JPS60193329A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS60193329A JPS60193329A JP59050008A JP5000884A JPS60193329A JP S60193329 A JPS60193329 A JP S60193329A JP 59050008 A JP59050008 A JP 59050008A JP 5000884 A JP5000884 A JP 5000884A JP S60193329 A JPS60193329 A JP S60193329A
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- JP
- Japan
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に液相エピタ
キシャル成長法を用いた発光ダイオードの製造方法に係
わる。
キシャル成長法を用いた発光ダイオードの製造方法に係
わる。
従来、発光ダ４オードとしては、例えば第１図に示す如
く、Ｐ型のＧａＡｓ基板１上にＰ型の第１のＧａｊＬＡ
Ａａ層２、Ｎ型の第２のＧｉＬＡｔＡａ層３を設け、更
にこの第２のＧａＡｔＡｍ層３上にオーミック電極４を
、前記基板Ｊの裏面にオーミック電極５を設けた構造の
ものが知られている。こうした構造の発光ダイオードは
、第２図に示す温度プログラム図を経て製造される。ｍ
ち、まず、基板１を図示しないカート内でヒータにょシ
８５０℃（Ａ点）まで加熱する。つづいて、この温度で
２時間経過した後（Ｂ点）、ボート内ｔ−３時間程度か
けて約７５０”℃まで下降させる（Ｃ点）。この際、Ｂ
点からＤ点において不純物として亜鉛（Ｚｎ）を用いて
液相エピタキシャル成長することによシ基板１上にＰ型
の第１のＧａＡｕ器層２が形成される。またＤ点から０
点において不純物としてテルリウム（Ｔｅ ）を用いて
液相エピタキシャル成長することによシ第１のＧＩＬＡ
ｔＡａ層２上にＮ型層温上のＧａＡｔＡｓ層３が形成さ
れる。ひきつづき、０点からカート内を更に下降させる
。
く、Ｐ型のＧａＡｓ基板１上にＰ型の第１のＧａｊＬＡ
Ａａ層２、Ｎ型の第２のＧｉＬＡｔＡａ層３を設け、更
にこの第２のＧａＡｔＡｍ層３上にオーミック電極４を
、前記基板Ｊの裏面にオーミック電極５を設けた構造の
ものが知られている。こうした構造の発光ダイオードは
、第２図に示す温度プログラム図を経て製造される。ｍ
ち、まず、基板１を図示しないカート内でヒータにょシ
８５０℃（Ａ点）まで加熱する。つづいて、この温度で
２時間経過した後（Ｂ点）、ボート内ｔ−３時間程度か
けて約７５０”℃まで下降させる（Ｃ点）。この際、Ｂ
点からＤ点において不純物として亜鉛（Ｚｎ）を用いて
液相エピタキシャル成長することによシ基板１上にＰ型
の第１のＧａＡｕ器層２が形成される。またＤ点から０
点において不純物としてテルリウム（Ｔｅ ）を用いて
液相エピタキシャル成長することによシ第１のＧＩＬＡ
ｔＡａ層２上にＮ型層温上のＧａＡｔＡｓ層３が形成さ
れる。ひきつづき、０点からカート内を更に下降させる
。
しかしながら、こうしπ製造される発光ダイオードによ
れば、Ｐ型の第１のＧａＡｔＡｓ層２とＮ型の第２のＧ
ａＡｔＡａ層３の接合で発光した光のうち、下方向への
光がＧａＡｓ基板１内で吸収されて外部へ出ないため、
上記接合で発光した光を有効に外部に取シ出すことがで
きないという欠点を有する。なお、この基板への光吸収
を回避するには基板を除去することが考えられるが、Ｇ
ａＡｔＡ ｓ層目体の厚さが通常４０〜５０μｍと薄い
