JP2002353504A - メサ上に高反射誘電被覆が施された半導体ledフリップチップ - Google Patents
メサ上に高反射誘電被覆が施された半導体ledフリップチップInfo
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Abstract
度で入射する光のメサ壁での損失を最小限にするLED
構造。 【解決手段】 本発明の一実施形態において、フリップ
チップLEDのメサ壁上に高反射性の誘電体スタックが
形成される。誘電体スタックの層は、基板に対して−1
0から30度までの範囲の角度で入射する光の反射が最
大になるように選択される。誘電体スタックは、低屈折
率層と高屈折率層の交互層からなる。いくつかの実施形
態において、LEDは、銀を含むpコンタクトを有する
III族窒化物デバイスであり、メサ壁に隣接する誘電体
スタック層は、GaNに比べて低い屈折率を有し、低い
屈折率の層は、Al2O3である。
Description
在利用可能な光源の中で最も効率的な光源である。可視
スペクトル領域で作動可能な高輝度LEDの製作におい
て現在関心がもたれている材料系は、III−V族半導
体、特に、III族窒化物材料とも呼ばれるガリウム、ア
ルミニウム、インジウム及び窒素の、2元、3元及び4
元合金を含むものである。典型的には、III族窒化物デ
バイスは、有機金属化学気相成長法(MOCVD)、分
子線エピタキシ法(MBE)、或いは他のエピタキシア
ル技術により、サファイア、炭化ケイ素、又はIII族窒
化物の基板上にエピタキシアル成長される。これら基板
のいくつかは、絶縁性又は低導電性である。このような
基板上に半導体結晶を成長させて製作されるデバイス
は、デバイスの同じ側にエピタキシアル成長された半導
体に、正と負の両方の極性の電気コンタクトを有しなけ
ればならない。これとは対照的に、導電性基板上に成長
される半導体デバイスは、一方の電気コンタクトがエピ
タキシアル成長された材料の上に形成され、もう一方の
電気コンタクトが基板の上に形成されるように製作する
ことができる。しかしながら、導電性の基板上に製作さ
れるデバイスはまた、LEDチップからの光の取出しが
向上するように、チップの電流容量が向上するように、
又はLEDダイのヒートシンク性が向上するようにする
ために、エピタキシアル材料がフリップチップ構造で成
長されたデバイスの同じ側に両方のコンタクトを有する
ように設計することができる。
スを製作するためには、半導体接合のp型及びn型側に
適切な極性の電気キャリアが注入され、それらが再結合
して光を生じるように、コンタクトを互いに電気的に分
離する必要がある。図1は、典型的なIII族窒化物LE
Dデバイスを示す。例えば、n層12と、活性領域13
と、p層14を含む半導体層が、基板11上にエピタキ
シアル成長される。pコンタクト15とnコンタクト1
7が、上述のようにデバイスの同じ側に形成される。p
コンタクト15とnコンタクト17の間の電気的隔離
は、デバイスの中で最上層からその下にあるn層まで延
びるメサ構造18をエッチングし、pコンタクト15と
nコンタクト17を別個に形成することで達成される。
このLEDは、典型的にははんだバンプによりLEDが
マウントされるようになったサブマウントを含むサブマ
ウント組立体22に取り付けられる。はんだバンプは、
サブマウントとLEDとの間に隙間を与える。次いで、
結合されたLED及びサブマウント組立体は、通常は、
高屈折率のゲル又はエポキシにより包み込まれる。
の中で発生した光がサファイア基板を通して取り出され
ることから、サファイア基板の屈折率に可能な限り近似
するように選択される。屈折率の差によって、2つの材
料間の界面に光が入射する際に、どれだけの量の光が該
界面で反射されるか、及び、どれだけの量の光が該界面
を通り抜けるかが決まる。屈折率の差が大きくなるほ
ど、多くの光が反射する。従って、サファイア基板とデ
バイスを包む高屈折率のゲルとの間の屈折率の差が小さ
いことは、デバイスの中で発生してサファイア基板の射
出面に到達する光のほとんどが、デバイスから取り出さ
れることを保証するものとなる。
じるが、一つには半導体層の高い屈折率のために、該フ
ォトンを半導体からLEDパッケージ内へ及び外界へ取
り出すことは困難である。例えば、Windisch他
著「Applied Physics Letter
s」第74巻第16号(1999年)2256ページを
参照されたい。エピタキシアル半導体内で生じたフォト
ンは、半導体と基板11の間の界面、半導体とサブマウ
ント組立体22の高屈折率のゲルとの間に位置するメサ
壁18の界面、或いは、半導体と金属コンタクトの間の
界面の、何れにも入射する。これら3つの界面の何れに
も入射するフォトンは、材料の屈折率の段差に直面す
る。このような屈折率の段差により、このような界面に
入射する光線20は、透過部分20aと反射部分20b
とに分けられる。メサ壁18から外に透過した光(すな
わち部分20a)を、デバイスの外の有効な方向に向け
ることはできず、それゆえ、メサ壁18での透過による
