以下、本発明の一例である実施の形態について説明する。なお、本明細書の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
<窒化物半導体発光素子の構成>
図1に、実施の形態の窒化物半導体発光素子の模式的な断面図を示す。図1に示す実施の形態の窒化物半導体発光素子は、支持基板9と、支持基板9上に設けられた接合材料8と、接合材料8上に設けられたp側電極7と、p側電極7上に設けられたp型窒化物半導体層5と、p型窒化物半導体層5上に設けられた発光層4と、発光層4上に設けられたn型窒化物半導体層3と、n型窒化物半導体層3上に設けられたn側電極19とを備えている。ここで、p側電極7上に配置された多層窒化物半導体層6は、n型窒化物半導体層3と、発光層4と、p型窒化物半導体層5とをこの順序で含んでいる。
図2に、実施の形態の窒化物半導体発光素子のn型窒化物半導体層3の表面の一例の模式的な拡大平面図を示す。図2に示すように、実施の形態の窒化物半導体発光素子のn型窒化物半導体層3の表面は、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた非凸形状領域22とを含む升目状の構造を有している。すなわち、凸形状領域21は、n型窒化物半導体層3の表面から非凸形状領域22よりも上方に突出した凸形状部分を有する領域であって、非凸形状領域22を取り囲むようにして配置されている。そして、凸形状領域21によって区画された非凸形状領域22は、n型窒化物半導体層3の表面に升目状の構造を形成している。この場合には、凸形状領域21は、平面視において、凸形状領域21が4方向から合流する1点である合流点23を有する形状となる。
図3に、実施の形態の窒化物半導体発光素子のn型窒化物半導体層3の表面の他の一例の模式的な拡大平面図を示す。図3に示すn型窒化物半導体層3の表面の他の一例においては、矩形状の隣り合う非凸形状領域22が、行方向に揃っている場合には列方向にずれて配置されており、列方向に揃っている場合には行方向にずれて配置されていることを特徴としている。この場合には、凸形状領域21は、平面視において、凸形状領域21が3方向から合流する1点である合流点23を有する形状となる。
図4に、実施の形態の窒化物半導体発光素子のn型窒化物半導体層3の表面のさらに他の一例の模式的な拡大平面図を示す。図4に示すn型窒化物半導体層3の表面の他の一例においては、六角形状の隣り合う非凸形状領域22が、行方向に揃っている場合には列方向にずれて配置されており、列方向に揃っている場合には行方向にずれて配置されていることを特徴としている。この場合にも、凸形状領域21は、平面視において、凸形状領域21が3方向から合流する1点である合流点23を有する形状となる。
凸形状領域21は、窒化物半導体発光素子の表面であるn型窒化物半導体層3の表面の全領域の面積の5%以上40%以下を占めることが好ましい。凸形状領域21が、窒化物半導体発光素子の表面であるn型窒化物半導体層3の表面の全領域の面積の5%以上40%以下を占める場合には、凸形状領域21と非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成したことによる大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができるという効果をより効果的に発現させることができるとともに、n側電極19をメッシュ状に形成した場合のn側電極19の断線もより効果的に抑制することができる。
図5に、実施の形態の窒化物半導体発光素子の凸形状領域21の凸形状部分の一例の模式的な拡大斜視断面図を示す。図5に示す凸形状領域21の凸形状部分は、上面31と、下面32と、上面31と下面32との間の斜面33とを有しており、凸形状領域21の凸形状部分の断面形状は台形状となっている。凸形状領域21の凸形状部分が斜面33を有している場合には、凸形状領域21の凸形状部分を跨ぐようにしてn側電極19を形成した場合であっても、n側電極19における断線の発生を抑えることができる。
ここで、下面32の幅W(凸形状領域21の凸形状部分の伸長方向と直交する方向の長さ)は、5μm以上100μm以下であることが好ましい。下面32の幅Wが5μm以上100μm以下である場合には、大面積の窒化物半導体発光素子をより安定して製造することができる。また、窒化物半導体発光素子の最表面にn型窒化物半導体層3が露出している場合は、n側電極19の形成面積を拡大させることができるため、n側電極19のコンタクト抵抗を抑制することができる。
また、凸形状領域21の凸形状部分の高さHは、1000nm以下であることが好ましい。上面31と下面32との間の高さHが1000nm以下である場合には、凸形状領域21の凸形状部分を跨ぐようにしてn側電極19を形成することができるとともに、n側電極19の形成などのプロセス工程における悪影響(レジスト塗布の不均一性やフォトリソグラフィ工程における不具合など)を抑制することができる。
図6に、実施の形態の窒化物半導体発光素子の凸形状領域21の凸形状部分の他の一例の模式的な拡大斜視断面図を示す。実施の形態の窒化物半導体発光素子においては、図6に示すように、凸形状部分の断面形状を三角形として、下面32の幅方向の両端から斜面33を斜め上方向に伸長させて下面32の上方で接合した形状であってもよい。
なお、実施の形態の窒化物半導体発光素子の凸形状領域21の凸形状部分は、図7の模式的な拡大斜視断面図に示すように、ある程度の凹凸を有する凸形状となっていてもよい。また、凸形状領域21の凸形状部分は、正確に直線状ではなく、蛇行したり、幅に一定の揺らぎを有するように伸長してもよい。これらの場合も、実施の形態の窒化物半導体発光素子の効果が得られる範囲においては、許容される。
なお、凸形状領域21の凸形状部分は完全に連続した状態で非凸形状領域22を取り囲んでいることが好ましいが、実施の形態の窒化物半導体発光素子の効果が得られる範囲においては、凸形状部分の一部が不連続となっていることも許容される。
<窒化物半導体発光素子の製造方法>
以下、図面を参照して、実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一例について説明する。
(バッファ層の形成)
まず、図8の模式的断面図に示すように、成長用基板1の第1の表面1a上にAlを含有する窒化物半導体層であるバッファ層2を形成する。
成長用基板1としては、成長用基板1の第1の表面1a上にAlを含有するバッファ層2を形成することができるものであれば特に限定されないが、サファイア(Al2O3)基板を用いることが好ましい。サファイア(Al2O3)は、たとえば150nm〜1000nmにわたる広い波長領域の光に対して高い透過率を有していることから、成長用基板1の材料として好適である。
バッファ層2としては、たとえばAlx1Iny1Gaz1N(0<x1≦1、0≦y1≦1、0≦z1≦1)の式で表わされる窒化物半導体を用いることができ、なかでもAlNを用いることがより好ましい。バッファ層2としてAlNを用いた場合には、後述する少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を後述するエッチング工程においてマスクとして効果的に機能させることができる。
バッファ層2の形成方法は、特に限定されず、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法などの結晶成長法が用いられてもよく、スパッタリング法などの物理的気相成長法が用いられてもよい。バッファ層2は結晶質であってもよく、非晶質であってもよい。
(多層窒化物半導体層の形成)
次に、図9の模式的断面図に示すように、バッファ層2上に、n型窒化物半導体層3と、発光層4と、p型窒化物半導体層5とをこの順序で含む多層窒化物半導体層6を形成する。
n型窒化物半導体層3としては、たとえばAlx2Iny2Gaz2N(0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦z2≦1、x2+y2+z2≠0)の式で表わされる窒化物半導体にn型不純物をドープしたものを用いることができる。n型不純物としては、たとえばシリコンなどを用いることができる。
発光層4としては、たとえばAlx3Iny3Gaz3N(0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦z3≦1、x3+y3+z3≠0)の式で表わされる窒化物半導体からなる量子井戸層を1つのみ含む単一量子井戸発光層(SQW)を用いることができる。また、発光層4としては、たとえばAlx3Iny3Gaz3N(0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦z3≦1、x3+y3+z3≠0)の式で表わされる窒化物半導体からなる量子井戸層の複数と、当該量子井戸層の間に当該量子井戸層よりもバンドギャップの大きい、たとえばAlx4Iny4Gaz4N(0≦x4≦1、0≦y4≦1、0≦z4≦1、x4+y4+z4≠0)の式で表わされる窒化物半導体からなる量子障壁層と、を含む多重量子井戸発光層(MQW)を用いることもできる。なお、発光層4には、n型不純物および/またはp型不純物がドープされていてもよい。発光層4にドープされるn型不純物としては、たとえばシリコンなどを用いることができ、p型不純物としては、たとえばマグネシウムなどを用いることができる。
p型窒化物半導体層5としては、たとえばAlx5Iny5Gaz5N(0≦x5≦1、0≦y5≦1、0≦z5≦1、x5+y5+z5≠0)の式で表わされる窒化物半導体にp型不純物をドープしたものを用いることができる。p型不純物としては、たとえばマグネシウムなどを用いることができる。
特に、Al組成比が40%以上である(0.4≦x5≦1)場合には、n型窒化物半導体層3およびp型窒化物半導体層5において、横方向への電流拡がりを著しく低減することがある。そこで、この場合には、たとえばp型窒化物半導体層5の内部または最表面などに横方向への電流拡がりを促進することができる構造を導入することが好ましい。たとえば、n側電極19の直下のp型窒化物半導体層5とp側電極7との間にSiO2などの絶縁物を有する構造とすることができる。n側電極19から注入された電子とp側電極7から注入されたホールとが最短距離で結合して横方向への電流拡がりがない場合には、n側電極19の直下での発光が支配的となり、その発光がn側電極19に吸収されてしまう可能性がある。しかしながら、このような構造を導入することにより、横方向への電流拡がりを促進することができるため、n側電極19における光の吸収量を低減することができる。
n型窒化物半導体層3、発光層4およびp型窒化物半導体層5の形成方法としては、たとえば、MOCVD法などの結晶成長法を用いることができる。
