JPS6154618A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS6154618A JPS6154618A JP59176263A JP17626384A JPS6154618A JP S6154618 A JPS6154618 A JP S6154618A JP 59176263 A JP59176263 A JP 59176263A JP 17626384 A JP17626384 A JP 17626384A JP S6154618 A JPS6154618 A JP S6154618A
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- Japan
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- type
- substrate
- gaalas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に液相エピタ
キシャル成長法を用いた発光ダイオードの製造方法に係
わる。
キシャル成長法を用いた発光ダイオードの製造方法に係
わる。
従来、発光ダイオードとしては、例えば第５図に示す如
＜％Ｐ型のＧｋＡｓ基板１キにＰ型の第１のＧａＡｌＡ
ｓ層２、Ｎ型の第２のＧａＡＬＡｓ層３を設け、更にこ
の第２のＧａＡｌＡｓ層３上にオーミック電極４を、前
記基板１の裏面にオーミック電極５を設けた構造のもの
が知られている。こうした構造の発光ダイオードは、第
６図に示す温度プログラム図を経て製造される。即ち、
まず、基板１を図示しないデート内でヒータによシ 。
＜％Ｐ型のＧｋＡｓ基板１キにＰ型の第１のＧａＡｌＡ
ｓ層２、Ｎ型の第２のＧａＡＬＡｓ層３を設け、更にこ
の第２のＧａＡｌＡｓ層３上にオーミック電極４を、前
記基板１の裏面にオーミック電極５を設けた構造のもの
が知られている。こうした構造の発光ダイオードは、第
６図に示す温度プログラム図を経て製造される。即ち、
まず、基板１を図示しないデート内でヒータによシ 。
８５０℃（Ａ点）まで加熱する。つづいて、この温度で
２時間経過した後（Ｂ点）％＆−）内を３時間程度かけ
て約７５０℃まで下降させる（０点）。この際、Ｂ点か
らＤ・点において不純物として亜鉛（Ｚｎ ）を用いて
液相エビタキシャル成長することによシ基板１上にＰ型
の第１のＧａＡｌＡｓ層２が形成される。またＤ点から
０点において不純物としてテルリウム（Ｔｅ ）を用い
て液相エピタキシャル成長することによシ第１のＧａＡ
ｌＡｓ層２上にＮ型の第２のＧａＡｌＡｓ層３が形成さ
れる。ひきつづき、０点からデート内を更に下降させる
。
２時間経過した後（Ｂ点）％＆−）内を３時間程度かけ
て約７５０℃まで下降させる（０点）。この際、Ｂ点か
らＤ・点において不純物として亜鉛（Ｚｎ ）を用いて
液相エビタキシャル成長することによシ基板１上にＰ型
の第１のＧａＡｌＡｓ層２が形成される。またＤ点から
０点において不純物としてテルリウム（Ｔｅ ）を用い
て液相エピタキシャル成長することによシ第１のＧａＡ
ｌＡｓ層２上にＮ型の第２のＧａＡｌＡｓ層３が形成さ
れる。ひきつづき、０点からデート内を更に下降させる
。
しかしながら、こうして製造される発光ダイオードによ
れば、Ｐ型の第１のＧｎＡＩＡｓ層２とＮ型の第２のＧ
ａＡｌＡｓ層３の接合で発光した光のうち、下方向への
光がＧａＡｓ基板１内で吸収されて外部へ出ないため、
上記接合で発光した光を有効に外部に取り出すことがで
きないという欠点を有する。なお、この基板への光吸収
を回避するには基板を除去することが考えられるが、Ｇ
ａＡｌＡｓ層自体の厚さが通常４０〜５０μｍと薄いた
め、この厚さではペレッ化ひいては製品化は不可能であ
る。
れば、Ｐ型の第１のＧｎＡＩＡｓ層２とＮ型の第２のＧ
ａＡｌＡｓ層３の接合で発光した光のうち、下方向への
光がＧａＡｓ基板１内で吸収されて外部へ出ないため、
