JPS61183977A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子及びその製造方法Info
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- JPS61183977A JPS61183977A JP60022947A JP2294785A JPS61183977A JP S61183977 A JPS61183977 A JP S61183977A JP 60022947 A JP60022947 A JP 60022947A JP 2294785 A JP2294785 A JP 2294785A JP S61183977 A JPS61183977 A JP S61183977A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は化合物半導体を用すた発光素子及びその製造方
法に係り、特に混晶型化合物半導体としてＧａＡＪＡｓ
を用い可視光で高輝度化を実現できる発光素子及びその
製造方法に関する。
法に係り、特に混晶型化合物半導体としてＧａＡＪＡｓ
を用い可視光で高輝度化を実現できる発光素子及びその
製造方法に関する。
ファクシミリの読取り用光源等、ＬＥＤディスプレイの
応用分野の拡大に伴い可視ＬＥＤの需要が年々増大して
おり、より高輝度化が求められている。
応用分野の拡大に伴い可視ＬＥＤの需要が年々増大して
おり、より高輝度化が求められている。
従来、可視光で高輝度を実現できるＬＥＤ として、
第６図に示すような混晶型化合物半導体であるＧａＡｊ
Ａｓを用いたダブルへテロ−接合構造（ＤＨ構造）のＬ
ＥＤがある。
第６図に示すような混晶型化合物半導体であるＧａＡｊ
Ａｓを用いたダブルへテロ−接合構造（ＤＨ構造）のＬ
ＥＤがある。
このＬＥＤは、ｐ型ＧａＡｓ結晶基板りｌ上に液相エピ
タキシャル成長法により、高ＡｌＡｓ混晶比のＺｎ （
亜鉛）添加ｐ型ＧａＡＩＡａクラッド＠Ｉ２、発光波長
に必要なＡｌＡｓ混晶比の不純物無添加のＧａＡ／Ａｓ
活性層１３、ＧａＡＪＡｓクラッド層１２と同等のＡｌ
Ａｓ混晶比のＴｅ（テルル）添加ｎ型ＧａＡ７Ａｓクラ
ッド層１４を順次結晶成長させる。その後、このエピタ
キシャルウェハの両面にオーミック電極１５ 、１６を
形成し、続いてｎ型ＧａＡＪＡｓクラッド層１４表面か
らｐ−ｎＷＩ合を越えてメサエッチングを行ない、ダイ
シングをして各素子を分離する。
タキシャル成長法により、高ＡｌＡｓ混晶比のＺｎ （
亜鉛）添加ｐ型ＧａＡＩＡａクラッド＠Ｉ２、発光波長
に必要なＡｌＡｓ混晶比の不純物無添加のＧａＡ／Ａｓ
活性層１３、ＧａＡＪＡｓクラッド層１２と同等のＡｌ
Ａｓ混晶比のＴｅ（テルル）添加ｎ型ＧａＡ７Ａｓクラ
ッド層１４を順次結晶成長させる。その後、このエピタ
キシャルウェハの両面にオーミック電極１５ 、１６を
形成し、続いてｎ型ＧａＡＪＡｓクラッド層１４表面か
らｐ−ｎＷＩ合を越えてメサエッチングを行ない、ダイ
シングをして各素子を分離する。
このようにして形成されたＬＥＤ は、発光層となるＧ
ａＡＪＡｓ活性１−１３が薄い（０，１μ以下）場合、
Ｇａ１ＪＡｓ活性層１３へ注入された電子は有効に活性
層１３に閉じこめられて、シングルへテロ接合構造のＬ
ＥＤ に比較して高輝度化を実現できる。
ａＡＪＡｓ活性１−１３が薄い（０，１μ以下）場合、
Ｇａ１ＪＡｓ活性層１３へ注入された電子は有効に活性
層１３に閉じこめられて、シングルへテロ接合構造のＬ
ＥＤ に比較して高輝度化を実現できる。
しかしながら、ＧａＡｌＡｓ活性層１３の厚さが１〜２
μになると、０．３ 角ベレットの順方向通電電流Ｉ
ＱｍＡの発光効率は０．２％とシングルへテロ接合構造
のＬＦｉＤ の発光効率よりも低くなり、有効にダブル