ため、この厚さではペレツ化ひいては製品化は不可能で
ある。
れば、Ｐ型の第１のＧａＡｔＡｓ層２とＮ型の第２のＧ
ａＡｔＡａ層３の接合で発光した光のうち、下方向への
光がＧａＡｓ基板１内で吸収されて外部へ出ないため、
上記接合で発光した光を有効に外部に取シ出すことがで
きないという欠点を有する。なお、この基板への光吸収
を回避するには基板を除去することが考えられるが、Ｇ
ａＡｔＡ ｓ層目体の厚さが通常４０〜５０μｍと薄い
ため、この厚さではペレツ化ひいては製品化は不可能で
ある。
また、他の発光ダイオードとしては、第３図に示す如く
、第１図のＰ型のＧａＡｓ基板１の代シにＰ型の第３の
ＧａＡｔＡｓ層６をベースとして用いた構造のものが知
られている。こうした構造の発光ダイオードは、第４図
の温度プログラム図を経て製造される。即ち、前述と同
様に基板１をヒータによシ９５０℃（Ｅ点）まで加熱し
た後、この温度で約９０分加熱をつづける（Ｆ点）０つ
づいて、テート内を４時間和度かけて約７５０℃まで下
降させ（Ｇ点）、基板１上に厚いＰ型の第３のＧａＡＡ
Ａｓ層６を成長させる。
、第１図のＰ型のＧａＡｓ基板１の代シにＰ型の第３の
ＧａＡｔＡｓ層６をベースとして用いた構造のものが知
られている。こうした構造の発光ダイオードは、第４図
の温度プログラム図を経て製造される。即ち、前述と同
様に基板１をヒータによシ９５０℃（Ｅ点）まで加熱し
た後、この温度で約９０分加熱をつづける（Ｆ点）０つ
づいて、テート内を４時間和度かけて約７５０℃まで下
降させ（Ｇ点）、基板１上に厚いＰ型の第３のＧａＡＡ
Ａｓ層６を成長させる。
以下、前記従来例１と同様な操作を行なって、この第３
のＧａＡｔＡｓ層６上に順次ＧａＡｔＡ４層２，３を成
長させた仮、前記基板１を除去し、オーミック電極４，
５を形成して発光ダイオードを製造する。しかしながら
、こうした製造方法によれば、Ｐ型の第３のＧａＡｔＡ
ａ層６を成長させるためには高温成長を長時間（約４
時間）行なう必要があるためＰ−Ｎ接合を形成するまで
に発光中心となる不純物としてのＺｎが成長部が逃散す
る。そして、逃散したＺｎが一方の発光中心となるＴｅ
を含む成長溶融液を汚染する。従って、Ｐ−Ｎｇ合近傍
のアクセプター濃度及びドナー濃度を結晶性よくコント
ロールすることが困難である。また、再現性も非常に悪
い。こあ結果、Ｐ−Ｎ接合近傍の濃度バランスが悪くな
シ、発光ダイオードの発光効率が低下する。
のＧａＡｔＡｓ層６上に順次ＧａＡｔＡ４層２，３を成
長させた仮、前記基板１を除去し、オーミック電極４，
５を形成して発光ダイオードを製造する。しかしながら
、こうした製造方法によれば、Ｐ型の第３のＧａＡｔＡ
ａ層６を成長させるためには高温成長を長時間（約４
時間）行なう必要があるためＰ−Ｎ接合を形成するまで
に発光中心となる不純物としてのＺｎが成長部が逃散す
る。そして、逃散したＺｎが一方の発光中心となるＴｅ
を含む成長溶融液を汚染する。従って、Ｐ−Ｎｇ合近傍
のアクセプター濃度及びドナー濃度を結晶性よくコント
ロールすることが困難である。また、再現性も非常に悪
い。こあ結果、Ｐ−Ｎ接合近傍の濃度バランスが悪くな
シ、発光ダイオードの発光効率が低下する。
本発明は上記８４ ＋＋’ｉに鑑みてなされたもので、
発光効率の高い半導体素子の製造方法を提供することを
目的とするものである。
発光効率の高い半導体素子の製造方法を提供することを
目的とするものである。
本発明は、通常の方法によ）第１導電型のＧａＡｓ結晶
基根上にＡｔＡｓ混晶比の高い第１導電型の第１のＧａ
ＡｔＡａ結晶層を形成した後、この成長に寄与した半導
体溶融液を分離して前記基板を収納するｙＫ ）内の雰