上記接合で発光した光を有効に外部に取り出すことがで
きないという欠点を有する。なお、この基板への光吸収
を回避するには基板を除去することが考えられるが、Ｇ
ａＡｌＡｓ層自体の厚さが通常４０〜５０μｍと薄いた
め、この厚さではペレッ化ひいては製品化は不可能であ
る。
また、他の発光ダイオードとしては、第７図に示す如く
、第５図のＰ型のＧａＡｓ基板１の代シにＰ型の第３の
ＧａＡｌＡｓ層６をペースとして用いた構造のものが知
られている。こりした構造の発光ダイオードは、第８図
の温度プログラム図を経て製造される。即ち、前述と同
様に基板１をヒータによシ９５０℃（Ｅ点）まで加熱し
た後、この温度で約９０分加熱をつづける（謔）。
、第５図のＰ型のＧａＡｓ基板１の代シにＰ型の第３の
ＧａＡｌＡｓ層６をペースとして用いた構造のものが知
られている。こりした構造の発光ダイオードは、第８図
の温度プログラム図を経て製造される。即ち、前述と同
様に基板１をヒータによシ９５０℃（Ｅ点）まで加熱し
た後、この温度で約９０分加熱をつづける（謔）。
つづいて、ボート内を４時間程度かけて約７５０℃まで
下降させ（Ｇ点）、基板１上に厚いＰ型の第３のＧａＡ
ｌＡｓ層６を成長させる。
下降させ（Ｇ点）、基板１上に厚いＰ型の第３のＧａＡ
ｌＡｓ層６を成長させる。
以下、前記従来例と同様な操作を行なって、この第３の
ＧａＡｔＡａ層６上に順次ＧａＡｊＡｓ層２．３を成長
させた後、前記基板１を除去し、オーミック電極４，５
を形成して発光ダイオードを製造する。しかしながら、
こうした製造方法によれば、Ｐ型の第３のＧａＡｌＡｓ
層６を成長させるためには高温成長を長時間（約４時間
）行なう必要があるため、Ｐ−Ｎ接合を形成するまでに
発光中心となる不純物としてのｚｎが成長溝が逃散する
。そして、逃散したＺｎが一方の発光中心となるＴ＠を
含む成長溶融液を汚染する。従って、Ｐ−Ｎ接合近傍の
アクセプター濃度及びドナー濃度を結晶性よくコントロ
ールすることが困難である。また、再現性も非常に悪い
。この結果、Ｐ−Ｎ接合近傍の濃度バランスが悪くなシ
、発光ダイオードの発光効率が低下する。
ＧａＡｔＡａ層６上に順次ＧａＡｊＡｓ層２．３を成長
させた後、前記基板１を除去し、オーミック電極４，５
を形成して発光ダイオードを製造する。しかしながら、
こうした製造方法によれば、Ｐ型の第３のＧａＡｌＡｓ
層６を成長させるためには高温成長を長時間（約４時間
）行なう必要があるため、Ｐ−Ｎ接合を形成するまでに
発光中心となる不純物としてのｚｎが成長溝が逃散する
。そして、逃散したＺｎが一方の発光中心となるＴ＠を
含む成長溶融液を汚染する。従って、Ｐ−Ｎ接合近傍の
アクセプター濃度及びドナー濃度を結晶性よくコントロ
ールすることが困難である。また、再現性も非常に悪い
。この結果、Ｐ−Ｎ接合近傍の濃度バランスが悪くなシ
、発光ダイオードの発光効率が低下する。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、発光効率の
高い半導体素子の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
高い半導体素子の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
本発明は、通常の方法によシ第１導電型のＧａＡｓ結晶
基板上にＡｌＡｓ混晶比の高い第１導電型の第１のＧａ
ＡｌＡｓ結晶層を形成した枝、この成長に寄与した半導
体溶融液を分離せずそのままの状態で急冷した後、ホー
ドを反応系外に取り出し他の半導体溶融液なセットし、
更にホードを再び反応系に戻すことを特徴とするもので
、これによシ発光中心となる不純物の逃散を回避し、も
ってこれに起因する発光効率の低下を阻止しようとする
ものである・ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図を参照して説
明する。ここで、第１図は本実施例で用いられる成長開
始前のデートを、第２図は反応炉の外へ取り出した時の