光の損失は、半導体LEDにおける光抽出効率の低さの
原因となる。
コンタクト間の半導体領域とサブマウント組立体との間
に位置するメサ壁18の界面において、屈折率の小さな
差が生じる。これにより、この領域に入射する光の多く
がサブマウント組立体の方向に透過して、著しい光学的
損失が生じる。上述のように、この領域においてサブマ
ウント組立体の方向に取り出された光をパッケージから
効率的に取り出すことはできず、それどころか、光はサ
ブマウントに入射しそこで吸収される。図1に示すよう
なデバイス上のコンタクト間におけるデバイス領域は、
全領域の10パーセントと推定される。この領域は、メ
サ壁と、各コンタクトの縁部とメサ壁との間に位置する
基板に平行な半導体材料の小部分を含む。このような損
失を減少させる方法は、基板に平行なコンタクト間の領
域が減少するように、自己整合メタライゼーションを行
い、製造誤差を厳しくすることのようなウェーハ製作技
術の使用を含む。このようなウェーハ製作技術は、信頼
性向上の問題や、製作の困難さなどのような他の問題を
生じることになる。さらに、サファイア上に成長され高
屈折率のゲルに包み込まれたIII族窒化物LED構造の
3−D光線追跡モデリングにより、LEDチップからこ
の望ましくない方向に取り出された光の大部分は、エピ
タキシアル半導体を成長させた基板面に平行に延びるエ
ピタキシアル材料のいずれかの表面からではなく、メサ
壁を通して失われることが示されるので、ウェーハ製作
技術は損失を著しく減少させるものとはならない。メサ
壁で取り出される光は、LED内で生じる光のおよそ1
5%であり、厳密な数字は、多くの因子の中でもとりわ
けメサ壁の高さと角度に左右される。
減衰する。減衰は、半導体内の全ての箇所で起こる可能
性があるが、例えば、半導体と基板の間の界面、半導体
とコンタクトの間の界面、活性領域、及び、第1半導体
層と基板の間に位置するいずれの核生成層においても最
大となることがある。光がさらに伝搬すると、さらに減
衰が起こる。基板に対する伝搬の角度が大きな角度βで
半導体を通過する光線は、小さな角度βの光線と比較し
て、基板と平行に分解された半導体中の与えられた距離
を進むのに、より長い経路を必要とする。光線が反射す
るたびに、伝搬角度の符号が反転する。例えば、角度β
で伝搬する光線は、反射すると角度−βで伝搬するよう
になる。大きな角度βの光線は、活性領域を多数回通過
し、種々の界面(そして特に半導体/pコンタクト界面
と、半導体/基板界面)において多数回反射する。光線
は、反射する毎にさらに減衰する。それゆえ、このよう
な光線は、浅い角度βで進む光線よりも、x方向の単位
伝搬距離当たり多くの減衰が起こりやすい。従って、メ
サ壁に入射する光束(光強度)のほとんどは、該メサ壁
に浅い角度βで入射するようになる。
壁上の光束分布のモデルを示す。コンタクトにおいて幾
らかの吸収のあるデバイス、例えば、アルミニウムpコ
ンタクトを有するデバイスについては、メサに入射する
全光束の70%又はそれ以上が、角度−10度<β<3
0度で入射する。理想的なデバイス、すなわち、純銀の
pコンタクトのような高反射性のpコンタクトを有する
デバイスについては、これと同じ角度の範囲内でメサ壁
に入射する光束の割合は、約60%に低下する。
0度までの間の角度で入射する光のメサ壁での損失を最
小限にするLED構造が必要である。
いて、フリップチップLEDのメサ壁上に高反射性の誘
電体スタックが形成される。誘電体スタックの層は、基
板に向かう方向の10度から基板から離れる方向の30
度までの範囲の角度で入射する光の反射が最大になるよ
うに選択される。誘電体スタックは、低屈折率層と高屈
折率層との交互層からなる。いくつかの実施形態におい
て、LEDは、銀を含むpコンタクトを有するIII族窒
化物デバイスであり、メサ壁に隣接する誘電体スタック
の層は、GaNに比べて低い屈折率を有し、低屈折率の
層は、Al2O3である。
LEDのメサ壁は、2つ又はそれ以上の異なる屈折率の
誘電体材料の交互層である高反射性(HR)誘電体スタ
ックで被覆される。HRスタックは、LEDチップ内で
被覆されたメサ壁に入射するように案内された光の大部
分を反射し再指向させ、基板を通してLEDから効果的
に光を取り出すことができるようにすることによって、
メサ壁を通して失われる光を減少させる。メサ壁上にH
Rスタックを使用すると、チップの設計と製作に付加さ
れる複雑さは最小限で、LEDフリップチップからの抽
出効率が向上する。
コンタクト17からpコンタクト15を隔てるメサ壁上
に、HRスタック21が形成される。メサ壁は通常、基
板の平面に対して約35度から55度の角度で形成され
る。HRスタック21は、いくつかの区分された誘電体
層を含む。HRスタック21には、半導体層12、13
及び14と比べて低い屈折率の誘電体層(層21a及び
層21c)と、この低い屈折率の層と比べて高い屈折率
の誘電体層(層21b)とが交互に形成される。高い屈
折率の層は、一般に2.1より高い、通常は2.1から
2.7までの範囲の屈折率を有する。低い屈折率の層
は、一般に1.8より低い、通常は約1.35から1.
