JP2000101133A - 発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法 - Google Patents
発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法Info
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- JP2000101133A JP2000101133A JP26624698A JP26624698A JP2000101133A JP 2000101133 A JP2000101133 A JP 2000101133A JP 26624698 A JP26624698 A JP 26624698A JP 26624698 A JP26624698 A JP 26624698A JP 2000101133 A JP2000101133 A JP 2000101133A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い発光効率の発光素子用エピタキシャルウ
ェハ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ｐ−第二クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ
電流拡散層）７ｂ及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８に炭
素ドープすることにより、高濃度化が図れ、ｐｎ接合全
体の結晶品質の低下を伴なうことなく、発光面側の電極
から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率が向上
する。
ェハ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ｐ−第二クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＡｓ
電流拡散層）７ｂ及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８に炭
素ドープすることにより、高濃度化が図れ、ｐｎ接合全
体の結晶品質の低下を伴なうことなく、発光面側の電極
から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率が向上
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子用エピタ
キシャルウェハ及びその製造方法に関する。
キシャルウェハ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ基板上に４元化合物半導体材料
であるＡｌＧａＩｎＰをベースとしたｐｎ接合をＭＯＶ
ＰＥ法で成長したＬＥＤ用エピタキシャルウェハが実用
化されている。
であるＡｌＧａＩｎＰをベースとしたｐｎ接合をＭＯＶ
ＰＥ法で成長したＬＥＤ用エピタキシャルウェハが実用
化されている。
【０００３】このＬＥＤ用エピタキシャルウェハにおい
て、光取り出し側のクラッド層に活性層よりもバンドギ
ャップエネルギーが大きなＡｌＧａＩｎＡｓまたはＡｌ
ＩｎＰを用いた場合、通常のドーピングでは低抵抗のエ
ピタキシャル層が得られないため、第二上クラッド層と
して活性層及び第一上クラッド層よりもバンドギャップ
エネルギーが大きなＧａＡｌＡｓ層が採用されている。
て、光取り出し側のクラッド層に活性層よりもバンドギ
ャップエネルギーが大きなＡｌＧａＩｎＡｓまたはＡｌ
ＩｎＰを用いた場合、通常のドーピングでは低抵抗のエ
ピタキシャル層が得られないため、第二上クラッド層と
して活性層及び第一上クラッド層よりもバンドギャップ
エネルギーが大きなＧａＡｌＡｓ層が採用されている。
【０００４】これは発光面側の電極から注入された電流
を活性層へ到達する前に上クラッド層内（発光面側）で
拡散させ、活性層へ効率よく電流を注入することによ
り、高い発光効率を達成するためである。
を活性層へ到達する前に上クラッド層内（発光面側）で
拡散させ、活性層へ効率よく電流を注入することによ
り、高い発光効率を達成するためである。
【０００５】また、第二上クラッド層としてよく用いら
れているＧａＡｌＡｓ層の厚さは一般的に５〜１０μｍ
と厚めである。このＧａＡｌＡｓからなる第二上クラッ
ド層の厚さは、この層での電流の拡散を広げ、高い発光
効率を得る目的で厚膜化されたものである。
れているＧａＡｌＡｓ層の厚さは一般的に５〜１０μｍ
と厚めである。このＧａＡｌＡｓからなる第二上クラッ
ド層の厚さは、この層での電流の拡散を広げ、高い発光
効率を得る目的で厚膜化されたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで発光面側の第
二上クラッド層としてＧａＡｌＡｓが用いられた場合、
キャリア濃度としては通常１×１０18ｃｍ-3台の濃度が
用いられており、厚さは５〜１０μｍ台である。
二上クラッド層としてＧａＡｌＡｓが用いられた場合、
キャリア濃度としては通常１×１０18ｃｍ-3台の濃度が
用いられており、厚さは５〜１０μｍ台である。
【０００７】しかしながら、この層の抵抗率をさらに低
くし、電流を拡散しやすくするためには、さらなる高濃
度ドーピングが必要である。
くし、電流を拡散しやすくするためには、さらなる高濃
度ドーピングが必要である。
【０００８】一方、エピタキシャルウェハの成長温度は
ｐｎ接合部となるＡｌＧａＩｎＰ層への酸素混入低減の
目的で、一般的に７００℃前後で行われることが多い。
ｐｎ接合部となるＡｌＧａＩｎＰ層への酸素混入低減の
目的で、一般的に７００℃前後で行われることが多い。
【０００９】しかし、ｐ型のドーパントとして最も多く
採用されているものは亜鉛であり、このドーピング効率
は温度と共に低下するため、７００℃前後の成長温度で