囲気を密封状態にしたままが一トを反応系外に取シ出し
他の半導体溶融液をセットし、更にテートを再び反応系
に戻すことを特徴とするもので、これによシ発光中心と
なる不純物の逃散を回避し、もってこれに起因する発光
効率の低下を阻止しようとするものである。 ゛ 〔発明の輯流側〕 以下、本発明の一実施例を第５図〜第８図を参照して説
明する。ここで、第５図は本実施例で用いられる成長開
始前のデートを、第６図は反応炉の外へ取シ出した時の
テートを、第７図は本発明の一実施例に係る発光ダイオ
ードの断面図を、第８図は温度プログラム図を夫々示す
。
基根上にＡｔＡｓ混晶比の高い第１導電型の第１のＧａ
ＡｔＡａ結晶層を形成した後、この成長に寄与した半導
体溶融液を分離して前記基板を収納するｙＫ ）内の雰
囲気を密封状態にしたままが一トを反応系外に取シ出し
他の半導体溶融液をセットし、更にテートを再び反応系
に戻すことを特徴とするもので、これによシ発光中心と
なる不純物の逃散を回避し、もってこれに起因する発光
効率の低下を阻止しようとするものである。 ゛ 〔発明の輯流側〕 以下、本発明の一実施例を第５図〜第８図を参照して説
明する。ここで、第５図は本実施例で用いられる成長開
始前のデートを、第６図は反応炉の外へ取シ出した時の
テートを、第７図は本発明の一実施例に係る発光ダイオ
ードの断面図を、第８図は温度プログラム図を夫々示す
。
まず、第４図及び第５図のボートについて説明する。図
中の１１は、半導体溶融液溜部１２と廃液溜部１３間に
設けられた摺動自在な結晶基板収納部である。前記半導
体溶融液溜部１２には、夫々第１Ｐ型成長溜１４ａ１第
２Ｐ型成長溜１４ｂ１第３Ｐ型成長溜１４ｃ及び第４Ｎ
型成長溜１５が順次数シ付けられている。前記第１Ｐ型
成長溜１４＆には、ＡｔＡｓ混晶比が０６５となる量の
Ａｔ、多結晶のＧａＡｓ 、Ｇａ 、アクセプター濃度
が所定の値になる量のＺｎが添加されている。第２Ｐ型
成長溜１４ｂには、ＡｔＡｓ混晶比が０．８と力る量の
Ａｔ、多結晶のＧａＡａ ＳＧａが添 ′加されている
。第３Ｐ型成長溜１４ｃには、 。
中の１１は、半導体溶融液溜部１２と廃液溜部１３間に
設けられた摺動自在な結晶基板収納部である。前記半導
体溶融液溜部１２には、夫々第１Ｐ型成長溜１４ａ１第
２Ｐ型成長溜１４ｂ１第３Ｐ型成長溜１４ｃ及び第４Ｎ
型成長溜１５が順次数シ付けられている。前記第１Ｐ型
成長溜１４＆には、ＡｔＡｓ混晶比が０６５となる量の
Ａｔ、多結晶のＧａＡｓ 、Ｇａ 、アクセプター濃度
が所定の値になる量のＺｎが添加されている。第２Ｐ型
成長溜１４ｂには、ＡｔＡｓ混晶比が０．８と力る量の
Ａｔ、多結晶のＧａＡａ ＳＧａが添 ′加されている
。第３Ｐ型成長溜１４ｃには、 。
ＡＡＡＩ混合比が０．３５となる量のＡ４多結晶ＧａＡ
ｍ５Ｃａ、が添加されている。第４Ｎ型成長溜１５には
、ＡＡＡｓ混合比が０．８となる量のＡｔ、多結晶Ｇａ
Ａｓ５Ｇａが添加されている。また、前記廃液溜部１３
には、夫々第１〜第４の廃記収納室１６ａ〜１６ｄが設
けられている。
ｍ５Ｃａ、が添加されている。第４Ｎ型成長溜１５には
、ＡＡＡｓ混合比が０．８となる量のＡｔ、多結晶Ｇａ
Ａｓ５Ｇａが添加されている。また、前記廃液溜部１３
には、夫々第１〜第４の廃記収納室１６ａ〜１６ｄが設
けられている。
こうした構造のテートを用いて第８図の温度プログラム
図によりＧ＆Ａ６結晶基板上に液相エピタキシャル法に
よ）成長層を形成する。まず、テートを第５図の状態で
反応管内にセット後、反応系内雰囲気を真空（６０分間
、到達真空度Ｉ Ｘ １０’−’ＴＯＲＲ）にし、反応
系内の酸素等を除去した。つづいて、水素（ｇｒａｄｅ
７Ｎ −Ｈ２）を／４−ジ後１ ｌ／ｎｉｎのフロー
