JPH09116196A - 半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
半導体デバイス及びその製造方法Info
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- JPH09116196A JPH09116196A JP27725996A JP27725996A JPH09116196A JP H09116196 A JPH09116196 A JP H09116196A JP 27725996 A JP27725996 A JP 27725996A JP 27725996 A JP27725996 A JP 27725996A JP H09116196 A JPH09116196 A JP H09116196A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メサ構造の半導体基体を備えた半導体デバイ
ス、特に発光ダイオードにおいて、光の減結合を改善し
たものを提供する。 【解決手段】 湾曲した側面９が半導体基体１の上面２
に隣接して凹面であり、下面３に隣接して凸面に形成さ
れる。複数個のこのような半導体デバイスを製造する方
法においては、メサエッチングは半導体ウェハ１０を個
々のチップに分割した後に行われる。
ス、特に発光ダイオードにおいて、光の減結合を改善し
たものを提供する。 【解決手段】 湾曲した側面９が半導体基体１の上面２
に隣接して凹面であり、下面３に隣接して凸面に形成さ
れる。複数個のこのような半導体デバイスを製造する方
法においては、メサエッチングは半導体ウェハ１０を個
々のチップに分割した後に行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、上面、下面及び
少なくとも１つの湾曲した側面を有する半導体基体を備
えた半導体デバイス及びその製造方法に関する。
少なくとも１つの湾曲した側面を有する半導体基体を備
えた半導体デバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このよう半導体デバイスは従来の技術と
して一般的である。図３は例えばメサ構造を備えた半導
体基体１２の断面を概略的に示したものである。このよ
うな半導体基体１２は例えば発光ダイオードに使用され
る。メサ構造の際立った特徴は湾曲した側面１５が一方
では上面２８に、他方では平坦な側面１４に接している
ことである。
して一般的である。図３は例えばメサ構造を備えた半導
体基体１２の断面を概略的に示したものである。このよ
うな半導体基体１２は例えば発光ダイオードに使用され
る。メサ構造の際立った特徴は湾曲した側面１５が一方
では上面２８に、他方では平坦な側面１４に接している
ことである。
【０００３】発光ダイオードにおいてこのような形状に
形成されかつ発光ダイオードによって発生されたビーム
に対して透過性の半導体基体１２は、矩形状の半導体基
体を備えた発光ダイオードに対して、発光ダイオードに
発生された光の減結合を改善し、従って高い外部の量子
効率（＝単位時間当たり発光ダイオードを離れる光子の
数／単位時間当たり発光ダイオードを通して搬送される
電荷の数）を上げる。これは、矩形状の半導体基体に比
べて前述の半導体基体１２においては半導体基体１２の
ｐｎ接合１７から下面１８の方向に放射され、そこで反
射された光の多くが全反射の臨界角より小さい角度で半
導体基体１２の表面に当たることに基づく。半導体基体
における反射及び吸収損失はこれによって著しく減少さ
れる。
形成されかつ発光ダイオードによって発生されたビーム
に対して透過性の半導体基体１２は、矩形状の半導体基
体を備えた発光ダイオードに対して、発光ダイオードに
発生された光の減結合を改善し、従って高い外部の量子
効率（＝単位時間当たり発光ダイオードを離れる光子の
数／単位時間当たり発光ダイオードを通して搬送される
電荷の数）を上げる。これは、矩形状の半導体基体に比
べて前述の半導体基体１２においては半導体基体１２の
ｐｎ接合１７から下面１８の方向に放射され、そこで反
射された光の多くが全反射の臨界角より小さい角度で半
導体基体１２の表面に当たることに基づく。半導体基体
における反射及び吸収損失はこれによって著しく減少さ
れる。
【０００４】上述の形状を備えた半導体基体１２の製造
方法は図４に概略的に示されている。ｐｎ接合１７を備
