として組成が３Ｈ＿２ＳＯ＿４
    ：１Ｈ＿２Ｏ＿２：１Ｈ＿２Ｏの３：１：１エッチング
    剤が使用されることを特徴とする請求項１記載の方法。 ３）乾式エッチング剤として塩素プラズマが使用される
    ことを特徴とする請求項１記載の方法。 ４）半導体基板（１）の厚さ（Ｄ）をミラー溝幅（ｄ）
    の２倍又はそれ以下とすることを特徴とする請求項１な
    いし３の１つに記載の方法。 ５）切り離し溝（４）の深さ（ｔ）を少なくとも半導体
    基板（１）の厚さ（Ｄ）の１／４とすることを特徴とす
    る請求項１ないし４の１つに記載の方法。
JP63231444A 1987-09-17 1988-09-14 モノリシツクに形成されたレーザーダイオードの切り離し方法 Pending JPH01120885A (ja)

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