多層窒化物半導体層6とバッファ層2との合計の厚さT1は3μm以上であることが好ましく、4μm以上であることがより好ましい。多層窒化物半導体層6とバッファ層2との合計の厚さT1が3μm以上である場合、特に4μm以上である場合には、後述する成長用基板1を剥離する工程において、光の照射によりバッファ層2が熱分解して成長用基板1と全部またはその一部が分解されたバッファ層2とが剥離される時に発生すると考えられる衝撃波の発光層4への悪影響を抑制することできる(多層窒化物半導体層6とバッファ層2との合計の厚さT1が薄い場合には、窒化物半導体が粉砕するおそれがある)。
多層窒化物半導体層6とバッファ層2との合計の厚さT1が3μm以上である場合には、成長用基板1と発光層4との間の距離T2は、T1>T2の関係を維持しつつ、3μm以上であることがさらに好ましい。この場合には、後述する成長用基板1を剥離する工程において、光の照射によりバッファ層2が熱分解する箇所と、発光層4との間の距離T2が大きくなり、バッファ層2に光を照射する際に発生する熱の発光層4に対する影響も抑制することができる。
また、n型窒化物半導体層3の厚さT3は、1μm以上であることが好ましく、2μm以上であることがより好ましい。n型窒化物半導体層3の厚さT3が1μm以上である場合、特に2μm以上である場合には、後述するエッチング工程において、n型窒化物半導体層3のエッチングの制御性を向上させることができる。
また、多層窒化物半導体層6とバッファ層2との合計の厚さT1は10μm以下であることが好ましい。多層窒化物半導体層6とバッファ層2との合計の厚さT1が10μm以下である場合には、バッファ層2および多層窒化物半導体層6の形成時間および原料コストの増大を抑えることができる。
(p型化プロセス)
その後、多層窒化物半導体層6の形成後のウエハ(実施の形態では、成長用基板1とバッファ層2と多層窒化物半導体層6との積層体)の熱処理を行なうことができる。これにより、p型窒化物半導体層5中のMgなどのp型ドーパントを活性化させることができるため、p型窒化物半導体層5にp型半導体としての機能を発現させることができる。
多層窒化物半導体層6の形成後のウエハの熱処理条件は、特に限定されないが、たとえば、多層窒化物半導体層6の形成後のウエハを800℃の酸素雰囲気下で10分程度熱処理する条件などを挙げることができる。
(チップ化)
次に、多層窒化物半導体層6の形成後の成長用基板1を分割することによって、チップ化を行なう。1チップの表面の大きさおよび形状は、特に限定されず、たとえば、一辺が4mmの正方形、一辺が5mmの正方形、一辺が10mmの正方形、または、矩形などを挙げることができる。チップの表面を大面積化することによって、窒化物半導体発光素子の出力を高くすることができる。
なお、チップ化は、この段階で行なわなくても良く、ウエハの状態で加工を進め、最終段階でチップ化を行なってもよい。この場合には、最終段階まで、複数チップを有するウエハを1枚の取り扱いでよく、スループットを上げることができる傾向にある。
(多層窒化物半導体層の接合)
次に、図10の模式的断面図に示すように、多層窒化物半導体層6を支持基板9の表面上に接合する。
多層窒化物半導体層6を支持基板9の表面上に接合する方法は特に限定されないが、たとえば多層窒化物半導体層6上に積層されたp側電極7と、支持基板9の表面上に設置された接合材料8とを接合することにより行なうことができる。
p側電極7としては、p型窒化物半導体層5と接触抵抗が低い材料を好適に用いることができ、たとえば、Pd層とAu層との積層体、Ni層とAu層との積層体、Al層、Ni層またはPt層などを用いることができる。なかでも、n側から光を取り出す構造において、発光層4からの発光をp側電極7でより高い反射率で反射させる観点からは、p側電極7としてAl層を用いることが好ましいが、Ni層およびPt層も発光層4からの発光に対して比較的高い反射率を有しており、p型窒化物半導体層5との接触抵抗も低くなる観点から好ましい。
p側電極7の形成方法は特に限定されないが、たとえばEB(Electron Beam)蒸着法などを用いることができる。
p側電極7が形成されるp型窒化物半導体層5の表面は、p側電極7の形成に先立って酸処理が行なわれていてもよく、酸処理は、たとえば、p型窒化物半導体層5の表面をフッ酸に3分間浸漬した後に、水洗し、乾燥することにより行なうことができる。
p側電極7の形成後には、p側電極7の熱処理が行なわれてもよく、p側電極7の熱処理は、たとえば、酸素雰囲気、窒素雰囲気または乾燥空気の雰囲気下で、約800℃で約10分間、p側電極7を加熱することにより行なうことができる。
支持基板9としては、たとえば、Si、SiC若しくはGaAs等の半導体から成る半導体基板、または金属単体基板若しくは2種以上の金属の複合体から成る金属基板を用いることができる。金属基板としては、たとえば、Ag、Cu、AuおよびPt等の高導電性金属から選択された1種以上の金属と、W、Mo、CrおよびNi等の高硬度の金属から選択された1種以上の金属とからなるものを用いることができる。また、金属基板としては、たとえば、Cu−WまたはCu−Moなどの複合体を用いることもできる。また、支持基板9としては、放熱性に優れたセラミックなどを用いることもできる。
接合材料8としては、Au、Sn、Pd、In、Ti、Ni、W、Mo、Au−Sn、Sn−Pd、In−Pd、Ti−Pt−AuまたはTi−Pt−Sn等を用いることが好ましい。接合材料8としてこれらの材料を用いた場合には、共晶反応により、p側電極7と接合することが可能となる。なお、共晶反応により形成された共晶形成層は、p側電極7との接合時に互いに拡散して共晶を形成する層である。
共晶形成層の組み合わせとしては、たとえば、Au−Sn、Sn−Pd、またはIn−Pdの組み合わせなどが可能である。また、接合材料8を共晶反応によりp側電極7と接合する場合には、その接合温度は、たとえば150℃〜400℃程度の範囲とすることができる。
接合材料8としては、Agなどを含有する熱硬化型の導電性接着剤を使用することもできる。接合条件としては、たとえば、数百N〜数kN程度の加圧を行い、150℃〜400℃程度に加熱し、真空若しくは窒素雰囲気中で、15分程度保持する条件を挙げることができる。無加圧状態での接合を行う場合は、例えば、大気中で200℃程度加熱し、60分程度保持する条件を挙げることができる。材料の特性に合わせて、条件を選定する。
なお、上記においては、成長用基板1側から、バッファ層2、n型窒化物半導体層3、発光層4、p型窒化物半導体層5とし、p型窒化物半導体層5上にp側電極7を形成し、支持基板9の表面上に設置された接合材料8とを接合する例を示したが、上下反転する構成とする事も可能である。具体的には、成長用基板1側から、バッファ層2、p型窒化物半導体層5、発光層4、n型窒化物半導体層3の順に積層し、n型窒化物半導体層3上にn側電極を形成し、支持基板9の表面上に設置された接合材料8とを接合することも可能である。
(成長用基板の薄型化)
次に、図11の模式的断面図に示すように、成長用基板1の第2の表面1b側から成長用基板1を薄型化する。成長用基板1を薄型化する方法は特に限定されないが、たとえば成長用基板1の第2の表面1bを研削および/または研磨することにより行なうことができる。
成長用基板1の薄型化により、成長用基板1の厚さt1は、100μm以下とされることが好ましく、80μm以下とされることがより好ましく、60μm以下とされることが特に好ましい。
成長用基板1の厚さt1が100μm以下である場合、より好ましくは80μm以下である場合、特に60μm以下である場合には、後述する成長用基板1を剥離する工程において、光の照射によりバッファ層2を熱分解して、成長用基板1と、その一部が分解したバッファ層2または多層窒化物半導体層6との間に少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を形成することができる傾向にある。また、成長用基板1の剥離をより円滑に行なうことができる傾向にもある。
成長用基板1の薄型化により、成長用基板1の厚さt1は、20μm以上とされることが好ましい。成長用基板1の薄型化により、成長用基板1の厚さt1が20μm以上とされた場合には、成長用基板1が薄くなりすぎることによって、多層窒化物半導体層6に悪影響が及ぶ可能性が低くなる。
成長用基板1を薄型化した後には、成長用基板1の第2の表面1bを鏡面研磨することが好ましい。成長用基板1の第2の表面1bを鏡面とすることによって、後述する成長用基板1を剥離する工程において照射された光が、成長用基板1の第2の表面1bで散乱されないため、バッファ層2に均一に光を照射することが可能となるため、成長用基板1の均一な剥離が可能となる。
本明細書において、「鏡面」とは、従来から公知の鏡面研磨プロセスで実施可能な鏡面を意味する。
以下、成長用基板1を薄型化する方法の好ましい一例について説明する。まず、成長用基板1の第2の表面1bを研削することによって、成長用基板1の厚さを、たとえば150μm〜200μm程度とする。次に、研削によって生じたスクラッチ傷を除去し、研削後の成長用基板1の第2の表面1bの鏡面性を向上させるため、たとえば40μm〜100μm程度の厚さになるまで研磨により薄くする。その後、CMP(化学機械研磨)によって成長用基板1の厚さを、たとえば40μm〜100μm程度の厚さまで薄くする。CMPにより成長用基板1の第2の表面1bのスクラッチ傷を除去することができるため、後述する成長用基板1を剥離する工程において成長用基板1の第2の表面1bに光が照射された場合にも、光が散乱されず、バッファ層2に均一に照射することが可能となる。スクラッチ傷が多い場合には、照射された光が散乱することで、部分的に、成長用基板1が剥離しない領域が発生し、成長用基板1の剥離の歩留まりが低下するおそれがある。そこで、CMPにより成長用基板1の第2の表面1bのスクラッチ傷を除去することによって照射された光の散乱を抑制することができる。また、CMPによって、成長用基板1に形成されたスクラッチ傷がその一部が熱分解したバッファ層2、または、多層窒化物半導体層6に転写されるのを防ぐことができる。
また、バッファ層2に照射される光の均一性が低下した場合でも、成長用基板1を剥離することができる場合には、成長用基板1の第2の表面1bを粗面としてもよい。なお、成長用基板1の第2の表面1bが粗面であるとは、CMPを行なわずに、成長用基板1の第2の表面1bを研削および/または研磨した後の表面状態よりも粗い面を意味する。
(成長用基板の剥離)
次に、図12の模式的断面図に示すように、成長用基板1の第2の表面1b側から光10を照射することによって、光10の少なくとも一部をバッファ層2に吸収させ、成長用基板1を剥離する。
