JP3703927B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子に関し、特に、スクイーズド光の光源などに用いられるTJS型半導体レーザ素子に好適である。
【0002】
【従来の技術】
スクイーズド光を発生させる半導体レーザとしてTJS(Transverse Junction Stripe)型半導体レーザが知られている。図1は代表的なTJS型半導体レーザの構造斜視図である。
【0003】
TJS型半導体レーザは、半絶縁性GaAs基板1に低濃度Siドープn型AlxGa1-xAs下部クラッド層2、高濃度Siドープn型GaAs活性層3と、高濃度Siドープn型AlxGa1-xAs上部クラッド層4と、高濃度Siドープn型GaAsキャップ層5をMOCVD(有機金属気相成長)法により順次成長させる事により形成する。ここで、MOCVD法は、各成長層及びドーピング源の原料ガスを基板を納めた反応炉内に導入して、基板表面で熱分解させることにより、所望の成長層を形成させる方法である。
【0004】
次に、p型不純物であるZnを選択熱拡散することにより、各層の一部にp+領域10を形成する。Znが拡散されなかった領域はn領域11として残る。さらに、900℃程度の高温で2時間程度熱処理することにより、p+領域10とn領域11との間に幅約2μmのp領域9を形成する。この結果、各層の面方向にはp+−p−n接合が形成される。
【0005】
キャップ層5のp領域9部分はエッチングにより除去されて、キャップ層5はp+領域10とn領域11部分に分離される。このn領域11上にn電極6、p+領域10上にp電極7がそれぞれ設けられる。
【0006】
n電極6−p電極7間に電圧を印加すると、活性層3内のp領域9にあたるp型活性領域8よりスクイーズド・レーザ光が出射される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
スクイーズド光を発生させる半導体レーザには、低いしきい値電流と高い発光効率が要求される。しかし、従来のTJS型半導体レーザでは、しきい値電流を低くすると同時に発光効率を高めることが困難だった。これは、以下の理由による。
【0008】
TJS型半導体レーザでは、p領域9を形成するために前述したような高温熱処理を行っている。この熱処理中に上下の各クラッド層2、4内に含まれるAlと活性層3内のGaが互いに相手側の層に混ざり合うGa−Alの相互拡散が生じていた。この相互拡散はキャリア濃度を高くする必要がある上部クラッド層4と活性層3間で特に顕著である。活性層3と上下の各クラッド層2、4界面部分での組成分布は、本来急峻であることが望ましいが、この相互拡散によって分布がなだらかになるため、活性層でのキャリア及び光の閉じ込め効果が弱くなり、しきい値電流の上昇、発光効率の低下、発光波長の短波長化などが起こって、レーザ特性が悪化していた。
【0009】
本発明は、しきい値電流が低く、発光効率の高いTJS型半導体レーザ素子を提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ダブルヘテロ構造の活性層を有する半導体レーザ素子において、半絶縁性GaAs基板上に、AlxGa1-xAs下部クラッド層と、GaAs活性層と、AlxGa1-xAs上部クラッド層と、GaAsキャップ層とを有しており、n型キャリアとしてSi、p型キャリアとしてZnが用いられており、前記基板上の各層はMOCVD法により形成され、上部クラッド層は供給ガス中のV/III比が78を越える条件下で形成されていることを特徴とする。
【0011】
これにより、上部クラッド層内のSi濃度が低下して、上部クラッド層と活性層間のAl−Gaの相互拡散が低下する。
【0012】
また、半導体レーザ素子は、活性層の面方向にp+−p−n接合を有し、活性層内のp領域から発光するTJS型であってもよい。他の半導体レーザ素子に比べて特に発生しやすいTJS型のAl−Gaの相互拡散が低下する。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の一実施形態について説明する。ここでは、x=0.42の場合について説明する。
【0014】
本実施形態のTJS型半導体レーザ素子の構造は、図1に示す構造とほぼ同一である。すなわち、半絶縁性GaAs基板1に低濃度Siドープn型Al0.42Ga0.58As下部クラッド層2、高濃度Siドープn型GaAs活性層3と、高濃度Siドープn型Al0.42Ga0.58As上部クラッド層4と、高濃度Siドープn型GaAsキャップ層5がMOCVD法により順次成長させる事により形成されている。上部クラッド層4を形成する際には78を超えるV/III比が用いられる(V/III比については後述する)。各層の一部には、p型不純物であるZnが選択熱拡散されて、p+領域10が形成されている。p+領域10とn領域11との間には、幅約2μmのp領域9が前述の高温熱処理により形成されている。したがって、各層の面方向にはp+−p−n接合が形成されている。
【0015】
キャップ層5のp領域9部分はエッチングにより除去されて、キャップ層5はp+領域10とn領域11部分に分離されており、このn領域11上にn電極6、p+領域10上にp電極7がそれぞれ設けられている。
【0016】
ここで、V/III比とは、MOCVD法において成長層の原料ガスとして供給するガス中のAsなどのV族元素とGa、AlなどのIII族元素の供給比であり、次式で示される。
