JP3251046B2 - 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｇａ1-xＡｌxＮ層(０
≦x≦１)又はＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を
気相成長させる化合物半導体の成長方法に関し、より詳
しくは結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体の成長
方法、並びにこの成長方法を応用した化合物半導体発光
素子及びその製造方法に関する。
≦x≦１)又はＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を
気相成長させる化合物半導体の成長方法に関し、より詳
しくは結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体の成長
方法、並びにこの成長方法を応用した化合物半導体発光
素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ（窒化ガリウム）はIII族元素で
あるガリウム及びＶ族元素である窒素から構成される化
合物半導体であり、直接遷移型バンド構造を有する。従
って、該化合物半導体を利用して、伝導帯−価電子帯間
遷移による紫外発光素子であって、室温で３.３９ｅＶ
程度の禁制帯幅及び３６６ｎｍ程度のピーク波長を有す
る紫外発光素子を製造できることが期待されている。
あるガリウム及びＶ族元素である窒素から構成される化
合物半導体であり、直接遷移型バンド構造を有する。従
って、該化合物半導体を利用して、伝導帯−価電子帯間
遷移による紫外発光素子であって、室温で３.３９ｅＶ
程度の禁制帯幅及び３６６ｎｍ程度のピーク波長を有す
る紫外発光素子を製造できることが期待されている。
【０００３】しかし、発光ダイオード及び半導体レーザ
などの発光素子を得るにはＰ型結晶とＮ型結晶とを隣合
わせにしたいわゆるＰＮ接合が必要であるが、従来はＧ
ａＮからなるＰ型結晶を製造することは困難であった。
その理由は、ＧａＮは禁制帯幅が大きいため、本来は室
温では絶縁体となるはずだが、従来の工程でＧａＮを製
造すると、不純物をドーピングしない結晶（アンドープ
結晶）でも常にＮ型結晶となり、しかもその自由電子濃
度は1019cm-3以上と極めて高くなるからである。これは
格子欠陥、特に窒素空孔がドナーとして働くためと考え
られている。
などの発光素子を得るにはＰ型結晶とＮ型結晶とを隣合
わせにしたいわゆるＰＮ接合が必要であるが、従来はＧ
ａＮからなるＰ型結晶を製造することは困難であった。
その理由は、ＧａＮは禁制帯幅が大きいため、本来は室
温では絶縁体となるはずだが、従来の工程でＧａＮを製
造すると、不純物をドーピングしない結晶（アンドープ
結晶）でも常にＮ型結晶となり、しかもその自由電子濃
度は1019cm-3以上と極めて高くなるからである。これは
格子欠陥、特に窒素空孔がドナーとして働くためと考え
られている。
【０００４】また、Ｐ形結晶を得るために、Ｍｇ等のア
クセプター不純物をドーピングしてＧａ1-xＡｌxＮ(０
≦x≦１)層を形成しても、Ｍｇが不活性化された抵抗率
の高い結晶になってしまう。この原因についても格子欠
陥が考えられる。すなわち、Ｇａ1-xＡｌxＮ(０≦x≦
１)結晶を形成する際に、Ｖ族元素である窒素の空孔が
発生し、該結晶の格子中に拡張性の歪が与えられ、この
拡張性の歪のために、ドーピングされたアクセプター不
純物はＧａ及びＡｌの格子位置に入り難くなり、そのた
め不活性化されてしまうからである。
クセプター不純物をドーピングしてＧａ1-xＡｌxＮ(０
≦x≦１)層を形成しても、Ｍｇが不活性化された抵抗率
の高い結晶になってしまう。この原因についても格子欠
陥が考えられる。すなわち、Ｇａ1-xＡｌxＮ(０≦x≦
１)結晶を形成する際に、Ｖ族元素である窒素の空孔が
発生し、該結晶の格子中に拡張性の歪が与えられ、この
拡張性の歪のために、ドーピングされたアクセプター不
純物はＧａ及びＡｌの格子位置に入り難くなり、そのた
め不活性化されてしまうからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
する改善方法として、例えばJapanese Journal of Appl
ied Physics 28(1989)p2112-p2114に開示された方法が
ある。それは、電子線照射によりアクセプター不純物を
活性化する方法であって、ＭｇをドープしたＧａＮのフ
ィルムに電子線を照射することによってＰ型結晶を得た
と報告しているが、その抵抗率は35Ω・ｍ、ホール濃度
は２×１０16cm-3と依然として高抵抗、低キャリア濃度
である。このＰ型結晶を用いて製造された発光ダイオー
ド（LED）素子は、紫外領域で発光しているが効率が悪
く、電気的特性の改善が今後の課題となっている。
する改善方法として、例えばJapanese Journal of Appl
ied Physics 28(1989)p2112-p2114に開示された方法が
ある。それは、電子線照射によりアクセプター不純物を
活性化する方法であって、ＭｇをドープしたＧａＮのフ
ィルムに電子線を照射することによってＰ型結晶を得た
と報告しているが、その抵抗率は35Ω・ｍ、ホール濃度
は２×１０16cm-3と依然として高抵抗、低キャリア濃度
である。このＰ型結晶を用いて製造された発光ダイオー
ド（LED）素子は、紫外領域で発光しているが効率が悪
く、電気的特性の改善が今後の課題となっている。
【０００６】このように従来の技術では、良好なＰＮ接
合を実現できるような良好な結晶性と低い抵抗率とを有
するＮ型結晶及びＰ型結晶を製造（成長）することは困
難である。また、このような結晶を応用した発光ダイオ
ード素子等の化合物半導体発光素子についても十分な特
性が得られるものを製造できなかったのが現状である。
合を実現できるような良好な結晶性と低い抵抗率とを有
するＮ型結晶及びＰ型結晶を製造（成長）することは困
難である。また、このような結晶を応用した発光ダイオ
ード素子等の化合物半導体発光素子についても十分な特
性が得られるものを製造できなかったのが現状である。
【０００７】本発明は、上記の課題を解決するものであ
り、格子欠陥がない良好な結晶が得られる化合物半導体