成長用基板1の剥離においては、光10の少なくとも一部をAlを含有する窒化物半導体からなるバッファ層2が吸収し、バッファ層2の少なくとも一部が熱分解して窒素ガスが生成する。この窒素ガスにより、衝撃波が発生し、衝撃波の力によって薄型化された成長用基板1が変形することで、成長用基板1と多層窒化物半導体層6との間に、たとえば図13の模式的断面図に示すような空間11が形成されるものと予想される。この空間11の形成により、成長用基板1を剥離することができる。
光10が照射された領域の中心領域においては空間11が形成される一方で、光10が照射された領域の周縁領域においては、図13に示すように、成長用基板1とバッファ層2とが近接しているため、光10をバッファ層2が吸収して熱分解することによって発生したAlおよび窒素が高密度で存在するものと考えられる。
さらに、成長用基板1として、たとえばサファイア基板などの酸素を含有する基板を用いた場合には、成長用基板1の熱分解により発生した酸素と、バッファ層2の熱分解により発生したAlおよび窒素などの物質とが反応して、当該領域には、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえば、Alと酸素と窒素とを含有する物質)が形成されると考えられる。なお、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)に含まれる酸素は、酸素を含有する基板からなる成長用基板1の熱分解によるものに限定されず、たとえば大気中の酸素であってもよい。
ここで、光10が照射された領域の中心領域から周縁領域にかけて、成長用基板1とバッファ層2との間の間隔が次第に狭くなっていくため、光10が照射された領域の中心領域から周縁領域にかけて、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素濃度が次第に高くなる酸素濃度勾配が形成される。なお、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は、たとえば、光10の照射によりバッファ層2の厚さ方向の一部のみが熱分解した場合にはバッファ層2の表面上に形成され、光10の照射によりバッファ層2の厚さ方向のすべてが熱分解した場合にはn型窒化物半導体層3の表面上に形成され得る。
実施の形態においては、光10が1回照射される毎にバッファ層2およびn型窒化物半導体層3の少なくとも一方の表面上に少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を形成しながら成長用基板1を剥離することができる。この方法によれば、たとえば窒化物半導体発光素子の表面形状が一辺500μm以上の正方形または矩形という大面積の場合であっても、また、同等の大面積を有する円形または楕円形であっても、成長用基板1を円滑に剥離することが可能となる。
図14(a)に実施の形態における薄型化した成長用基板1を光10の照射により剥離する工程の一例を図解する模式的な平面図を示し、図14(b)に図14(a)に示される光10の照射領域12の幅方向の一例の模式的な断面図を示し、図14(c)に図14(a)に示される光10の照射領域12の長さ方向の一例の模式的な断面図を示す。
図14(a)〜図14(c)に示すように、光10の照射領域12の中心領域42においては、成長用基板1とバッファ層2との間の間隔が広くなっているが、周縁領域41においては、図14(b)および図14(c)の楕円で取り囲まれた部分からも明らかなように、成長用基板1とバッファ層2との間の間隔が狭くなっている。そのため、光10の照射領域12の周縁領域41においては、光10の照射に起因してバッファ層2の熱分解により発生したAlや窒素などの溜まりが発生すると考えられる。
また、光10の照射によって、バッファ層2が瞬時に高い温度に到達するが、このときに、成長用基板1の熱分解も考えられる。そのため、成長用基板1がサファイア基板などの酸素を含有する基板である場合には、光10の照射領域12の周縁領域41においては、大気中の酸素の影響の他に、成長用基板1の熱分解により発生する酸素の影響を受けて、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素濃度が高くなる。これにより、光10の照射領域12の中心領域42から周縁領域41にかけて、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素濃度が高くなる酸素濃度勾配が形成されるため、後述のエッチング工程により、凸形状部分を有する凸形状領域21を容易に形成することができる。
このとき、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は、たとえば、60原子%以下の酸素濃度を含有する。たとえば、ある条件で、サファイア基板上のAlN層に波長193nmのエキシマレーザ光を照射することによって生成したAlと酸素と窒素とを含有する物質を走査型電子顕微鏡(SEM)付属のエネルギー分散型X線分析装置(SEM−EDX)により測定したときの測定値の一例として、光10の照射領域12の中心領域42においてはAlと酸素と窒素とを含有する物質の酸素濃度は20原子%であり、光10の照射領域12の中心領域42から周縁領域41にかけてAlと酸素と窒素とを含有する物質の酸素濃度が次第に高くなっていき、周縁領域41におけるAlと酸素と窒素とを含有する物質の酸素濃度は40原子%となる例が挙げられる。
なお、光10の照射領域12の周縁領域41における少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素濃度は、たとえば、フッ酸などの酸系エッチャントに10分程度浸漬させるエッチングによって、5原子%以下にすることができる。なお、光10の照射領域12の中心領域42における少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は、たとえば、フッ酸などの酸系エッチャントに10分程度浸漬させるエッチングによって、除去することができる。また、光10の照射領域12の周縁領域41における少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)については、たとえば、リン酸系などの酸系エッチャントや水酸化カリウムなどのアルカリ系エッチャントを用いた処理により、除去することができる。これら溶液処理の組み合わせ等により、完全に除去することも可能である。
従来の特許文献1〜3に記載の方法においては、光の照射に起因する熱分解により発生した物質は、溝を通して円滑に外部に放出される。そのため、従来の特許文献1〜3に記載の方法においては、上述のような少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は形成されない。また、熱分解されるバッファ層がGaNであることから、熱分解によりAlが発生しないため、形成されない。
(光の照射)
図15に、成長用基板1の第2の表面1bに対する光10の照射方法の一例を図解する模式的な平面図を示す。図15に示すように、光10は、たとえば、成長用基板1の第2の表面1bにおいて、光10の照射領域12を矢印13の方向に移動させながら照射される。
図15に示されるように、光10の照射領域12が互いに重複せず、光10の照射領域12が隣接するように光10を照射することが好ましい。このように光10を照射していった場合には、以下の現象が生じる。
まず、一番目の光10の照射によって、一番目の光10の照射領域12(図15の右上の照射領域12)の矩形の4辺のうち上側の辺と右側の辺とが開放されるため、一番目の光10の照射によりバッファ層2が熱分解することによって生成した窒素ガスは、当該照射領域12の上側と右側とから外部に放出される。このように、円滑に放出されるのは、成長用基板を薄膜化することで、照射により円滑に空間形成されるためである。
次に、二番目の光10の照射領域12においては、一番目の光10の照射領域12によって既に空間が形成されている上側と、元々開放されている右側とから、二番目の光10の照射によりバッファ層2が熱分解することによって生成した窒素ガスが、当該照射領域12の上側と右側とから外部に放出される。
このように、一番右側の列における光10の照射においては、バッファ層2が熱分解することによって生成した窒素ガスは、順次、光10の照射領域12毎に照射領域12の上側と右側とから外部に放出されていく。
また、右から二番目の列における光10の照射領域12は、一番右側の列における光10の照射によって右側が既に開放されているとともに、右から二番目の列における光10の先の照射により上側も開放されている。そのため、右から二番目の列においても、窒素ガスは、照射領域12の上側と右側とから外部に放出されていく。
このように、光10を順次照射していくことによって、光10の照射領域12の上側と右側とから窒素ガスが外部に放出されるとともに、光10の照射領域12の下側と左側に少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)が形成されていく。
ここで、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状は、少なくとも一辺の長さが100μm以上の矩形であることが好ましく、一辺の長さW1が100μm以上の正方形であることがより好ましい。光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状がすべての辺の長さが100μm以上の矩形である場合、特に一辺の長さW1が100μm以上の正方形である場合には、大面積の成長用基板1を剥離するための光10の照射回数を少なくすることができるため、窒化物半導体発光素子の製造効率を向上させることができる。
また、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状は、少なくとも一辺の長さが2000μm以下の矩形であることが好ましく、一辺の長さW1が2000μm以下の正方形であることが好ましい。光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状が、一辺の長さW1が2000μm以下の正方形である場合には成長用基板1の剥離に必要な光10のエネルギー密度を容易に得ることができる。