えた半導体ウェハ２２の上面に先ず複数個の接触部金属
膜２０が、次いで複数個のエッチングマスク２３が設け
られる。次の工程として適当なエッチング剤で多数のメ
サ形のトレンチ２４を半導体ウェハ２２に等方性にエッ
チングする。ＧａＡｓ及び／又はＧａＡｌＡｓからなる
半導体ウェハ２２に対してはエッチング剤として例えば
Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 溶液（混合比３：１：１）
が適している。その後エッチングマスク２３が取り除か
れ、半導体ウェハ２２が最終の厚みにされ、接触金属膜
２１が半導体ウェハ２２の下面に設けられる。これに続
いて半導体ウェハ２２の上面及び接触金属膜２０が保護
膜２５、例えばフォトレジスト、酸化シリコン或いは窒
化シリコンで被覆される。次の工程として半導体ウェハ
２２が支持板２６、例えばプラスチック接着箔により固
定され、次いで鋸引きによりチップに切断される。この
切断後さらにエッチング工程、いわゆるチップ側面エッ
チングが行われる。このエッチングプロセスにおいて半
導体ウェハ２２を細分化する際に損傷を受けた切断面２
７における半導体材料が取り除かれる。最後の工程とし
てチップが支持板２６から分離される。
方法は図４に概略的に示されている。ｐｎ接合１７を備
えた半導体ウェハ２２の上面に先ず複数個の接触部金属
膜２０が、次いで複数個のエッチングマスク２３が設け
られる。次の工程として適当なエッチング剤で多数のメ
サ形のトレンチ２４を半導体ウェハ２２に等方性にエッ
チングする。ＧａＡｓ及び／又はＧａＡｌＡｓからなる
半導体ウェハ２２に対してはエッチング剤として例えば
Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 溶液（混合比３：１：１）
が適している。その後エッチングマスク２３が取り除か
れ、半導体ウェハ２２が最終の厚みにされ、接触金属膜
２１が半導体ウェハ２２の下面に設けられる。これに続
いて半導体ウェハ２２の上面及び接触金属膜２０が保護
膜２５、例えばフォトレジスト、酸化シリコン或いは窒
化シリコンで被覆される。次の工程として半導体ウェハ
２２が支持板２６、例えばプラスチック接着箔により固
定され、次いで鋸引きによりチップに切断される。この
切断後さらにエッチング工程、いわゆるチップ側面エッ
チングが行われる。このエッチングプロセスにおいて半
導体ウェハ２２を細分化する際に損傷を受けた切断面２
７における半導体材料が取り除かれる。最後の工程とし
てチップが支持板２６から分離される。
【０００５】メサ構造を備えた半導体基体１２の上述の
製造方法においては、円板の厚みがメサ形のトレンチ２
４において非常に薄いので、鋸引きの際に半導体ウェハ
２２の破壊の危険が極めて大きい。
製造方法においては、円板の厚みがメサ形のトレンチ２
４において非常に薄いので、鋸引きの際に半導体ウェハ
２２の破壊の危険が極めて大きい。
【０００６】さらに、発光ダイオードの半導体基体にお
いては、上述の半導体基体１２からの光の減結合は矩形
状の半導体基体からの光の減結合に対して明らかに向上
しているが、このような形状の半導体基体１２を備えた
発光ダイオードの外部量子効率は依然として小さい。即
ち、ｐｎ接合１７から下面１８の方向に放射されそこで
反射される光の大部分は常になお全反射の臨界角より大
きい角度で半導体基体１２の表面に当たる。従って、こ
の光は改めて半導体基体１２の内部に反射される。
いては、上述の半導体基体１２からの光の減結合は矩形
状の半導体基体からの光の減結合に対して明らかに向上
しているが、このような形状の半導体基体１２を備えた
発光ダイオードの外部量子効率は依然として小さい。即
ち、ｐｎ接合１７から下面１８の方向に放射されそこで
反射される光の大部分は常になお全反射の臨界角より大
きい角度で半導体基体１２の表面に当たる。従って、こ
の光は改めて半導体基体１２の内部に反射される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、冒
頭に記載した種類の半導体基体を、その製造方法が簡単
であり、その結果半導体ウェハの鋸引きの際の破壊の危
険が減少されるように改善することにある。この発明の
他の課題は、同時に発光ダイオードの半導体基体におい
て光の減結合を改善することにある。
頭に記載した種類の半導体基体を、その製造方法が簡単