の成長方法、特に低抵抗の良好なＰ型結晶が得られる化
合物半導体の成長方法を提供することを目的とする。
り、格子欠陥がない良好な結晶が得られる化合物半導体
の成長方法、特に低抵抗の良好なＰ型結晶が得られる化
合物半導体の成長方法を提供することを目的とする。
【０００８】また、本発明の他の目的は、電気的及び光
学的特性が良好な化合物半導体発光素子及びその製造方
法を提供することにある。
学的特性が良好な化合物半導体発光素子及びその製造方
法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体の
成長方法は、ＭＯＣＶＤ法あるいはＭＯＭＢＥ法によっ
て、ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させ
る化合物半導体の成長方法において、ＩｎxＧａyＡｌ
1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させるための材料ガスを
供給すると同時に、前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦
x,y≦１)に添加されるＰの濃度範囲が、１×１０19ｃｍ
-3から１×１０23ｃｍ-3になるようにＰを供給するか、
もしくは、前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)
に添加されるＡｓの濃度範囲が、１×１０18ｃｍ-3から
１×１０23ｃｍ-3になるようにＡｓを供給するか、もし
くは、前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)に添
加されるＳｂの濃度範囲が、１×１０17ｃｍ-3から１×
１０21ｃｍ-3になるようにＳｂを供給することを特徴と
する。
成長方法は、ＭＯＣＶＤ法あるいはＭＯＭＢＥ法によっ
て、ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させ
る化合物半導体の成長方法において、ＩｎxＧａyＡｌ
1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させるための材料ガスを
供給すると同時に、前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦
x,y≦１)に添加されるＰの濃度範囲が、１×１０19ｃｍ
-3から１×１０23ｃｍ-3になるようにＰを供給するか、
もしくは、前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)
に添加されるＡｓの濃度範囲が、１×１０18ｃｍ-3から
１×１０23ｃｍ-3になるようにＡｓを供給するか、もし
くは、前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)に添
加されるＳｂの濃度範囲が、１×１０17ｃｍ-3から１×
１０21ｃｍ-3になるようにＳｂを供給することを特徴と
する。
【００１０】前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦
１)を成長させるための材料ガスとして、トリメチルガ
リウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウ
ムの少なくともいずれかを用いる。
１)を成長させるための材料ガスとして、トリメチルガ
リウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウ
ムの少なくともいずれかを用いる。
【００１１】本発明の化合物半導体発光素子は、前記化
合物半導体の成長方法によって形成された層を有するこ
とを特徴とする。
合物半導体の成長方法によって形成された層を有するこ
とを特徴とする。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【作用】上記のように、Ｇａ1-xＡｌxＮ層(０≦x≦１)
の結晶を形成する際に、Ｇａ及びＡｌよりも原子半径の
大きいIII族元素、例えばＩｎを添加すると、又は、Ｉ
ｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)の結晶を形成する
際に、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素、例えばＰ，
Ａｓ，Ｓｂを添加すると、成長する結晶に圧縮性歪が与
えられる。これにより、窒素空孔に起因する結晶中の拡
張性歪を緩和することができる。その結果、格子欠陥
（点欠陥）の少ない結晶性の良好な化合物半導体が得ら
れる。
の結晶を形成する際に、Ｇａ及びＡｌよりも原子半径の
大きいIII族元素、例えばＩｎを添加すると、又は、Ｉ
ｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)の結晶を形成する
際に、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素、例えばＰ，
Ａｓ，Ｓｂを添加すると、成長する結晶に圧縮性歪が与
えられる。これにより、窒素空孔に起因する結晶中の拡
張性歪を緩和することができる。その結果、格子欠陥
（点欠陥）の少ない結晶性の良好な化合物半導体が得ら
れる。
【００１６】また、上記の工程において、さらにアクセ
プター不純物を添加すれば、アクセプター不純物は容易
にIII族格子位置に入り、活性化されるため、低抵抗の
良好なＰ型結晶が得られる。
プター不純物を添加すれば、アクセプター不純物は容易
にIII族格子位置に入り、活性化されるため、低抵抗の
良好なＰ型結晶が得られる。
【００１７】このようにして得られた結晶からなるＰＮ
接合は、電気的及び光学的特性が良好である。このＰＮ
接合を利用すれば、紫外から青色にかけての発光ダイオ
ード（LED）及び半導体レーザ（LD）等の発光素子が実
現できる。
接合は、電気的及び光学的特性が良好である。このＰＮ
接合を利用すれば、紫外から青色にかけての発光ダイオ
ード（LED）及び半導体レーザ（LD）等の発光素子が実
現できる。
【００１８】
【実施例】［実施例１］Ｇａ1-xＡｌxＮ層(０≦x≦１)
を気相成長させるために、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成