ポートを、第３図は本発明の一実施例に係る発光ダイオ
ードの断面図を、第４図は温度プログラム図を夫々示す
。
基板上にＡｌＡｓ混晶比の高い第１導電型の第１のＧａ
ＡｌＡｓ結晶層を形成した枝、この成長に寄与した半導
体溶融液を分離せずそのままの状態で急冷した後、ホー
ドを反応系外に取り出し他の半導体溶融液なセットし、
更にホードを再び反応系に戻すことを特徴とするもので
、これによシ発光中心となる不純物の逃散を回避し、も
ってこれに起因する発光効率の低下を阻止しようとする
ものである・ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図を参照して説
明する。ここで、第１図は本実施例で用いられる成長開
始前のデートを、第２図は反応炉の外へ取り出した時の
ポートを、第３図は本発明の一実施例に係る発光ダイオ
ードの断面図を、第４図は温度プログラム図を夫々示す
。
寸ず、第１図及び第２図のボートについて説明する。図
中の１１は、半導体溶融液溜部１２と廃液溜部１３間に
設けられた摺動自在な結晶基板収納部である。前記半導
体溶融液溜部１２には、夫々第１Ｐ型成長溜１４ａ１第
２Ｐ型成長溜１４ｂ１第３Ｐ型成長溜１４ｅ及び第４Ｎ
型成長溜１５が順次数シ付けられている。前記第１Ｐ型
成長溜１４ａには、ＡｌＡｓ混晶比が０．６５となる量
のｕ１多結晶のＧａＡｓ 、 Ｇａ 、アクセプター濃
度が所定の値に力る量のＺｎが添加されている。第２Ｐ
型成長溜１４ｂには、ＡｌＡｓ混晶比が０．８となる量
のＡｔ、多結晶のＧａＡｓ、Ｇａ、アクセッター濃度が
所定の値になる量のＺｎが添加されている。第３Ｐ型成
長溜１４ｃには、ＡｔＡ ａ混合比が０．３５となる量
のＡｔ、多結晶ＧａＡｓ 、 Ｇａ 、が添加されてい
る。第４Ｎ型成長溜１５には、ＡｌＡｔ５混合比が０．
８となる量のＡｔ。
中の１１は、半導体溶融液溜部１２と廃液溜部１３間に
設けられた摺動自在な結晶基板収納部である。前記半導
体溶融液溜部１２には、夫々第１Ｐ型成長溜１４ａ１第
２Ｐ型成長溜１４ｂ１第３Ｐ型成長溜１４ｅ及び第４Ｎ
型成長溜１５が順次数シ付けられている。前記第１Ｐ型
成長溜１４ａには、ＡｌＡｓ混晶比が０．６５となる量
のｕ１多結晶のＧａＡｓ 、 Ｇａ 、アクセプター濃
度が所定の値に力る量のＺｎが添加されている。第２Ｐ
型成長溜１４ｂには、ＡｌＡｓ混晶比が０．８となる量
のＡｔ、多結晶のＧａＡｓ、Ｇａ、アクセッター濃度が
所定の値になる量のＺｎが添加されている。第３Ｐ型成
長溜１４ｃには、ＡｔＡ ａ混合比が０．３５となる量
のＡｔ、多結晶ＧａＡｓ 、 Ｇａ 、が添加されてい
る。第４Ｎ型成長溜１５には、ＡｌＡｔ５混合比が０．
８となる量のＡｔ。
多結晶ＧａＡａ 、 Ｇａ 、 ドナー濃度が所定の
値に々る量のＴｅが添加されている。また、前記廃液溜
部１３には、夫々第１〜第４の廃記収納室１６ｈ〜１６
ｄが設けられている。
値に々る量のＴｅが添加されている。また、前記廃液溜
部１３には、夫々第１〜第４の廃記収納室１６ｈ〜１６
ｄが設けられている。
こうした構造のデートを用いて第４図の温度プログラム
図によｐ ＧａＡｓ結晶基板上に液相エピタキシャル法
によシ成長層全形成する。まず、ボートを第１図の状態
で反応管内にセット後、反応系内雰囲拭を真空（６０分
間、到達真空度Ｉ Ｘ １０ ’ＴＯＲＲ）にし、反応
系内の酸素等を除去した。つづいて、水素（ｇｒａｄｅ
７ Ｎ −Ｈ２）ヲノクージ後１ ｔ／Ｔｎｊｎのフ
ローレイト中で約９０分間反応系内の温度を９５０℃に
保ち（点Ｆ）、更に反応系内の温度を７５０℃（点Ｇ）
まで降下する。これによｐ ＧａＡｇ結晶基板１７上に
厚いＰ型の第１のＧａ ｏ 、 ３５Ｍｏ、 ６ ｓＡ
ｓＡｌＢ１２長した。との後、使用した第１Ｐ型成長溜
１４ａ中の半導体溶融液を排除せず、第２図のボート状
態で室温（点Ｈ）まで冷却した。ひきつづき、室温まで
冷却後、ボートを炉外（反応系外；空気中）に取り出し
た後、第２．第３Ｐ型成長溜１４ｂ、１４ｃに所定のア