は５×１０18ｃｍ-3以上のキャリア濃度を達成すること
が難しいという問題があった。
採用されているものは亜鉛であり、このドーピング効率
は温度と共に低下するため、７００℃前後の成長温度で
は５×１０18ｃｍ-3以上のキャリア濃度を達成すること
が難しいという問題があった。
【００１０】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、高い発光効率の発光素子用エピタキシャルウェハ及
びその製造方法を提供することにある。
し、高い発光効率の発光素子用エピタキシャルウェハ及
びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型の
半導体基板上にｎ型のバッファ層、ｎ型の下クラッド
層、アンドープの活性層、ｐ型の第一上クラッド層、ｐ
型の第二上クラッド層及びｐ型のコンタクト層が順次エ
ピタキシーされた発光素子用エピタキシャルウェハにお
いて、第二上クラッド層が炭素ドープされているもので
ある。
に本発明の発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型の
半導体基板上にｎ型のバッファ層、ｎ型の下クラッド
層、アンドープの活性層、ｐ型の第一上クラッド層、ｐ
型の第二上クラッド層及びｐ型のコンタクト層が順次エ
ピタキシーされた発光素子用エピタキシャルウェハにお
いて、第二上クラッド層が炭素ドープされているもので
ある。
【００１２】上記構成に加え本発明の発光素子用エピタ
キシャルウェハは、コンタクト層が炭素ドープされてい
るのが好ましい。
キシャルウェハは、コンタクト層が炭素ドープされてい
るのが好ましい。
【００１３】上記構成に加え本発明の発光素子用エピタ
キシャルウェハは、第二上クラッド層のキャリア濃度が
５×１０17〜３×１０19ｃｍ-3になるように炭素ドープ
され、コンタクト層のキャリア濃度が３×１０18〜５×
１０19ｃｍ-3になるように炭素ドープされているのが好
ましい。
キシャルウェハは、第二上クラッド層のキャリア濃度が
５×１０17〜３×１０19ｃｍ-3になるように炭素ドープ
され、コンタクト層のキャリア濃度が３×１０18〜５×
１０19ｃｍ-3になるように炭素ドープされているのが好
ましい。
【００１４】本発明の発光素子用エピタキシャルウェハ
の製造方法は、ｎ型の半導体基板上にｎ型のバッファ
層、ｎ型の下クラッド層、アンドープの活性層、ｐ型の
第一上クラッド層、ｐ型の第二上クラッド層及びｐ型の
コンタクト層を順次エピタキシーする発光素子用エピタ
キシャルウェハの製造方法において、バッファ層から第
一上クラッド層までの成長温度よりも第二上クラッド層
及びコンタクト層の成長温度を低くするものである。
の製造方法は、ｎ型の半導体基板上にｎ型のバッファ
層、ｎ型の下クラッド層、アンドープの活性層、ｐ型の
第一上クラッド層、ｐ型の第二上クラッド層及びｐ型の
コンタクト層を順次エピタキシーする発光素子用エピタ
キシャルウェハの製造方法において、バッファ層から第
一上クラッド層までの成長温度よりも第二上クラッド層
及びコンタクト層の成長温度を低くするものである。
【００１５】上記構成に加え本発明の発光素子用エピタ
キシャルウェハの製造方法は、第二上クラッド層を、上
記バッファ層から第一上クラッド層までの成長温度と同
一の温度、及びそれより低いコンタクト層成長温度と同
じ温度で分けて成長させるのが好ましい。
キシャルウェハの製造方法は、第二上クラッド層を、上
記バッファ層から第一上クラッド層までの成長温度と同
一の温度、及びそれより低いコンタクト層成長温度と同
じ温度で分けて成長させるのが好ましい。
【００１６】本発明によれば、ｐ型の第二上クラッド層
に炭素ドープするかあるいは、ｐ型第二上クラッド層及
びｐ型のコンタクト層に炭素ドープすることにより、高
濃度化が図れ、ｐｎ接合全体の結晶品質の低下を伴なう
ことなく、発光面側の電極から注入された電流を効率よ
く拡散し、発光効率が向上する。
に炭素ドープするかあるいは、ｐ型第二上クラッド層及
びｐ型のコンタクト層に炭素ドープすることにより、高
濃度化が図れ、ｐｎ接合全体の結晶品質の低下を伴なう
ことなく、発光面側の電極から注入された電流を効率よ
く拡散し、発光効率が向上する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１８】図１は本発明の発光素子用エピタキシャル
ウェハの製造方法を適用したウェハの一実施の形態を示
す断面図である。
ウェハの製造方法を適用したウェハの一実施の形態を示
す断面図である。
【００１９】このエピタキシャルウェハ１は、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板２上にｎ−ＧａＡｓバッファ層３、ｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層４、アンドープＡｌＧａＩｎＰ活
性層５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第一上クラッド層６、ｐ−
第二上クラッド層（ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層）７
ａ，７ｂ、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８をＭＯＶＰ
Ｅ法で順次エピタキシーしたものである。このエピタキ
シャルウェハ１はＬＥＤに用いられる。
Ａｓ基板２上にｎ−ＧａＡｓバッファ層３、ｎ−ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層４、アンドープＡｌＧａＩｎＰ活
性層５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第一上クラッド層６、ｐ−
第二上クラッド層（ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層）７