8までの範囲の屈折率を有する。1.8から2.1まで
の間の屈折率を有する材料は、HRスタックに使用され
る他の材料の組成に応じて、高屈折率層又は低屈折率層
のいずれにも使用できる。これらの層は、HRスタック
上に入射した光の反射が最大となるように設計された屈
折率の差を生じるように選択される。一実施形態におい
て、半導体層12、13及び14は、高い屈折率を有す
るIII族窒化物材料である。従って、半導体層12、1
3及び14に隣接するHRスタック層である誘電体層2
1aは、低い屈折率を有する。低屈折率の材料と高屈折
率の材料とが交互する結果として、HRスタックはメサ
壁に入射する光に対して高い反射性のものとなる。
10度から30度までの範囲の角度でメサ壁に入射する
光線に、最大の反射性を与えるように選択され配置され
る。低屈折率(RI)の層21a、21cは、例えば、
ケイ素の酸化物、窒化物、及び酸窒化物と、アルミニウ
ムの酸化物と、リチウム、カルシウム及びマグネシウム
のフッ化物と、別の材料との合金にされた又は別の材料
がドープされたこれら材料を含む他の材料である。高R
I層21bは、例えば、チタン、ジルコニウム、タンタ
ル、及びマンガンの酸化物、硫化亜鉛、約2.1より高
い屈折率を有するIII族窒化物材料、及び別の材料との
合金にされた又は別の材料がドープされたこれら材料を
含む他の材料である。高屈折率層又は低屈折率層のいず
れかであると考えることができる層は、例えば、ハフニ
ウム、スズ、又はアンチモンの酸化物、約2.1より低
い屈折率を有するIII族窒化物材料、及び、別の材料と
の合金にされた又は別の材料がドープされたこれら材料
を含む他の材料である。表1は、例示的な半導体層、低
屈折率層、及び高屈折率層の屈折率を示す。
ク21の個々の層は、 の厚さを有し、ここで、λは、個々の層における伝搬光
の波長であり、nは、奇数の整数である。nは、どのよ
うな奇数の整数でもよいが、nが1、3、5又は7に等
しい実施形態は、製作が最も簡単である。波長は、 により与えられる、層の材料の屈折率の関数であり、こ
こで、RIは、材料の屈折率であり、cは、真空中での
光の速度であり、fは、光の周波数である。与えられた
周波数の光は、全てが異なる屈折率を有する種々の半導
体層中、空気中、及び種々の誘電体層中において異なる
波長を有する。
ク21の個別の層は、 の厚さを有し、ここで、θは、メサ壁と基板のなす角度
である。
るためには、光線31b、32b、33bは全て、材料
の界面21a→14で建設的に干渉する必要がある。こ
れらが相殺的に干渉する場合には、スタックは、HRで
はなくむしろ抗反射性になる。上述の層の厚さは、建設
的な干渉が起こるのを可能にする。
る光線35の簡略化された経路を示す。光線35は、半
導体層14を通り抜けて、誘電体層21aに入射する。
半導体層14と誘電体層21aとの屈折率の段差によ
り、光線35の誘電体層21aを透過する部分31aと
反射する部分31bが生じる。透過部分31aは、誘電
体層21aを通り抜けて、誘電体層21bに入射する。
誘電体層21aと誘電体層21bとの屈折率の段差によ
り、光線31aの透過する部分32aと反射する部分3
2bが生じる。透過部分32aが次の界面に入射する際
に、再び、部分33aが透過し、部分33bが反射す
る。図4に示すように、HRスタック21は、光線35
の一部分(すなわち光線31b、32b及び33b)を
反射して半導体層に戻し、この光は該半導体層で効果的
に取り出すことができる。光線35の小部分(すなわち
光線33a)のみが、光を有効に取り出すことができな
い方向に失われる。
ア、又はIII族窒化物の基板上に形成されたフリップチ
ップデバイスである。pコンタクト15は、銀、高反射
性の銀合金、銀を含む金属の多重スタック、又は銀では
ない他のいずれか適当なコンタクトとすることができ
る。pコンタクトが銀を含む実施形態において、エピタ
キシアル層と接触するHRスタック層を含む低RI層
は、通常は酸化アルミニウムであり、デバイスの動作中
におけるデバイスの他の層への又は他の層を横切る銀の
マイグレーションを抑制するので、pコンタクトとnコ
ンタクトの間、又はpn接合における短絡が減少し、デ
バイスの信頼性が向上する。pコンタクトが銀を含む実
施形態では、シリコンの酸化物を含む低RI層は、この
ような酸化物が存在するとデバイスの動作中における銀
のマイグレーションが増進されることがあるので敬遠さ
れる。
おいて、HRスタック21の上層は反射性の金属である
が、HRスタック21を反射性にするために上層として
金属が必要とされるというわけではない。反射性金属の
上層は、pコンタクト又はnコンタクトの一部を形成す
ることができ、選択されたコンタクトの電流容量を向上
させるために、他のコンタクトと重ね合わせることがで
きる。図3Bにおいて、nコンタクト17は、HRスタ
ックの上に重なる。図3Bの左側において、nコンタク
トの一部がpコンタクトの一部の上に重なる。このよう
な実施形態では、誘電体層が、デバイス寿命中のpコン
タクトとnコンタクトの重なり部分間での短絡を防ぐよ
うに、HRスタックに少なくとも1層の高品質の誘電体
層を付着する必要がある。
係るLEDの製作を示す。図5Aを参照すると、Si
C、サファイア、III族窒化物、又は他のいずれか適当
な基板のような基板11の片側又は両側を研磨し、次い
で種々の洗浄剤で処理する。次いで、GaNベースの半
導体層を、基板上に成長させる。基板を反応器内に配置
し、トリメチルガリウム及びアンモニア等のような、反
応して基板の表面にエピタキシアルGaNを形成する前
駆ガスを導入する。層13及び14を形成するために、
トリメチルインジウム又はトリメチルアルミニウムのよ
うな他の気体を加える。次いで、半導体層の全表面上
に、後でpコンタクトを形成することになるメタライゼ
ーション15を付着させ、pコンタクト・メタライゼー
ションを残す領域に、フォトレジスト16を付着させ
る。メタライゼーション15は、例えば、銀、酸化ニッ
ケル/金、アルミニウムの薄い反射層で覆われたニッケ
ル/金、或いは、他のいずれか適当なpコンタクト金属
とすることができる。パターン16は、例えば、ポジ型
フォトレジスト又はネガ型フォトレジストとすることが
できる。
5、p層14、活性層13、及びn層12の、パターン
16で被覆されていない部分を、例えば反応性イオンエ
ッチングによりエッチング除去する。ウエットエッチン
グのような他のエッチングを使用することもできる。エ
ッチング工程により、その上にHRスタックが形成され
るメサ壁18が形成される。メサ壁の角度は、n層12
を露出するために使用されるエッチングの種類によって
調整することができる。反応性イオンエッチングによ
り、メサ壁と基板のなす角度が約35度から約55度ま
でのメサ壁が形成される。エッチングの化学的方法とエ
ッチング条件の変更により、メサ壁の角度は変化する。
iW、TiWN、或いは他のいずれか適当な材料の薄い
拡散障壁100を銀の上に配置して、デバイスの他の領
域への銀のマイグレーションを防ぐことができる。拡散
障壁層の組成は、銀のマイグレーションに対する障壁と
して電気伝導度と有効性が最適となるように選択され
る。ガードシートの窒素含有量が増加するにつれて、拡
散障壁は、導電性が低くなるが、銀のマイグレーション
に対する障壁性は向上する。更に、銀のpコンタクトを
使用する場合は、銀と半導体の間に薄い密着層を付着し
て、銀と半導体の密着性を向上させることができる。密
着層は、例えば、Ni、Co又はTiとすることができ
る。
コンタクトを形成する金属層を付着させ、次いでパター
ン形成し、除去することによりn層12の露出部分上に
nコンタクト17を形成する。nコンタクト17は、例
えば、アルミニウムとすることができる。
HRスタック21を形成する。HRスタックの各誘電体
層をコンフォーマル層として付着させ、HRスタックが
メサ壁18のみを覆うように、pコンタクト15及びn
コンタクト17上のHRスタックの部分をエッチングに
より除去する。
板上に取り付ける。pコンタクト15及びnコンタクト
17上のはんだバンプ受け入れ領域に濡れ性の金属50
を付着させることにより、はんだバンプパターンを形成
する。次いで、はんだバンプ51によりデバイスにサブ
マウント52を結合する。はんだコンタクトは、LED
に電気的接触を与え、LEDにより生じた熱をチップか
ら放散させる。
リップチップデバイスのメサ上のHRスタックは、製作
が簡単であり、有効方向の光抽出を向上させる。加え
て、他の形式の反射性メサ被覆とは異なり、HRスタッ
クは、特定の入射角の光に対して高い反射性を有するよ
うに設計できる。例えば、メサに付着された金属層、又
は誘電体/金属の二重層は、広範囲の入射角に対して高
い反射性を与えることができる。しかしながら、上述の
LEDフリップチップの場合は、メサに入射する光束の
大部分が、かなり狭い範囲内の角度(−10度から+3
0度までの角度β)で入射する。HRスタックを、選択
された入射角の範囲において、金属層、又は誘電体/金
属の二重層よりも高い反射性を有するように設計するこ
とができる。例えば、H.A.マクリードによるThi
n Film Optical Coatingsを参
照されたい。
きたが、その広い態様において本発明から逸脱すること
なく変更及び修正を加えることができ、したがって、特
許請求の範囲は、本発明の真の精神及び範囲に属するこ
のような変更及び修正の全てを包含することが、当業者
には明らかであろう。例えば、本発明は、上述のGaN
ベースのデバイスに限定されるものではない。さらに、
上述のエッチングではなく、リフトオフ工程により金属
及び誘電体を形成することができる。また、メサ(活性
層、p層、及び、n層の下にある部分)は、エッチング
除去する必要はなく、別の手法として選択的に成長させ
ることもできる。
角度の関数としてモデル化して示す。
サ壁上に形成された高反射性の誘電体スタックを示す。
サ壁上に形成された高反射性の誘電体スタックと共に、
該誘電体スタックの上に重なる金属を示す。
高反射性の誘電体スタックを通り抜ける光線の進路を示
す。
を示す。
を示す。
を示す。
を示す。
Claims (19)
- 【請求項1】 基板と、 前記基板の上に重なるn型層と、 前記n型層の上に重なる活性領域と、 前記活性領域の上に重なるp型層と、 前記n型層に結合されたnコンタクトと、 銀を含み、前記p型層に結合されたpコンタクトと、を
備え、 前記nコンタクトと前記pコンタクトがデバイスの同じ