長法）装置を使用し、Ｇａの材料ガスとしてＴＭＧ（ト
リメチルガリウム）を、Ａｌの材料ガスとしてＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）を、Ｎの材料としてＮＨ3
（アンモニア）又はＮ2（窒素ガス）をそれぞれ使用し
た。
を気相成長させるために、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成
長法）装置を使用し、Ｇａの材料ガスとしてＴＭＧ（ト
リメチルガリウム）を、Ａｌの材料ガスとしてＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）を、Ｎの材料としてＮＨ3
（アンモニア）又はＮ2（窒素ガス）をそれぞれ使用し
た。
【００１９】また、Ｇａ1-xＡｌxＮ層に添加される元素
として、Ｇａ及びＡｌよりも原子半径の大きいIII族元
素を用いた。下記表１にIII族元素の共有結合半径を示
す。本実施例１では、表１に示したIII族元素の共有結
合半径をもとにＩｎを選択し、Ｉｎの材料ガスとしてＴ
ＭＩ（トリメチルインジウム）を使用した。
として、Ｇａ及びＡｌよりも原子半径の大きいIII族元
素を用いた。下記表１にIII族元素の共有結合半径を示
す。本実施例１では、表１に示したIII族元素の共有結
合半径をもとにＩｎを選択し、Ｉｎの材料ガスとしてＴ
ＭＩ（トリメチルインジウム）を使用した。
【００２０】
【表１】
【００２１】初めに、アンドープ結晶を製造（成長）す
る場合について説明する。
る場合について説明する。
【００２２】ＭＯＣＶＤ装置内でＧａＡｓ基板上にＴＭ
Ｇ，ＴＭＡ及びＮＨ3を供給し、同時にＴＭＩを供給
し、Ｉｎの濃度範囲が１×１０16cm-3から１×１０23cm
-3になるＧａ1-xＡｌxＮ層（x＝0.50）を成長した。
Ｇ，ＴＭＡ及びＮＨ3を供給し、同時にＴＭＩを供給
し、Ｉｎの濃度範囲が１×１０16cm-3から１×１０23cm
-3になるＧａ1-xＡｌxＮ層（x＝0.50）を成長した。
【００２３】図１に、得られた結晶中の自由電子濃度
と、Ｉｎ濃度との関係を示す。図１から明らかなよう
に、Ｉｎ濃度が１×１０17cm-3から１×１０23cm-3まで
の範囲で自由電子濃度が減少している。そして、Ｉｎ濃
度が１×１０21cm-3のときに自由電子濃度は１×１０16
cm-3となり最小値を示した。この結果は、Ｉｎを添加し
ない場合の自由電子濃度が１×１０19cm-3以上であった
ことを考えると、窒素空孔に起因する残留ドナー濃度が
１０００分の１以下に減少したことを意味している。す
なわち格子欠陥の少ない良好なＧａ1-xＡｌxＮ層（ｘ＝
0.50）の結晶が得られたことを示している。
と、Ｉｎ濃度との関係を示す。図１から明らかなよう
に、Ｉｎ濃度が１×１０17cm-3から１×１０23cm-3まで
の範囲で自由電子濃度が減少している。そして、Ｉｎ濃
度が１×１０21cm-3のときに自由電子濃度は１×１０16
cm-3となり最小値を示した。この結果は、Ｉｎを添加し
ない場合の自由電子濃度が１×１０19cm-3以上であった
ことを考えると、窒素空孔に起因する残留ドナー濃度が
１０００分の１以下に減少したことを意味している。す
なわち格子欠陥の少ない良好なＧａ1-xＡｌxＮ層（ｘ＝
0.50）の結晶が得られたことを示している。
【００２４】同様の条件でＧａＮ層及びＡｌＮ層を成長
させたところ、それぞれ自由電子の濃度が１×１０16cm
-3から３×１０16cm-3まで低減できた。従って、全ての
組成比(０≦x≦１)のＧａ1-xＡｌxＮ層について、Ｉｎ
の添加による効果があるといえる。
させたところ、それぞれ自由電子の濃度が１×１０16cm
-3から３×１０16cm-3まで低減できた。従って、全ての
組成比(０≦x≦１)のＧａ1-xＡｌxＮ層について、Ｉｎ
の添加による効果があるといえる。
【００２５】次に、Ｎ型結晶を製造する場合について説
明する。
明する。
【００２６】上記と同様の条件でＩｎを添加しながらＧ
ａ1-xＡｌxＮ層を成長させる際に、ドナー不純物として
ＳｉＨ4ガスを、Ｓｉの濃度が１×1019cm-3程度となる
ようにドーピングしたところ、２０００cm2／V・Sの移
動度を有するＮ型結晶（Ｎ型伝導型結晶）が得られ、Ｉ
ｎを添加しないで得られたＮ型結晶に比べて移動度が大
幅に改善された。
ａ1-xＡｌxＮ層を成長させる際に、ドナー不純物として
ＳｉＨ4ガスを、Ｓｉの濃度が１×1019cm-3程度となる
ようにドーピングしたところ、２０００cm2／V・Sの移
動度を有するＮ型結晶（Ｎ型伝導型結晶）が得られ、Ｉ
ｎを添加しないで得られたＮ型結晶に比べて移動度が大
幅に改善された。
【００２７】次に、Ｐ型結晶（Ｐ型伝導型結晶）を製造
する場合について説明する。
する場合について説明する。
【００２８】ＭＯＣＶＤ装置内でＧａＡｓ基板上にＴＭ
Ｇ及びＮＨ3を供給し、同時にＩｎの濃度範囲が１×１
０16cm-3から１×１０23cm-3になるようにＴＭＩを供給
し、この時さらに、アクセプター不純物としてＤＭＺｎ
（ジメチル亜鉛）をドーピングした。
Ｇ及びＮＨ3を供給し、同時にＩｎの濃度範囲が１×１
０16cm-3から１×１０23cm-3になるようにＴＭＩを供給
し、この時さらに、アクセプター不純物としてＤＭＺｎ
（ジメチル亜鉛）をドーピングした。
【００２９】図２に、得られたＰ型結晶中の活性化した
アクセプター濃度と、Ｉｎ濃度との関係を示す。図２か
らわかるように、Ｉｎ濃度が１×１０17cm-3から７×１
０22cm-3までの範囲で活性化したアクセプター濃度が増
加している。そして、Ｉｎ濃度が１×１０21cm-3の時に
活性化したアクセプター濃度は５×１０18cm-3と最大値
を示した。このＩｎ濃度を有するＧａＮ層の抵抗率は５
Ωｍ、移動度は８０cm2/V・Sであり、同様の条件でＩｎ
を添加せずに得られた結晶に比べて大幅に低抵抗化が実
現できた。
アクセプター濃度と、Ｉｎ濃度との関係を示す。図２か
らわかるように、Ｉｎ濃度が１×１０17cm-3から７×１
０22cm-3までの範囲で活性化したアクセプター濃度が増
加している。そして、Ｉｎ濃度が１×１０21cm-3の時に
活性化したアクセプター濃度は５×１０18cm-3と最大値
を示した。このＩｎ濃度を有するＧａＮ層の抵抗率は５