へテコ接合構造が生かされないという問題があった。
μになると、０．３ 角ベレットの順方向通電電流Ｉ
ＱｍＡの発光効率は０．２％とシングルへテロ接合構造
のＬＦｉＤ の発光効率よりも低くなり、有効にダブル
へテコ接合構造が生かされないという問題があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、ＧａＡｌＡｓ活性層のが厚くなりでも、成長技術及び
成長装置は従来のままで高輝度化を実現できる発光素子
波びその製造方法を提供することにある。
、ＧａＡｌＡｓ活性層のが厚くなりでも、成長技術及び
成長装置は従来のままで高輝度化を実現できる発光素子
波びその製造方法を提供することにある。
本発明は、第１導電型のＧａＡｓ結晶基板上に、高Ａｌ
Ａｓ混晶比の第１４電型ＧａＡｌＡｓクラツド層、発光
波長に必要なＡｌＡｓ混晶比のＧａＡＡ’ＡＳ活性層、
前記クラッド層と同等のＡｌＡｓ混晶比の第２導電型の
ＧａＡ、／Ａｓ クラッド層を順次徐冷法エピタキシャ
ル成長により形成するダブルヘテａ接合構造のＬＥＤ
に於いて、前記ＧａＡＪんＳ活性層に所定濃度のＺｎ
を添加し、かつ前記第２導電型のＧａＡＪＡｓクラッド
層のｐ −ｎ接合近傍の１１度を、前記ＧａＡＪＡｓ活
性ＩＩのＺｎ１ｌｉより低くすることにより発光効率を
向上させるものである。
Ａｓ混晶比の第１４電型ＧａＡｌＡｓクラツド層、発光
波長に必要なＡｌＡｓ混晶比のＧａＡＡ’ＡＳ活性層、
前記クラッド層と同等のＡｌＡｓ混晶比の第２導電型の
ＧａＡ、／Ａｓ クラッド層を順次徐冷法エピタキシャ
ル成長により形成するダブルヘテａ接合構造のＬＥＤ
に於いて、前記ＧａＡＪんＳ活性層に所定濃度のＺｎ
を添加し、かつ前記第２導電型のＧａＡＪＡｓクラッド
層のｐ −ｎ接合近傍の１１度を、前記ＧａＡＪＡｓ活
性ＩＩのＺｎ１ｌｉより低くすることにより発光効率を
向上させるものである。
本発明は、また上記ＧａＡｓ結晶基板をエツチング除去
することにより、ＬＥＤ の裏面側に向う発光成分の収
出しをも可能としさらに発光効率を向上させるものであ
る。
することにより、ＬＥＤ の裏面側に向う発光成分の収
出しをも可能としさらに発光効率を向上させるものであ
る。
以下、図面を参照して本発明の一実癩例を説明する。第
２図に於いて、２１はｍ度が １〜４Ｘ１０ ａｎ
で、厚さ３００μのｐ型のＧａＡｓ結晶基板であシ、こ
のＧａＡｓ結晶基板２１上には高Ａ／Ａｓ混晶比のｐ型
のＧａＯ２ＡＪ（Ｌｇ Ａｓ クラッド層（以下、ｐ型
クラッド層と略称する。）２２が形成されている。この
ｐ型クラッド層２２上には、発光波長に必要なＡＡ’Ａ
Ｓ混晶比のＧａ０１３５Ａ Ｉ（１，３５Ａ ｓ活性層
ｃ以下、活性１ｍ、！：略称−する。）２３が形成され
ている。この活性層２３には所定１１１度のｐ型不純物
としてＺｎが添加されている。活性層２３上には、上記
ｐ型クラッド層２２と同等のＡｊ’Ａｓ混晶比のｎ型の
Ｇａｏ、。
２図に於いて、２１はｍ度が １〜４Ｘ１０ ａｎ
で、厚さ３００μのｐ型のＧａＡｓ結晶基板であシ、こ
のＧａＡｓ結晶基板２１上には高Ａ／Ａｓ混晶比のｐ型
のＧａＯ２ＡＪ（Ｌｇ Ａｓ クラッド層（以下、ｐ型
クラッド層と略称する。）２２が形成されている。この
ｐ型クラッド層２２上には、発光波長に必要なＡＡ’Ａ
Ｓ混晶比のＧａ０１３５Ａ Ｉ（１，３５Ａ ｓ活性層
ｃ以下、活性１ｍ、！：略称−する。）２３が形成され
ている。この活性層２３には所定１１１度のｐ型不純物
としてＺｎが添加されている。活性層２３上には、上記
ｐ型クラッド層２２と同等のＡｊ’Ａｓ混晶比のｎ型の
Ｇａｏ、。
ＡＪｏＪＡｓクラッド層（以下、ｎ型クラッド層と略称
する。）２４が形成されている。上記ＧａＡｓ結晶基板
２１の裏面側にはＰ型のオーミック電極２５、ｎ型りラ
