JP2000174336A - ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000174336A JP2000174336A JP34623898A JP34623898A JP2000174336A JP 2000174336 A JP2000174336 A JP 2000174336A JP 34623898 A JP34623898 A JP 34623898A JP 34623898 A JP34623898 A JP 34623898A JP 2000174336 A JP2000174336 A JP 2000174336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- gan
- emitting layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩｎＧａＮ発光層のみならず、Ｉｎ組成を含
むＧａＮ系材料からなる発光層を有するＧａＮ系発光素
子において、その製造過程において与えられる発光層の
劣化を低減し、発光特性、寿命特性に優れたＧａＮ系発
光素子を提供し、その製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｉｎ組成を含むＧａＮ系材料からなる発
光層を有するＧａＮ系半導体発光素子を形成するに際し
て、発光層（活性層など）Ｓ３の成長に続いて、Ｎ2 リ
ッチな雰囲気ガスのもとでＧａＮ系結晶層（ｐ型クラッ
ド層など）Ｓ４を発光層上に成長させ、発光層のＩｎ組
成へのダメージを低減する。
むＧａＮ系材料からなる発光層を有するＧａＮ系発光素
子において、その製造過程において与えられる発光層の
劣化を低減し、発光特性、寿命特性に優れたＧａＮ系発
光素子を提供し、その製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｉｎ組成を含むＧａＮ系材料からなる発
光層を有するＧａＮ系半導体発光素子を形成するに際し
て、発光層（活性層など）Ｓ３の成長に続いて、Ｎ2 リ
ッチな雰囲気ガスのもとでＧａＮ系結晶層（ｐ型クラッ
ド層など）Ｓ４を発光層上に成長させ、発光層のＩｎ組
成へのダメージを低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ系半導体発
光素子（以下、「ＧａＮ系発光素子」）の技術分野に属
する。なかでも、発光層の材料にＩｎを含む素子、およ
び、その製造方法に関するものである。
光素子（以下、「ＧａＮ系発光素子」）の技術分野に属
する。なかでも、発光層の材料にＩｎを含む素子、およ
び、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系発光素子は、ＧａＮ系材料を用
いた半導体発光素子であって、近年高輝度の発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）が実現されたのを機会に研究が活発に行
われており、半導体レーザーの室温連続発振の報告も聞
かれる様になっている。
いた半導体発光素子であって、近年高輝度の発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）が実現されたのを機会に研究が活発に行
われており、半導体レーザーの室温連続発振の報告も聞
かれる様になっている。
【０００３】ＧａＮ系発光素子の一般的な製造方法で
は、結晶基板としてサファイア結晶基板を用い、Ａｌ
Ｎ、ＧａＮなどの低温バッファ層を成長させ、その上に
続いて導電型の異なる種々のＧａＮ系結晶層（発光層を
含む）を成長させて行き、素子の積層構造を形成し、さ
らにｐ型、ｎ型の電極を形成するといった手順が用いら
れている。
は、結晶基板としてサファイア結晶基板を用い、Ａｌ
Ｎ、ＧａＮなどの低温バッファ層を成長させ、その上に
続いて導電型の異なる種々のＧａＮ系結晶層（発光層を
含む）を成長させて行き、素子の積層構造を形成し、さ
らにｐ型、ｎ型の電極を形成するといった手順が用いら
れている。
【０００４】ＧａＮ系発光素子のなかでも、緑色〜青色
の短い波長の発光が得られ、しかも高い発光効率が得ら
れるものとして、ＩｎＧａＮを発光層（活性層）の材料
として用いたものがある。特に、商品化された緑色・青
色発光素子では、発光層にＩｎＧａＮの量子井戸構造が
用いられている。ＩｎＧａＮ結晶中には、Ｉｎ組成の多
いところと少ないところが生じることが知られており、
膜厚３ｎｍ程度のＩｎＧａＮ井戸層においては、このＩ
ｎ組成の不均一な分布によって、Ｉｎ組成リッチな場所
が量子ドット的になり発光効率が向上していると解釈さ
れている。
の短い波長の発光が得られ、しかも高い発光効率が得ら
れるものとして、ＩｎＧａＮを発光層（活性層）の材料
として用いたものがある。特に、商品化された緑色・青
色発光素子では、発光層にＩｎＧａＮの量子井戸構造が
用いられている。ＩｎＧａＮ結晶中には、Ｉｎ組成の多
いところと少ないところが生じることが知られており、
膜厚３ｎｍ程度のＩｎＧａＮ井戸層においては、このＩ
ｎ組成の不均一な分布によって、Ｉｎ組成リッチな場所
が量子ドット的になり発光効率が向上していると解釈さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＩｎＧａＮ
は、熱力学的な問題から、ＧａＮやＡｌＧａＮの成長温
度である１０００℃付近では、Ｉｎを含む３元混晶とし
て成長させるのは難しく、Ｉｎ組成を含んだ結晶とする
ためにはこれよりも低温で成長させなければならない。
例えば、発光に係る構造として、ＩｎＧａＮ活性層を含
むダブルヘテロ接合構造を形成する場合、一般的には、
ＩｎＧａＮ活性層を７５０℃程度の低温で成長させ、そ
の後、成長温度を１０００℃程度に昇温し、ｐ−ＧａＮ
クラッド層やｐ−ＡｌＧａＮクラッド層を成長させてい
る。
は、熱力学的な問題から、ＧａＮやＡｌＧａＮの成長温
度である１０００℃付近では、Ｉｎを含む３元混晶とし
て成長させるのは難しく、Ｉｎ組成を含んだ結晶とする
ためにはこれよりも低温で成長させなければならない。
例えば、発光に係る構造として、ＩｎＧａＮ活性層を含
むダブルヘテロ接合構造を形成する場合、一般的には、
ＩｎＧａＮ活性層を７５０℃程度の低温で成長させ、そ
の後、成長温度を１０００℃程度に昇温し、ｐ−ＧａＮ
クラッド層やｐ−ＡｌＧａＮクラッド層を成長させてい
る。
【０００６】上記の様に、ＩｎＧａＮ発光層の次に、ク