また、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状を六角形とする場合には、六角形の一辺の長さが50μm以上であることが好ましく、100μm以上であることがより好ましい。光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状が、一辺の長さが50μm以上の六角形である場合、特に一辺の長さが100μm以上の六角形である場合には、大面積の成長用基板1を剥離するための光10の照射回数を少なくすることができるため、窒化物半導体発光素子の製造効率を向上させることができる。
また、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状を六角形とする場合には、六角形の一辺の長さが2000μm以下であることが好ましい。光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状が、一辺の長さW1が2000μm以下の六角形である場合には成長用基板1の剥離に必要な光10のエネルギー密度を容易に得ることができる。
具体的には、光10の1回の照射当たりの照射領域12の好ましい形状としては、たとえば、一辺の長さW1が500μm程度の正方形、または一辺の長さ300μm程度の六角形を挙げることができるが、これに特に限定されるものではない。
なお、光10は、たとえば、図15に示すように、成長用基板1の第2の表面1bの全面を隙間無く埋め尽くすように照射されてもよい。また、光10の照射領域12の少なくとも一部を重複させながら照射されてもよい。光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状をたとえば矩形または正方形とした場合には、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状を有効に利用することができる。
また、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状をたとえば円形とすることもできる。この場合に、成長用基板1の第2の表面1bの全面を隙間無く埋め尽くすように光10を照射するためには、光10の照射領域12の少なくとも一部を重複させる必要がある。
光10の照射領域12を重複させず、一定の間隔をあけて照射することもできる。この場合には、光10の照射領域12の間隔は100μm以下であることが好ましく、10μm以下であることがより好ましい。
なお、本明細書において、「矩形」、「正方形」および「六角形」は、厳密に、「矩形」、「正方形」および「六角形」であることを意味しておらず、たとえばメタルマスクまたはフォトマスクなどによって整形可能な程度に変更されていてもよい。たとえば、「矩形」および「正方形」には、光の干渉などにより、4角の少なくとも1つの角が正確に直角ではなく、丸みを帯びているものも含まれる。また、「正方形」には、フォトマスクやメタルマスクが正方形であっても、光学系の調整により、一辺の長さが完全に同一にならないものなども含まれる。
図16に、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状が正方形であるときの光10の照射領域12の配列の一例を図解する模式的な平面図を示す。図16に示す例においては、光10の正方形状の照射領域12が、行方向および列方向のいずれにも揃い、成長用基板1の第2の表面1bの全面を隙間無く埋め尽くすようにして、光10が照射される。この場合には、後述するエッチング工程を経ることにより、図2に示すような形状に、実施の形態の窒化物半導体発光素子のn型窒化物半導体層3の表面に、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成することができる。
図16に示す例においては、成長用基板1の第2の表面1bに光10の照射を4回受ける箇所(4点集中箇所51)が存在する。光10の照射エネルギーが過剰な場合や光10の照射エネルギーの揺らぎなどによる悪影響を受けて、歩留まりが低下するのを避ける観点からは、光10の照射が重複する箇所においては、その重複回数が少ないことが好ましい。
図17に、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状が正方形であるときの光10の照射領域12の配列の他の一例を図解する模式的な平面図を示す。図17に示す例においては、光10の照射領域12が、行方向に揃っている場合には列方向にずれ、列方向に揃っている場合には行方向にずれて、成長用基板1の第2の表面1bの全面を隙間無く埋め尽くすようにして、光10が照射される。この場合には、後述するエッチング工程を経ることにより、図3に示すような形状に、実施の形態の窒化物半導体発光素子のn型窒化物半導体層3の表面に、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成することができる。
図17に示す例においては、成長用基板1の第2の表面1bに光10の照射を3回受ける箇所(3点集中箇所52)を存在させることができる。図17に示す例においては、3点集中箇所52における光10の照射の重複回数が最大となるため、図16に示す例における4点集中箇所51と比べて、光10の照射の重複回数を少なくすることができ、光10の照射ダメージに起因する悪影響を抑制できることから、大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができる。
図18に、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状が六角形であるときの光10の照射領域12の配列の一例を図解する模式的な平面図を示す。図18に示す例においては、光10の照射領域12が、行方向に揃っている場合には列方向にずれ、列方向に揃っている場合には行方向にずれて、成長用基板1の第2の表面1bの全面を隙間無く埋め尽くすようにして、光10が照射される。この場合には、後述するエッチング工程を経ることにより、図4に示すような形状に、実施の形態の窒化物半導体発光素子のn型窒化物半導体層3の表面に、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成することができる。
図18に示す例においても、成長用基板1の第2の表面1bに光10の照射を3回受ける箇所52(3点集中箇所)を存在させることができ、3点集中箇所52における光10の照射の重複回数が最大となるため、図16に示す例における4点集中箇所51と比べて、光10の照射の重複回数を少なくすることができ、光10の照射ダメージに起因する悪影響を抑制できることから、大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができる。また、照射領域12の配置形状が対照となるため、光10の照射による窒化物半導体への影響を均等に抑制することができることから、大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができる。
成長用基板1の第2の表面1bに照射される光10の波長は、200nm以下であることが好ましい。光10の波長が200nm以下である場合には、光10が大気中の酸素を分解するため、バッファ層2の熱分解時に生成される少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)により多くの酸素を取り込むことができる。これにより、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を所望の形状に形成することができることから、窒化物半導体発光素子の表面に、凸形状領域21と非凸形状領域22とを所望の形状に形成することができる。また、光10の波長が200nm以下である場合には、成長用基板1がサファイア基板であるときに、光10が成長用基板1を好適に透過し、Alを含有する窒化物半導体からなるバッファ層2が光10を効率的に吸収して熱分解する傾向にある。特に、バッファ層2に光10をより効率的に吸収させて熱分解させる観点からは、バッファ層2はAlNであることが好ましい。
光10の照射条件の一例としては、光10の光源としてArFエキシマレーザ装置を用い、光10(波長193nm)の照射エネルギー密度は500〜8000mJ/cm2程度を挙げることができる。照射エネルギーは、光10の照射形状や、光学系など、装置により様々な可能性が考えられるが、たとえば、照射形状や光学系を変更する毎に、光照射実験を行い、バッファ層2と成長用基板1との剥離を確認することにより、決定することができる。
なお、成長用基板1の第2の表面1bをCMPなどによって鏡面研磨した場合でも、成長用基板1の第2の表面1bには僅かなスクラッチ傷が残ることがある。たとえば図19の模式的断面図に示すように、成長用基板1の第2の表面1bにスクラッチ傷14が形成されている場合には、光10の照射後に成長用基板1に反りが生じるため、成長用基板1と、光10の照射により熱分解したバッファ層2または多層窒化物半導体層6との間に空間11が形成されやすくなる。スクラッチ傷14の深さは50nm以下であって、スクラッチ傷14の開口部の幅は20μm以下であることが好ましい。この場合には、空間11を容易に形成することができる。また、スクラッチ傷14の深さは30nm以下であって、スクラッチ傷14の開口部の幅は10μm以下であることがより好ましい。この場合には、光10の照射による悪影響も少なく、また、成長用基板1の反りも生じるため、空間11をより好適に形成することができる。
一方、CMPを行なわずに成長用基板1の第2の表面1bが研削および/または研磨されて、成長用基板1の第2の表面1bが粗面とされた場合には、成長用基板1の第2の表面1bに形成されるスクラッチ傷14が多くなりすぎるため、成長用基板1の第2の表面1bに照射された光10が散乱する結果、成長用基板1の均一な剥離が困難となる場合がある。
図20(a)に成長用基板1の第2の表面1bに対する光10の照射方法の他の一例を図解する模式的な平面図を示し、図20(b)に図20(a)の模式的な側面図を示す。ここで、光10の照射は、図20(a)および図20(b)に示すように、多層窒化物半導体層6の周縁から光10の照射領域12がはみ出るように矢印13の方向に移動させながら行なうことが好ましい。また、光10の照射領域12の一辺の長さW1を300μmとしたときの多層窒化物半導体層6の周縁からのはみ出し幅W2が60μm以上となることがより好ましい。さらに、光10の照射領域12の一辺の長さをW1と、はみ出し幅W2とが、((W1)/5)≦W2≦((W1)/2)の関係を満たすことがさらに好ましい。W1とW2とが上記の関係を満たす場合には、光10の照射領域12と、多層窒化物半導体層6との重複領域を十分に確保しつつ、成長用基板1を効率的に剥離することができる。また、光10の照射領域12と多層窒化物半導体層6との重複領域の端部においては、バッファ層2および多層窒化物半導体層6の一端が開放されているため、熱分解により発生する窒素ガスを効果的に外部に逃がすことができる。なお、バッファ層2および多層窒化物半導体層6の一端が開放されている領域には、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は形成されないが、バッファ層2および多層窒化物半導体層6の一端の開放は、成長用基板1を剥離する観点からは有効である。
