KR20060134490A - 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 질화물반도체 성장기판으로 사용하는 사파이어 기판 표면위에 요홈을 형성하고 사파이어 기판을 피라미드 형태로 경사지게 제조함으로써 광 추출 효율을 향상시킨 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드, 질화물 반도체, 플립 칩, 사파이어 기판, 고효율, 건식식각, 습식식각

Description

플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법{Flip-Chip GaN-based light emitting diode and Manufacturing method of the same}

도 1은 종래의 질화물 반도체 발광다이오드를 도시한 것이다.

도 2는 종래의 플립 칩 발광 다이오드의 활성층에서 생성된 광의 입사 탈출각을 예시적으로 도시한 것이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드의 중간제조 과정을 도시한 것이다.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드와 광의 입사 탈출각을 예시적으로 도시한 것이다.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드의 중간제조 과정을 도시한 것이다.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드와 광의 입사 탈출각을 예시적으로 도시한 것이다.

*도면부호 설명*

10 사파이어 기판

11 버퍼층

12 제1 도전층 (n-형)

13 활성층

14 제2 도전층 (p-형)

15 식각마스크 (SiO₂ 또는, 금속)

21 제2 전극

22 제1 전극

31 제1 전극용 범프

32 제2 전극용 범프

41 제1 전극 리드선

42 제2 전극 리드선

50 절연체

100 광의 탈출 경로

500 브레킹 라인

본 발명은 플립 칩 질화물반도체의 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 질화물반도체 성장기판으로 사용한 사파이어 기판 표면위에 요홈을 형성하고, 사파이어 기판을 의도적으로 피라미드 형태로 가공해 줌으로서 발 광다이오드의 활성층에서 형성된 광의 입사 탈출각을 변화시켜 광 추출 효율을 향상시킨 질화물반도체 발광 다이오드에 관한 것이다.

질화물반도체 발광 다이오드는 전류를 빛을 변환하는 발광소자 중 하나이다. 질화물반도체 발광 다이오드는 p-n 접합한 구조로 다이오드에 전류를 인가하면 전류가 광으로 변환되어 빛을 발광하게 된다. 질화물반도체 발광다이오드에서 발광되는 빛은 질화물 반도체를 구성하는 AlGaInN의 Al, Ga, In의 조성비에 따라 적색영역에서 부터 자외선 영역까지 가능하여 표시, 광원용, 환경응용에 널리 이용되고 있다.

도 1은 종래의 질화물 반도체 발광다이오드의 단면을 도시한 것이다. 도 1에도시한 바와 같이, 질화물반도체 발광 다이오드의 질화물 반도체층은 주로 질화물 반도체와 격자상수가 유사한 사파이어 기판위에 성장되는 것이 일반적이다.

발광다이오드에서 생성된 빛은 임계각보다 작을 때 반도체 발광다이오드로부터 공기중으로 방출되는데, 방출될 확율은 반도체의 굴절율과 공기의 굴절율과의 차에 의한 임계각에 의해서 결정된다. 그러나 질화물 반도체와 공기와의 굴절율 차가 커 질화물 반도체의 임계각은 23° 밖에 되지 않는다. 따라서 질화물 반도체에서 생성된 빛은 공기중으로 방출되지 못하고 대부분 발광다이오드 내부에서 소멸되어 열로 변환된다.

이러한 문제를 극복하기 위하여 질화 반도체로부터 광을 방출하지 않고 사파이어 기판으로부터 광을 방출하는 플립 칩 형 질화물 반도체가 제안되었다. 그러나 질화물 반도체의 성장기판으로 사용된 사파이어 기판은 단단하고 가공하기가 어려 워 랩핑에 의한 가공 밖에 할 수 없었으므로 평탄하게 만들 수밖에 없었다.