ッドｌ！２４の表面にはｐ型のオーミック電極２６が形
成されて騒る。
する。）２４が形成されている。上記ＧａＡｓ結晶基板
２１の裏面側にはＰ型のオーミック電極２５、ｎ型りラ
ッドｌ！２４の表面にはｐ型のオーミック電極２６が形
成されて騒る。
次に、上記構造の製造方法について説明する。
結晶の成長は、徐冷法による液相エピタキシャル成長に
より行った。成長用ボートは第３図に示すようなボート
２７が用いられ、各溜の溶液の組成は次のようにした。
より行った。成長用ボートは第３図に示すようなボート
２７が用いられ、各溜の溶液の組成は次のようにした。
ｐ型りラッド層用溶液溜２８にはＡｌＡｓ混晶比が０．
８となる量のＡ ｌ ｓ 多結晶のＧａＡｓ、 Ｇａ
、アクセプタ濃度が３〜５Ｘ１０ α となる敬のＺｎ
を添加する。ｐ型活性層用溶液溜２９には、発光波長が
６６゜ｎとなるＡｌＡｓ混晶比が０．３５ のＡＩ、
多結晶のＧａＡｓ、Ｇａ、アクセプタ製団が所定の値
となる量のＺｎを添加する。ｎ型クラッド層用溶液溜３
０には、Ａｌ１Ａｓ混晶比が０．８となる量のＡｊ、
多結晶のＧａＡａ、Ｇａ、 ドナー濃度が１×１０
ｃＩＩＬ となる量のＴｅを添加する。
８となる量のＡ ｌ ｓ 多結晶のＧａＡｓ、 Ｇａ
、アクセプタ濃度が３〜５Ｘ１０ α となる敬のＺｎ
を添加する。ｐ型活性層用溶液溜２９には、発光波長が
６６゜ｎとなるＡｌＡｓ混晶比が０．３５ のＡＩ、
多結晶のＧａＡｓ、Ｇａ、アクセプタ製団が所定の値
となる量のＺｎを添加する。ｎ型クラッド層用溶液溜３
０には、Ａｌ１Ａｓ混晶比が０．８となる量のＡｊ、
多結晶のＧａＡａ、Ｇａ、 ドナー濃度が１×１０
ｃＩＩＬ となる量のＴｅを添加する。
このような溶液組成のポート２７を用いて第４図に示す
ような温度プログラムで結晶成長を行なった。すなわち
、先ず、水素Ｈ！ガス中で、室温から８５０℃まで昇温
させ、次にこの温度を２時間保持した後、徐々に冷却さ
せる。冷却速度は約０．５℃／ｍ ｉ ｎ とする。
ような温度プログラムで結晶成長を行なった。すなわち
、先ず、水素Ｈ！ガス中で、室温から８５０℃まで昇温
させ、次にこの温度を２時間保持した後、徐々に冷却さ
せる。冷却速度は約０．５℃／ｍ ｉ ｎ とする。
この間、８４５℃でＧａ入Ｓ結晶基板２１をｐ型りラッ
ド層用溶液／１１１２８まで移動させ、ＧａＡｓ結晶基
板２１上にｐ型クラッド層２７を６０秒間成長させる。
ド層用溶液／１１１２８まで移動させ、ＧａＡｓ結晶基
板２１上にｐ型クラッド層２７を６０秒間成長させる。
その後、８３０℃でＧａＡｓ結晶基板２１をさらに活性
層用溶液溜２９まで移動させ、活性層２３を成長させる
。
層用溶液溜２９まで移動させ、活性層２３を成長させる
。
この成長後、ＧａＡｓ結晶基板２１をさらにｎ型クラッ
ド層用溶液溜３０まで移動させ、ｎ型りラッド＠２４を
成長させる。７８０℃になると、ｎ型クラッド層２４の
成長を停止させ、その後室温まで放冷させる。
ド層用溶液溜３０まで移動させ、ｎ型りラッド＠２４を
成長させる。７８０℃になると、ｎ型クラッド層２４の
成長を停止させ、その後室温まで放冷させる。
このようにして形成した各成長層の厚さは、ｐ型クラッ
ド層２２は１０μ、活性層２３は１〜２μ、ｎ型クラッ
ド層２４は４０μであった。
ド層２２は１０μ、活性層２３は１〜２μ、ｎ型クラッ
ド層２４は４０μであった。
その後、このエピタキシャルウェハの両面にオーミック
電極２５．２６を形成した後、ｎ型クラッド層２４表面
からｐ −ｎ接合を越えてメサエッチングを行ない、ダ
イシングにより各素子を分離して、第２図に示した構造
を得る。
電極２５．２６を形成した後、ｎ型クラッド層２４表面
からｐ −ｎ接合を越えてメサエッチングを行ない、ダ
イシングにより各素子を分離して、第２図に示した構造
を得る。