側に形成され、前記nコンタクトがメサ壁によって前記
pコンタクトから電気的に隔離され、 前記メサ壁上に高反射性の誘電体スタックが形成され
た、ことを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項2】 前記n型層、前記活性領域、及び前記p
型層が、III族窒化物材料であることを特徴とする請求
項1に記載の発光デバイス。 - 【請求項3】 前記メサ壁と前記基板のなす角度が、約
35度から55度までであることを特徴とする請求項1
に記載の発光デバイス。 - 【請求項4】 前記高反射性の誘電体スタックが、前記
n型層、前記p型層、及び前記活性領域のいずれの屈折
率よりも低い第1の屈折率を有する第1の材料と、前記
第1の屈折率よりも高い第2の屈折率を有する第2の材
料との交互層を含むことを特徴とする請求項1に記載の
発光デバイス。 - 【請求項5】 前記高反射性の誘電体スタックがm個の
層を含み、mは、7より小さいか又は7に等しいことを
特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。 - 【請求項6】 前記高反射性の誘電体スタックの上に重
なる金属層を更に備え、前記金属層が、前記pコンタク
トと前記nコンタクトのうち1つに結合されたことを特
徴とする請求項1に記載の発光デバイス。 - 【請求項7】 前記高反射性の誘電体スタックが、前記
メサ壁の上に形成された第1の誘電体層と、前記第1の
誘電体層の上に形成された第2の誘電体層とを含み、 前記第1の誘電体層が、前記n型層、前記p型層、及び
前記活性領域のいずれの屈折率よりも低い第1の屈折率
を有し、 前記第2の誘電体層が、前記第1の屈折率よりも高い第
2の屈折率を有する、ことを特徴とする請求項1に記載
の発光デバイス。 - 【請求項8】 前記第1の誘電体層が、ケイ素の酸化
物、ケイ素の窒化物、ケイ素の酸窒化物、アルミニウム
の酸化物、リチウムのフッ化物、カルシウムのフッ化
物、及びマグネシウムのフッ化物からなる群から選択さ
れることを特徴とする請求項7に記載の発光デバイス。 - 【請求項9】 前記第2の誘電体層が、III族窒化物材
料、チタンの酸化物、ハフニウムの酸化物、ジルコニウ
ムの酸化物、タンタルの酸化物、スズの酸化物、マンガ
ンの酸化物、及びアンチモンの酸化物からなる群から選
択されることを特徴とする請求項7に記載の発光デバイ
ス。 - 【請求項10】 前記第1の誘電体層の厚さが、 にほぼ等しく、nが奇数の整数であり、λが前記第1の
誘電体層における光の波長であることを特徴とする請求
項7に記載の発光デバイス。 - 【請求項11】 前記第1の誘電体層の厚さが にほぼ等しく、nは奇数の整数であり、λは前記第1の
誘電体層における光の波長であり、θは前記メサ壁と前
記基板のなす角度の大きさであることを特徴とする請求
項7に記載の発光デバイス。 - 【請求項12】 前記第1の誘電体層と前記第2の誘電
体層の各々の組成及び厚さが、前記基板に向かう方向の
10度から前記基板から離れる方向の30度までの範囲
の伝搬角度でメサ壁に入射する光の反射が最大となるよ
うに選択されることを特徴とする請求項7に記載の発光
デバイス。 - 【請求項13】 前記第1の誘電体層が、酸化アルミニ
ウムからなることを特徴とする請求項7に記載の発光デ
バイス。 - 【請求項14】 前記第2の誘電体層が、酸化チタンか
らなることを特徴とする請求項13に記載の発光デバイ
ス。 - 【請求項15】 前記第1の誘電体層と前記第2の誘電
体層が誘電体層の第1の対を形成し、デバイスがさら
に、n対の付加的な誘電体層を含み、nが4より小さい
か又は4に等しいことを特徴とする請求項7に記載の発
光デバイス。 - 【請求項16】 基板上にn型層を形成し、 前記n型層上に活性領域を形成し、 前記活性領域上にp型層を形成し、 前記p型層上に銀を含むpコンタクトを形成し、 前記pコンタクトの一部と、前記p型層の一部と、前記
活性領域の一部と、前記n型層の一部とをエッチング除
去し、前記n型層の一部を露出させ、前記エッチングに
よりメサ壁を形成し、 前記n型層の前記露出部分上にnコンタクトを形成し、 前記メサ壁上に高反射性の誘電体スタックを形成する、
ことを特徴とする発光デバイスを形成する方法。 - 【請求項17】 前記高反射性の誘電体スタックを形成
することが、 誘電体材料の第1のコンフォーマル層を付着し、 誘電体材料の第1のコンフォーマル層上に誘電体材料の
第2のコンフォーマル層を付着し、 前記pコンタクト及び前記nコンタクトを覆う、前記第
1のコンフォーマル層及び第2のコンフォーマル層の一
部を除去する、ことを含むことを特徴とする請求項16
に記載の方法。 - 【請求項18】 前記第1のコンフォーマル層及び第2
のコンフォーマル層の一部を除去することが、エッチン
グによる除去からなることを特徴とする請求項17に記
載の方法。 - 【請求項19】 前記第1のコンフォーマルの層及び第
2のコンフォーマルの層の一部を除去することが、リフ
トオフによる除去からなることを特徴とする請求項17
に記載の方法。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005096399A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nichia Corporation | 窒化物半導体発光素子 |
JP2006148067A (ja) * | 2004-11-23 | 2006-06-08 | Samsung Electro Mech Co Ltd | GaN系化合物半導体の発光素子 |
US7411220B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-08-12 | Stanley Electric Co. Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2010056322A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2010056323A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
US7939838B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-05-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with transparent substrate and reflective slope |
JP2011139037A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2012114377A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子 |
JP2013102192A (ja) * | 2013-01-10 | 2013-05-23 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2014220539A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
KR20160003739A (ko) * | 2013-04-23 | 2016-01-11 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 발광 장치를 위한 측면 상호접속부 |
JP2017513234A (ja) * | 2014-04-18 | 2017-05-25 | ポステク アカデミー−インダストリー ファウンデーション | 窒素窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2019212854A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2020150274A (ja) * | 2011-06-01 | 2020-09-17 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光デバイスを支持基板に取り付ける方法 |
JP2022052221A (ja) * | 2020-09-23 | 2022-04-04 | 日機装株式会社 | 半導体発光装置 |
Families Citing this family (137)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
US6794684B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-21 | Cree, Inc. | Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same |
US6630689B2 (en) * | 2001-05-09 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa |
US6455878B1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-09-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill |
CN1217425C (zh) * | 2001-07-12 | 2005-08-31 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体元件 |
US6740906B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
US7211833B2 (en) * | 2001-07-23 | 2007-05-01 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including barrier layers/sublayers |
US20030090103A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Thomas Becker | Direct mailing device |