도 2는 종래의 질화물반도체 발광 다이오드의 활성층에서 생성된 광자의 입사 탈출각을 예시적으로 도시한 것이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 질화물반도체층에서 생성된 광은 모든 방향으로 방사하게 된다. 상기 발광 다이오드의 상부면으로 발광된 빛의 일부는 광 투과성 전극을 통하여 외부로 방출도 되고 질화물반도체와 공기와의 굴절율 차에 의해서 임계각보다 크게 입사하는 빛은 다시 내부로 반사하게 되어 그중 일부는 밖으로 나오지 못하고 소멸된다. 따라서 종래의 질화물 반도체 발광 다이오드에서는 발광시에 탈출 입사각이 임계각보다 작은 빛만 외부로 방출될 수 있으며, 그 외 임계각보다 큰 탈출 입사각을 가지는 빛은 발광 다이오드안에 갇혀 소멸되거나 외부로 방출될 수 없다.

상기 사파이어 기판의 굴절률이 1.6으로써, 1의 굴절률을 가지는 공기보다 굴절률이 크기 때문에, 임계각이 약 39° 밖에 되지 않는다. 따라서 상기 질화물 반도체층에서 생성된 빛은 탈출 입사각이 39°보다 작아야 외부로 방출될 수 있으며, 이보다 큰 탈출 입사각을 가진 빛은 외부로 방출될 수 없고 발광다이오드의 내부에서 소멸되어 열로 변환된다.

따라서 발광 다이오드의 상부 면이 아닌 다른 곳으로 발광된 빛은 경로를 변경시키거나 발광다이오드의 모양을 변화시켜 인위적으로 광의 탈출 입사각을 변화시켜야만 광은 외부로 방출할 수 있다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 습식식각 또는, 건식식각 기술을 이용하여 광 방출되는 사파이어 기판의 표면과 브레킹할 부분의 사파이어 기판을 피라미드 형태로 가공하여 경사지게 제조함으로써 광의 탈출 입사각을 변화시켜 광 추출효율이 개선된 플립칩 형 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 다음과 같은 발광 다이오드를 제안한다. 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드는 사파이어 기판위에 버퍼층, 제1 도전층, 활성층, 제2 도전층을 포함하는 질화물반도체층이 위치하고, 상기 제1 도전층위에는 제1 전극이 형성되고, 제2 도전층 위에는 제2 전극이 형성되고, 상기 사파이어 기판의 표면 위에 형성된 요홈을 포함한다.

상기 질화물반도체 발광다이오드는 추가적으로 피라미드 형태로 가공된 사파이어 기판을 포함할 수도 있고, 사파이어 기판의 상부면적 (표면)보다 하부면적 (질화물 반도체와의 경계면)이 더 크고, 사파이어 기판의 하부 모서리와 상부 모서리와 수직하게 연결되는 선과 하부모서리와 수직하게 그은 선과의 각도가 10°(degree) 내지 60°(degree)인 사파이어 기판을 포함한다. 상기 제 2전극은 50%이상의 반사막을 포함하고, 제 2전극은 Ag, Pt, Al, Rh, Au, Ni중 어느 하나 이상의 금속조합을 포함한다.

상기 사파이어 기판 위에 성장되는 질화물 반도체층은 In_x(Ga_yAl_1-y)N이며, 조성비는 1≥x≥0, 1≥y≥0, x+y>0이고, 제1 도전층은 Si, B를 도핑한 n-형 질화물 반도체이고, 제2 도전층은 Mg를 도핑한 p-형 질화물 반도체를 포함한다.

상기 제1 전극은 Ni, Al, Ti, Au중 어느 하나의 조합으로 되어있고, 제2 전극은 Pt, Ag, Au, N i, Ti, Rh중 어느 하나의 조합으로 되어 있으며, 두께가 30㎛ 내지 300㎛인 사파이어 기판을 포함하며, 추가적으로 SiO, SiN중 어느 하나 이상으로 패시베이션 막을 포함할 수 있다.