Ωｍ、移動度は８０cm2/V・Sであり、同様の条件でＩｎ
を添加せずに得られた結晶に比べて大幅に低抵抗化が実
現できた。
【００３０】これは原子半径の大きいIII族元素のＩｎ
を添加することにより窒素空孔に起因する格子歪を緩和
し、II族元素のアクセプター不純物がIII族元素の格子
位置に入り易く、かつ活性化されたためと考えられる。
を添加することにより窒素空孔に起因する格子歪を緩和
し、II族元素のアクセプター不純物がIII族元素の格子
位置に入り易く、かつ活性化されたためと考えられる。
【００３１】また、アクセプター不純物としてＺｎ以外
に、Ｍｇ、Ｂｅ等の他のII族元素を用いてもよく、同様
の条件でＧａＮ層を成長させたところ低抵抗のＰ型結晶
が得られた。
に、Ｍｇ、Ｂｅ等の他のII族元素を用いてもよく、同様
の条件でＧａＮ層を成長させたところ低抵抗のＰ型結晶
が得られた。
【００３２】また、ＡｌＮ層及びＧａ1-xＡｌxＮ層（x
＝0.50）を同様の条件で成長させた場合も、アクセプタ
ー不純物及びＩｎの添加によって良好なＰ型結晶が得ら
れた。従って、全ての組成比(０≦x≦１)のＧａ1-xＡｌ
xＮ層について、Ｉｎの添加による効果があるといえ
る。
＝0.50）を同様の条件で成長させた場合も、アクセプタ
ー不純物及びＩｎの添加によって良好なＰ型結晶が得ら
れた。従って、全ての組成比(０≦x≦１)のＧａ1-xＡｌ
xＮ層について、Ｉｎの添加による効果があるといえ
る。
【００３３】［実施例２］本実施例２では、Ｇａ1-xＡ
ｌxＮ層(０≦x≦１)を気相成長させるために、ＭＯＭＢ
Ｅ（有機金属分子線エピタキシー法）装置を使用し、Ｇ
ａの材料ガスとしてＴＭＧを、Ａｌの材料ガスとしてＴ
ＭＡを、Ｎの材料としてＮＨ3又はＮ2を使用した。
ｌxＮ層(０≦x≦１)を気相成長させるために、ＭＯＭＢ
Ｅ（有機金属分子線エピタキシー法）装置を使用し、Ｇ
ａの材料ガスとしてＴＭＧを、Ａｌの材料ガスとしてＴ
ＭＡを、Ｎの材料としてＮＨ3又はＮ2を使用した。
【００３４】また、Ｇａ1-xＡｌxＮ層に添加される元素
として、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を用いた。
下記表２にＶ族元素の共有結合半径を示す。本実施例２
では、表２に示したＶ族元素の共有結合半径をもとに
Ｐ、Ａｓ、及びＳｂを選択し、材料ガスとして、それぞ
れＰＨ3、ＡｓＨ3、及びＳｂを使用した。
として、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を用いた。
下記表２にＶ族元素の共有結合半径を示す。本実施例２
では、表２に示したＶ族元素の共有結合半径をもとに
Ｐ、Ａｓ、及びＳｂを選択し、材料ガスとして、それぞ
れＰＨ3、ＡｓＨ3、及びＳｂを使用した。
【００３５】
【表２】
【００３６】初めに、アンドープ結晶を製造する場合に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３７】ＭＯＭＢＥ装置内でＧａＡｓ基板上に、成
長温度600℃で、ＴＭＧ、ＴＭＡ及びＮＨ3を供給してＧ
ａ1-xＡｌxＮ層を（x＝0.30）成長し、この結晶中のＶ
族元素（Ｐ、Ａｓ又はＳｂ）の濃度範囲が１×１０16cm
-3から１×１０23cm-3になるように、ＰＨ3、ＡｓＨ3、
又はＳｂを供給した。
長温度600℃で、ＴＭＧ、ＴＭＡ及びＮＨ3を供給してＧ
ａ1-xＡｌxＮ層を（x＝0.30）成長し、この結晶中のＶ
族元素（Ｐ、Ａｓ又はＳｂ）の濃度範囲が１×１０16cm
-3から１×１０23cm-3になるように、ＰＨ3、ＡｓＨ3、
又はＳｂを供給した。
【００３８】図３に得られた結晶中の自由電子濃度と、
Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度との関係を示す。図３から明らか
なように、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度が１×１０16cm-3から
１×１０23cm-3までの範囲で、自由電子濃度が減少して
いる。そして、Ｐの場合は濃度が４×１０21cm-3のとき
に自由電子濃度は１×１０16cm-3となり最小値を示し
た。この結果は、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を
添加しない場合の自由電子濃度が１×１０19cm-3以上で
あったことを考えると、窒素空孔に起因する残留ドナー
濃度が１０００分の１以下に減少したことを意味してい
る。すなわち、格子欠陥の少ない良好なＧａ1-xＡｌxＮ
層（x＝0.30）の結晶が得られたことを示している。
Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度との関係を示す。図３から明らか
なように、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度が１×１０16cm-3から
１×１０23cm-3までの範囲で、自由電子濃度が減少して
いる。そして、Ｐの場合は濃度が４×１０21cm-3のとき
に自由電子濃度は１×１０16cm-3となり最小値を示し
た。この結果は、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を
添加しない場合の自由電子濃度が１×１０19cm-3以上で
あったことを考えると、窒素空孔に起因する残留ドナー
濃度が１０００分の１以下に減少したことを意味してい
る。すなわち、格子欠陥の少ない良好なＧａ1-xＡｌxＮ
層（x＝0.30）の結晶が得られたことを示している。
【００３９】同様の条件でＧａＮ層及びＡｌＮ層を成長
させたところ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度が１×１０16cm-3
から１×１０23cm-3までの範囲で、それぞれ自由電子濃
度が低減できた。従って、全ての組成比(０≦x≦１)の
Ｇａ1-xＡｌxＮ層について、Ｎよりも原子半径の大きい
Ｖ族元素の添加による効果があるといえる。
させたところ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度が１×１０16cm-3
から１×１０23cm-3までの範囲で、それぞれ自由電子濃
度が低減できた。従って、全ての組成比(０≦x≦１)の