特に、図21の模式的平面図に示すように、光10の照射領域12を矢印13a,13b,13c,13dの方向に移動させながら光10を照射(ステップアンドリピート法)することが好ましく、照射領域12の一辺の長さW1と、照射領域12の多層窒化物半導体層6の周縁からのはみ出し幅W2とが((W1)/5)≦W2≦((W1)/2)の関係を満たすようにステップアンドリピート法により光10を照射することがより好ましい。この場合にも、光10の照射領域12と多層窒化物半導体層6との重複領域の端部においては、バッファ層2および多層窒化物半導体層6の一端が開放されているため、熱分解により発生する窒素ガスを効果的に外部に逃がすことができる。
(保護膜の設置)
また、図22の模式的断面図に示すように、少なくとも、成長用基板1、バッファ層2および多層窒化物半導体層6の側壁を覆うようにSiO2などの保護膜15を設けることが好ましい。図23の模式的断面図に示すように、成長用基板1、バッファ層2および多層窒化物半導体層6の側壁に接合材料8が付着している場合には、成長用基板1の円滑な剥離が阻害される場合がある。しかしながら、図22に示すように、保護膜15を設けることによって、たとえば図24の模式的断面図に示すように、成長用基板1、バッファ層2および多層窒化物半導体層6の側壁への接合材料8の付着を防止することができる。
その後、図25の模式的断面図に示すように保護膜15を除去した後に、図26の模式的断面図に示すように、端部は、バッファ層2および/または多層窒化物半導体層6の一端が開放されているため、熱分解により発生するAlおよび窒素ガスを効果的に外部に逃がすことができる。したがって、上述の光10の照射により、成長用基板1を円滑に剥離することができる。保護膜15をSiO2とした場合は、フッ酸により除去できる。
なお、保護膜15を形成しない場合であっても、成長用基板1の周縁において、バッファ層2および/または多層窒化物半導体層6の一端が開放されていればよい。接合材料8を調整することによって上記の開放を実現することもできるが、保護膜15を用いることによって、歩留まり良く、上記の開放の構成をより容易に実現することができる。
また、素子を複数枚有するサンプルを支持基板に貼り付けた後、スクライブにより分割することによって、バッファ層2および/または多層窒化物半導体層6の一端を開放することも可能である。
(エッチング工程)
上記のようにして、成長用基板1を剥離した後には、その一部が熱分解したバッファ層2上、若しくは、バッファ層2の全部が熱分解した場合には多層窒化物半導体層6のn型窒化物半導体層3上に、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)が付着している。この少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素濃度は、その一例として、図27(a)および図27(b)に示す分布を有している。なお、ここでの少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は、自然酸化膜とは異なる。
すなわち、図27(a)に示される光10の照射領域12の中心領域42に対応する箇所に形成された少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素濃度は、図27(b)に示される光10の1回の照射当たりの照射領域12の周縁領域41に対応する箇所に形成された少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素濃度よりも低くなっている。
そして、フッ酸などの酸系エッチャント処理を施すことによって光10の照射領域12の中心領域42に形成された少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は除去され、バッファ層2、若しくは多層窒化物半導体層6のn型窒化物半導体層3が最表面に現れる。一方、光10の照射領域12の周縁領域41には、凸形状領域21の形成用として極微量の酸素を含有する少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を残留させることができる。少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は、たとえば酸系のエッチング溶液で除去することができる。上述のように、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は、酸素濃度勾配を有しているため、光10の照射領域12の周縁領域41にのみ残留させることができる。そして、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は、後述するエッチング工程によりマスクとして機能するため、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成することができる。少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素含有率が高い場合には、たとえば、NH4FとHFとH2Oとの混合水溶液、またはHFとH2Oとの混合水溶液を用いたエッチャント処理が有効である。また、少なくともAlと酸素とを含有する物質がさらに窒素を含む場合には、たとえば、リン酸、リン酸と硝酸との混合溶液、水酸化カリウム(KOH)などのアルカリ溶液、またはこれらの処理を複数組み合わせた処理が有効である。
n型窒化物半導体層3の表面を露出させる方法は特に限定されないが、たとえば、ドライエッチングまたはウエットエッチングなどでn型窒化物半導体層3の表面の一部までを除去する方法などが挙げられる。また、たとえば研削および/または研磨によってn型窒化物半導体層3の表面の一部までを除去することもできる。少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)は、RIE(Reactive Ion Etching)やICP(Inductively coupled plasma)などのドライエッチングに対して、マスクとしての役割を果たす。また、アルカリ系のウエットエッチングにおいても、アルカリ系溶液の温度、濃度およびpHなどの条件に応じて、マスクとしての役割を果たす。
上述のエッチング工程によって、たとえば図5〜図7に示されるような斜面を有する凸形状部分を形成することができ、たとえば図2〜図4に示されるような凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた非凸形状領域22とを含む升目状の構造が形成される。
(n側電極の形成)
n側電極19としては、たとえば、Al、Ti、MoおよびAuからなる群から選択された少なくとも1種の金属を蒸着法などによって積層したものなどを用いることができる。n側電極19は、たとえば、n型窒化物半導体層3の表面の少なくとも一部に形成することができ、n型窒化物半導体層3の全面に形成されていてもよく、光取り出しを向上させる観点から、メッシュ形状などに形成されていてもよい。
また、n型窒化物半導体層3の表面を露出させるエッチング工程において、たとえばドライエッチングまたはウエットエッチングを用いた場合には、エッチングによるダメージを除去するため、熱処理を行なうこともできる。このような熱処理は、たとえば、窒素雰囲気で、400℃で5分間、加熱することにより行なうことができる。
上述のようにして製造された実施の形態の窒化物半導体発光素子のp側電極7とn側電極19との間に電流を流すことによって発光層4から発光する光の波長(発光波長)は320nm未満であることが好ましく、300nm以下であることがより好ましい。窒化物半導体発光素子の発光波長が320nm未満である場合、特に300nm以下である場合には、窒化物半導体発光素子のn型窒化物半導体層3のAl組成比を25原子%以上と高いものとすることができる。このような高いAl組成比のn型窒化物半導体層3を含有する窒化物半導体発光素子において、従来のようにレーザ光の1ショット間隔毎に溝を形成しなくても光の照射領域と多層窒化物半導体層6との境界面におけるクラックの発生を抑制することができ、大面積の成長用基板1を剥離することができる効果をより顕著に発現させることができるため好ましい。
<作用効果>
上述のように、実施の形態においては、光10の1回の照射毎にAlを含有するバッファ層2およびn型窒化物半導体層3の少なくとも一方の表面に少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)が形成される。そして、ステップアンドリピート法などにより少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を形成しながら光10を照射していくことによって、従来のようにレーザ光の1ショット間隔毎に溝を形成しなくても光10の照射領域12と多層窒化物半導体層6との境界面におけるクラックの発生を抑制することができ、大面積の成長用基板1を剥離することができる。これは、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)が、光10の照射によってバッファ層2が熱分解することにより発生する衝撃波が面内方向に悪影響を及ぼすのを抑制しているためと推測される。
そして、成長用基板1を剥離した後のエッチング工程においては、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)はエッチングに対するマスクとしての機能を有していることから、上述のように、窒化物半導体発光素子の表面に、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成することができる。このような升目状の構造によって、多層窒化物半導体層6の反り力を抑制することができる。成長用基板1の剥離後の多層窒化物半導体層6は、結晶成長の昇降温時の熱膨張係数の違いなどによって大きな反り力を内包している。多層窒化物半導体層6の反り力を接合材料8を介して支持基板9に接合することによって押さえ込み、平坦にしている。また、成長用基板1の剥離前においては、多層窒化物半導体層6の反り力は成長用基板1でも押さえ込まれているが、成長用基板1を剥離することによって、多層窒化物半導体層6の反り力を押さえ込む力が低減する。しかしながら、窒化物半導体発光素子の表面に凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成することによって、理由は不明であるが、多層窒化物半導体層6の反り力を抑えることができる。多層窒化物半導体層6の反り力は、接合材料8を介した支持基板9への接合から剥れようとする力であり、窒化物半導体発光素子の表面に上記の升目状の構造を設けることによって多層窒化物半導体層6の反り力を抑えることができるため、窒化物半導体発光素子の信頼性の低下要因と考えられる、接合材料8による接着不良の故障などを抑制することができるため、窒化物半導体発光素子の信頼性向上が可能となる。