レイト中で約９０分間反応系内の温度を９６０℃に保ち
（点Ｆ）、更に反応系内の温度を７５０℃（点Ｇ）ｔで
降下する。これによりＧａＡｓ結晶基結晶基板ｌ軸上型
の第１のＧａｏ、３５ＡＡｇ、６５Ａ＠層１８が成長し
た。この後、テートの結晶基板収納部１１を矢印の方向
にスライドして第１のＧａＯ，３５ＡｔＯ，６５”層１
８の成長に使用した第１Ｐ型成長溶融液をその層１８上
よシ排除しボートを第６図の密封状態にする。ひきつづ
き、この状態で室温（点Ｈ）ｔで冷却し、デートを炉外
（反応系外）に取シ出した後、第２、第３Ｐ型成長溜１
４ｂ。
図によりＧ＆Ａ６結晶基板上に液相エピタキシャル法に
よ）成長層を形成する。まず、テートを第５図の状態で
反応管内にセット後、反応系内雰囲気を真空（６０分間
、到達真空度Ｉ Ｘ １０’−’ＴＯＲＲ）にし、反応
系内の酸素等を除去した。つづいて、水素（ｇｒａｄｅ
７Ｎ −Ｈ２）を／４−ジ後１ ｌ／ｎｉｎのフロー
レイト中で約９０分間反応系内の温度を９６０℃に保ち
（点Ｆ）、更に反応系内の温度を７５０℃（点Ｇ）ｔで
降下する。これによりＧａＡｓ結晶基結晶基板ｌ軸上型
の第１のＧａｏ、３５ＡＡｇ、６５Ａ＠層１８が成長し
た。この後、テートの結晶基板収納部１１を矢印の方向
にスライドして第１のＧａＯ，３５ＡｔＯ，６５”層１
８の成長に使用した第１Ｐ型成長溶融液をその層１８上
よシ排除しボートを第６図の密封状態にする。ひきつづ
き、この状態で室温（点Ｈ）ｔで冷却し、デートを炉外
（反応系外）に取シ出した後、第２、第３Ｐ型成長溜１
４ｂ。
１４ｃに所定のアクセゾター濃度となる量のＺｎ、Ｎ型
成長用に所定のドナー濃度となる量のＴｅを夫々極力短
時間に添加する。しかる後、ボートを炉内（反応系内）
にセットし、前記と同様に真空引き、Ｈ２パージ、フロ
ーを行々った後、従来（第２図）と同様な温度条件で厚
さ１６０μｍの前記Ｇａｏ 、 ３５ＡｔＯ，６５”
ｆｆＢ ｌ ｓ上に厚さ１０ ＪｉｍのＰ型のｔＩ！、
２のＧａｏ、２Ａｔｏ、８μｍ層１９（点８〜点り間）
、厚さ１μｍのＰ型の第３の” ０．６５”０．３５Ａ
８層２０（点Ｂで３０秒間８５０℃を保持する）及び厚
さ４０μｍのＮ型Ｇａｏ、２Ａｔｏ、６μｍ層２１を夫
々形成した。更に、前記ＧＩＬＡＩ結晶基板１７をＮＨ
４ＯＨとＨ２Ｏ２の混合液で除去した後、Ｎ型のＧａｏ
、２Ａｔ、８μｍ層２１上にＮ型のオーミック電極２２
をＰ型の” ０．３５ＡｔＯ，６５”層１８の裏面にＰ
型のオーミック電極２３を形成した。次いで、表面側か
らＰ−Ｎ接合を越えてメサエッチングを行々い、ダイシ
ングを行なって発光ダイオードを製造した。
成長用に所定のドナー濃度となる量のＴｅを夫々極力短
時間に添加する。しかる後、ボートを炉内（反応系内）
にセットし、前記と同様に真空引き、Ｈ２パージ、フロ
ーを行々った後、従来（第２図）と同様な温度条件で厚
さ１６０μｍの前記Ｇａｏ 、 ３５ＡｔＯ，６５”
ｆｆＢ ｌ ｓ上に厚さ１０ ＪｉｍのＰ型のｔＩ！、
２のＧａｏ、２Ａｔｏ、８μｍ層１９（点８〜点り間）
、厚さ１μｍのＰ型の第３の” ０．６５”０．３５Ａ
８層２０（点Ｂで３０秒間８５０℃を保持する）及び厚
さ４０μｍのＮ型Ｇａｏ、２Ａｔｏ、６μｍ層２１を夫
々形成した。更に、前記ＧＩＬＡＩ結晶基板１７をＮＨ
４ＯＨとＨ２Ｏ２の混合液で除去した後、Ｎ型のＧａｏ
、２Ａｔ、８μｍ層２１上にＮ型のオーミック電極２２
をＰ型の” ０．３５ＡｔＯ，６５”層１８の裏面にＰ
型のオーミック電極２３を形成した。次いで、表面側か
らＰ−Ｎ接合を越えてメサエッチングを行々い、ダイシ
ングを行なって発光ダイオードを製造した。
しかして、本発明によれば、ＧａＡ１結晶基板１７の代