Ｇａ1-xＡｌxＮ層について、Ｎよりも原子半径の大きい
Ｖ族元素の添加による効果があるといえる。
【００４０】次に、Ｎ型結晶を製造する場合について説
明する。
明する。
【００４１】上記と同様の条件でＮよりも原子半径の大
きいＶ族元素を添加しながらＧａ1- xＡｌxＮ層を成長さ
せる際に、ドナー不純物としてＳｉＨ4ガスを、Ｓｉの
濃度が１×1019cm-3程度となるようにドーピングしたと
ころ、２０００cm2／V・Sの移動度を有するＮ型結晶が
得られ、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を添加しな
いで得られたＮ型結晶に比べて移動度が大幅に改善され
た。
きいＶ族元素を添加しながらＧａ1- xＡｌxＮ層を成長さ
せる際に、ドナー不純物としてＳｉＨ4ガスを、Ｓｉの
濃度が１×1019cm-3程度となるようにドーピングしたと
ころ、２０００cm2／V・Sの移動度を有するＮ型結晶が
得られ、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を添加しな
いで得られたＮ型結晶に比べて移動度が大幅に改善され
た。
【００４２】次に、Ｐ型結晶を製造する場合について説
明する。
明する。
【００４３】ＭＯＭＢＥ装置内でＧａＡｓ基板上に、Ｔ
ＭＧ、ＴＭＡ及びＮＨ3を供給してＧａ1-xＡｌxＮ層（x
＝0.30）を成長し、同時にこのＧａ1-xＡｌxＮ層中の
Ｐ、Ａｓ又はＳｂの濃度範囲が１×１０16cm-3から１×
１０23cm-3になるように、ＰＨ3、ＡｓＨ3、又はＳｂ固
体をそれぞれ供給した。この時さらに、アクセプター不
純物としてＺｎをドーピングした。
ＭＧ、ＴＭＡ及びＮＨ3を供給してＧａ1-xＡｌxＮ層（x
＝0.30）を成長し、同時にこのＧａ1-xＡｌxＮ層中の
Ｐ、Ａｓ又はＳｂの濃度範囲が１×１０16cm-3から１×
１０23cm-3になるように、ＰＨ3、ＡｓＨ3、又はＳｂ固
体をそれぞれ供給した。この時さらに、アクセプター不
純物としてＺｎをドーピングした。
【００４４】図４に、得られた結晶中の活性化したアク
セプター濃度と、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度との関係を示
す。図４からわかるように、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度が１
×１０16cm-3から１×１０23cm-3までの範囲で、活性化
したアクセプター濃度が増加している。そして、Ｐの場
合は濃度が１×１０22cm-3の時に活性化したアクセプタ
ー濃度が１．１×１０19cm-3と最大値を示した。このＰ
濃度を有するＧａ1-xＡｌxＮ層の抵抗率は５Ωｍ、移動
度は８０cm2/V・Sであり、同様の条件でＮよりも原子半
径の大きいＶ族元素を添加せずに得られた結晶に比べ、
大幅に低抵抗化を実現できた。
セプター濃度と、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度との関係を示
す。図４からわかるように、Ｐ、Ａｓ及びＳｂ濃度が１
×１０16cm-3から１×１０23cm-3までの範囲で、活性化
したアクセプター濃度が増加している。そして、Ｐの場
合は濃度が１×１０22cm-3の時に活性化したアクセプタ
ー濃度が１．１×１０19cm-3と最大値を示した。このＰ
濃度を有するＧａ1-xＡｌxＮ層の抵抗率は５Ωｍ、移動
度は８０cm2/V・Sであり、同様の条件でＮよりも原子半
径の大きいＶ族元素を添加せずに得られた結晶に比べ、
大幅に低抵抗化を実現できた。
【００４５】これはＮよりも原子半径の大きいＶ族元素
を添加することにより窒素空孔に起因する格子歪を緩和
し、II族元素のアクセプター不純物がIII族元素の格子
位置に入り易く、かつ活性化され易くなったためと考え
られる。
を添加することにより窒素空孔に起因する格子歪を緩和
し、II族元素のアクセプター不純物がIII族元素の格子
位置に入り易く、かつ活性化され易くなったためと考え
られる。
【００４６】また、アクセプター不純物としてＺｎ以外
にＭｇ、Ｂｅ等の他のII族元素を利用して、同様の条件
でＧａ1-xＡｌxＮ層を成長させた場合も、Ｐ、Ａｓ又は
Ｓｂを添加することにより低抵抗のＰ型結晶が得られ
た。
にＭｇ、Ｂｅ等の他のII族元素を利用して、同様の条件
でＧａ1-xＡｌxＮ層を成長させた場合も、Ｐ、Ａｓ又は
Ｓｂを添加することにより低抵抗のＰ型結晶が得られ
た。
【００４７】また、ＡｌＮ層及びＧａＮ層を同様の条件
で成長させた場合も、アクセプター不純物、及びＰ、Ａ
ｓ又はＳｂの添加によって良好なＰ型結晶が得られた。
従って、全ての組成比(０≦x≦１)のＧａ1-xＡｌxＮ層
について、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素の添加に
よる効果があるといえる。
で成長させた場合も、アクセプター不純物、及びＰ、Ａ
ｓ又はＳｂの添加によって良好なＰ型結晶が得られた。
従って、全ての組成比(０≦x≦１)のＧａ1-xＡｌxＮ層
について、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素の添加に
よる効果があるといえる。
【００４８】また、ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y
≦１)を、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を添加し
て、同様の条件で成長させたところ、Ｇａ1-xＡｌxＮ層
(０≦x≦１)の場合よりもさらに良好な結晶が得られ
た。すなわち、本実施例２における結果は、Ｇａ1-xＡ
ｌxＮ層(０≦x≦１)をＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,
y≦１)に置き換えることにより、さらに改善されるもの
である。
≦１)を、Ｎよりも原子半径の大きいＶ族元素を添加し
て、同様の条件で成長させたところ、Ｇａ1-xＡｌxＮ層
(０≦x≦１)の場合よりもさらに良好な結晶が得られ
た。すなわち、本実施例２における結果は、Ｇａ1-xＡ
ｌxＮ層(０≦x≦１)をＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,