DE10205558B4 (de) * | 2002-02-11 | 2007-02-22 | LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose | Lichtemittierendes Halbleiter-Bauelement mit Migrationsbarriere für Material der Elektroden und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4015865B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2007-11-28 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP1508157B1 (en) | 2002-05-08 | 2011-11-23 | Phoseon Technology, Inc. | High efficiency solid-state light source and methods of use and manufacture |
FR2842021B1 (fr) * | 2002-07-05 | 2005-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electronique, notamment dispositif de puissance, a couche mince, et procede de fabrication de ce dispositif |
GB0302580D0 (en) * | 2003-02-05 | 2003-03-12 | Univ Strathclyde | MICRO LEDs |
KR100958054B1 (ko) * | 2003-03-08 | 2010-05-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 서브 마운트, 그 제조방법 및이를 채용한 반도체 레이저 다이오드 조립체 |
JP2006521984A (ja) * | 2003-03-18 | 2006-09-28 | クリスタル フォトニクス,インコーポレイテッド | Iii族の窒化物装置を製作する方法およびそのように製作された装置 |
US6869812B1 (en) * | 2003-05-13 | 2005-03-22 | Heng Liu | High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode |
KR100960762B1 (ko) * | 2003-06-17 | 2010-06-01 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
WO2005008792A1 (ja) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光ダイオード |
WO2005043954A2 (en) | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Phoseon Technology, Inc. | Series wiring of highly reliable light sources |
US7819550B2 (en) | 2003-10-31 | 2010-10-26 | Phoseon Technology, Inc. | Collection optics for led array with offset hemispherical or faceted surfaces |
KR100624416B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2006-09-18 | 삼성전자주식회사 | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
US20050242301A1 (en) * | 2004-01-12 | 2005-11-03 | Advanced Light Technologies, Llc, A Corporation Of The State Of California | Targeted radiation treatment using a spectrally selective radiation emitter |
JP2005203448A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
WO2005089477A2 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Phoseon Technology, Inc. | Direct cooling of leds |
TWI312583B (en) * | 2004-03-18 | 2009-07-21 | Phoseon Technology Inc | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
WO2005094390A2 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Phoseon Technology, Inc. | Led array having array-based led detectors |
DE602005027201D1 (de) * | 2004-04-12 | 2011-05-12 | Phoseon Technology Inc | Hochdichtes led-array |
EP1738156A4 (en) * | 2004-04-19 | 2017-09-27 | Phoseon Technology, Inc. | Imaging semiconductor strucutures using solid state illumination |
DE112005002889B4 (de) | 2004-12-14 | 2015-07-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben |
JP4800324B2 (ja) | 2004-12-30 | 2011-10-26 | フォーセン テクノロジー インク | 露光装置 |
KR20060077801A (ko) * | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 엘지전자 주식회사 | 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 |
US8076680B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-12-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
KR100609118B1 (ko) * | 2005-05-03 | 2006-08-08 | 삼성전기주식회사 | 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법 |
CN100409463C (zh) * | 2005-12-16 | 2008-08-06 | 北京工业大学 | 高光提取效率led电极的制备方法 |
TWI267879B (en) * | 2005-12-21 | 2006-12-01 | Ind Tech Res Inst | Metal-insulator-metal capacitor |
US7642527B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-05 | Phoseon Technology, Inc. | Multi-attribute light effects for use in curing and other applications involving photoreactions and processing |
CN101385145B (zh) | 2006-01-05 | 2011-06-08 | 伊鲁米特克斯公司 | 用于引导来自led的光的分立光学装置 |
US8062925B2 (en) * | 2006-05-16 | 2011-11-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Process for preparing a semiconductor light-emitting device for mounting |
US7573074B2 (en) * | 2006-05-19 | 2009-08-11 | Bridgelux, Inc. | LED electrode |
WO2008042351A2 (en) | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Illumitex, Inc. | Led system and method |
JP2009004625A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP5139005B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2013-02-06 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
DE102008005344A1 (de) | 2007-09-21 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
US8368100B2 (en) * | 2007-11-14 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
US9461201B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
US7915629B2 (en) | 2008-12-08 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Composite high reflectivity layer |