であり、その結果半導体ウェハの鋸引きの際の破壊の危
険が減少されるように改善することにある。この発明の
他の課題は、同時に発光ダイオードの半導体基体におい
て光の減結合を改善することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】これらの課題は、湾曲し
た側面が外から見て下面に隣接して凸面、上面に隣接し
て凹面であり、下面の面積が上面の面積より大きいこと
により解決される。
た側面が外から見て下面に隣接して凸面、上面に隣接し
て凹面であり、下面の面積が上面の面積より大きいこと
により解決される。
【０００９】この発明の実施態様は、請求項２乃至７に
記載されている。この発明による半導体デバイスの好ま
しい製造方法は請求項８及び９に記載されている。
記載されている。この発明による半導体デバイスの好ま
しい製造方法は請求項８及び９に記載されている。
【００１０】この発明による半導体デバイスの有利な実
施態様において、湾曲した側面は半導体基体の第一の厚
みまで凸面であり、この第一の厚みは半導体基体の全厚
みの半分より大きい。特に発光ダイオードの半導体基体
においてはこれにより、半導体基体は非常によく半球体
に似ているので、有利なことに、光の減結合の著しい改
善がなされる。
施態様において、湾曲した側面は半導体基体の第一の厚
みまで凸面であり、この第一の厚みは半導体基体の全厚
みの半分より大きい。特に発光ダイオードの半導体基体
においてはこれにより、半導体基体は非常によく半球体
に似ているので、有利なことに、光の減結合の著しい改
善がなされる。
【００１１】この発明による半導体デバイスの好ましい
実施態様において半導体基体にはプラスチック被覆が設
けられる。
実施態様において半導体基体にはプラスチック被覆が設
けられる。
【００１２】この発明による少なくとも２つの半導体デ
バイスを製造する好ましい方法においては、支持体に取
り付けられた予め製造された半導体ウェハが少なくとも
２つの互いに個別のエッチングマスクを支持体と対向す
る半導体ウェハの面に取りつけた後、少なくとも２つの
部分に分割され、それに続いて支持体に固定されている
部分が等方性にエッチングされて、エッチングマスクの
下にアンダーカット部が形成され、次いでこれらの部分
が加工されて半導体デバイスを形成する。
バイスを製造する好ましい方法においては、支持体に取
り付けられた予め製造された半導体ウェハが少なくとも
２つの互いに個別のエッチングマスクを支持体と対向す
る半導体ウェハの面に取りつけた後、少なくとも２つの
部分に分割され、それに続いて支持体に固定されている
部分が等方性にエッチングされて、エッチングマスクの
下にアンダーカット部が形成され、次いでこれらの部分
が加工されて半導体デバイスを形成する。
【００１３】特に好ましい製造方法は以下の工程を備え
る。 ａ）半導体ウェハを製造する。 ｂ）所定のスクリーンに対応して少なくとも２つの上面
接触部を半導体ウェハに取り付ける。 ｃ）少なくとも１つの下面接触部を半導体ウェハに形成
する。 ｄ）少なくとも２つの個別のエッチングマスクを、上面
接触部及び半導体ウェハの上面の一部が覆われるように
取り付ける。 ｅ）半導体ウェハを支持板に固定する。 ｆ）f)半導体ウェハをエッチングマスク間で、チップが
支持板上にそのままの状態にあるように分割する。 ｇ）エッチングマスクの下にアンダーカット部が形成さ
れるように、チップを等方性にエッチングする。 ｈ）エッチングマスクを除去する。 ｉ）チップを支持体から分離する。 ｊ）チップを半導体デバイスに加工する。
る。 ａ）半導体ウェハを製造する。 ｂ）所定のスクリーンに対応して少なくとも２つの上面
接触部を半導体ウェハに取り付ける。 ｃ）少なくとも１つの下面接触部を半導体ウェハに形成
する。 ｄ）少なくとも２つの個別のエッチングマスクを、上面
接触部及び半導体ウェハの上面の一部が覆われるように
取り付ける。 ｅ）半導体ウェハを支持板に固定する。 ｆ）f)半導体ウェハをエッチングマスク間で、チップが
支持板上にそのままの状態にあるように分割する。 ｇ）エッチングマスクの下にアンダーカット部が形成さ
れるように、チップを等方性にエッチングする。 ｈ）エッチングマスクを除去する。 ｉ）チップを支持体から分離する。 ｊ）チップを半導体デバイスに加工する。
【００１４】
【実施例】この発明の実施例を図１及び図２を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１５】図１の半導体デバイス１は、例えばＧａＡ