ラッド層など他の結晶層を成長させるためには、いった
ん昇温しなければならず、その昇温時に、先に形成され
たＩｎＧａＮ発光層が再蒸発するなどして、発光層の結
晶性が劣化し、十分な発光特性が得られないという問題
があった。
ラッド層など他の結晶層を成長させるためには、いった
ん昇温しなければならず、その昇温時に、先に形成され
たＩｎＧａＮ発光層が再蒸発するなどして、発光層の結
晶性が劣化し、十分な発光特性が得られないという問題
があった。
【０００７】これに対し、特開平９−２６６３２６号公
報、特開平９−３１２４１６号公報、特開平９−６４４
１９号公報では、ＩｎＧａＮ発光層を保護する目的か
ら、ＩｎＧａＮ層の上に成長させるＡｌＧａＮ等の層
を、ＩｎＧａＮ発光層と同じ温度で成長させることや、
ＩｎＧａＮとＡｌＧａＮの中間的な成長温度で成長させ
て保護層とするなどの対策を述べている。しかし、これ
ら公報に記載の対策によっても、ＩｎＧａＮ発光層の劣
化は、未だ充分には解決されておらず、さらなる改善が
求められていた。
報、特開平９−３１２４１６号公報、特開平９−６４４
１９号公報では、ＩｎＧａＮ発光層を保護する目的か
ら、ＩｎＧａＮ層の上に成長させるＡｌＧａＮ等の層
を、ＩｎＧａＮ発光層と同じ温度で成長させることや、
ＩｎＧａＮとＡｌＧａＮの中間的な成長温度で成長させ
て保護層とするなどの対策を述べている。しかし、これ
ら公報に記載の対策によっても、ＩｎＧａＮ発光層の劣
化は、未だ充分には解決されておらず、さらなる改善が
求められていた。
【０００８】本発明の課題は、上記問題を解決し、Ｉｎ
ＧａＮ発光層のみならず、Ｉｎ組成を含むＧａＮ系材料
からなる発光層を有するＧａＮ系発光素子において、そ
の製造過程において与えられる発光層の劣化を低減し、
発光特性、寿命特性に優れたＧａＮ系発光素子を提供
し、その製造方法を提供することを目的とする。
ＧａＮ発光層のみならず、Ｉｎ組成を含むＧａＮ系材料
からなる発光層を有するＧａＮ系発光素子において、そ
の製造過程において与えられる発光層の劣化を低減し、
発光特性、寿命特性に優れたＧａＮ系発光素子を提供
し、その製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の特徴を
有するものである。 （１）Ｉｎ組成を含むＧａＮ系結晶からなる発光層を有
し、該発光層に続いて形成されているＧａＮ系結晶層
が、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのもとでの結晶成長によっ
て形成されたＧａＮ系結晶層であることを特徴とするＧ
ａＮ系半導体発光素子。
有するものである。 （１）Ｉｎ組成を含むＧａＮ系結晶からなる発光層を有
し、該発光層に続いて形成されているＧａＮ系結晶層
が、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのもとでの結晶成長によっ
て形成されたＧａＮ系結晶層であることを特徴とするＧ
ａＮ系半導体発光素子。
【００１０】（２）Ｎ2 リッチな雰囲気ガスが、窒素濃
度が５０（ｗ／ｗ％）以上の雰囲気ガスである上記
（１）記載のＧａＮ系半導体発光素子。
度が５０（ｗ／ｗ％）以上の雰囲気ガスである上記
（１）記載のＧａＮ系半導体発光素子。
【００１１】（３）発光層に続いて形成されているＧａ
Ｎ系結晶層が、発光層の成長温度と同じ温度での結晶成
長によって形成されたものである上記（１）記載のＧａ
Ｎ系半導体発光素子。
Ｎ系結晶層が、発光層の成長温度と同じ温度での結晶成
長によって形成されたものである上記（１）記載のＧａ
Ｎ系半導体発光素子。
【００１２】（４）Ｉｎ組成を含むＧａＮ系材料からな
る発光層を形成し、該発光層に続いて、Ｎ2 リッチな雰
囲気ガスのもとでＧａＮ系結晶層を発光層上に成長させ
る工程を有することを特徴とするＧａＮ系半導体発光素
子の製造方法。
る発光層を形成し、該発光層に続いて、Ｎ2 リッチな雰
囲気ガスのもとでＧａＮ系結晶層を発光層上に成長させ
る工程を有することを特徴とするＧａＮ系半導体発光素
子の製造方法。
【００１３】（５）Ｎ2 リッチな雰囲気ガスが、窒素濃
度が５０（ｗ／ｗ％）以上の雰囲気ガスである上記
（４）記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
度が５０（ｗ／ｗ％）以上の雰囲気ガスである上記
（４）記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【００１４】（６）発光層に続いて成長させるＧａＮ系
結晶層を、発光層の成長温度と同じ温度で成長させるも
のである上記（４）記載のＧａＮ系半導体発光素子の製
造方法。
結晶層を、発光層の成長温度と同じ温度で成長させるも
のである上記（４）記載のＧａＮ系半導体発光素子の製
造方法。
【００１５】本発明でいうＧａＮ系材料、ＧａＮ系結晶
とは、Ｉｎa Ｇａb Ａｌc Ｎ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦
１、０≦ｃ≦１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）で示される化合物半
導体材料およびその結晶である。
とは、Ｉｎa Ｇａb Ａｌc Ｎ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦
１、０≦ｃ≦１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）で示される化合物半
導体材料およびその結晶である。
【００１６】
【作用】本発明者等は、従来のＧａＮ系発光素子の製造
工程において、サファイア結晶基板上に成長し積層され
ていくＧａＮ系結晶層の成長条件を検討したところ、各
結晶層の薄膜成長には、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長
法）が用いられており、その結晶成長時にＨ2 リッチな
雰囲気ガスが用いられていることが、発光層の劣化の一
因となっていることを見いだした。
工程において、サファイア結晶基板上に成長し積層され
ていくＧａＮ系結晶層の成長条件を検討したところ、各
結晶層の薄膜成長には、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長
法）が用いられており、その結晶成長時にＨ2 リッチな
雰囲気ガスが用いられていることが、発光層の劣化の一
因となっていることを見いだした。