상기 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드의 제조방법은 사파이어 기판 위에 버퍼층, 제1 도전층, 발광층, 제2 도전층을 포함하는 질화물 반도체층을 성장시키는 단계, 상기 사파이어 기판을 랩핑하는 단계, 상기 사파이어 기판을 SiO₂보호막을 형성하여 건식식각, 습식식각 중 어느 하나 이상의 조합으로 식각하는 단계, 제2 도전층, 활성층을 식각하여 제1 도전층을 노출하는 단계, 상기 제2 도전층위에 제2 전극, 제1 도전층위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 c 단계에서 사파이어 기판을 피라미드 형태로 가공하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 c 단계에서의 사파이어의 습식식각은 황산(H₂SO₄), 인산(H₃PO₄) 중 어느 하나 또는, 이들의 조합에 의한 혼합 용액을 식각용액으로 제조하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드의 제조방법을 포함한다.

상기 e 단계를 수행한 후에, SiO₂, SiN_x 중 어느 하나 이상으로 상기 질화물 반도체층을 패시베이션하는 단계를 추가적으로 포함할 수 있고, 상기 e 단계를 수행한 후에, 스크라이빙 또는, 브레킹 단계를 추가적으로 포함할 수 있다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나 타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 발광 다이오드의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 사파이어 기초기판 위에 버퍼층, 제1 도전층, 활성층, 제2 도전층을 포함하는 질화물 반도체층을 성장시키고, 상기 질화물 반도체층 위에 제1 전극, 제2 전극을 포함하는 플립칩 질화물 반도체 발광 다이오드에 있어, 상기 사파이어 기초 기판의 표면위에 요홈과 브레킹할 부분을 피라미드 형태로 경사지게 하고, 상기 제2 도전층 하부면에 반사막을 증착시킴으로서, 활성층에서 생성된 빛의 탈출 입사각도를 변화시켜 높은 추출효율을 갖도록 한 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드를 제안한다.

제1 실시예

도 3은 본 발명의 제1 실시예로서 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드의 중간제조 과정을 도시한 것이다. 도3(a)에 도시한 바와 같이, 상기 발광 다이오드를 제조하기 위하여, 300㎛ 내지 430㎛ 정도의 두께의 사파이어 기판 (10)위에, 버퍼층 (11), 제1 도전층(12), 활성층(13), 제2 도전층(14)의 In_x(Ga_yAl_1-y)N 질화물 반 도체층을 성장시킨다. 질화물 반도체층의 각층(11, 12, 13, 14) 마다 AlGaN, InGaN, AlGaInN 등으로 형성할 수 있다. 질화물계 반도체의 조성비는 1≥x≥0, 1≥y≥0, x+y>0 이다. 상기 질화물 반도체층(In_x(Ga_yAl_1-y)N)은 금속유기화학증착법(metal organic chemical vapor deposition; MOCVD)을 이용하여 성장하며, 또는 금속유기화학증착법(metal organic chemical vapor deposition), 액상에피텍셜법(liquid phase epitaxy), 수소액상성장(hydride vapor phase epitaxy), 분자빔에피텍셜법(Molecular beam epitaxy), MOVPE(metal organic vapor phase epitaxy)를 이용하여 성장할 수도 있다.

제1 도전층(12)은 Si, B으로 도핑한 n-형 질화물 반도체이고, 제2 도전층(14)은 Mg으로 도핑한 p-형 질화물 반도체로 형성하거나, 또는 그 반대로 할 수도 있다. 도핑농도는 반도체 비저항이 1x10^-1Ω㎝이하가 되는 것이 바람직하다. 특히, 활성층(13)의 경우 In_x(Ga_yAl_1-y)N의 장벽층과 In_x(Ga_yAl_1-y)N의 우물층으로 이루어진 단일 양자 우물 구조 또는, 다중 양자 우물 구조로 구성되고, 우물층, 장벽층중 적어도 하나의 층 이상에 Si 또는, B를 도핑 할 수도 있으며, In, Ga, Al의 조성비를 조절함으로써 InN(~1.8eV) 밴드갭을 갖는 장파장에서부터 AlN(~6.4eV) 밴드 갭을 갖는 단파장의 발광다이오드까지 자유롭게 제작할 수 있다.