ルにＰ型の第１のＧ ａ ｏ 、５ｓＡＺｏ 、ｂ５Ａ
８層１８をペースとしたダブルへテロ構造をとるととも
に、基板Ｊ７にこのＧａｏ、ｓ５Ａｔｇ、４５Ａ１１層
１８を成長後、成長に寄与した第１Ｐ型成長溜１４＆中
の溶融液を排除し、基板１７が密封状態のまま？−トを
反応系外に取シ出し他の半導体溶融液をセットしてから
ボートを再び反応系に戻す。
ルにＰ型の第１のＧ ａ ｏ 、５ｓＡＺｏ 、ｂ５Ａ
８層１８をペースとしたダブルへテロ構造をとるととも
に、基板Ｊ７にこのＧａｏ、ｓ５Ａｔｇ、４５Ａ１１層
１８を成長後、成長に寄与した第１Ｐ型成長溜１４＆中
の溶融液を排除し、基板１７が密封状態のまま？−トを
反応系外に取シ出し他の半導体溶融液をセットしてから
ボートを再び反応系に戻す。
従って、ダブルへテロ構造によシＰ型の第３の”０．６
５ＡｔＯ，３５Ａ”層２０に活入される電子はこの成長
層内に有効に閉じ込められ、効率よく発光波長６６０ｎ
ｍの発光に寄与させることができる。
５ＡｔＯ，３５Ａ”層２０に活入される電子はこの成長
層内に有効に閉じ込められ、効率よく発光波長６６０ｎ
ｍの発光に寄与させることができる。
また、５６ Ｑ ｎｍの光を通過するＡＬＡｓ混晶比０
．６５のＧａ ｇ、３５Ａｔｏ、６５Ａ８層１８の使用
によシ、裏面光吸収がなく発光した光を有効に取り出す
ととが可能である。４実、本発明に係る発光ダイオード
は、従来（第１図）の発光ダイオードと比べ、発光特性
を３〜４倍向上することができた。更に、従来のように
ＧａＡｔＡｓ層の表面を溶解するメルトバック操作及び
炉外取シ出しによる表面劣化を防ぐために、厚いＰ型の
ＧａＡｔＡｇ層成長後、ＧａＡｓ層の成長、炉外への取
シ出し及び表面処理を行なう必要がなく、操作が簡単で
ある。
．６５のＧａ ｇ、３５Ａｔｏ、６５Ａ８層１８の使用
によシ、裏面光吸収がなく発光した光を有効に取り出す
ととが可能である。４実、本発明に係る発光ダイオード
は、従来（第１図）の発光ダイオードと比べ、発光特性
を３〜４倍向上することができた。更に、従来のように
ＧａＡｔＡｓ層の表面を溶解するメルトバック操作及び
炉外取シ出しによる表面劣化を防ぐために、厚いＰ型の
ＧａＡｔＡｇ層成長後、ＧａＡｓ層の成長、炉外への取
シ出し及び表面処理を行なう必要がなく、操作が簡単で
ある。
以上詳述した如く本発明によれは、従来と比べ発光効率
の大きい発光ダイオード等の半導体素子を製造する方法
を提供できるものである。
の大きい発光ダイオード等の半導体素子を製造する方法
を提供できるものである。
第１図は従来の発光ダイオードの断面図、第２図は第１
図の発光ダイオードの製造に係る温度プログラム図、第
３図は従来の他の発光ダイオードの断面図、第４図は第
３図の発光ダイオードの製造に係る温度プログラム図、
第５図及び第６図は夫々本発明に係るデートの説明図、
第７図は本発明の一実施例に係る発光グイオードの断面
図、第８図は第７図の発光ダイオードの製造に係る１！
！度プログラム図である。 １ノ・・・結晶基板収納部、Ｊ２・・・半導体溶融液溜
部、Ｊ３・・・廃液溜部、１４＆〜１４ａ・・・Ｐ型成
長溜、１５・・・Ｎ型成長溜、１６＆〜１６ｄ・・・収
納室、１７・・・ＧａＡｓ結晶基板、１８・・・Ｐ型の
第１の”０．３５ＡｔＯ，６５”層、１９・・−ｐ型の
第２の”０．６５ＡｔＯ，３５Ａ一層、２θ−ｐ型の第
３のＧａｏ、２Ａｔｏ、８Ａｓ層、２ノーＮ型のＧａＩ
）、２Ａｔｏ、８Ａｍ層、２２．２３・・・オーミ、り
電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ｊＩ２ 閃 第４＠ ４問