【００１７】Ｉｎ組成を含む発光層上に、ＧａＮクラッ
ド層など、他のＧａＮ系結晶層を成長させる場合に、Ｈ
2 リッチな雰囲気ガスを用いると、例えば、ＩｎＧａＮ
の場合では、〔ＩｎＧａＮ＋（３／２）Ｈ2 →Ｉｎ＋Ｇ
ａ＋ＮＨ3 〕の様に、先のＩｎＧａＮの分解が進み、発
光層の結晶性は低下する。
ド層など、他のＧａＮ系結晶層を成長させる場合に、Ｈ
2 リッチな雰囲気ガスを用いると、例えば、ＩｎＧａＮ
の場合では、〔ＩｎＧａＮ＋（３／２）Ｈ2 →Ｉｎ＋Ｇ
ａ＋ＮＨ3 〕の様に、先のＩｎＧａＮの分解が進み、発
光層の結晶性は低下する。
【００１８】これに対して、本発明では、発光層に続い
て成長させる結晶層（以下、「発光層の次の層」と呼ん
で説明する）を、Ｎ2 リッチな雰囲気下で成長させてい
るため、上記のようなＩｎＧａＮの分解が生じることが
抑制され、発光層の結晶性が低下するといった問題が低
減される。
て成長させる結晶層（以下、「発光層の次の層」と呼ん
で説明する）を、Ｎ2 リッチな雰囲気下で成長させてい
るため、上記のようなＩｎＧａＮの分解が生じることが
抑制され、発光層の結晶性が低下するといった問題が低
減される。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、簡単な構造のＧａＮ系発光
ダイオード（ＧａＮ系ＬＥＤ）を例として用い、本発明
の発光素子の構造を説明しながら同時に本発明の製造方
法を説明する。該素子は、図１に示すように、結晶基板
Ｂ１上に、バッファ層Ｂ２を介して、順に、ｎ型コンタ
クト層Ｓ１、ｎ型クラッド層Ｓ２、Ｉｎ組成を含むＧａ
Ｎ系結晶からなる発光層Ｓ３、ｐ型クラッド層Ｓ４、ｐ
型コンタクト層Ｓ５が結晶成長によって積み重ねられた
積層構造となっている。この素子では、ｐ型クラッド層
Ｓ４が、発光層の次の層である。さらに、この積層体
は、上面から一部が除去されて、ｎ型コンタクト層Ｓ１
が部分的に露出しており、その露出面にｎ型電極Ｐ２、
残った積層体の上面（ｐ型コンタクト層Ｓ５の上面）に
ｐ型電極Ｐ１が形成された構造となっている。
ダイオード（ＧａＮ系ＬＥＤ）を例として用い、本発明
の発光素子の構造を説明しながら同時に本発明の製造方
法を説明する。該素子は、図１に示すように、結晶基板
Ｂ１上に、バッファ層Ｂ２を介して、順に、ｎ型コンタ
クト層Ｓ１、ｎ型クラッド層Ｓ２、Ｉｎ組成を含むＧａ
Ｎ系結晶からなる発光層Ｓ３、ｐ型クラッド層Ｓ４、ｐ
型コンタクト層Ｓ５が結晶成長によって積み重ねられた
積層構造となっている。この素子では、ｐ型クラッド層
Ｓ４が、発光層の次の層である。さらに、この積層体
は、上面から一部が除去されて、ｎ型コンタクト層Ｓ１
が部分的に露出しており、その露出面にｎ型電極Ｐ２、
残った積層体の上面（ｐ型コンタクト層Ｓ５の上面）に
ｐ型電極Ｐ１が形成された構造となっている。
【００２０】ここでは、素子の構造を説明するために、
便宜上、結晶基板が下層側に位置しこれにＧａＮ系結晶
層が上方へ積み重ねられるものとして、素子の積層構造
に上下方向の区別を設け、「上層」「上面」「上方」な
どの語句を用いている。また、ｐ型、ｎ型の上下の位置
関係は限定されないが、結晶基板側（下層側）をｎ型と
する場合が一般的であり、下層側をｎ型とする態様で説
明する。これと関連して、電極の配置は、結晶基板に絶
縁体（例えば、サファイア結晶基板）を用いた態様で説
明しており、上記のようにｎ型コンタクト層を部分的に
露出させてｎ型電極を設けるという、一般的な電極の配
置となっている。しかし、ｐ型、ｎ型の上下が逆の態様
や、結晶基板が導電性を有するものである場合には、ベ
ース基板に電極を設ける態様なども自由に選択してよ
い。
便宜上、結晶基板が下層側に位置しこれにＧａＮ系結晶
層が上方へ積み重ねられるものとして、素子の積層構造
に上下方向の区別を設け、「上層」「上面」「上方」な
どの語句を用いている。また、ｐ型、ｎ型の上下の位置
関係は限定されないが、結晶基板側（下層側）をｎ型と
する場合が一般的であり、下層側をｎ型とする態様で説
明する。これと関連して、電極の配置は、結晶基板に絶
縁体（例えば、サファイア結晶基板）を用いた態様で説
明しており、上記のようにｎ型コンタクト層を部分的に
露出させてｎ型電極を設けるという、一般的な電極の配
置となっている。しかし、ｐ型、ｎ型の上下が逆の態様
や、結晶基板が導電性を有するものである場合には、ベ
ース基板に電極を設ける態様なども自由に選択してよ
い。
【００２１】結晶基板は、従来よりＧａＮ系結晶を成長
させる際に汎用されている、サファイア、水晶、ＳｉＣ
等を用いてもよい。特にＣ面サファイア基板が好まし
い。バッファ層は、結晶基板とＧａＮ系結晶との格子定
数の違いを緩和するための層であって、ＺｎＯ、ＭｇＯ
等を堆積させたものや、ＡｌＮ、ＧａＮなどのＧａＮ系
材料を低温成長させた、所謂、ＧａＮ系低温バッファ層
が挙げられる。
させる際に汎用されている、サファイア、水晶、ＳｉＣ
等を用いてもよい。特にＣ面サファイア基板が好まし
い。バッファ層は、結晶基板とＧａＮ系結晶との格子定
数の違いを緩和するための層であって、ＺｎＯ、ＭｇＯ
等を堆積させたものや、ＡｌＮ、ＧａＮなどのＧａＮ系
材料を低温成長させた、所謂、ＧａＮ系低温バッファ層
が挙げられる。
【００２２】各ＧａＮ系結晶層を低転位に成長させる方
法の１つとして、結晶成長させる基板面に部分的にマス
クを設けた状態で成長させる方法（Epitaxytial Latera
l Over Growth 、略してＥＬＯとも呼ばれる) を適用し
てもよい。この方法は、ＳｉＯ2 など、ＧａＮ系結晶が
成長し得ない材料を用い、結晶成長させるべき面に特定
のパターンでマスク層を形成し、該面上のマスク層に覆
われていない領域を成長の出発面としてＧａＮ系結晶が
マスク層を覆うまで成長させる方法である。このマスク
を用いる方法を、例えば、ｎ型コンタクト層Ｓ１の成長
時など、積層の下層の段階で適用し、それよりも上層側
の結晶を低転位化するのが好ましい。
法の１つとして、結晶成長させる基板面に部分的にマス
クを設けた状態で成長させる方法（Epitaxytial Latera
l Over Growth 、略してＥＬＯとも呼ばれる) を適用し
てもよい。この方法は、ＳｉＯ2 など、ＧａＮ系結晶が
成長し得ない材料を用い、結晶成長させるべき面に特定
のパターンでマスク層を形成し、該面上のマスク層に覆
われていない領域を成長の出発面としてＧａＮ系結晶が
マスク層を覆うまで成長させる方法である。このマスク
を用いる方法を、例えば、ｎ型コンタクト層Ｓ１の成長