ｓ或いは他のIII −Ｖ族半導体材料からなり、ｐｎ接合
６、上面接触部５、下面接触部４、上面２、下面３及び
湾曲した側面９を備えている。ｐｎ接合６は例えばＳｉ
及び／又はＺｎのドープにより形成される。接触部４及
び５は例えばアルミニウム、金或いは他の適当な金属材
料からなる。湾曲した側面９は外から見て上面２に隣接
して凹面をしており、下面３に隣接して凸面をしてい
る。半導体基体１は上面２から側面９への移行部及び下
面３から側面９への移行部においてのみそれぞれ１つの
鋭角のエッジ７、８を形成している。下面接触部４は反
射性に形成され（例えば研磨され）、下面３全体或いは
下面３の一部のみを覆っている。上面接触部５は上面２
の中央の僅かな部分だけを覆っている。発光ダイオード
としての使用に関して下面の反射性を改善するために、
半導体基体の下面３は研磨されるか反射効率を上げる物
質、例えばＳｉ3 Ｎ4 で被膜するのがよい。
ｓ或いは他のIII −Ｖ族半導体材料からなり、ｐｎ接合
６、上面接触部５、下面接触部４、上面２、下面３及び
湾曲した側面９を備えている。ｐｎ接合６は例えばＳｉ
及び／又はＺｎのドープにより形成される。接触部４及
び５は例えばアルミニウム、金或いは他の適当な金属材
料からなる。湾曲した側面９は外から見て上面２に隣接
して凹面をしており、下面３に隣接して凸面をしてい
る。半導体基体１は上面２から側面９への移行部及び下
面３から側面９への移行部においてのみそれぞれ１つの
鋭角のエッジ７、８を形成している。下面接触部４は反
射性に形成され（例えば研磨され）、下面３全体或いは
下面３の一部のみを覆っている。上面接触部５は上面２
の中央の僅かな部分だけを覆っている。発光ダイオード
としての使用に関して下面の反射性を改善するために、
半導体基体の下面３は研磨されるか反射効率を上げる物
質、例えばＳｉ3 Ｎ4 で被膜するのがよい。
【００１６】この実施例においては湾曲した側面９は半
導体基体１の第一の厚み２９まで凸面であり、第一の厚
みは半導体基体１の全体の厚み３０の半分より大きい。
しかし第一の厚み２９を全体の厚み３０の半分より小さ
く或いは等しくすることもできる。
導体基体１の第一の厚み２９まで凸面であり、第一の厚
みは半導体基体１の全体の厚み３０の半分より大きい。
しかし第一の厚み２９を全体の厚み３０の半分より小さ
く或いは等しくすることもできる。
【００１７】このような形状の半導体基体１を備えた発
光ダイオードは、図３による半導体基体１２を備えた従
来の発光ダイオードに対して、高い外部量子効率をもっ
ている。即ち、湾曲した半球体に類似の側面９により、
ｐｎ接合６から下面３の方向に搬送されそこで反射され
る光ビームが半導体基体１内で、図３による半導体基体
１２の場合よりも、明らかに少なく全反射される。その
理由は、図３の半導体基体１２に較べて、図１の半導体
基体１においてはその表面の殆ど大部分が、下面３から
反射した光が全反射の臨界角より小さい角度で半導体基
体１の表面に当たるように方向付けられていることにあ
る。従って光損失はこの発明による半導体基体１におい
ては明らかに少ない。
光ダイオードは、図３による半導体基体１２を備えた従
来の発光ダイオードに対して、高い外部量子効率をもっ
ている。即ち、湾曲した半球体に類似の側面９により、
ｐｎ接合６から下面３の方向に搬送されそこで反射され
る光ビームが半導体基体１内で、図３による半導体基体
１２の場合よりも、明らかに少なく全反射される。その
理由は、図３の半導体基体１２に較べて、図１の半導体
基体１においてはその表面の殆ど大部分が、下面３から
反射した光が全反射の臨界角より小さい角度で半導体基
体１の表面に当たるように方向付けられていることにあ
る。従って光損失はこの発明による半導体基体１におい
ては明らかに少ない。
【００１８】この発明による半導体基体１は側面９の全
体にわたってではなく、側面９の１つの範囲或いは複数
個の範囲を、例えば中心垂線３１に関して互いに対向す
る側面９の部分面を湾曲させるようにすることもでき
る。以下に説明する製造方法はその場合例えば適当なマ
スク形成によってそれに応じて適合されなければならな
い。
体にわたってではなく、側面９の１つの範囲或いは複数
個の範囲を、例えば中心垂線３１に関して互いに対向す
る側面９の部分面を湾曲させるようにすることもでき