【0017】
V/III比=FAsH3/(FTMG+FTMA)
ここで、FAsH3、FTMG、FTMAはそれぞれAs、Ga、Alのそれぞれの原料ガスであるAsH3(アルシン)、TMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)の体積流量を示している。
【0018】
一般に、成長層形成時のV/III比を変化させると、成長層内部のノンドープ時の不純物濃度が変化する。ノンドープのGaAs及びAl0.42Ga0.58Asの場合は、V/III比増加により、p型キャリア濃度が減少する。図2は、このノンドープのGaAs及びAl0.42Ga0.58AsのV/III比とp型キャリア濃度の関係を示している。レーザ素子の場合は、ノンドープのキャリア濃度はできるだけ小さいことが望ましい。従来は、GaAsを成長する場合に4×1014cm-3という低いキャリア濃度が得られるV/III比として78が用いられていた。一方、Al0.42Ga0.58Asの場合は、このV/III比ではキャリア濃度が2×1017cm-3に達するが、V/III比を大きくするためには、AsH3の流量を増加させるか、TMG、TMAの流量を減らす必要がある。前者は流量増大によりコストが増加し、後者は成長時間が増加する。このため、従来はAl0.42Ga0.58Asを成長させる際も、GaAsを成長させる時と同様のV/III比である78が用いられてきた。
【0019】
本実施形態では、上部クラッド層4形成時のV/III比を従来の78より大きくしている。上部クラッド層4は、n型領域のキャリア濃度が高濃度(例えば、1×1017cm-3)となるように、Siをドーピングする必要がある。V/III比を高くすると、前述のようにノンドープのp型キャリア濃度が低下するため、n型キャリア濃度を確保するために注入するSiの絶対量が少なくてすみ、Si濃度が低くなる。図3は、各V/III比に対してn型キャリア濃度を1×1017cm-3とするのに必要なSi濃度を示したものである。V/III比を増加させると必要なSi濃度が低くなる事が分かる。
【0020】
上部クラッド層4と拡散層3間のAl−Gaの相互拡散は、上部クラッド層4中のSi濃度と関係し、特にAlの拡散係数はSi濃度の3乗に比例する。本実施形態では、上部クラッド層4の形成時に大きなV/III比を採用しているため、Si濃度を低く抑える事ができ、結果として、Al−Gaの相互拡散も起こりにくくなる。したがって、しきい値電流の上昇や発光効率の低下を防ぐことができる。
【0021】
本発明者は、活性層厚さとクラッド層成長時のV/III比が異なる複数のTJS型半導体レーザ素子を作成し、レーザ特性の違いを調べた。以下、この調査結果について述べる。
【0022】
レーザ素子の構造は図1と同様であり、その詳細を図4に示す。それぞれのレーザ素子は、活性層厚さとクラッド層成長時のV/III比を除いて同じように形成されている。これらのレーザ素子は、下部クラッド層2が厚さ1.5μm、キャリア濃度1×1016cm-3、活性層3が厚さ0.05〜0.2μm、キャリア濃度2×1018cm-3、上部クラッド層4が厚さ1.5μm、キャリア濃度1×1017cm-3、キャップ層5が厚さ1.0μm、キャリア濃度2×1018cm-3となっている。共振器長はいずれも250μmである。上部クラッド層4形成時のV/III比としては、従来例の78と、この2倍に当たる156、約6倍にあたる472の3種類を用い、活性層の厚さの異なる計9種類の試料について調べた。9種類の試料のV/III比と活性層厚さの組み合わせを表2に示す。
【0023】
図6は、それぞれの試料のしきい値電流を比較したものである。理想的な状態では、TJS型半導体レーザのしきい値電流は活性層が薄くなるのに従って減少する。しかし、図6に示すように実際には活性層が薄くなると、しきい値電流は再び増加している。これは、活性層が薄くなるほど、Ga−Al相互拡散による影響が大きく現れるためである。V/III比が78の時は、しきい値電流が最小となるのは、活性層厚さ0.15μmのときであり、しきい値電流は19.4mAである。これに対して、V/III比を156にすると、最小しきい値電流を与える活性層厚さは0.10μmに減少し、しきい値電流も14.5mAに低下する。V/III比増加によってAl−Ga相互拡散が抑制されたためと考えられる。V/III比を472にした場合、最小しきい値電流を与える活性層厚さ、しきい値電流ともさらに低下すると見込まれる。
【0024】
また、それぞれの試料のスロープ効率(光出力変化/注入電流変化)を比較した結果を図7に示す。V/III比を増加させると、スロープ効率は増加し、最大スロープ効率を与える活性層厚さは減少することが分かる。最大スロープ効率を与える活性層厚さと最少しきい値電流を与える活性層厚さは接近しており、しきい値電流低下とスロープ効率の上昇を同時に実現できることが分かる。
【0025】
一方、それぞれの試料の発振波長を比較した結果を図8に示す。V/III比が小さいと、Al拡散によるバンドギャップの変化により、発光波長が短波長側にシフトすることが分かる。活性層厚さが同じであれば、V/III比が大きいほど、短波長シフトが少ない。
【0026】