時など、積層の下層の段階で適用し、それよりも上層側
の結晶を低転位化するのが好ましい。
【００２３】ｎ型コンタクト層は、ＧａＮ系材料で形成
すれば良いが、発光した光を吸収させないために発光層
から発せられる光のエネルギーよりも大きなバンドギャ
ップを持つ材料で構成することが望ましい。また良好な
オーミックコンタクトを取るためにＡｌの組成は小さい
方が望ましい。
すれば良いが、発光した光を吸収させないために発光層
から発せられる光のエネルギーよりも大きなバンドギャ
ップを持つ材料で構成することが望ましい。また良好な
オーミックコンタクトを取るためにＡｌの組成は小さい
方が望ましい。
【００２４】ｎ型コンタクト層とｎ型クラッド層とは、
同じ材料で形成してもよいが、ホールを好ましく閉じ込
めるために、ｎ型クラッド層を別途設けることが望まし
い。また、価電子帯側のヘテロ障壁を大きくできる点か
らはＡｌＧａＮで形成することが望ましい。
同じ材料で形成してもよいが、ホールを好ましく閉じ込
めるために、ｎ型クラッド層を別途設けることが望まし
い。また、価電子帯側のヘテロ障壁を大きくできる点か
らはＡｌＧａＮで形成することが望ましい。
【００２５】発光層の形態としては、単純なｐｎ接合で
発生する空乏層であってもよいが、Ｉｎ組成を含む発光
層を上層の成長環境から保護するという、本発明の製造
方法の特徴を顕著に示す態様としては、ダブルヘテロ接
合（ＤＨ）構造によってクラッド層に挟まれた活性層、
ＳＱＷ (Single Quantum Well)、ＭＱＷ (Multiple Qua
ntum Well)、量子ドット、多重量子ドットなどの構造が
挙げられる。通常のＤＨ構造とする場合は、活性層（発
光層）は５０ｎｍ程度の厚さに設定すればよい。
発生する空乏層であってもよいが、Ｉｎ組成を含む発光
層を上層の成長環境から保護するという、本発明の製造
方法の特徴を顕著に示す態様としては、ダブルヘテロ接
合（ＤＨ）構造によってクラッド層に挟まれた活性層、
ＳＱＷ (Single Quantum Well)、ＭＱＷ (Multiple Qua
ntum Well)、量子ドット、多重量子ドットなどの構造が
挙げられる。通常のＤＨ構造とする場合は、活性層（発
光層）は５０ｎｍ程度の厚さに設定すればよい。
【００２６】発光層は、ＧａＮ系材料のなかでもＩｎ組
成を必須に含む材料、即ち、ＩｎxＧａy Ａｌz Ｎ（０
＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
で示される化合物半導体材料が、少なくとも発光する部
分に用いられたものであればよい。例えば、ＤＨ構造の
活性層のように発光層全体がＩｎx Ｇａy Ａｌz Ｎから
なる層である態様だけでなく、量子井戸構造や量子ドッ
ト構造において（ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ）とした
態様のように、極めて微小な部位だけに上記Ｉｎx Ｇａ
y Ａｌz Ｎが用いられた態様でもよい。また、ＩｎＧａ
Ｎウエル層を１つだけ含むようなＭＱＷ構造であって
も、このＭＱＷ構造全体が、本発明でいう「Ｉｎ組成を
含むＧａＮ系結晶からなる発光層」である。
成を必須に含む材料、即ち、ＩｎxＧａy Ａｌz Ｎ（０
＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
で示される化合物半導体材料が、少なくとも発光する部
分に用いられたものであればよい。例えば、ＤＨ構造の
活性層のように発光層全体がＩｎx Ｇａy Ａｌz Ｎから
なる層である態様だけでなく、量子井戸構造や量子ドッ
ト構造において（ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ＧａＮ）とした
態様のように、極めて微小な部位だけに上記Ｉｎx Ｇａ
y Ａｌz Ｎが用いられた態様でもよい。また、ＩｎＧａ
Ｎウエル層を１つだけ含むようなＭＱＷ構造であって
も、このＭＱＷ構造全体が、本発明でいう「Ｉｎ組成を
含むＧａＮ系結晶からなる発光層」である。
【００２７】発光波長を、４２０ｎｍ〜５５０ｎｍ付近
の長い波長の光とする場合には、Ｉｎ組成を大きくする
ことになるが、そのためには、発光層の成長温度を下げ
る必要がある。逆に、Ｉｎ組成を少量として、発光波長
を、３５０ｎｍ〜４２０ｎｍ付近の短い長い波長とする
場合には、成長温度を高くすることができ、発光層の次
の層の最適成長温度との差が少なくて済む。従って、発
光層の結晶性低下をより効果的に抑制できるのは、発光
層のＩｎ組成が少ない青紫色〜紫外線発光素子の場合で
ある。
の長い波長の光とする場合には、Ｉｎ組成を大きくする
ことになるが、そのためには、発光層の成長温度を下げ
る必要がある。逆に、Ｉｎ組成を少量として、発光波長
を、３５０ｎｍ〜４２０ｎｍ付近の短い長い波長とする
場合には、成長温度を高くすることができ、発光層の次
の層の最適成長温度との差が少なくて済む。従って、発
光層の結晶性低下をより効果的に抑制できるのは、発光
層のＩｎ組成が少ない青紫色〜紫外線発光素子の場合で
ある。
【００２８】発光層の形態によって、また、他の機能層
を付与する態様などによって異なるが、発光層の次の層
としては、クラッド層、コンタクト層、ＧａＮ系材料か
らなる反射層、電流狭窄構造などが挙げられ、特にクラ
ッド層が代表的である。発光層の次の層は、ＧａＮ系材
料で形成すればよいが、発光層から発せられた光を吸収
しない点、キャリアの閉じ込めが十分に行える点で、発
光層の光のエネルギーよりも大きなバンドギャップを持
つ材料、例えば、ＡｌＧａＮなどで構成することが望ま
しい。
を付与する態様などによって異なるが、発光層の次の層
としては、クラッド層、コンタクト層、ＧａＮ系材料か
らなる反射層、電流狭窄構造などが挙げられ、特にクラ
ッド層が代表的である。発光層の次の層は、ＧａＮ系材
料で形成すればよいが、発光層から発せられた光を吸収
しない点、キャリアの閉じ込めが十分に行える点で、発
光層の光のエネルギーよりも大きなバンドギャップを持
つ材料、例えば、ＡｌＧａＮなどで構成することが望ま
しい。
【００２９】上記作用の説明で述べたように、本発明で
は、発光層の次の層の成長中に先に成長した発光層が分
解されないように、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのもとで成
長を行う。この雰囲気ガスの条件が有用となる結晶成長
方法は、気相成長法、特に、ＭＯＣＶＤである。ここで