る。以下に説明する製造方法はその場合例えば適当なマ
スク形成によってそれに応じて適合されなければならな
い。
【００１９】図２において概略的に示された製造方法に
より同時に、下面接触部４及び上面接触部５を備えた複
数個の図１による半導体基体１が製造される。この方法
は以下の連続する製造工程を備える。 ａ）全面にｐｎ接合６を備えた例えばＧａＡＳ、Ｓｉ／
ＧａＡＳからなる半導体ウェハ１０を製造する。 ｂ）半導体ウェハ１０を例えば研磨により最終的な厚み
にする。 ｃ）所定のフレームに対応して複数個の上面接触部５を
取りつけ、下面接触部４を例えばそれぞれ蒸着により取
り付ける。 ｄ）所定のフレームに対応して例えばフォトレジストか
らなる複数個のエッチングマスク１１を取り付ける。 ｅ）半導体ウェハ１０を支持板２６に固定する。 ｆ）半導体ウェハ１０を所定のフレームに対応して複数
個のチップ１３に細分化する。 ｇ）ＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓからなる半導体ウェハ
１０の場合、例えば燐酸、Ｈ2 Ｏ2 及びＨ2 Ｏからなり
その混合比が１：２：３、或いは塩酸、Ｈ2 Ｏ2及びＨ
2 Ｏからなりその混合比が３：１：１を示すエッチング
溶液でチップ１３を等方性エッチングする。 ｈ）エッチングマスク１１を除去する。 ｉ）チップ１３を支持板２６から分離する。
より同時に、下面接触部４及び上面接触部５を備えた複
数個の図１による半導体基体１が製造される。この方法
は以下の連続する製造工程を備える。 ａ）全面にｐｎ接合６を備えた例えばＧａＡＳ、Ｓｉ／
ＧａＡＳからなる半導体ウェハ１０を製造する。 ｂ）半導体ウェハ１０を例えば研磨により最終的な厚み
にする。 ｃ）所定のフレームに対応して複数個の上面接触部５を
取りつけ、下面接触部４を例えばそれぞれ蒸着により取
り付ける。 ｄ）所定のフレームに対応して例えばフォトレジストか
らなる複数個のエッチングマスク１１を取り付ける。 ｅ）半導体ウェハ１０を支持板２６に固定する。 ｆ）半導体ウェハ１０を所定のフレームに対応して複数
個のチップ１３に細分化する。 ｇ）ＧａＡｓ或いはＡｌＧａＡｓからなる半導体ウェハ
１０の場合、例えば燐酸、Ｈ2 Ｏ2 及びＨ2 Ｏからなり
その混合比が１：２：３、或いは塩酸、Ｈ2 Ｏ2及びＨ
2 Ｏからなりその混合比が３：１：１を示すエッチング
溶液でチップ１３を等方性エッチングする。 ｈ）エッチングマスク１１を除去する。 ｉ）チップ１３を支持板２６から分離する。
【００２０】全面にｐｎ接合６を備えた半導体ウェハ１
０の代わりに、製造工程ａ）において同様に所定のフレ
ームに対応して部分的に拡散されたｐｎ接合を備えた半
導体ウェハ１０を作ることもできる。ドーパントとして
は例えばＺｎが適している。製造工程ｂ）乃至ｉ）はそ
のままである。
０の代わりに、製造工程ａ）において同様に所定のフレ
ームに対応して部分的に拡散されたｐｎ接合を備えた半
導体ウェハ１０を作ることもできる。ドーパントとして
は例えばＺｎが適している。製造工程ｂ）乃至ｉ）はそ
のままである。
【００２１】この発明による製造方法は、上述の図４に
概略的に示された従来のメサ技術に対して２つの長所を
もつ。
概略的に示された従来のメサ技術に対して２つの長所を
もつ。
【００２２】第一に、半導体ウェハは臨界的な製造工程
「半導体ウェハを最終的な厚みにする」及び「半導体ウ
ェハを細分化する」において概して同じ厚みをもってい
る。これにより破壊強度は図４による従来のメサ技術に
おけるより明らかに大きい。従来のメサ技術においては
メサ形のトレンチの部分の半導体ウェハの厚みが薄いこ
とによりメサエッチングに続く製造工程において破損率
は非常に高い。
「半導体ウェハを最終的な厚みにする」及び「半導体ウ
ェハを細分化する」において概して同じ厚みをもってい
る。これにより破壊強度は図４による従来のメサ技術に
おけるより明らかに大きい。従来のメサ技術においては
メサ形のトレンチの部分の半導体ウェハの厚みが薄いこ
とによりメサエッチングに続く製造工程において破損率
は非常に高い。
【００２３】第二に、この発明による製造方法において
はエッチング工程が省略される。側面形状の形成及び細
分化の際に損傷される半導体材料の切断面における除去
は唯一のエッチング工程で行われる。従って製造原価が
この発明による方法においては従来の方法の場合よりは
っきり低い。
はエッチング工程が省略される。側面形状の形成及び細