V/III比78の試料AとV/III比156の試料Eについて、共振器長と外部量子効率の関係を図9に示す。横軸が共振器長、縦軸が外部量子効率の逆数を現している。図中の直線は測定結果を最小二乗法により回帰したものである。内部量子効率ηiは、この直線上の共振器長0の時の値から求めることができる。また、内部損失αiはこの直線の傾きに相当する。したがって、図9より、試料Aは内部量子効率ηiが61.7%、内部損失αiが27.6cm-1であることがわかる。一方、試料Eは内部量子効率ηiが95.5%、内部損失αiが12.2cm-1であることがわかる。V/III比の大きい試料Eのほうが試料Aよりも内部量子効率ηiが高く、内部損失αiも小さくなっており、優れた特性を有している。
【0027】
以上の調査結果から、V/III比を従来用いられてきた78より大きくすることにより、しきい値電流の低下とスロープ効率向上、発振波長の短波長シフト化の抑制、内部量子効率の向上といったレーザ特性の向上が実現できることが確認された。
【0028】
下部クラッド層2についてもV/III比を大きくすれば、下部クラッド層2−活性層3間のGa−Al相互拡散を低減でき、さらに効果的である。
【0029】
一方、本実施形態のように上部クラッド層4形成時のみにV/III比を大きくする場合は、AsH3の流量増加によるコスト増や、TGA、TMAの流量減少による加工時間増加などの影響を最小限に抑えながら、従来特に顕著であった上部クラッド層−活性層間のGa−Alの相互拡散を低減することができる。
【0030】
本発明は、AlxGa1-xAsのxの範囲が0.25以上の場合に適用することが好ましい。Alが0.25以上となると、Siの活性率が低下して、所望のキャリア濃度を得るために高いSi濃度が要求され、Al−Gaの相互拡散が起こりやすくなるからである。
【0031】
活性層の厚さは、実験結果より、V/III比が156の時は、0.07〜0.13μm、V/III比が472の時は、0.02〜0.08μm程度にすることが好ましい。
【0032】
本発明は、製造工程に高温の熱処理工程を有するTJS型半導体レーザ素子において特に好適であるが、その他の半導体レーザ素子においても、層間のGa−Al相互拡散を抑制する効果がある。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体レーザ素子の上部クラッド層形成時に78を越えるV/III比の供給ガスを用いることにより、上部クラッド層内のキャリア濃度を保ったままSi濃度を低くすることができるため、上部クラッド層内のAlの拡散係数が低下して、上部クラッド層と活性層間のGa−Alの相互拡散が減少する。このため、しきい値電流が低下して、スロープ効率が増加する。さらに、短波長シフトも少なく、内部量子効率が高く、内部損失が小さい等、レーザ特性の向上が実現できる。また、上部クラッド層を形成するときのV/III比のみを変えれば、V/III比増加によるコストや成長層の形成時間増加などの影響を最小限に抑えることができる。
【0034】
本発明は、特に製造工程に高温の熱処理工程を有するため、上部クラッド層と活性層間のGa−Alの相互拡散が起こりやすいTJS型半導体素子において相互拡散を抑制するのに特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態及び従来例のTJS型半導体レーザ素子の構造斜視図である。
【図2】ノンドープGaAs及びAl0.42Ga0.58Asのp型キャリア濃度のV/III比依存性を示す図である。
【図3】SiドープAl0.42Ga0.58AsにおいてV/III比により所定のキャリア濃度を得るために必要なSi濃度を示す図である。
【図4】比較調査に用いた結晶構造の詳細を示す図表である。
【図5】比較調査に用いた試料のV/III比と活性層厚さの組み合わせを示す図である。
【図6】V/III比の違いによる活性層厚さとしきい値電流の比較調査結果を示す図である。
【図7】V/III比の違いによる活性層厚さとスロープ効率の比較調査結果を示す図である。
【図8】V/III比の違いによる活性層厚さと発振波長の比較調査結果を示す図である。
【図9】V/III比の違いによる共振器長と外部量子効率の比較調査結果を示す図である。
【符号の説明】
1…半絶縁性基板、2…下部クラッド層、3…活性層、4…上部クラッド層、5…キャップ層、6…n電極、7…p電極、8…活性領域、9…p領域、10…p+領域、11…n領域。
Claims (2)
- ダブルヘテロ構造の活性層を有する半導体レーザ素子であって、
半絶縁性GaAs基板上に、AlxGa1-xAs下部クラッド層と、GaAs活性層と、AlxGa1-xAs上部クラッド層と、GaAsキャップ層とを有しており、n型キャリアとしてSi、p型キャリアとしてZnが用いられており、前記基板上の各層は有機金属気相成長法により形成され、前記上部クラッド層は供給ガス中のV/III比が78を超える条件下で形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記半導体レーザ素子は、活性層の面方向にp+−p−n接合を有し、活性層内のp領域から発光するTJS型であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。
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JPH10163569A JPH10163569A (ja) | 1998-06-19 |
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