WO2009075753A2 (en) * | 2007-12-06 | 2009-06-18 | Paul Panaccione | Chip-scale packaged light-emitting devices |
US7985979B2 (en) | 2007-12-19 | 2011-07-26 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Semiconductor light emitting device with light extraction structures |
KR20100122485A (ko) | 2008-02-08 | 2010-11-22 | 일루미텍스, 인크. | 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법 |
US20110114970A1 (en) * | 2008-04-23 | 2011-05-19 | Agency For Science, Technology And Research | Light emitting diode structure, a lamp device and a method of forming a light emitting diode structure |
US8664747B2 (en) * | 2008-04-28 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding |
US20100038670A1 (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-18 | Luminus Devices, Inc. | Illumination assembly including chip-scale packaged light-emitting device |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
US8529102B2 (en) * | 2009-04-06 | 2013-09-10 | Cree, Inc. | Reflector system for lighting device |
JP5343831B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2013-11-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7732231B1 (en) | 2009-06-03 | 2010-06-08 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Method of forming a dielectric layer on a semiconductor light emitting device |
US7989824B2 (en) * | 2009-06-03 | 2011-08-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of forming a dielectric layer on a semiconductor light emitting device |
US8207547B2 (en) * | 2009-06-10 | 2012-06-26 | Brudgelux, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
US20100327300A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Contact for a semiconductor light emitting device |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
TWI405409B (zh) * | 2009-08-27 | 2013-08-11 | Novatek Microelectronics Corp | 低電壓差動訊號輸出級 |
US9362459B2 (en) | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
US9435493B2 (en) * | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
US9105824B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | High reflective board or substrate for LEDs |
US20110260210A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Applied Materials, Inc. | Gan-based leds on silicon substrates with monolithically integrated zener diodes |
CN101872824A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-10-27 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 |
KR101165259B1 (ko) * | 2010-07-08 | 2012-08-10 | 포항공과대학교 산학협력단 | MgO피라미드 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
US8764224B2 (en) | 2010-08-12 | 2014-07-01 | Cree, Inc. | Luminaire with distributed LED sources |
TWI462338B (zh) * | 2010-08-16 | 2014-11-21 | Lextar Electronics Corp | A light-emitting diode with a protective layer of the region |
US9076827B2 (en) | 2010-09-14 | 2015-07-07 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber metrology for improved device yield |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
KR101142965B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2012-05-08 | 서울반도체 주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 |
JP5754173B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2015-07-29 | ソニー株式会社 | 発光ユニットおよび表示装置 |
JP5658604B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-01-28 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
US8680556B2 (en) | 2011-03-24 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Composite high reflectivity layer |
US8686429B2 (en) | 2011-06-24 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | LED structure with enhanced mirror reflectivity |
US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
US8395165B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-03-12 | Bridelux, Inc. | Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer |
US20130026480A1 (en) | 2011-07-25 | 2013-01-31 | Bridgelux, Inc. | Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow |
US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
US9142743B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes |
US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
US20130032810A1 (en) | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Bridgelux, Inc. | Led on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
US8669585B1 (en) | 2011-09-03 | 2014-03-11 | Toshiba Techno Center Inc. | LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
US9178114B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-11-03 | Manutius Ip, Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
US20130082274A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Bridgelux, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