図の発光ダイオードの製造に係る温度プログラム図、第
３図は従来の他の発光ダイオードの断面図、第４図は第
３図の発光ダイオードの製造に係る温度プログラム図、
第５図及び第６図は夫々本発明に係るデートの説明図、
第７図は本発明の一実施例に係る発光グイオードの断面
図、第８図は第７図の発光ダイオードの製造に係る１！
！度プログラム図である。 １ノ・・・結晶基板収納部、Ｊ２・・・半導体溶融液溜
部、Ｊ３・・・廃液溜部、１４＆〜１４ａ・・・Ｐ型成
長溜、１５・・・Ｎ型成長溜、１６＆〜１６ｄ・・・収
納室、１７・・・ＧａＡｓ結晶基板、１８・・・Ｐ型の
第１の”０．３５ＡｔＯ，６５”層、１９・・−ｐ型の
第２の”０．６５ＡｔＯ，３５Ａ一層、２θ−ｐ型の第
３のＧａｏ、２Ａｔｏ、８Ａｓ層、２ノーＮ型のＧａＩ
）、２Ａｔｏ、８Ａｍ層、２２．２３・・・オーミ、り
電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ｊＩ２ 閃 第４＠ ４問
Claims (1)
- 第１導電型のＧａＡｓ結晶基板上にＡｔＡ Ｉ混晶比の
高い第１導電型の第１のＧａＡＡＡｓ結晶層を液相エピ
タキシャル成長法によ多形成する工程と、この成長に寄
与した半導体溶融液を分離した後、前記基板を密封状態
にしたままが一トを反応系外に取シ出し他の半導体溶融
液をセットする工程と、＆）１再び反応系内に戻す工程
と、前記ＧａＡｔＡ−結晶層上に該結晶層よｊ） 紅ハ
混晶比の高ｉ第１導電型の第２のＧａＡｔＡｓ結晶層を
形成する工程と、この第２０ＧａＡｔＡｓ結晶層上に発
光波長に必要なＡｔＡｓ混晶比の第３０ＧａＡムＳ結晶
層を形成する工程と、この第３０ＧａＡＡＡｓ結晶層上
に第２のＧａＡｔＡｓ結晶層と同勢のＡＡＡｓ混晶比を
有した第２導電型の第４のＧａＡｔＡｓ結晶層を形成す
る工程とを具備することを特徴とする半導体素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59050008A JPS60193329A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59050008A JPS60193329A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193329A true JPS60193329A (ja) | 1985-10-01 |
Family
ID=12846964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59050008A Pending JPS60193329A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224282A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-09-06 | Hewlett Packard Co <Hp> | 半導体発光装置 |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP59050008A patent/JPS60193329A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224282A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-09-06 | Hewlett Packard Co <Hp> | 半導体発光装置 |
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