ａ，７ｂ、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８をＭＯＶＰ
Ｅ法で順次エピタキシーしたものである。このエピタキ
シャルウェハ１はＬＥＤに用いられる。
【００２０】ｎ−ＧａＡｓバッファ層３からｐ−ＡｌＧ
ａＩｎＰ第一上クラッド層６までは７００℃（基板温
度）で成長させたものである。この成長時に、ｎ型ドー
パントとしてはセレン化水素、ｐ型ドーパントとしては
ジエチル亜鉛を用いる。
ａＩｎＰ第一上クラッド層６までは７００℃（基板温
度）で成長させたものである。この成長時に、ｎ型ドー
パントとしてはセレン化水素、ｐ型ドーパントとしては
ジエチル亜鉛を用いる。
【００２１】ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第一上クラッド層６を
成長させた後、ｎ−ＧａＡｓ基板２の温度を変更すべく
成長中断による表面劣化を防止するため、Ｚｎドープの
ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層（キャリア濃度１×１０18
ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）７ａを成長させる。この後、
リアクター（図示せず）内をアルシン及び水素ガスフロ
ーからなる雰囲気で保ち、基板２の温度が６５０℃で安
定するまで成長を中断し、基板２の温度が安定した後、
ＣＢｒ4 をドーピングガスとして炭素ドープのｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ電流拡散層７ｂとｐ−ＧａＡｓコンタクト層８
とを成長させる。
成長させた後、ｎ−ＧａＡｓ基板２の温度を変更すべく
成長中断による表面劣化を防止するため、Ｚｎドープの
ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層（キャリア濃度１×１０18
ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）７ａを成長させる。この後、
リアクター（図示せず）内をアルシン及び水素ガスフロ
ーからなる雰囲気で保ち、基板２の温度が６５０℃で安
定するまで成長を中断し、基板２の温度が安定した後、
ＣＢｒ4 をドーピングガスとして炭素ドープのｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ電流拡散層７ｂとｐ−ＧａＡｓコンタクト層８
とを成長させる。
【００２２】すなわち、電流拡散層７ｂを、バッファ層
３から第一上クラッド層６までの成長温度と同一の温
度、及びそれより低いコンタクト層８成長温度と同じ温
度で分けて成長させるのである。
３から第一上クラッド層６までの成長温度と同一の温
度、及びそれより低いコンタクト層８成長温度と同じ温
度で分けて成長させるのである。
【００２３】なお、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層７ｂの
厚さとキャリア濃度とは電流の広がりによる発光効率と
キャリア濃度の増加に伴なう光吸収を踏まえて最適化す
ればよい（ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層７ａのキャリア
濃度が５×１０17〜３×１０19ｃｍ-3になるように炭素
ドープされ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８のキャリア濃
度が３×１０18〜５×１０19ｃｍ-3になるように炭素ド
ープされているのが好ましい）。
厚さとキャリア濃度とは電流の広がりによる発光効率と
キャリア濃度の増加に伴なう光吸収を踏まえて最適化す
ればよい（ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層７ａのキャリア
濃度が５×１０17〜３×１０19ｃｍ-3になるように炭素
ドープされ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８のキャリア濃
度が３×１０18〜５×１０19ｃｍ-3になるように炭素ド
ープされているのが好ましい）。
【００２４】以上において本発明によれば、ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ電流拡散層７ｂ及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８
を炭素ドープすることにより、高濃度化が図れ、ｐｎ接
合全体の結晶品質の低下を伴なうことなく、発光面側の
電極から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率を
向上させる効果がある。
ａＡｓ電流拡散層７ｂ及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８
を炭素ドープすることにより、高濃度化が図れ、ｐｎ接
合全体の結晶品質の低下を伴なうことなく、発光面側の
電極から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率を
向上させる効果がある。
【００２５】なお、本実施の形態ではｐ−ＡｌＧａＡｓ
電流拡散層７ｂがＡｌＧａＡｓの場合で説明したが、ア
ンドープＡｌＧａＩｎＰ活性層５での発光波長に対して
透明な他の材料からなる電流拡散層についても応用可能
である。
電流拡散層７ｂがＡｌＧａＡｓの場合で説明したが、ア
ンドープＡｌＧａＩｎＰ活性層５での発光波長に対して
透明な他の材料からなる電流拡散層についても応用可能
である。
【００２６】また、炭素ドープの際、他のｐ型ドーパン
トであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ等を同時にドーピングしても