クセプター濃度となる量のＺｎ）Ｎ型成長用に所定のド
ナー濃度となる量のＴｏを夫々極力短時間に添加する。
図によｐ ＧａＡｓ結晶基板上に液相エピタキシャル法
によシ成長層全形成する。まず、ボートを第１図の状態
で反応管内にセット後、反応系内雰囲拭を真空（６０分
間、到達真空度Ｉ Ｘ １０ ’ＴＯＲＲ）にし、反応
系内の酸素等を除去した。つづいて、水素（ｇｒａｄｅ
７ Ｎ −Ｈ２）ヲノクージ後１ ｔ／Ｔｎｊｎのフ
ローレイト中で約９０分間反応系内の温度を９５０℃に
保ち（点Ｆ）、更に反応系内の温度を７５０℃（点Ｇ）
まで降下する。これによｐ ＧａＡｇ結晶基板１７上に
厚いＰ型の第１のＧａ ｏ 、 ３５Ｍｏ、 ６ ｓＡ
ｓＡｌＢ１２長した。との後、使用した第１Ｐ型成長溜
１４ａ中の半導体溶融液を排除せず、第２図のボート状
態で室温（点Ｈ）まで冷却した。ひきつづき、室温まで
冷却後、ボートを炉外（反応系外；空気中）に取り出し
た後、第２．第３Ｐ型成長溜１４ｂ、１４ｃに所定のア
クセプター濃度となる量のＺｎ）Ｎ型成長用に所定のド
ナー濃度となる量のＴｏを夫々極力短時間に添加する。
しかる後、ボートを炉内（反応系内）に再びセットし、
前記と同様に真空引き、Ｈ２パージ、フローを行なった
後、従来（第６図）と同様な温度条件で厚さ１６０μｍ
の前記ＧＩＩＬＯ５５Ａｔｏ６５Ａ８層１８上に厚さ１
０ μｍのＰ型の第２のＧａ ｏ 、 ２Ａｔｏ 、
５Ａｌｌ 層１９（点８〜点り間）、厚さ１μｍのＰ型
の第３のＧａｏ 、 、５ｓＡｔｏ 、 ３ｓＡＺ１層
２０（点Ｂで３０秒間８５０℃を保持する）及び厚さ４
０μｍのＮ型Ｇａｏ、述ｅ−ａ 、ｓＡｓＡｓ層管１々
形成した。更に、前記ＧａＡｓ結晶基板１７をＮＨ４Ｏ
ＨとＨ２Ｏ２の混合液で除去した後、Ｎ型のＧａｏ２Ａ
ｔｏｓＡｓ層２１上にＮ型のオーミック電極２２をＰ型
のＧＩＬ ｏ 、 ３ｓＡｔｏ 、 ６５Ａｓ層１８の
裏面にＰ型のオーミック電極２３を形成した。次いで、
表面側からＰ−Ｎ接合を越えてメサエッチングを行ない
、ダイシングを行なって発光ダイオードを製造した。
前記と同様に真空引き、Ｈ２パージ、フローを行なった
後、従来（第６図）と同様な温度条件で厚さ１６０μｍ
の前記ＧＩＩＬＯ５５Ａｔｏ６５Ａ８層１８上に厚さ１
０ μｍのＰ型の第２のＧａ ｏ 、 ２Ａｔｏ 、
５Ａｌｌ 層１９（点８〜点り間）、厚さ１μｍのＰ型
の第３のＧａｏ 、 、５ｓＡｔｏ 、 ３ｓＡＺ１層
２０（点Ｂで３０秒間８５０℃を保持する）及び厚さ４
０μｍのＮ型Ｇａｏ、述ｅ−ａ 、ｓＡｓＡｓ層管１々
形成した。更に、前記ＧａＡｓ結晶基板１７をＮＨ４Ｏ
ＨとＨ２Ｏ２の混合液で除去した後、Ｎ型のＧａｏ２Ａ
ｔｏｓＡｓ層２１上にＮ型のオーミック電極２２をＰ型
のＧＩＬ ｏ 、 ３ｓＡｔｏ 、 ６５Ａｓ層１８の
裏面にＰ型のオーミック電極２３を形成した。次いで、
表面側からＰ−Ｎ接合を越えてメサエッチングを行ない
、ダイシングを行なって発光ダイオードを製造した。
しかして、本発明によれば、 ＧａＡｓ結晶基板１７の
代りにＰ型の第１のＧａｏ ３ｓＡｔｏ６５Ａ１１層１
８をペースとしたダブルへテロ構造をとるとともに、基
板１７にこのＧａｏ ３ｓＡｌｏ、５ＢＡａ層１８を成
長後、成長に寄与した第１Ｐ型成長溜１４ａ中の溶融液
を排除することなく第２図のボート状態で室温まで急冷
され、基板１７が密封状態を保たれる。従って、次の効
果を有する。
代りにＰ型の第１のＧａｏ ３ｓＡｔｏ６５Ａ１１層１
８をペースとしたダブルへテロ構造をとるとともに、基
板１７にこのＧａｏ ３ｓＡｌｏ、５ＢＡａ層１８を成
長後、成長に寄与した第１Ｐ型成長溜１４ａ中の溶融液
を排除することなく第２図のボート状態で室温まで急冷
され、基板１７が密封状態を保たれる。従って、次の効
果を有する。
■ Ｐ型の第３のＧａｏ ６５ＡｔＯ５５Ａ８層（アク
ティブ層）２０が、両側よシＡｔＡ ＩＩ混晶比の高い
層即ちＰ型の第２のＧａ Ｏ、ｚＡｚｇ 、 ａＡｓＪ
ｉ＊ Ｊ ９及びＮ型Ｇａｏ２Ａｔｏ８Ａｓ層２１で挾
まれているため、アクティブ層２０に注入された注入さ