이후, 도 3(b)에 도시한 바와 같이, 사파이어 기판(10)을 30㎛ 내지 300㎛두께까지 랩핑할 수 있고, 사파이어 기판(10) 랩핑에는 기계적 연마 또는, 습식식각으로 하는 것이 바람직하다. 이때, 양면 경면화된 사파이어 기판(10)을 사용하여 연마공정을 하지 않을 수도 있다. 그리고 발광다이오드의 측면으로부터 광 추출효율을 높이기 위하여 사파이어 기판(10)의 두께를 두껍게 하는 것이 바람직하다.

이후, 도 3(c)이 도시한 바와 같이, SiO₂, Pt마스크 (15)중 어느 하나이상의 조합의 패턴을 형성하여 사파이어 기판(10)을 건식식각, 습식식각 중 어느 하나 이상의 조합으로 식각한다. 이때, 도 3(c)이 도시한 바와 같이, 빛의 방출될 사파이어 기판(10)의 표면을 식각하여 요홈(v-groove)(200)을 형성한다. 요홈(200)의 각도 (2θ)는 5° 내지 120°인 것이 바람직하다. 습식식각에는 황산(H₂SO₄), 인산(H₃PO₄)중 어느 하나 또는, 이들의 조합으로 하는 것이 바람직하고, 질화물반도체(11, 12, 13, 14)의 손상을 최소화하고 식각속도를 빠르게 하기 위하여 230℃ 내지 350℃ 온도와 인산(H₃PO₄)성분을 10% 내지 80%로 하는 것이 바람직하다. 건식식각은 RIE, ICP/RIE중 어느 하나를 사용하여 BCl₃, Cl₂의 가스조합으로 하는 실시하는 것이 바람직하다. 이때, 식각된 요홈(200)의 각을 가파르게 하기 위하여 습식식각은 건식식각 후에 하는 것이 바람직하다.

이후, 도 3(e)에 도시한 바와 같이, RIE 또는, ICP/RIE를 사용하여 제1 도전층(12)을 노출시키고 제1 전극(22) 및 제2 전극(21)을 형성한다. 제1 전극(22)을 형성하기 위하여, 제2 도전층(14), 활성층(13), 제1 도전층(12)의 일부분을 식각하여, 제1 도전층(12)의 일부를 노출시킨다. 상기 노출된 제1 도전층(12)과 금속간에 오믹접촉이 되도록 Ni, Al, Ti, Au, Cr중 어느 하나의 금속구조로 증착한 후, 질 소, 수소, Ar을 포함하는 분위기에서 열처리 공정을 수행하여 제1 전극(22)을 형성한다.

제2 전극(21)은 고 반사율을 얻을 수 있는 Al, Ag, Pt, Rh, Au, Ni, Ti중 어느 하나 이상의 금속조합으로 하고 질소 또는 Ar 분위기에서 열처리 하는 것이 바람직하고, Al, Ag, Rh, Pt중 어느 하나가 사파이어 기판(10)과 접촉하도록 하는 것이 더욱 바람직하다.

이후에, SiO₂, SiN_x중 어느 하나 이상으로 발광다이오드를 패시베이션하여 다이아몬드 펜 또는, 레이저를 이용하여 사파이어 기판(10)을 스크라이빙 또는, 브레킹 (500)하여 소자를 분리하면 발광다이오드 제작이 완료된다.

도 4(a)는 본 발명의 제1 실시예에서 제작된 플립 칩으로 마운트 된 상태의 질화물 반도체 발광 다이오드에서 발광된 빛의 탈출 입사각을 예시적으로 나타낸 것이고, 도4(b)는 질화물반도체 발광다이오드 하부면에서 바라 본 평면도이다. 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드의 상부로 발광된 빛 (100)은 탈출 입사각이 임계각보다 작을 경우 주로 사파이어 기판(10)을 통하여 외부로 방출된다. 또한 임계각보다 크게 입사되었다 할지라도 사파이어 기판 (10) 표면에는 요홈(200)이 형성되었기 때문에 사파이어 기판(10)을 통하여 외부로 방출할 수 있고, 따라서 발광효율은 증가하게 된다. 도4(c), 도4(d)에서 도시한 바와 같이, 사파이어 기판(10)위에 형성된 요홈(200)은 1차원 또는, 2차원일 수 있고 크기도 특별한 제약은 없지만 추출효율을 증가시키기 위해서는 가능한 작은 것이 바람직하다. 특히, 요홈 (200)의 각도 (θ)는 10° 내지 60°인 것이 바람직하다.