このようにして得られたＬＥＤ は、活性層２３にＺｎ
を添加しているため、活性層２３が比較的に厚い（２μ
）場合でも、ダブルへテロ接合構造を有効に活用するこ
とができ、従来構造の数倍の発光特性の向上した素子を
実現できた。
を添加しているため、活性層２３が比較的に厚い（２μ
）場合でも、ダブルへテロ接合構造を有効に活用するこ
とができ、従来構造の数倍の発光特性の向上した素子を
実現できた。
第５図はｐ型クラッド層２２のアクセプタ濃度を４Ｘ１
０ ａｎ 、ｎ型クラッド層２４のドナーｍ度を１×
１０ ｃｌ！Ｌ と一定したときの、活性層２３のアク
セプタ（亜鉛）の濃度と、順方向に１０ｍＡを通電した
ときの発光出力との関係を示すものである。同図に於い
て、（ａ）は従来例の場合、（ｂｌは第２図の実施例の
場合を示すものである。同図から、活性１２３のｍ度が
ｎ型クラッド層２４の７１１度より低濃度であると、発
光効率は低くなる。ａ闇上昇に伴い、発光効率も向上し
、５〜６Ｘ１０ ｃａ で最高（従来の５倍程度）とな
り、それより高濃度となると発光効率は低下する。従っ
て、活性層２３のアクセプタ濃度を１×１０〜１×１０
ｃＲとし、かつｎ型りラッド＠２４のアクセプタｍ度を
活性層２３の濃度より低くすることにより、高輝度のＬ
Ｉ３Ｄ を得ることができる。
０ ａｎ 、ｎ型クラッド層２４のドナーｍ度を１×
１０ ｃｌ！Ｌ と一定したときの、活性層２３のアク
セプタ（亜鉛）の濃度と、順方向に１０ｍＡを通電した
ときの発光出力との関係を示すものである。同図に於い
て、（ａ）は従来例の場合、（ｂｌは第２図の実施例の
場合を示すものである。同図から、活性１２３のｍ度が
ｎ型クラッド層２４の７１１度より低濃度であると、発
光効率は低くなる。ａ闇上昇に伴い、発光効率も向上し
、５〜６Ｘ１０ ｃａ で最高（従来の５倍程度）とな
り、それより高濃度となると発光効率は低下する。従っ
て、活性層２３のアクセプタ濃度を１×１０〜１×１０
ｃＲとし、かつｎ型りラッド＠２４のアクセプタｍ度を
活性層２３の濃度より低くすることにより、高輝度のＬ
Ｉ３Ｄ を得ることができる。
第１図は他の実施例を示すもので、上記ＧａＡｓ結晶基
板２１を化学的エツチング、例えば（ＮＨ８＋Ｈ，０，
）の混合液により除去ｔ７、またオーミック電極３Ｉは
不連続に設け、例えば水玉模様の形状に形成したもので
ある。
板２１を化学的エツチング、例えば（ＮＨ８＋Ｈ，０，
）の混合液により除去ｔ７、またオーミック電極３Ｉは
不連続に設け、例えば水玉模様の形状に形成したもので
ある。
このような構造であれば、クラッド層２２の裏面側から
も発光を取り出すことができる。すなわち、このＬＥＤ
を図示しないリードフレームに取付けた場合、活性層
２３からの発光は、クラッドｒ＠２２を経てオーミック
電極３１の隙間３２，３２・・・を通り、さらにリード
フレームの反射面で反射され、その結果クラッド層２４
０表面から取出された光と共に発光に寄与するものであ
る。第５図に（ａ）で示す曲線は上記構造の１３Ｄ の
発光効率を示すもので、ｔ４２図のＬＥＤに比べ、さら
に発光効率が２〜３倍向上している。
も発光を取り出すことができる。すなわち、このＬＥＤ
を図示しないリードフレームに取付けた場合、活性層
２３からの発光は、クラッドｒ＠２２を経てオーミック
電極３１の隙間３２，３２・・・を通り、さらにリード
フレームの反射面で反射され、その結果クラッド層２４
０表面から取出された光と共に発光に寄与するものであ
る。第５図に（ａ）で示す曲線は上記構造の１３Ｄ の
発光効率を示すもので、ｔ４２図のＬＥＤに比べ、さら
に発光効率が２〜３倍向上している。
尚、上記実施例に於いては、ＧａＡｓ結晶基板２１とし
てｐ型のものを用いて説明したが、本発明はこれに限定
するものではなく、ｎ型のＧａＡｓ結晶基板を用いた構