れた電子はとの層内に有効に閉じ込められ、効率よく発
光に寄与させることができる。
ティブ層）２０が、両側よシＡｔＡ ＩＩ混晶比の高い
層即ちＰ型の第２のＧａ Ｏ、ｚＡｚｇ 、 ａＡｓＪ
ｉ＊ Ｊ ９及びＮ型Ｇａｏ２Ａｔｏ８Ａｓ層２１で挾
まれているため、アクティブ層２０に注入された注入さ
れた電子はとの層内に有効に閉じ込められ、効率よく発
光に寄与させることができる。
■ 発光波長６６０ ｎｍの光を通過するＡｔＡ ｓ混
晶比０．６５のＧａ ８．３ｓＡＺ ｏ 、 、ｓ ｓ
Ａ８ＡｌＢ１２用によシ、裏面光吸収が々く発光した光
を有効に取り出すととが可能である。事実、本発明に係
る発光ダイオードは、従来（第５図）の発光ダイオード
と比べ、発光特性を４〜５倍向上することができる。
晶比０．６５のＧａ ８．３ｓＡＺ ｏ 、 、ｓ ｓ
Ａ８ＡｌＢ１２用によシ、裏面光吸収が々く発光した光
を有効に取り出すととが可能である。事実、本発明に係
る発光ダイオードは、従来（第５図）の発光ダイオード
と比べ、発光特性を４〜５倍向上することができる。
■ 従来の如（、ＧａＡｌＡｓ層の表面を溶解するソリ
ューションエッチ（Ｓ−Ｅ）操作及び炉外（空気中）取
り出しによる表面劣化を防止するため、厚いＰ型のＧａ
ＡｌＡｓ層成長後、ＧａＡｓ層の成長、炉外への取り出
し、酸類等の表面処理及び上記Ｓ−Ｅ操作を行なう必要
がなく、操作が簡単である。
ューションエッチ（Ｓ−Ｅ）操作及び炉外（空気中）取
り出しによる表面劣化を防止するため、厚いＰ型のＧａ
ＡｌＡｓ層成長後、ＧａＡｓ層の成長、炉外への取り出
し、酸類等の表面処理及び上記Ｓ−Ｅ操作を行なう必要
がなく、操作が簡単である。
以上詳述した如く本発明によれば、従来と比べ発光効率
の大きい発光ダイオード等の半導体素子を製造する方法
を提供できる。
の大きい発光ダイオード等の半導体素子を製造する方法
を提供できる。
第１図及び第２図は夫々本発明に係るボートの説明図、
第３図は本発明の一実施例に係る発光ダイオードの断面
図、第４図は第３図の発光ダイオードの製造に係る温度
プログラム図、第５図は従来の発光ダイオードの断面図
、第６図は第５図の発光ダイオードの製造に係る温度プ
ログラム図、第７図は従来の他の発光ダイオードの断面
図、第８図は第７図の発光ダイオードの製造に係る温度
プログラム図である。 １１・・・結晶基板収納部、１２・・・半導体溶融液部
、１３・・・廃液溜部、１４ａ〜１４ｃ・・・Ｐ型成長
溜、１５・・・Ｎ型成長溜、１６ａｙ１６ｄ・・・収納
室、１７・・・ＧａＡｓ結晶基板、Ｉ８・・・Ｐ型の第
１のＧａｏ ３５ＡｔＯ６５ａ８層、１９−Ｐ型の第２
のＧａ Ｏ、６５Ａｔｏ 、 ５ ｓＡｓ Ｍ、２０
・ｐ型の第３のＧａｏ、２Ａｔｏ、８Ａ８層、２１・・
・Ｎ型のＧａ ｏ 、 ２Ａｔｏ、 ８Ａ８層、ｚ２，
２３・・・オーミック電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図 第２図
第３図は本発明の一実施例に係る発光ダイオードの断面
図、第４図は第３図の発光ダイオードの製造に係る温度
プログラム図、第５図は従来の発光ダイオードの断面図
、第６図は第５図の発光ダイオードの製造に係る温度プ
ログラム図、第７図は従来の他の発光ダイオードの断面
図、第８図は第７図の発光ダイオードの製造に係る温度
プログラム図である。 １１・・・結晶基板収納部、１２・・・半導体溶融液部
、１３・・・廃液溜部、１４ａ〜１４ｃ・・・Ｐ型成長
溜、１５・・・Ｎ型成長溜、１６ａｙ１６ｄ・・・収納
室、１７・・・ＧａＡｓ結晶基板、Ｉ８・・・Ｐ型の第
１のＧａｏ ３５ＡｔＯ６５ａ８層、１９−Ｐ型の第２
のＧａ Ｏ、６５Ａｔｏ 、 ５ ｓＡｓ Ｍ、２０
・ｐ型の第３のＧａｏ、２Ａｔｏ、８Ａ８層、２１・・
・Ｎ型のＧａ ｏ 、 ２Ａｔｏ、 ８Ａ８層、ｚ２，
２３・・・オーミック電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電型のＧａＡｓ結晶基板上にＡｌＡｓ混晶比の高