제2 실시예

도 5는 본 발명의 제2 실시예로서 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드의 중간제조 과정을 도시한 것이다. 도5(a)에 도시한 바와 같이, 제2 실시예의 구성요소 및 제조방법은 제1 실시예와 유사하지만, 브레킹할 영역의 사파이어 기판(10)을 피라미드 형태로 가공하여 광추출 효율을 높이고 이선 (500)을 따라 브레킹을 가능하게 함으로써 다이아몬드 펜이나 레이저 빔을 사용한 스크라빙 공정을 없앨 수 있다 것이 특징이다. 상기 발광 다이오드를 제조하기 위하여, 300㎛ 내지 430㎛ 정도의 두께의 사파이어 기판 (10)위에, 버퍼층(11), 제1 도전층(12), 활성층(13), 제2 도전층(14)의 In_x(Ga_yAl_1-y)N 질화물 반도체층을 성장키는 것과 질화물 반도체층의 구성요소는 제1 실시예와 동일하다.

이후, 도 5(b)에 도시한 바와 같이, SiO₂마스크(15)를 사용하여 사파이어 기판(10)을 건식식각, 습식식각 중 어느 하나 이상의 조합으로 식각한다. 요홈(200)은 소자분리를 위하여 브레킹 라인(500)으로 사용되기 때문에 추가적으로 다이아몬드 펜을 이용한 스크라이빙 라인 형성공정을 생략할 수 도 있다. 요홈(200)의 각도 (2θ)는 10° 내지 120°인 것이 바람직하다. 습식식각에는 황산(H₂SO₄), 인산(H₃PO₄)중 어느 하나의 용액 또는, 이들의 조합으로 하는 것이 바람직하고, 질화물반도체의 손상을 최소화하고 식각속도를 빠르게 하기 위하여 230℃ 내지 350℃ 온 도와 인산(H₃PO₄)성분을 20% 내지 80%인 것이 바람직하다. 건식식각에는 RIE, ICP/RIE를 이용한 BCl₃, Cl₂의 가스조합으로 하는 것이 바람직하다.

이후, 도 5(d)에 도시한 바와 같이, 제1 도전층(12)을 노출시키고 제1 전극(22) 및 제2 전극(21)을 형성한은 것은 제1 실시예와 동일하다.

이후에, SiO₂, SiN_x중 어느 하나 이상으로 발광다이오드를 패시베이션하여 사파이어 기판(10)을 다이싱 또는, 브레킹 (500)하여 소자를 분리하면 발광다이오드 제작이 완료된다.

도 6(a)는 본 발명의 제1 실시예에서 제작된 플립 칩 질화물 반도체 발광 다이오드에서 발광된 빛의 탈출 입사각을 예시적으로 나타낸 것이고, 도6(b)는 플립 칩 질화물반도체 발광다이오드 하부면에서 바라본 평면도이다. 도 6(a)에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드의 상부로 발광된 빛은 탈출 입사각이 임계각보다 작을 경우 주로 사파이어 기판(10)을 통하여 외부로 방출되고, 설사 임계각보다 크게 입사되었다 할지라도 사피이어 기판(10)위에 형성된 요홈(200)에 의하여 외부로 방출될 수 있다. 또한 발광 다이오드의 옆면으로 입시된 빛은 사파이어 기판(10)의 피라미드 형태로 경사졌기 때문에 탈출 입사각이 변하게 되어 발광다이오드 밖으로 탈출할 수 있게 된다.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드는 사파이어 기판위에 형성된 요홈으로 인하여 활성층에서 생성된 빛은 임계각보다 크게 사파이어 기판에 입사되어도 밖으로 방출할 수 있으며, 또한 옆면에 입사했을 경우 피라미드형태의 사파이어로 인하여 발광다이오드 밖으로 탈출할 수 있게 하고, 광의 경로를 변화시킬 수 있도록 해줌으로써 질화물반도체 발광다이오드의 추출효율을 향상 시킬 수 있다는 장점이 있다.