以上の理由により、実施の形態においては、大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができる。
<実験例1>
まず、図28の模式的断面図に示すように、市販されている厚さ350μmの両面研磨を施したサファイア基板101上に、厚さ約5μmのノンドープAlNバッファ層102、厚さ約2μmのSiドープn型Al0.6Ga0.4N層103、ノンドープAl0.4Ga0.6N量子井戸層とノンドープAl0.6Ga0.4N障壁層とが交互に5ペア積層されてなる発光層104、および厚さ約15nmのMgドープp型Al0.7Ga0.3Nキャリアバリア層と厚さ約10nmのMgドープp型Al0.6Ga0.4N層と厚さ約20nmのMgドープp型GaNコンタクト層とがこの順序で積層されたp型窒化物半導体層105をMOCVD法により結晶成長させた。ここで、n型Al0.6Ga0.4N層103、発光層104、およびp型窒化物半導体層105の積層体から多層窒化物半導体層6は構成された。
次に、p型GaNコンタクト層の積層後のウエハを酸素雰囲気下で800℃で10分程度熱処理した。これにより、p型窒化物半導体層(p型Al0.7Ga0.3Nキャリアバリア層、p型Al0.6Ga0.4N層およびp型GaNコンタクト層)中のp型ドーパントであるMgを活性化させて、p型の半導体としての機能を発現させた。
次に、レーザスクライブ法を用いて、ウエハから、一辺が8mmの正方形状にチップを切り出した。また、一辺が15mmの正方形状の表面を有し、厚さ1.0mmのタングステン板を用意し、有機洗浄を行なった。
次に、上記のようにして作製したチップおよびタングステン板を窒素雰囲気中に120℃程度の温度で保持して、10分程度のベーキングを行なった。
次に、EB蒸着装置により、上記のベーキング後のチップのp型GaNコンタクト層の表面上に、Niを厚さ20nmで、Auを厚さ50nmで蒸着することによって、p側電極107を形成した。その後、p側電極107の形成後のチップを500℃の窒素雰囲気で、10分程度放置し、電極アロイを実施した。
次に、図28に示すように、厚さ100μm程度の熱硬化型の導電性接着剤108を用いて、チップの多層窒化物半導体層6上に形成したp側電極107とタングステン基板からなる支持基板109とを接合した。p側電極107と支持基板109とを接合する際、導電性接着剤108のはみ出しの無いように貼り付けを行なった。
次に、図29の模式的断面図に示すように、サファイア基板101の多層窒化物半導体層106の積層側の第1の表面101aとは反対側の第2の表面101bを研削することによって、サファイア基板101を50μm程度の厚さまで薄くした。その後、サファイア基板101の第2の表面101bに研削により生じたスクラッチ傷を除去し、研磨することによって、研削後の荒れた第2の表面101bの鏡面性を向上させた。
次に、図21に示すステップアンドリピート法で、図21の矢印13a,13b,13c,13dの方向にレーザ光である光10を照射していくことによって、サファイア基板101の第2の表面101bの全面に光10を照射した。このとき、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状は、メタルマスクを用いて、一辺の長さW1が500μmの正方形に整形した形状であった。光10の隣り合う照射領域12の重なりは無く、照射領域12の多層窒化物半導体層6の周縁からのはみ出し幅W2は100μmであった。
以上の条件により、サファイア基板101の剥離の有無についての実験を行なった。その結果、光10の1回の照射当たりの照射エネルギー密度が1500mJ/cm2以上5000mJ/cm2以下の範囲である場合に、サファイア基板101の剥離が確認された。
図30の模式的平面図に、サファイア基板101の剥離後のチップの表面の光学顕微鏡による表面観察像を示す。図30に示すように、チップの表面には、光10の照射に起因して形成された凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた凹状の非凸形状領域22とを含む升目状の構造が形成されていることが観察された。このような升目状の構造を形成しながら、サファイア基板101を剥離することによって、大面積のサファイア基板101を用いた場合であっても、光10の照射領域12と多層窒化物半導体層6との境界面にクラックを発生させることなく、サファイア基板101を剥離できることを見い出した。
なお、サファイア基板101を剥離する前の状態で、p型GaNコンタクト層側からX線を入射することにより得られたX線回折スペクトルと、サファイア基板101の剥離後にAlNバッファ層102側からX線を入射することにより得られたX線回折スペクトルの2θ/ωの結果は、ほぼ同等であった。
したがって、上記の方法により、大幅な結晶劣化を引き起こすことなく、大面積のサファイア基板101を剥離できることが確認された。また、上記の方法により、最大で直径2インチのサファイア基板101の剥離を確認することができた。
<実験例2>
実験例1と同一の方法および同一の条件でチップを作製し、チップからサファイア基板101を剥離した。そして、サファイア基板101の剥離後のチップの表面における凸形状領域21を構成する凸形状部分の組成分析を行なった。その結果を図31に示す。
図31に、チップの表面の凸形状領域21を構成する凸形状部分を走査型電子顕微鏡(SEM)付属のエネルギー分散型X線分析装置(SEM−EDX)により測定した組成分析の結果を示す。図31に示す結果に基づき、変換ソフトにより、当該凸形状部分を構成する元素の原子数比(原子%)を算出したところ、光10の照射領域12の周縁領域においては、Alが27.5原子%、酸素が42.6原子%、および窒素が29.8原子%であった。一方、光10の照射領域12の中心領域においては、Alが41.9原子%、酸素が23.4原子%、および窒素が34.5原子%であった。したがって、光10の照射領域12の中心領域から周縁領域にかけて、チップの表面の凸形状領域21を構成する凸形状部分の酸素濃度が高くなる酸素濃度勾配が形成されることが確認された。
すなわち、サファイア基板101を研磨した後に、サファイア基板101の第2の表面101bからレーザ光を照射することによって剥離したサファイア基板101は、図14(b)および図14(c)に示される形状になる。その結果、光10の照射領域12の周縁領域においては、光10の照射領域12の中心領域と比較して、サファイア基板101とAlNバッファ層102との間の間隔が狭いため、AlNバッファ層102がレーザ光を吸収して発熱してその一部が熱分解する際に、サファイア基板101の一部も熱分解して、多量の酸素が供給され、当該凸形状部分における酸素濃度が高くなったものと考えられる。その一方、光10の照射領域12の中心領域においては、主に大気中の酸素が当該凸形状部分に取り込まれたものと考えられる。
なお、比較のために、同一条件下で、サファイア基板101上にAlNを成長したサンプルや、GaN基板などについてもSEM−EDXによる上記の組成分析を行なったが、酸素を検出することができなかった。よって、実験例2で検出された酸素を有する凸形状部分は、自然酸化膜ではないと判断できる。
<実験例3>
実験例1と同一の方法および同一の条件でチップを作製し、チップからサファイア基板101を剥離した。そして、サファイア基板101の剥離後のチップの表面における凸形状領域21を構成する凸形状部分の酸処理と、エッチングに対するマスクとしての適応性についての検討を行なった。
図32に、チップを常温で、10分程度フッ酸に浸漬させた後の、光10の照射領域12の中心領域のSEM−EDXにより測定した組成分析の結果を示す。図32に示すように、光10の照射領域12の中心領域には、酸素がほとんど存在しないことが確認された。この結果から、図30に示される光10の照射領域12の中心領域に形成された凸形状部分は、フッ酸処理によってほとんど除去できることがわかる。
一方、光10の照射領域12の周縁領域についても同様にSEM−EDXの組成分析を行なったところ、数原子%以下の酸素が検出された。そして、フッ酸処理後のチップの表面に対して、たとえば塩素系のドライエッチングを行なった場合には、光10の照射領域12の周縁領域に残った微量の酸素を含有する凸形状部分が、エッチング初期の段階でマスクとして働くために、図2に示すような凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた凹状の非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成することができた。このようにして形成された升目状の構造の凸形状領域21の凸形状部分の一例として、高さ400nm程度で、横幅が40μm程度の断面形状が三角形のものが形成された。
また、同様に、アルカリ系エッチャントとして、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38重量%水溶液(現像液「NMD−3」)に、上記のフッ酸処理後のチップを50℃程度で、数分間浸し、エッチングを試みたところ、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた凹状の非凸形状領域22とを含む升目状の構造を形成できることが確認された。
<実験例4>
実験例1と同様にして、p型GaNコンタクト層の表面上にp側電極を形成し、電極アロイを実施した。
次に、図28に示すように、厚さ100μm程度の熱硬化型の導電性接着剤108を用いて、チップの多層窒化物半導体層106上に形成したp側電極107とAl基板からなる支持基板109とを接合した。p側電極107と支持基板109とを接合する際、導電性接着剤108のはみ出しの無いように貼り付けを行なった。