分化の際に損傷される半導体材料の切断面における除去
は唯一のエッチング工程で行われる。従って製造原価が
この発明による方法においては従来の方法の場合よりは
っきり低い。
【００２４】上述のこの発明による半導体基体及びその
製造方法は専ら発光ダイオードにおいての使用に限定さ
れるものでなく、例えばパイポーラトランジスタのよう
なメサ形側面を備えた全ての半導体基体においても使用
される。
製造方法は専ら発光ダイオードにおいての使用に限定さ
れるものでなく、例えばパイポーラトランジスタのよう
なメサ形側面を備えた全ての半導体基体においても使用
される。
【図１】この発明による半導体基体の一実施例の概略断
面図。
面図。
【図２】図１の半導体基体の製造方法を説明する概略工
程図。
程図。
【図３】従来のメサ構造を備えた半導体基体の概略断面
図。
図。
【図４】図３の半導体基体の製造方法を説明する概略工
程図。
程図。
１ 半導体基体 ２ 半導体基体の上面 ３ 半導体基体の下面 ４ 下面接触部 ５ 上面接触部 ６ ｐｎ接合 ９ 半導体基体の側面 １０ 半導体ウェハ １１ 保護膜 １３ チップ ２６ 支持板 ２９ 半導体基体の第一の厚み ３０ 半導体基体の全厚み
Claims (9)
- 【請求項１】 上面（２）、下面（３）及び少なくとも
１つの湾曲した側面（９）を有する半導体基体（１）を
備え、外から見て湾曲した側面（９）が下面（３）に隣
接して凸面、上面（２）に隣接して凹面であり、下面
（３）の面積が上面（２）の面積よりも大きいことを特
徴とする半導体デバイス。 - 【請求項２】 湾曲した側面（９）が半導体基体（１）
の第一の厚み（２９）まで凸面であり、第一の厚み（２
９）が半導体基体（１）の全厚み（３０）の半分より大
きいことを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス。 - 【請求項３】 半導体基体（１）が半球体に類似の形状
を備えていることを特徴とする請求項１又は２記載の半
導体デバイス。 - 【請求項４】 プラスチック被覆が直接半導体基体
（１）に取り付けられていることを特徴とする請求項１
乃至３の１つに記載の半導体デバイス。 - 【請求項５】 半導体デバイスが発光ダイオードであ
り、半導体基体（１）がIII −Ｖ族の半導体材料からな
ることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の半導
体デバイス。 - 【請求項６】 半導体基体（１）の下面（３）が反射性
に形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導
体デバイス。 - 【請求項７】 プラスチック被覆が光透過性であること
を特徴とする請求項４乃至６の１つに記載の半導体デバ
イス。 - 【請求項８】 支持板（２６）に取り付けられた予め作
られた半導体ウェハ（１０）が少なくとも２つの互いに
分離されたエッチングマスク（１１）を支持板（２６）
に対向する半導体ウェハ（１０）の面に取り付けた後少
なくとも２つの部分に分割され、次に支持板（２６）に
なお固定されている部分がエッチングマスク（１１）の
下にアンダーカット部が生ずるように等方性にエッチン
グされることを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載
の複数個の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 以下の製造工程、即ち、 ａ）半導体ウェハ（１０）を製造する、 ｂ）複数個の上面接触部（５）を所定のスクリーンに対
応して取り付ける、 ｃ）下面接触部（４）を半導体ウェハ（１０）に取り付
ける、 ｄ）複数個の互いに分離されたエッチングマスク（１
１）を上面接触部（５）及び半導体ウェハ（１０）の上
面の一部が覆われるように取り付ける、 ｅ）半導体ウェハ（１０）を支持板（２６）に固定す
る、 ｆ）半導体ウェハ（１０）をエッチングマスク（１１）
の間でチップ（１３）に細分化する、 ｇ）チップ（１３）をエッチングマスク（１１）の下に
アンダーカットが行われるように等方性にエッチングす
る、 ｈ）エッチングマスク（１１）を除去する、 ｉ）チップ（１３）を支持板（２６）から分離する、 工程を備えることを特徴とする請求項８記載の方法。
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