y≦１)に置き換えることにより、さらに改善されるもの
である。
【００４９】以上の実施例１、２ではＭＯＣＶＤ装置又
はＭＯＭＢＥ装置を利用したが、ＭＢＥ（分子線エピタ
キシー法）装置等の他の装置でもよい。Ｇａ、Ａｌ及び
Ｎの材料、Ｇａ及びＡｌよりも原子半径の大きいIII族
元素の材料、及びＮよりも原子半径の大きいＶ族元素の
材料も、本実施例以外の他の化合物を用いてもよい。基
板についても、ＧａＡｓ基板以外にＳｉ、ＩｎＰ、Ｇａ
Ｐ等の他の半導体基板及びサファイヤ基板を用いても効
果があることは言うまでもない。
はＭＯＭＢＥ装置を利用したが、ＭＢＥ（分子線エピタ
キシー法）装置等の他の装置でもよい。Ｇａ、Ａｌ及び
Ｎの材料、Ｇａ及びＡｌよりも原子半径の大きいIII族
元素の材料、及びＮよりも原子半径の大きいＶ族元素の
材料も、本実施例以外の他の化合物を用いてもよい。基
板についても、ＧａＡｓ基板以外にＳｉ、ＩｎＰ、Ｇａ
Ｐ等の他の半導体基板及びサファイヤ基板を用いても効
果があることは言うまでもない。
【００５０】［実施例３］実施例２によって得られる化
合物半導体を利用して、図５(a)〜(b)に示す半導体レー
ザ素子を製造した。以下にその製造方法を説明する。
合物半導体を利用して、図５(a)〜(b)に示す半導体レー
ザ素子を製造した。以下にその製造方法を説明する。
【００５１】まず、ＭＯＭＢＥ装置内でＮ型ＧａＡｓ基
板３０１を、温度６００℃まで加熱し、ＴＭＧ、Ｎ2、
ＳｉＨ4及びＰＨ3を供給して、Ｎ型ＧａＮからなるバッ
ファ層３０２をその厚さが０．２μｍとなるように成長
させる。ここで、バッファ層３０２は２種以上の半導体
層による超格子でもよい。
板３０１を、温度６００℃まで加熱し、ＴＭＧ、Ｎ2、
ＳｉＨ4及びＰＨ3を供給して、Ｎ型ＧａＮからなるバッ
ファ層３０２をその厚さが０．２μｍとなるように成長
させる。ここで、バッファ層３０２は２種以上の半導体
層による超格子でもよい。
【００５２】次に、図５(a)に示すように、ＴＭＧ、
Ｎ2、ＳｉＨ4及びＰＨ3を供給したままでさらにＴＭＡ
の供給を開始し、Ｎ型Ｇａ1-XＡｌXＮ層（x＝0.30）を
その厚さが１μｍとなるように成長させて、Ｎ型クラッ
ド層３０３を形成する。
Ｎ2、ＳｉＨ4及びＰＨ3を供給したままでさらにＴＭＡ
の供給を開始し、Ｎ型Ｇａ1-XＡｌXＮ層（x＝0.30）を
その厚さが１μｍとなるように成長させて、Ｎ型クラッ
ド層３０３を形成する。
【００５３】次に、ＴＭＧ、Ｎ2及びＰＨ3を供給したま
まで、ＴＭＡ及びＳｉＨ4の供給を停止し、ＧａＮ層を
その厚さが０．１μｍとなるように成長させて、活性層
３０４を形成する。ここで該活性層３０４は、同時にＴ
ＭＡを供給して得られるＧａ1- XＡｌ2Ｎ層であっても、
ＳｉＨ4、ＤＥＺｎ等のドーパントを供給して得られる
結晶であってもよい。
まで、ＴＭＡ及びＳｉＨ4の供給を停止し、ＧａＮ層を
その厚さが０．１μｍとなるように成長させて、活性層
３０４を形成する。ここで該活性層３０４は、同時にＴ
ＭＡを供給して得られるＧａ1- XＡｌ2Ｎ層であっても、
ＳｉＨ4、ＤＥＺｎ等のドーパントを供給して得られる
結晶であってもよい。
【００５４】次に、ＴＭＧ、Ｎ2及びＰＨ3を供給したま
まで、さらにＴＭＡ及びＤＥＺｎの供給を開始し、Ｐ型
Ｇａ1-XＡｌxＮ層（x＝0.30）をその厚さが１μｍとな
るように成長させて、Ｐ型クラッド層３０５を形成す
る。
まで、さらにＴＭＡ及びＤＥＺｎの供給を開始し、Ｐ型
Ｇａ1-XＡｌxＮ層（x＝0.30）をその厚さが１μｍとな
るように成長させて、Ｐ型クラッド層３０５を形成す
る。
【００５５】次に、図５(b)に示すように、ＴＭＧ、
Ｎ2、ＰＨ3及びＤＥＺｎを供給したままでＴＭＡの供給
を停止して、Ｐ型ＧａＮ層をその厚さが０．５μｍとな
るように成長させて、Ｐ型コンタクト層３０６を形成す
る。
Ｎ2、ＰＨ3及びＤＥＺｎを供給したままでＴＭＡの供給
を停止して、Ｐ型ＧａＮ層をその厚さが０．５μｍとな
るように成長させて、Ｐ型コンタクト層３０６を形成す
る。
【００５６】続いて、Ｐ型電極３１０及びＮ型電極３１
１を積層させ、これにより図５(c)に示す半導体レーザ
素子を作製する。ここで、ＰＨ3は全ての層の成長中に
おいてその濃度が１×１０22cm-3程度になるように供給
した。
１を積層させ、これにより図５(c)に示す半導体レーザ
素子を作製する。ここで、ＰＨ3は全ての層の成長中に
おいてその濃度が１×１０22cm-3程度になるように供給
した。
【００５７】本実施例では、全面電極型の半導体レーザ
素子を例にとって説明しているが、同様の製造方法を利
用してストライプ構造をもつ半導体レーザ素子を製造す
ることも可能である。また、２回以上の成長を用いて導
波路を作製することも可能である。
素子を例にとって説明しているが、同様の製造方法を利
用してストライプ構造をもつ半導体レーザ素子を製造す
ることも可能である。また、２回以上の成長を用いて導
波路を作製することも可能である。
【００５８】また、Ｇａ1-XＡｌXＮ層の組成比ｘを適宜
に変更できることは言うまでもなく、導電型は全て逆で
もよい。また、Ｇａ1-XＡｌXＮ層の成長時に同時にＩｎ
の材料ガスを供給して、ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦
x,y≦１)として成長させてもよい。
に変更できることは言うまでもなく、導電型は全て逆で
もよい。また、Ｇａ1-XＡｌXＮ層の成長時に同時にＩｎ
の材料ガスを供給して、ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦
x,y≦１)として成長させてもよい。
【００５９】さらに、クラッド層３０３及び３０５のＧ
ａ1-XＡｌxＮ層又はＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層の組成比
であるｘ又は／及びｙは積層方向に沿って変化していて
もよく、ＳＣＨ構造やＧＤＩＮ−ＳＣＨ構造も可能であ
る。また、活性層３０４についても量子井戸構造及び多
重量子井戸構造でもよい。
ａ1-XＡｌxＮ層又はＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層の組成比
であるｘ又は／及びｙは積層方向に沿って変化していて
もよく、ＳＣＨ構造やＧＤＩＮ−ＳＣＨ構造も可能であ