次に、図29に示すように、サファイア基板101の多層窒化物半導体層106の積層側の第1の表面101aとは反対側の第2の表面101bを研削することによって、サファイア基板101を60μm程度の厚さまで薄くした。その後、サファイア基板101の第2の表面101bに研削により生じたスクラッチ傷を除去し、研磨することによって、55μm程度の厚さまで薄くし、研削後の荒れた第2の表面101bの鏡面性を向上させた。
次に、図21に示すステップアンドリピート法で、図21の矢印13a,13b,13c,13dの方向にレーザ光である光10を照射していくことによって、サファイア基板101の第2の表面101bの全面に光10を照射した。このとき、光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状は、メタルマスクを用いて、一辺の長さW1が500μmの正方形に整形した形状であった。光10の隣り合う照射領域12の重なりは無く、照射領域12の多層窒化物半導体層6の周縁からのはみ出し幅W2は100μmであった。
以上の条件により、サファイア基板101の剥離の有無についての実験を行なった。その結果、光10の1回の照射当たりの照射エネルギー密度が1500mJ/cm2以上5000mJ/cm2以下の範囲である場合に、サファイア基板101の剥離が確認された。
上記の方法により、光10として、サファイア基板101の剥離が確認できる照射エネルギー密度以上の過剰な照射エネルギー密度を有するレーザ光を照射したところ、一部のチップの表面で図33に示すような、窒化物半導体の削れ123の状態が見られた。この窒化物半導体の削れ123は、主に、隣接する照射領域12の接点に良く見られる現象であることが判明した。その原因としては、窒化物半導体の削れ123が発生した箇所は、その付近にレーザ光の照射を4回受けることとなるため、その時の衝撃波や発熱などの影響を受けて、窒化物半導体の削れ123が発生する場合があると考えられる。
そこで、レーザ光の照射方法を、図17に示す方法に変更した。この場合には、1箇所に照射されるレーザ光の照射回数を3回に減らすことができるため、上記と同様の照射エネルギー密度でレーザ光の照射を行なった場合には、窒化物半導体の削れ123は発見されなかった。このようなレーザ光の照射方法を用いることによって、エキシマレーザ光のエネルギー揺らぎの許容範囲を広くすることができ、窒化物半導体発光素子の歩留まりの低下を抑制することができることが確認された。
<実験例5>
実験例5においては、光10の1回の照射当たりの形状を図18に示すような六角形の形状とし、実験例4と同様の実験を行なったところ、実験例4と同様の結果が得られた。この場合にも、1箇所に照射されるレーザ光の照射回数を3回に減らすことができるため上記と同様の照射エネルギー密度でレーザ光の照射を行なった場合には、窒化物半導体の削れ123は発見されなかった。このようなレーザ光の照射方法を用いることによって、エキシマレーザ光のエネルギー揺らぎの許容範囲を広くすることができ、窒化物半導体発光素子の歩留まりの低下を抑制することができることが確認された。
<実験例6>
実験例4でサファイア基板101の剥離を行なったチップをフッ酸に10分間浸漬させ、その後、純水にて10分間洗浄を行なった。このときのチップの表面の大きさおよび形状は、一辺が3mmの正方形であった。
次に、既存のRIE法により、厚さ約5μmのノンドープAlNバッファ層102と、厚さ約2μmのSiドープn型Al0.6Ga0.4N層103のうち500nm弱程度の厚さのエッチングを行なうことによって、n型Al0.6Ga0.4N層103の頭出しを行なった。
次に、エッチング後のチップの表面には、図34の模式的平面図に示すように、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた凹状の非凸形状領域22とを含む升目状の構造が形成された。
次に、図35の模式的断面図に示すように、凸形状領域21の凸形状部分が上方に開放されるようにして、n型Al0.6Ga0.4N層103の非凸形状領域22の表面上にTi/Alのメッシュ電極からなるn側電極119を形成する。そして、窒素雰囲気で、400℃で5分間、n側電極119を加熱することにより、電極アロイを行なう。これにより、実験例6の窒化物半導体発光素子を作製した。
比較例として、サファイア基板101の剥離を行なったチップをフッ酸に10分間、リン酸に10分間、水酸化カリウム水溶液に2分間浸漬させることにより処理を行なったこと以外は実験例6と同様にして比較例の窒化物半導体発光素子を作製した。比較例の窒化物半導体発光素子においては、エッチングに対するマスクとなる少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)が除去されていたため、升目状の構造は出現しなかった。
実験例6と比較例の窒化物半導体発光素子の電流光出力特性を比較した結果、同一の電流注入条件において、実験例6の窒化物半導体発光素子は、比較例の窒化物半導体発光素子と比べて、光出力が1.2倍高くなる結果となった。これは、実験例6の窒化物半導体発光素子の表面には、比較例の窒化物半導体発光素子の表面には形成されていない、凸形状部分を有する凸形状領域21と、凸形状領域21に取り囲まれた凹形状の非凸形状領域22とを含む升目状の構造が形成されているため、光取り出し効率が向上したことによるものと考えられる。
また、実験例6の窒化物半導体発光素子の発光層104から発光して、n型Al0.6Ga0.4N層103の表面の凸形状領域21の凸形状部分を通過する光は、n型Al0.6Ga0.4N層103からAlNバッファ層102を介して空気を通ることになるため、屈折率変化が段階的となる。したがって、n型Al0.6Ga0.4N層103から直接空気に光が放出される比較例の場合と比べて界面での反射の影響が抑制され、光を効率的に取り出すことができる考えられる。
<実験例7>
光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状およびサイズを、一辺が200μmの正方形としたこと以外は実験例6と同様にして、実験例7の窒化物半導体発光素子を作製した。そして、実験例6と同様にして、実験例7の窒化物半導体発光素子の電流光出力特性を測定した。その結果、実験例7においても、実験例6と同様の結果が得られた。また光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状およびサイズを、一辺が500μmの正方形から一辺が200μmの正方形まで変化させたが、実験例6と同様の結果が得られた。
<実験例8>
光10の1回の照射当たりの照射領域12の形状およびサイズを、一辺が250μmの六角形としたこと以外は実験例6と同様にして、実験例8の窒化物半導体発光素子の電流光出力特性を測定した。その結果、実験例8においても、実験例6と同様の結果が得られた。
<実験例9>
チップの表面の形状および大きさを、一辺が5mmの正方形、一辺が10mmの正方形、一辺が30mmの正方形、および一辺が2インチの正方形とし、実験例1〜8と同様にして、サファイア基板101を剥離したところ、クラックが形成することなく、サファイア基板101を剥離させることができた。
<付記>
(付記1)
付記1に記載の窒化物半導体発光素子は、第1導電型窒化物半導体層と、発光層と、第2導電型窒化物半導体層とをこの順序で含む多層窒化物半導体層を含む窒化物半導体発光素子であって、窒化物半導体発光素子の表面に、凸形状部分を有する凸形状領域と、凸形状領域に取り囲まれた非凸形状領域とを含む升目状の構造を有している。このような升目状の構造によって、多層窒化物半導体層の反り力を抑制することができるため、窒化物半導体発光素子の繰り返し動作による接着不良の故障などを抑制することができるため、窒化物半導体発光素子の信頼性向上が可能となる。
(付記2)
付記2に記載の窒化物半導体発光素子は、凸形状領域が窒化物半導体発光素子の表面の全領域の面積の5%以上40%以下を占める付記1に記載の窒化物半導体発光素子である。凸形状領域が、窒化物半導体発光素子の表面であるn型窒化物半導体層の表面の全領域の面積の5%以上40%以下を占める場合には、凸形状領域と非凸形状領域とを含む升目状の構造を形成したことによる大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができるという効果をより効果的に発現させることができるとともに、n型窒化物半導体層の表面上にn側電極をメッシュ状に形成した場合のn側電極の断線もより効果的に抑制することができる。
(付記3)
付記3に記載の窒化物半導体発光素子は、凸形状部分は下面を有しており、下面の幅が5μm以上100μm以下であり、凸形状部分の高さが1000nm以下である付記1または付記2に記載の窒化物半導体発光素子である。この場合には、凸形状領域の凸形状部分を跨ぐようにしてn側電極を形成した場合であっても、n側電極における断線の発生を抑えることができるとともに、n側電極の形成などのプロセス工程における悪影響(レジスト塗布の不均一性やフォトリソグラフィ工程における不具合など)を抑制することができる。また、この場合には、大面積の窒化物半導体発光素子をより安定して製造することができる。さらに、この場合には、窒化物半導体発光素子の最表面にn型窒化物半導体層が露出している場合は、n側電極の形成面積を拡大させることができるため、n側電極のコンタクト抵抗を抑制することができる。
(付記4)
付記4に記載の窒化物半導体発光素子は、平面視において、凸形状領域が、3方向から合流する1点を有する付記1または付記2に記載の窒化物半導体発光素子である。この場合には、光の照射の重複回数を少なくすることができ、光の照射ダメージに起因する悪影響を抑制できることから、大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができる。
(付記4−1)
付記4−1に記載の窒化物半導体発光素子は、凸形状部分を有する凸形状領域で取り囲まれた非凸形状領域は矩形状または正方形状であって、行方向に揃っている場合には列方向にずれ、列方向に揃っている場合には行方向にずれている付記4に記載の窒化物半導体発光素子である。これにより、光の照射の重複回数を少なくすることができ、光の照射ダメージに起因する悪影響を抑制できることから、大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができる。
(付記4−2)