よい。なお、ＡｌＧａＩｎＰ活性層はアンドープではな
くｐ型あるいはｎ型でもよい。
トであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ等を同時にドーピングしても
よい。なお、ＡｌＧａＩｎＰ活性層はアンドープではな
くｐ型あるいはｎ型でもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００２８】高い発光効率の発光素子用エピタキシャル
ウェハ及びその製造方法の提供を実現することができ
る。
ウェハ及びその製造方法の提供を実現することができ
る。
【図１】本発明の発光素子用エピタキシャルウェハの製
造方法を適用したウェハの一実施の形態を示す断面図で
ある。
造方法を適用したウェハの一実施の形態を示す断面図で
ある。
２ ｎ−ＧａＡｓ基板 ３ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ４ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層 ５ アンドープＡｌＧａＩｎＰ活性層 ６ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第一上クラッド層 ７ａ、７ｂ ｐ−第二上クラッド層（ｐ−ＧａＡｌＡｓ
電流拡散層） ８ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（コンタクト層）
電流拡散層） ８ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（コンタクト層）
Claims (5)
- 【請求項１】 ｎ型の半導体基板上にｎ型のバッファ
層、ｎ型の下クラッド層、アンドープの活性層、ｐ型の
第一上クラッド層、ｐ型の第二上クラッド層及びｐ型の
コンタクト層が順次エピタキシーされた発光素子用エピ
タキシャルウェハにおいて、上記第二上クラッド層が炭
素ドープされていることを特徴とする発光素子用エピタ
キシャルウェハ。 - 【請求項２】 上記コンタクト層が炭素ドープされてい
る請求項１に記載の発光素子用エピタキシャルウェハ。 - 【請求項３】 上記第二上クラッド層のキャリア濃度が
５×１０17〜３×１０19ｃｍ-3になるように炭素ドープ
され、上記コンタクト層のキャリア濃度が３×１０18〜
５×１０19ｃｍ-3になるように炭素ドープされている請
求項１または２に記載の発光素子用エピタキシャルウェ
ハ。 - 【請求項４】 ｎ型の半導体基板上にｎ型のバッファ
層、ｎ型の下クラッド層、アンドープの活性層、ｐ型の
第一上クラッド層、ｐ型の第二上クラッド層及びｐ型の
コンタクト層を順次エピタキシーする発光素子用エピタ
キシャルウェハの製造方法において、上記バッファ層か
ら上記第一上クラッド層までの成長温度よりも上記第二
上クラッド層及び上記コンタクト層の成長温度を低くす
ることを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェハの
製造方法。 - 【請求項５】 上記第二上クラッド層を、上記バッファ
層から第一上クラッド層までの成長温度と同一の温度、
及びそれより低いコンタクト層成長温度と同じ温度で分
けて成長させる請求項４に記載の発光素子用エピタキシ
ャルウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26624698A JP2000101133A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26624698A JP2000101133A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000101133A true JP2000101133A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17428311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26624698A Pending JP2000101133A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000101133A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203987A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2007059623A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Visual Photonics Epitaxy Co Ltd | 反射層を具えた高輝度発光ダイオードの製造方法 |
| JP2007059830A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Visual Photonics Epitaxy Co Ltd | 反射層を具えた高輝度発光ダイオード |
| JP2010251809A (ja) * | 2010-08-11 | 2010-11-04 | Huga Optotech Inc | 反射層を具えた高輝度発光ダイオード |
| KR101175183B1 (ko) | 2011-08-08 | 2012-08-17 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 전류 확산 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| US8519411B2 (en) * | 2007-07-12 | 2013-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| EP2903027A1 (de) * | 2014-01-30 | 2015-08-05 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | LED-Halbleiterbauelement |