いう、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスとは、発光層の次の層の
成長時の全ガス流量〔単位はＳＬＭ、０℃、１atm 〕に
占める、Ｎ2 ガスの流量〔ＳＬＭ〕の体積の割合が５０
〔ｗ／ｗ％；容量パーセント〕以上の状態である。例え
ば、Ｎ2 ガスが１０ＳＬＭ、Ｈ2 が５ＳＬＭ、ＮＨ3 が
５ＳＬＭの時、Ｎ2 ガスは５０％であり、これよりもＮ
2 ガスの占める割合が多ければよい。発光層の劣化を抑
制するのにより好ましいのは、Ｎ2 ガスの占める割合が
７０％以上の場合である。
は、発光層の次の層の成長中に先に成長した発光層が分
解されないように、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのもとで成
長を行う。この雰囲気ガスの条件が有用となる結晶成長
方法は、気相成長法、特に、ＭＯＣＶＤである。ここで
いう、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスとは、発光層の次の層の
成長時の全ガス流量〔単位はＳＬＭ、０℃、１atm 〕に
占める、Ｎ2 ガスの流量〔ＳＬＭ〕の体積の割合が５０
〔ｗ／ｗ％；容量パーセント〕以上の状態である。例え
ば、Ｎ2 ガスが１０ＳＬＭ、Ｈ2 が５ＳＬＭ、ＮＨ3 が
５ＳＬＭの時、Ｎ2 ガスは５０％であり、これよりもＮ
2 ガスの占める割合が多ければよい。発光層の劣化を抑
制するのにより好ましいのは、Ｎ2 ガスの占める割合が
７０％以上の場合である。
【００３０】本発明では、既に形成された発光層の結晶
性を保護すべく、発光層の次の層の成長雰囲気に着目し
ているが、発光層自体も、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのも
とで成長を行なってもよい。
性を保護すべく、発光層の次の層の成長雰囲気に着目し
ているが、発光層自体も、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのも
とで成長を行なってもよい。
【００３１】また、発光層の結晶性を保護するために、
発光層の次の層を、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのもとで成
長を行うと同時に、その成長温度を、発光層と同じ温度
で成長させるのも好ましい態様である。これによって、
発光層成長後の昇温がないため、発光層が熱的に劣化す
ることがなく、発光効率が低下しない。
発光層の次の層を、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのもとで成
長を行うと同時に、その成長温度を、発光層と同じ温度
で成長させるのも好ましい態様である。これによって、
発光層成長後の昇温がないため、発光層が熱的に劣化す
ることがなく、発光効率が低下しない。
【００３２】ＩｎＧａＮの成長温度は６００℃〜９００
℃であって、作製する構造、組成によって最適温度は変
化するが、適宜選択すればよい。例えば、厚さ５０ｎｍ
のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層を擁するＤＨ構造を作製す
る場合、活性層の成長温度は８２０℃程度に設定すれば
よい。これに対して、ｐ型ＧａＮクラッド層を同じ８２
０℃で成長させる。
℃であって、作製する構造、組成によって最適温度は変
化するが、適宜選択すればよい。例えば、厚さ５０ｎｍ
のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ活性層を擁するＤＨ構造を作製す
る場合、活性層の成長温度は８２０℃程度に設定すれば
よい。これに対して、ｐ型ＧａＮクラッド層を同じ８２
０℃で成長させる。
【００３３】発光層の次の層の材料であるＧａＮ、Ａｌ
ＧａＮの最適な成長温度は１０００℃程度である。その
ために、発光層の次の層を、発光層の成長温度で成長さ
せると、発光層の次の層の結晶性がやや低下するが、重
要な発光層の劣化が軽減されているので、発光素子全体
としては発光特性が向上していることになる。
ＧａＮの最適な成長温度は１０００℃程度である。その
ために、発光層の次の層を、発光層の成長温度で成長さ
せると、発光層の次の層の結晶性がやや低下するが、重
要な発光層の劣化が軽減されているので、発光素子全体
としては発光特性が向上していることになる。
【００３４】またさらに、成長温度を同一にすることに
よって、昇温するために必要であった成長中断をなくす
事が可能になる。成長中断をなくす事で、結晶性の低下
がより抑制される。成長中断は、発光層の完成後、Ｇａ
Ｎ、ＡｌＧａＮの最適な成長温度とするために、原料供
給をいったん止めて、温度だけを上昇させることであ
る。また、発光層の完成後、成長中断をせずに、そのま
ま次の層を成長させながら同時に昇温させていくと、発
光層に対する保護効果が増すので好ましい。
よって、昇温するために必要であった成長中断をなくす
事が可能になる。成長中断をなくす事で、結晶性の低下
がより抑制される。成長中断は、発光層の完成後、Ｇａ
Ｎ、ＡｌＧａＮの最適な成長温度とするために、原料供
給をいったん止めて、温度だけを上昇させることであ
る。また、発光層の完成後、成長中断をせずに、そのま
ま次の層を成長させながら同時に昇温させていくと、発
光層に対する保護効果が増すので好ましい。
【００３５】発光層上に形成するｐ型層には一般にＭｇ
をドーピングする。通常の方法のように発光層よりも高
い成長温度でこのｐ型層を形成した場合には、Ｍｇが発
光層へ拡散し発光効率を低下させるといった問題があっ
たが、本発明のように発光層の成長温度と同一温度で形
成すれば上述のＭｇの拡散が抑えられるため発光効率が
低下せず特性の良いものが出来る。
をドーピングする。通常の方法のように発光層よりも高
い成長温度でこのｐ型層を形成した場合には、Ｍｇが発
光層へ拡散し発光効率を低下させるといった問題があっ
たが、本発明のように発光層の成長温度と同一温度で形
成すれば上述のＭｇの拡散が抑えられるため発光効率が
低下せず特性の良いものが出来る。
【００３６】クラッド層の上にさらにコンタクト層を設
ける場合、該コンタクト層の材料は、発光層から発せら
れる光を吸収しない点で、ＡｌＧａＮが望ましいが、コ
ンタクト抵抗が低くできる点ではＧａＮの方が望まし
い。コンタクト層の成長温度は通常用いられる１０００
℃程度の高温でも良いが、発光層の保護の観点からは、