US8853668B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting regions for use with light emitting devices |
US9012921B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting devices having light coupling layers |
US8664679B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes |
US8698163B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-04-15 | Toshiba Techno Center Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
US8785952B2 (en) * | 2011-10-10 | 2014-07-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package including the same |
US8552465B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-10-08 | Toshiba Techno Center Inc. | Method for reducing stress in epitaxial growth |
US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
US9076923B2 (en) * | 2012-02-13 | 2015-07-07 | Epistar Corporation | Light-emitting device manufacturing method |
US8835961B2 (en) | 2012-08-02 | 2014-09-16 | Intermolecular, Inc. | Index-matched insulators |
KR20140073351A (ko) * | 2012-12-06 | 2014-06-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
EP2962531B1 (en) | 2013-02-28 | 2017-08-30 | Philips Lighting Holding B.V. | Simple led package suitable for capacitive driving |
DE102013102621A1 (de) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
KR102086365B1 (ko) | 2013-04-19 | 2020-03-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
DE102013107531A1 (de) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
TWI614920B (zh) | 2014-05-19 | 2018-02-11 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
KR20160034534A (ko) | 2014-09-19 | 2016-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
CN104269471A (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 全角度侧壁反射电极的led芯片及其制作方法 |
KR102282137B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2021-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치 |
US20160181476A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Apple Inc. | Micro led with dielectric side mirror |
US9865772B2 (en) | 2015-01-06 | 2018-01-09 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
US10658546B2 (en) | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
US10297722B2 (en) | 2015-01-30 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Micro-light emitting diode with metal side mirror |
CN107408606B (zh) * | 2015-03-30 | 2019-12-13 | 索尼半导体解决方案公司 | 发光元件、发光单元、发光面板装置及驱动发光面板装置的方法 |
KR101771461B1 (ko) * | 2015-04-24 | 2017-08-25 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
WO2017059028A1 (en) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | Cree, Inc. | Low optical loss flip chip solid state lighting device |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
WO2018035322A1 (en) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | The Regents Of The University Of California | Contact architectures for tunnel junction devices |
US11296262B2 (en) * | 2017-12-21 | 2022-04-05 | Lumileds Llc | Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface |
KR102427642B1 (ko) | 2018-01-25 | 2022-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
US20190237629A1 (en) | 2018-01-26 | 2019-08-01 | Lumileds Llc | Optically transparent adhesion layer to connect noble metals to oxides |
US11923481B2 (en) | 2018-01-29 | 2024-03-05 | Creeled, Inc. | Reflective layers for light-emitting diodes |
US11387389B2 (en) | 2018-01-29 | 2022-07-12 | Creeled, Inc. | Reflective layers for light-emitting diodes |
US11031527B2 (en) | 2018-01-29 | 2021-06-08 | Creeled, Inc. | Reflective layers for light-emitting diodes |
TWI758212B (zh) * | 2018-04-03 | 2022-03-11 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體元件 |
TWI736756B (zh) * | 2018-04-03 | 2021-08-21 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體元件 |
US10879441B2 (en) | 2018-12-17 | 2020-12-29 | Cree, Inc. | Interconnects for light emitting diode chips |
US10985294B2 (en) | 2019-03-19 | 2021-04-20 | Creeled, Inc. | Contact structures for light emitting diode chips |
DE102019121178A1 (de) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips und strahlungsemittierender halbleiterchip |
US11094848B2 (en) | 2019-08-16 | 2021-08-17 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode chip structures |
KR20210102739A (ko) | 2020-02-12 | 2021-08-20 | 삼성전자주식회사 | Led 소자 및 그 제조방법과, led 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2898347B2 (ja) * | 1990-04-23 | 1999-05-31 | イーストマン・コダックジャパン株式会社 | 発光ダイオードアレイ |
JP3423328B2 (ja) | 1991-12-09 | 2003-07-07 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JPH0637143A (ja) | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
EP1450415A3 (en) | 1993-04-28 | 2005-05-04 | Nichia Corporation | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