| JP2016048785A (ja) * | 2010-04-12 | 2016-04-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 電流拡散層を有する発光ダイオードチップ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204234A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Mitsubishi Chem Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JPH0974219A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Nec Corp | 面発光型ダイオード及びその製造方法 |
| JPH11307810A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
-
1998
- 1998-09-21 JP JP26624698A patent/JP2000101133A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204234A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Mitsubishi Chem Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JPH0974219A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Nec Corp | 面発光型ダイオード及びその製造方法 |
| JPH11307810A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203987A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2007059623A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Visual Photonics Epitaxy Co Ltd | 反射層を具えた高輝度発光ダイオードの製造方法 |
| JP2007059830A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Visual Photonics Epitaxy Co Ltd | 反射層を具えた高輝度発光ダイオード |
| US8519411B2 (en) * | 2007-07-12 | 2013-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| JP2016048785A (ja) * | 2010-04-12 | 2016-04-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 電流拡散層を有する発光ダイオードチップ |
| US9853188B2 (en) | 2010-04-12 | 2017-12-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip with current spreading layer |
| JP2010251809A (ja) * | 2010-08-11 | 2010-11-04 | Huga Optotech Inc | 反射層を具えた高輝度発光ダイオード |
| US9099600B2 (en) | 2011-08-08 | 2015-08-04 | Iljin Led Co., Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting element having superior current spreading effect and method for manufacturing same |
| KR101175183B1 (ko) | 2011-08-08 | 2012-08-17 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 전류 확산 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| KR20150090998A (ko) * | 2014-01-30 | 2015-08-07 | 아주르 스페이스 솔라 파워 게엠베하 | Led 반도체 부품 |
| KR101603473B1 (ko) * | 2014-01-30 | 2016-03-14 | 아주르 스페이스 솔라 파워 게엠베하 | Led 반도체 부품 |
| US9299886B2 (en) | 2014-01-30 | 2016-03-29 | Azur Space Solar Power Gmbh | LED semiconductor component |
| EP2903027A1 (de) * | 2014-01-30 | 2015-08-05 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | LED-Halbleiterbauelement |
| TWI553905B (zh) * | 2014-01-30 | 2016-10-11 | 艾澤太空太陽能公司 | Ｌｅｄ半導體組件 |
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