る。また、活性層３０４についても量子井戸構造及び多
重量子井戸構造でもよい。
【００６０】本実施例の製造方法により製造された半導
体レーザは室温で連続発振が得られ、ピーク波長は３７
０ｎｍ付近であった。光出力は３ｍＷであったが、紫外
発光素子が実現できた。
体レーザは室温で連続発振が得られ、ピーク波長は３７
０ｎｍ付近であった。光出力は３ｍＷであったが、紫外
発光素子が実現できた。
【００６１】また、同様の製造方法で、活性層３０４の
厚さが１μｍ程度となるようにしたところ、ピーク波長
３６７ｎｍで発光し、ＬＥＤ（発光ダイオード）として
使用可能な発光素子が得られた。
厚さが１μｍ程度となるようにしたところ、ピーク波長
３６７ｎｍで発光し、ＬＥＤ（発光ダイオード）として
使用可能な発光素子が得られた。
【００６２】
【発明の効果】本発明の化合物半導体の成長方法によれ
ば、原子半径がＧａ及びＡｌよりも大きいIII族元素を
添加してＧａ1-xＡｌxＮ層(０≦x≦１)を、又は、原子
半径がＮよりも大きいＶ族元素を添加してＩｎxＧａyＡ
ｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させるので、点欠陥が
なく結晶性が良好な、かつ抵抗率の低い化合物半導体を
製造することができる。
ば、原子半径がＧａ及びＡｌよりも大きいIII族元素を
添加してＧａ1-xＡｌxＮ層(０≦x≦１)を、又は、原子
半径がＮよりも大きいＶ族元素を添加してＩｎxＧａyＡ
ｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させるので、点欠陥が
なく結晶性が良好な、かつ抵抗率の低い化合物半導体を
製造することができる。
【００６３】また、特に請求項２、３及び請求項６記載
の化合物半導体の成長方法によれば、良好なＰＮ接合を
実現できるＮ型結晶を得ることができる。
の化合物半導体の成長方法によれば、良好なＰＮ接合を
実現できるＮ型結晶を得ることができる。
【００６４】また、特に請求項４及び請求項７記載の化
合物半導体の成長方法によれば、良好なＰＮ接合を実現
できるＰ型結晶を得ることができる。
合物半導体の成長方法によれば、良好なＰＮ接合を実現
できるＰ型結晶を得ることができる。
【００６５】また、特に請求項８〜請求項１０記載の化
合物半導体発光素子の製造方法によれば、電気的特性及
び光学的特性が良好な化合物半導体発光素子を実現でき
る。
合物半導体発光素子の製造方法によれば、電気的特性及
び光学的特性が良好な化合物半導体発光素子を実現でき
る。
【図１】Ｇａ1-xＡｌxＮ層(x＝0.50)中のＩｎ濃度と自
由電子濃度との関係を示すグラフ。
由電子濃度との関係を示すグラフ。
【図２】アクセプター不純物を添加したＧａＮ層中のＩ
ｎ濃度と活性化したアクセプター濃度との関係を示すグ
ラフ。
ｎ濃度と活性化したアクセプター濃度との関係を示すグ
ラフ。
【図３】ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(x＝0.30)中のＰ、Ａ
ｓ及びＳｂ濃度と自由電子濃度との関係を示すグラフ。
ｓ及びＳｂ濃度と自由電子濃度との関係を示すグラフ。
【図４】アクセプター不純物を添加したＩｎxＧａyＡｌ
1-x-yＮ層(x＝0.30)中のＰ、Ａｓ及びＳｂ濃度と活性化
したアクセプター濃度との関係を示すグラフ。
1-x-yＮ層(x＝0.30)中のＰ、Ａｓ及びＳｂ濃度と活性化
したアクセプター濃度との関係を示すグラフ。
【図５】本発明の方法によって製造される化合物半導体
レーザー素子の断面図。
レーザー素子の断面図。
３０１ ＧａＡｓ基板 ３０２ バッファ層 ３０３ クラッド層 ３０４ 活性層 ３０５ クラッド層 ３０６ コンタクト層 ３１０，３１１ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兼岩 進治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 近藤 雅文 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 幡 俊雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 大林 健 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−218625（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−211888（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−39082（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−29770（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01S 5/00 - 5/50 H01L 21/205
Claims (3)
- 【請求項１】 ＭＯＣＶＤ法あるいはＭＯＭＢＥ法によ
って、ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長さ
せる化合物半導体の成長方法において、 ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させるた
めの材料ガスを供給すると同時に、前記ＩｎxＧａyＡｌ
1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)に添加されるＰの濃度範囲が、
１×１０19ｃｍ-3から１×１０23ｃｍ-3になるようにＰ
を供給するか、もしくは、前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ
層(０≦x,y≦１)に添加されるＡｓの濃度範囲が、１×
１０18ｃｍ-3から１×１０23ｃｍ-3になるようにＡｓを
供給するか、もしくは、前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層
(０≦x,y≦１)に添加されるＳｂの濃度範囲が、１×１
０17ｃｍ-3から１×１０21ｃｍ-3になるようにＳｂを供