US5974069A (en) * | 1994-09-16 | 1999-10-26 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor laser and manufacturing method thereof |
US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
US5625202A (en) * | 1995-06-08 | 1997-04-29 | University Of Central Florida | Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth |
JP2783210B2 (ja) * | 1995-09-04 | 1998-08-06 | 日本電気株式会社 | 面発光型ダイオード |
US5710441A (en) * | 1995-10-30 | 1998-01-20 | Motorola, Inc. | Microcavity LED with photon recycling |
US5719891A (en) * | 1995-12-18 | 1998-02-17 | Picolight Incorporated | Conductive element with lateral oxidation barrier |
JP3769872B2 (ja) * | 1997-05-06 | 2006-04-26 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子 |
JP3322300B2 (ja) | 1997-11-14 | 2002-09-09 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子 |
DE19921987B4 (de) * | 1998-05-13 | 2007-05-16 | Toyoda Gosei Kk | Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen |
EP0977280A3 (en) * | 1998-07-28 | 2008-11-26 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Devices for emitting radiation with a high efficiency and a method for fabricating such devices |
JP2000031540A (ja) | 1999-06-18 | 2000-01-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
US6630689B2 (en) * | 2001-05-09 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa |
US6455878B1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-09-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill |
-
2001
- 2001-05-09 US US09/852,857 patent/US6630689B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-23 EP EP02076622.6A patent/EP1256987B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-06 TW TW091109345A patent/TW541728B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-09 JP JP2002134168A patent/JP2002353504A/ja active Pending
-
2003
- 2003-06-12 US US10/461,173 patent/US6891197B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7791098B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-09-07 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
JPWO2005096399A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-02-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
US7358544B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-04-15 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
WO2005096399A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nichia Corporation | 窒化物半導体発光素子 |
KR101119727B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2012-03-23 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 발광 소자 |
US7411220B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-08-12 | Stanley Electric Co. Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
US7595206B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-09-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor light emitting device |
JP2006148067A (ja) * | 2004-11-23 | 2006-06-08 | Samsung Electro Mech Co Ltd | GaN系化合物半導体の発光素子 |
US7939838B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-05-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with transparent substrate and reflective slope |
JP2010056323A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
JP2010056322A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US9070837B2 (en) | 2008-08-28 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
US8946744B2 (en) | 2009-12-28 | 2015-02-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2011139037A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2012114377A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子 |
JP2020150274A (ja) * | 2011-06-01 | 2020-09-17 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光デバイスを支持基板に取り付ける方法 |
JP7134198B2 (ja) | 2011-06-01 | 2022-09-09 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光デバイスを支持基板に取り付ける方法 |
JP2013102192A (ja) * | 2013-01-10 | 2013-05-23 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
KR20160003739A (ko) * | 2013-04-23 | 2016-01-11 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 발광 장치를 위한 측면 상호접속부 |
JP2016522571A (ja) * | 2013-04-23 | 2016-07-28 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 発光デバイスのサイドインターコネクト |
KR102145891B1 (ko) * | 2013-04-23 | 2020-08-20 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 발광 장치를 위한 측면 상호접속부 |
JP2017513234A (ja) * | 2014-04-18 | 2017-05-25 | ポステク アカデミー−インダストリー ファウンデーション | 窒素窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2014220539A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2019212854A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2022052221A (ja) * | 2020-09-23 | 2022-04-04 | 日機装株式会社 | 半導体発光装置 |
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