成長温度は発光層と同じにしてもよい。
ける場合、該コンタクト層の材料は、発光層から発せら
れる光を吸収しない点で、ＡｌＧａＮが望ましいが、コ
ンタクト抵抗が低くできる点ではＧａＮの方が望まし
い。コンタクト層の成長温度は通常用いられる１０００
℃程度の高温でも良いが、発光層の保護の観点からは、
成長温度は発光層と同じにしてもよい。
【００３７】
【実施例】実施例１ 本実施例では、図１に示すＧａＮ系ＬＥＤを実際に製作
し、発光層の次の層であるｐ型クラッド層の成長を、Ｎ
2 リッチな雰囲気ガスのもとで行った。発光層は、Ｉｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層とＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎウェル層
とからなるＳＱＷ構造とした。 〔結晶基板、バッファ層、ｎ型コンタクト層〕図１に示
すサファイアＣ面基板Ｂ１を、ＭＯＣＶＤ装置内に配置
し、雰囲気ガスを水素として、１１００℃まで昇温し、
サーマルエッチングを行った。その後温度を５００℃ま
で下げＡｌ原料としてトリメチルアルミニウム（以下Ｔ
ＭＡ）、Ｎ原料としてアンモニアを流し、ＡｌＮ低温バ
ッファ層Ｂ２を成長した。続いて、温度を１０００℃に
昇温しＧａ原料としてトリメチルガリウム（以下ＴＭ
Ｇ）を、Ｎ原料としてアンモニアを流しＧａＮ層を３μ
ｍ成長し、ｎ型ＧａＮコンタクト層Ｓ１とした。
し、発光層の次の層であるｐ型クラッド層の成長を、Ｎ
2 リッチな雰囲気ガスのもとで行った。発光層は、Ｉｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層とＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎウェル層
とからなるＳＱＷ構造とした。 〔結晶基板、バッファ層、ｎ型コンタクト層〕図１に示
すサファイアＣ面基板Ｂ１を、ＭＯＣＶＤ装置内に配置
し、雰囲気ガスを水素として、１１００℃まで昇温し、
サーマルエッチングを行った。その後温度を５００℃ま
で下げＡｌ原料としてトリメチルアルミニウム（以下Ｔ
ＭＡ）、Ｎ原料としてアンモニアを流し、ＡｌＮ低温バ
ッファ層Ｂ２を成長した。続いて、温度を１０００℃に
昇温しＧａ原料としてトリメチルガリウム（以下ＴＭ
Ｇ）を、Ｎ原料としてアンモニアを流しＧａＮ層を３μ
ｍ成長し、ｎ型ＧａＮコンタクト層Ｓ１とした。
【００３８】〔ｎ型クラッド層〕雰囲気ガスを水素とし
たまま、ＴＭＡ、ＴＭＧ、アンモニア及びドーパント原
料としてシランを流し、厚さ０．１μｍのｎ型Ａｌ0.2
Ｇａ0.8 Ｎクラッド層Ｓ２を成長させた。
たまま、ＴＭＡ、ＴＭＧ、アンモニア及びドーパント原
料としてシランを流し、厚さ０．１μｍのｎ型Ａｌ0.2
Ｇａ0.8 Ｎクラッド層Ｓ２を成長させた。
【００３９】〔発光層（ＳＱＷ構造）〕成長雰囲気ガス
を水素から、窒素２０ＳＬＭ、アンモニア５ＳＬＭで、
窒素８０ｗ／ｗ％のＮ2 リッチな雰囲気ガスに変え、８
００℃まで成長温度を下げた。８００℃に安定した後、
Ｉｎ原料としてのトリメチルインジュウム（以下ＴＭ
Ｉ）とＴＭＧ、アンモニアを流し、ＳＱＷ構造における
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層（厚さ６ｎｍ）を形成し
た。原料供給量を変え、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎウェル層
（厚さ３ｎｍ）を形成した。更に原料供給量を変え、Ｉ
ｎ0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層（厚さ６ｎｍ）を成長した。
これによって、ＳＱＷ構造の発光層Ｓ３を得た。なお、
このときのＴＭＧ、ＴＭＩのバブリングは窒素で行っ
た。
を水素から、窒素２０ＳＬＭ、アンモニア５ＳＬＭで、
窒素８０ｗ／ｗ％のＮ2 リッチな雰囲気ガスに変え、８
００℃まで成長温度を下げた。８００℃に安定した後、
Ｉｎ原料としてのトリメチルインジュウム（以下ＴＭ
Ｉ）とＴＭＧ、アンモニアを流し、ＳＱＷ構造における
Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層（厚さ６ｎｍ）を形成し
た。原料供給量を変え、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎウェル層
（厚さ３ｎｍ）を形成した。更に原料供給量を変え、Ｉ
ｎ0.05Ｇａ0.95Ｎバリア層（厚さ６ｎｍ）を成長した。
これによって、ＳＱＷ構造の発光層Ｓ３を得た。なお、
このときのＴＭＧ、ＴＭＩのバブリングは窒素で行っ
た。
【００４０】〔ｐ型クラッド層〕前記の窒素雰囲気のま
ま温度を１０００℃に昇温した後、雰囲気ガスを、窒素
１５ＳＬＭ、水素１ＳＬＭ、アンモニア４ＳＬＭで、窒
素７５ｗ／ｗ％のＮ2 リッチな雰囲気に変え、ＴＭＧ、
ＴＭＡ、アンモニア及びドーパント原料としてビスシク
ロペンタジエニルマグネシウム（以下Ｃｐ２Ｍｇ）を流
し、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8 Ｎクラッド層Ｓ４を厚さ０．
１μｍ成長させた。
ま温度を１０００℃に昇温した後、雰囲気ガスを、窒素
１５ＳＬＭ、水素１ＳＬＭ、アンモニア４ＳＬＭで、窒
素７５ｗ／ｗ％のＮ2 リッチな雰囲気に変え、ＴＭＧ、
ＴＭＡ、アンモニア及びドーパント原料としてビスシク
ロペンタジエニルマグネシウム（以下Ｃｐ２Ｍｇ）を流
し、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8 Ｎクラッド層Ｓ４を厚さ０．
１μｍ成長させた。
【００４１】〔ｐ型コンタクト層〕前記のＮ2 リッチな
雰囲気のまま、ＴＭＧ、アンモニア及びドーパント原料
としてビスシクロペンタジエニルマグネシウム（以下Ｃ
ｐ２Ｍｇ）を流し、ｐ型ＧａＮコンタクト層を厚さ０．
４μｍ成長させた。成長後、雰囲気を窒素１００％に変
え室温までゆっくり冷却した。
雰囲気のまま、ＴＭＧ、アンモニア及びドーパント原料
としてビスシクロペンタジエニルマグネシウム（以下Ｃ
ｐ２Ｍｇ）を流し、ｐ型ＧａＮコンタクト層を厚さ０．
４μｍ成長させた。成長後、雰囲気を窒素１００％に変
え室温までゆっくり冷却した。
【００４２】このようにして得られた積層体を、上面か
ら部分的にドライエッチングし、ｎ型コンタクト層Ｓ１
層の一部を露出させ、その露出面にｎ型電極を形成し、