給することを特徴とする化合物半導体の成長方法。 - 【請求項２】 前記ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ層(０≦x,y
≦１)を成長させるための材料ガスとして、トリメチル
ガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジ
ウムの少なくともいずれかを用いる、請求項１記載の化
合物半導体の成長方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の化合物半導体の成長方
法によって形成された層を有することを特徴とする化合
物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4580992A JP3251046B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4580992A JP3251046B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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| JP04800499A Division JP3432444B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 半導体発光素子 |
| JP2001190817A Division JP3859990B2 (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | 化合物半導体の製造方法 |
| JP2001190818A Division JP3561243B2 (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | 化合物半導体の成長方法及び化合物半導体発光素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243614A JPH05243614A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3251046B2 true JP3251046B2 (ja) | 2002-01-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4580992A Expired - Fee Related JP3251046B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
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| JPH08264835A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JPH08264836A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| DE19613265C1 (de) * | 1996-04-02 | 1997-04-17 | Siemens Ag | Bauelement in stickstoffhaltigem Halbleitermaterial |
| JP3461112B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2003-10-27 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP3770014B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP3726252B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2005-12-14 | 独立行政法人理化学研究所 | 紫外発光素子およびＩｎＡｌＧａＮ発光層の製造方法 |
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| US6911079B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-06-28 | Kopin Corporation | Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors |
| US6734091B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-05-11 | Kopin Corporation | Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors |
| US7786550B2 (en) | 2003-03-06 | 2010-08-31 | Panasonic Corporation | P-type semiconductor and semiconductor hetero material and manufacturing methods thereof |
| JP4188750B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2008-11-26 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
| JP2012104528A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2015002239A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2016134565A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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1992
- 1992-03-03 JP JP4580992A patent/JP3251046B2/ja not_active Expired - Fee Related
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