い第１導電型の第１のＧａＡｌＡｓ結晶層を液相エピタ
キシャル成長法により形成する工程と、この成長に寄与
した半導体溶融液を分離せずそのままの状態で急冷した
後、ボートを反応系外に取り出し他の半導体溶融液をセ
ットする工程と、ボートを再び反応系内に戻す工程と、
前記 ＧａＡｌＡｓ結晶層上に該結晶層よりＡｌＡｓ混晶比の
高い第１導電型の第２のＧａＡｌＡｓ結晶層を形成する
工程と、この第２のＧａＡｌＡｓ結晶層上に発光波長に
必要なＡｌＡｓ混晶比の第３のＧａＡｌＡｓ結晶層を形
成する工程と、この第３のＧａＡｌＡｓ結晶層上に第２
のＧａＡｌＡｓ結晶層と同等のＡｌＡｓ混晶比を有した
第２導電型の第４のＧａＡｌＡｓ結晶層を形成する工程
とを具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176263A JPS6154618A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176263A JPS6154618A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154618A true JPS6154618A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16010509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59176263A Pending JPS6154618A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154618A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03234069A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Showa Denko Kk | ＧａＡｌＡｓ発光ダイオード及びその製造方法 |
| US5172195A (en) * | 1990-04-18 | 1992-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double heterostructure GaAlAs 610-640 nm LED |
| US6025251A (en) * | 1995-09-29 | 2000-02-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing a plurality of semiconductor components |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP59176263A patent/JPS6154618A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03234069A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Showa Denko Kk | ＧａＡｌＡｓ発光ダイオード及びその製造方法 |
| US5172195A (en) * | 1990-04-18 | 1992-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double heterostructure GaAlAs 610-640 nm LED |
| US6025251A (en) * | 1995-09-29 | 2000-02-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing a plurality of semiconductor components |
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