続いてｐ型コンタクト層上面にｐ型電極を形成し、Ｇａ
Ｎ系ＬＥＤを完成させた。この発光素子をＴｏ−１８ス
テム台にマウントし、発光出力の測定を行ったところ、
２０ｍＡで３ｍＷであった。
ら部分的にドライエッチングし、ｎ型コンタクト層Ｓ１
層の一部を露出させ、その露出面にｎ型電極を形成し、
続いてｐ型コンタクト層上面にｐ型電極を形成し、Ｇａ
Ｎ系ＬＥＤを完成させた。この発光素子をＴｏ−１８ス
テム台にマウントし、発光出力の測定を行ったところ、
２０ｍＡで３ｍＷであった。
【００４３】比較例１ 上記実施例１では、ｐ型クラッド層を、１０００℃、Ｎ
2 リッチな雰囲気ガスのもとで成長させた。これに対し
て、本比較例では、ｐ型クラッド層を、１０００℃、Ｈ
2 雰囲気下で成長させた。成長工程は、発光層の成長
後、１０００℃に昇温し、ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラ
ッド層を、水素１０ＳＬＭ、ＮＨ3 １０ＳＬＭの雰囲気
下で成長させたこと以外は、実施例１と同様に素子を形
成した。この発光素子をＴｏ−１８ステム台にマウント
し、発光出力の測定を行ったとことろ、２０ｍＡで０．
１ｍＷの出力しか得られなかった。この素子の層構造を
透過電子顕微鏡で観察したところ、ＳＱＷ発光層がエッ
チングされ、設計した厚みより薄くなっていることが確
認された。
2 リッチな雰囲気ガスのもとで成長させた。これに対し
て、本比較例では、ｐ型クラッド層を、１０００℃、Ｈ
2 雰囲気下で成長させた。成長工程は、発光層の成長
後、１０００℃に昇温し、ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎクラ
ッド層を、水素１０ＳＬＭ、ＮＨ3 １０ＳＬＭの雰囲気
下で成長させたこと以外は、実施例１と同様に素子を形
成した。この発光素子をＴｏ−１８ステム台にマウント
し、発光出力の測定を行ったとことろ、２０ｍＡで０．
１ｍＷの出力しか得られなかった。この素子の層構造を
透過電子顕微鏡で観察したところ、ＳＱＷ発光層がエッ
チングされ、設計した厚みより薄くなっていることが確
認された。
【００４４】比較例２ 本比較例では、発光層の成長後、温度はそのままで、ｐ
型クラッド層を、水素１０ＳＬＭ、ＮＨ3 １０ＳＬＭの
雰囲気ガスのもとで成長させたこと以外は、実施例１と
同様に素子を形成した。この発光素子をＴｏ−１８ステ
ム台にマウントし、光度の測定を行ったところ、２０ｍ
Ａで０．２ｍＷのものしか得られなかった。原因を調査
したところ、ｐ型クラッド層から発光層へのＭｇの拡散
が観察された。クラッド層成長中に発光層表面が水素に
よりダメージを受けたことが原因と考えられる。
型クラッド層を、水素１０ＳＬＭ、ＮＨ3 １０ＳＬＭの
雰囲気ガスのもとで成長させたこと以外は、実施例１と
同様に素子を形成した。この発光素子をＴｏ−１８ステ
ム台にマウントし、光度の測定を行ったところ、２０ｍ
Ａで０．２ｍＷのものしか得られなかった。原因を調査
したところ、ｐ型クラッド層から発光層へのＭｇの拡散
が観察された。クラッド層成長中に発光層表面が水素に
よりダメージを受けたことが原因と考えられる。
【００４５】実施例２ 本発明では、発光層の成長後、成長温度を昇温せずにそ
のままの温度で、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層を
成長させたこと以外は、実施例１と同様に素子を形成し
た。このサンプルの特性を測ったところ２０ｍＡで３ｍ
Ｗであった。
のままの温度で、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層を
成長させたこと以外は、実施例１と同様に素子を形成し
た。このサンプルの特性を測ったところ２０ｍＡで３ｍ
Ｗであった。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって、
水素雰囲気によるエッチングや昇温による発光層の劣化
を抑えることができ、発光・寿命特性に優れたＧａＮ系
発光素子を提供できるようになった。
水素雰囲気によるエッチングや昇温による発光層の劣化
を抑えることができ、発光・寿命特性に優れたＧａＮ系
発光素子を提供できるようになった。
【図１】本発明のＧａＮ系発光素子の構造例を示す図で
ある。
ある。
Ｓ３ 発光層 Ｓ４ 発光層に続いて形成されているＧａＮ系結晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湖東 雅弘 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 只友 一行 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 Ｆターム(参考） 5F041 AA11 CA04 CA05 CA34 CA40 CA46 CA65 CA67
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｉｎ組成を含むＧａＮ系結晶からなる発
光層を有し、該発光層に続いて形成されているＧａＮ系
結晶層が、Ｎ2 リッチな雰囲気ガスのもとでの結晶成長
によって形成されたＧａＮ系結晶層であることを特徴と
するＧａＮ系半導体発光素子。 - 【請求項２】 Ｎ2 リッチな雰囲気ガスが、窒素濃度が
５０（ｗ／ｗ％）以上の雰囲気ガスである請求項１記載
のＧａＮ系半導体発光素子。 - 【請求項３】 発光層に続いて形成されているＧａＮ系
結晶層が、発光層の成長温度と同じ温度での結晶成長に
よって形成されたものである請求項１記載のＧａＮ系半
導体発光素子。 - 【請求項４】 Ｉｎ組成を含むＧａＮ系材料からなる発
光層を形成し、該発光層に続いて、Ｎ2 リッチな雰囲気
ガスのもとでＧａＮ系結晶層を発光層上に成長させる工
程を有することを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子の
製造方法。 - 【請求項５】 Ｎ2 リッチな雰囲気ガスが、窒素濃度が
５０（ｗ／ｗ％）以上の雰囲気ガスである請求項４記載
のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 発光層に続いて成長させるＧａＮ系結晶
層を、発光層の成長温度と同じ温度で成長させるもので