또한, 소자분리를 위한 추가적인 공정이 필요 없으므로 제조원가 절감을 달성할 수 있다는 장점이 있다.

Claims (17)

1. 사파이어 기판위에 버퍼층, 제1 도전층, 활성층, 제2 도전층을 포함하는 질화물 반도체층이 위치하고,

   상기 제1 도전층위에는 제1 전극이 형성되고, 제2 도전층 위에는 제2 전극이 형성된 질화물반도체 발광 다이오드에 있어서,

   상기 사파이어 기판의 표면은 요홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 질화물반도체 발광다이오드는 추가적으로 피라미드 (Truncate pyramid shape) 형태로 된 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 제 2전극은 50%이상의 반사막을 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 제 2전극은 Ag, Pt, Al, Rh, Au, Ni중 어느 하나 이상의 금속조합을 포함하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
5. 제 2항에 있어서,

   상기 사파이어 기판의 상부면적 (표면)보다 하부면적 (질화물 반도체와의 경계면)이 더 큰 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
6. 제 2항에 있어서,

   상기 사파이어 기판의 하부 모서리와 상부 모서리와 수직하게 연결되는 선과 하부모서리와 수직하게 그은 선과의 각도가 10°(degree) 내지 60°(degree)인 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
7. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 사파이어 기판 위에 성장되는 질화물 반도체층은 In_x(Ga_yAl_1-y)N이며, 조성비는 1≥x≥0, 1≥y≥0, x+y>0인 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 제1 도전층은 Si, B를 도핑한 n-형 질화물 반도체이고, 상기 제2 도전층은 Mg를 도핑한 p-형 질화물 반도체인 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 제1 전극은 Ni, Al, Ti, Au중 어느 하나의 조합으로 된 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
10. 제 1항에 있어서,

    상기 제2 전극은 Pt, Ag, Au, Ni, Ti, Rh중 어느 하나의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
11. 제 1항에 있어서,

    상기 사파이어 두께는 30㎛ 내지 300㎛ 인 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
12. 제 1항에 있어서,

    상기 발광 다이오드는 추가적으로 SiO₂, SiN_x중 어느 하나 이상으로 패시베이션 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드.
13. a. 사파이어 기판 위에 버퍼층, 제1 도전층, 발광층, 제2 도전층을 포함하는 질화물 반도체층을 성장시키는 단계;

    b. 상기 사파이어 기판을 랩핑하는 단계;

    c. 상기 사파이어 기판을 SiO₂보호막을 형성하여 건식식각, 습식식각 중 어느 하나 이상의 조합으로 식각하는 단계;

    d. 제2 도전층, 활성층을 식각하여 제1 도전층을 노출하는 단계;

    e. 상기 제2도전층위에 제2 전극, 제1 도전층위에 제2 전극을 형성하는 단계;

    을 포함하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
14. 제 13항에 있어서,

    상기 c 단계에서 사파이어 기판을 피라미드 (Truncate Pyramid shape) 형태로 가공하는 단계를 더 포함하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
15. 제 13항에 있어서,

    상기 c 단계에서의 사파이어의 습식식각은 황산(H₂SO₄), 인산(H₃PO₄) 중 어느 하나 또는, 이들의 조합에 의한 혼합 용액을 식각용액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
16. 제 13항에 있어서,

    상기 e 단계를 수행한 후에, SiO₂, SiN_x 중 어느 하나 이상으로 상기 질화물 반도체층을 패시베이션하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드의 제조 방법.
17. 제 13항에 있어서,

    상기 e 단계를 수행한 후에, 스크라이빙 또는, 브레킹 공정을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 질화물반도체 발광 다이오드의 제조 방법.

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