付記4−2に記載の窒化物半導体発光素子は、凸形状部分を有する凸形状領域で取り囲まれた非凸形状領域は六角形状であって、行方向に揃っている場合には列方向にずれ、列方向に揃っている場合には行方向にずれている付記4に記載の窒化物半導体発光素子である。これにより、光の照射の重複回数を少なくすることができ、光の照射ダメージに起因する悪影響を抑制できることから、大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができる。また、照射領域の配置形状が対照となるため、光の照射による窒化物半導体への影響を均等に抑制することができることから、大面積の窒化物半導体発光素子を歩留まり良く製造することができる。
(付記5)
付記5に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長用基板の第1の表面上にAlを含有する窒化物半導体層を形成する工程と、Alを含有する窒化物半導体層上に、第1導電型窒化物半導体層と、発光層と、第2導電型窒化物半導体層とがこの順序で配置された多層窒化物半導体層を形成する工程と、多層窒化物半導体層を支持基板の表面上に接合する工程と、支持基板の表面上に接合する工程の後に、成長用基板の第1の表面とは反対側の第2の表面側から成長用基板を薄型化する工程と、成長用基板の第2の表面側から光を照射し、光の少なくとも一部をAlを含有する窒化物半導体からなる層に吸収させることによって成長用基板を剥離する工程と、成長用基板を剥離する工程の後にエッチングする工程とを含み、成長用基板を剥離する工程においては、Alを含有する窒化物半導体層および第1導電型窒化物半導体層の少なくとも一方の表面に少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)が形成され、エッチングする工程においては、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)をマスクとして、第1導電型窒化物半導体層の表面に、凸形状部分を有する凸形状領域と凸形状領域に取り囲まれた非凸形状領域とを含む升目状の構造が形成される窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合には、ステップアンドリピート法などにより少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を形成しながら光を照射していくことによって、従来のようにレーザ光の1ショット間隔毎に溝を形成しなくても光の照射領域と多層窒化物半導体層との境界面におけるクラックの発生を抑制することができ、大面積の成長用基板を剥離することができる。そして、成長用基板を剥離した後のエッチング工程においては、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)はエッチングに対するマスクとしての機能を有していることから、窒化物半導体発光素子の表面に、凸形状部分を有する凸形状領域と、凸形状領域に取り囲まれた非凸形状領域とを含む升目状の構造を形成することができる。このような升目状の構造によって、多層窒化物半導体層の反り力を抑制することができるため、窒化物半導体発光素子の繰り返し動作による接着不良の故障などを抑制することができるため、窒化物半導体発光素子の信頼性向上が可能となる。
(付記6−1)
付記6−1に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、光の1回の照射当たりの照射領域の形状が、少なくとも一辺の長さが100μm以上2000μm以下の矩形、若しくは一辺の長さが100μm以上2000μm以下の正方形である付記5に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合には、大面積の成長用基板を剥離するための光の照射回数を少なくすることができるため窒化物半導体発光素子の製造効率を向上させることができるとともに、成長用基板の剥離に必要な光のエネルギー密度を容易に得ることができる。
(付記6−2)
付記6−2に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、光の1回の照射当たりの照射領域の形状が一辺の長さが50μm以上2000μm以下の六角形である付記5に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合には、大面積の成長用基板を剥離するための光の照射回数を少なくすることができるため窒化物半導体発光素子の製造効率を向上させることができるとともに、成長用基板の剥離に必要な光のエネルギー密度を容易に得ることができる。
(付記7)
付記7に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、光の1回の照射当たりの照射領域の形状に起因して発生する少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の酸素濃度において、光の1回の照射当たりの照射領域の周縁領域の酸素濃度が、中心領域の酸素濃度よりも高い付記5、付記6−1または付記6−2のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。酸系エッチャント処理を行なうことによって、光の1回の照射当たりの照射領域の中心領域の少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を除去し、周縁領域の少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)のみを残すことができ、周縁領域の少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)をエッチングに対するマスクとして機能させることができる。
(付記8)
付記8に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、Alを含有する窒化物半導体層がAlNである付記5、付記6−1、付記6−2または付記7のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合には、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)をエッチング工程においてマスクとして効果的に機能させることができる。
(付記9)
付記9に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長用基板の第1の表面上に形成されたAlを含有する窒化物半導体層と多層窒化物半導体層との合計の厚さが3μm以上である付記5、付記6−1、付記6−2、付記7または付記8のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合には、成長用基板を剥離する工程において、光の照射によりAlを含有する窒化物半導体層が熱分解して成長用基板と全部またはその一部が分解されたAlを含有する窒化物半導体層とが剥離される時に発生すると考えられる衝撃波の発光層への悪影響を抑制することできる。
(付記10)
付記10に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長用基板がサファイア基板である付記5、付記6−1、付記6−2、付記7、付記8または付記9のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。サファイア基板は、たとえば150nm〜1000nmにわたる広い波長領域の光に対して高い透過率を有していることから、成長用基板の材料として好適である。
(付記11)
付記11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、光の波長が200nm以下である付記5、付記6−1、付記6−2、付記7、付記8、付記9または付記10のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。光の波長が200nm以下である場合には、光が大気中の酸素を分解するため、Alを含有する窒化物半導体層の熱分解時に生成される少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)により多くの酸素を取り込むことができる。これにより、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を所望の形状に形成することができることから、窒化物半導体発光素子の表面に、凸形状領域と非凸形状領域とを所望の形状に形成することができる。また、光の波長が200nm以下である場合には、成長用基板がサファイア基板であるときに、光が成長用基板を好適に透過し、Alを含有する窒化物半導体からなるバッファ層が光を効率的に吸収して熱分解する傾向にある。
(付記12)
付記12に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、フッ酸処理により、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の一部を除去する付記5、付記6−1、付記6−2、付記7、付記8、付記9、付記10または付記11のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合には、光の照射領域の中心領域における少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を除去して、光の照射領域の周縁領域に少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を残してエッチングマスクとすることができる。
(付記13)
付記13に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法は、リン酸処理により、少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)の一部を除去する付記5、付記6−1、付記6−2、付記7、付記8、付記9、付記10、付記11または付記12のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合には、光の照射領域の周縁領域に残された少なくともAlと酸素とを含有する物質(たとえばAlと酸素と窒素とを含有する物質)を完全に除去することができる。
以上のように本発明の実施の形態および実験例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および各実験例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
今回開示された実施の形態および実験例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。