ある請求項４記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34623898A JP2000174336A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34623898A JP2000174336A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174336A true JP2000174336A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18382057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34623898A Pending JP2000174336A (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000174336A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007105832A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor substrate, electronic device, optical device, and production methods therefor |
| JP2009026865A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-12-04 JP JP34623898A patent/JP2000174336A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007105832A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor substrate, electronic device, optical device, and production methods therefor |
| US8084281B2 (en) | 2006-03-16 | 2011-12-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor substrate, electronic device, optical device, and production methods therefor |
| JP2009026865A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1116282B1 (en) | VERTICAL GEOMETRY InGaN LED | |
| JP3688843B2 (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
| EP2383846B1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| EP2164115A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor | |
| US7485902B2 (en) | Nitride-based semiconductor light-emitting device | |
| JP2002231997A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| JP3292083B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP3660446B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2007184353A (ja) | 窒化物系化合物半導体素子の製造方法、および、窒化物系化合物半導体素子 | |
| JP2001203385A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
| JP3561105B2 (ja) | ｐ型半導体膜および半導体素子 | |
| JP3773713B2 (ja) | 量子箱の形成方法 | |
| JP2003023179A (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置およびその作製方法 | |
| JPH11191639A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP4423969B2 (ja) | 窒化物半導体積層基板およびそれを用いた窒化物半導体デバイス、窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3763701B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子 | |
| JPH10290047A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP4200115B2 (ja) | カーボンドープ半導体膜、半導体素子、及びこれらの製造方法 | |
| JPH11224972A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP2002208732A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JP2001024223A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
| JP3543628B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2006032739A (ja) | 発光素子 | |
| JP2000174336A (ja) | ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2007019526A (ja) | 窒化物半導体素子の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040603 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040824 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050405 |