造のＬＥＤ にも適用できるものである。また、第１図
の実施例に於いて、オーミック電極２８の形状を水玉模
様と１、たが、これに限定するものではなく、要はクラ
ッド層２２の裏面からの発光が通過できる形状であれば
良い。
てｐ型のものを用いて説明したが、本発明はこれに限定
するものではなく、ｎ型のＧａＡｓ結晶基板を用いた構
造のＬＥＤ にも適用できるものである。また、第１図
の実施例に於いて、オーミック電極２８の形状を水玉模
様と１、たが、これに限定するものではなく、要はクラ
ッド層２２の裏面からの発光が通過できる形状であれば
良い。
以上のように本発明によれば、ＧａＡｊＡａ活性層を厚
くしても高輝度化を実現でき、ダブルへテロ接合構造を
有効に利用することができる発光素子及びその製造方法
を提供できる。
くしても高輝度化を実現でき、ダブルへテロ接合構造を
有効に利用することができる発光素子及びその製造方法
を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るＬＥＤ の構造を示す
断面図、第２図は本発明の他の実施例に係るＬＥＤ の
構造を示す断面図、第３図は第２図のＬＢＤ の製造装
置を示す断面図、第４図はｆｓ３図の製造装置に使用さ
れる温匿プａグラムを示す図、第５図は発光効率の活性
層に於ける亜鉛濃度に対する依存性を示す図、第６図は
従来のＬＥＤ の構造を示す断面図である。 ２７・−ＧａＡ８結晶基板、２２ ・ｐ型ＧａＡｌｌＡ
ｓクラッド層、２３・・・ＧａＡＪＡｓ活性層、２４・
・・ｎ型ＧａＡＪＡｓ クラッド層、２５ 、２６ 、
２７ ・・・オーミック電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦第５図 〈 吹 雫 １に 一
断面図、第２図は本発明の他の実施例に係るＬＥＤ の
構造を示す断面図、第３図は第２図のＬＢＤ の製造装
置を示す断面図、第４図はｆｓ３図の製造装置に使用さ
れる温匿プａグラムを示す図、第５図は発光効率の活性
層に於ける亜鉛濃度に対する依存性を示す図、第６図は
従来のＬＥＤ の構造を示す断面図である。 ２７・−ＧａＡ８結晶基板、２２ ・ｐ型ＧａＡｌｌＡ
ｓクラッド層、２３・・・ＧａＡＪＡｓ活性層、２４・
・・ｎ型ＧａＡＪＡｓ クラッド層、２５ 、２６ 、
２７ ・・・オーミック電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 圧式 彦第５図 〈 吹 雫 １に 一
Claims (6)
- （１）第１導電型の混晶型化合物半導体により形成され
た第１のクラッド層と、発光波長に必要な混晶比の混晶
型化合物半導体により形成されると共に所定濃度の亜鉛
が添加され前記第１のクラッド層上に設けられた活性層
と、前記第１のクラッド層と同等の混晶比の第２導電型
の混晶型化合物半導体により形成され、かつ前記活性層
となす接合部近傍の濃度が前記活性層の亜鉛濃度より低
く、前記活性層上に設けられた第２のクラッド層と、前
記第１のクラッド層の裏面に設けられた第１の電極と、
前記第２のクラッド層の表面に設けられた第２の電極と
を具備したことを特徴とする発光素子。 - （２）前記活性層の亜鉛濃度は１×１０＾１＾７〜１×
１０＾１＾８ｃｍである特許請求の範囲第１項記載の発
光素子。 - （３）前記第１の電極は前記第１のクラッド層の裏面に
於いて不連続的に形成されている特許請求の範囲第１項
又は第２項いずれか記載の発光素子。 - （４）第１導電型の化合物半導体結晶基板と、第１導電
型の混晶型化合物半導体により形成され、前記化合物半
導体結晶基板上に設けられた第１のクラッド１層と、発
光波長に必要な混晶比の混晶型化合物半導体により形成
されると共に所定濃度の亜鉛が添加され前記第１のクラ
ッド層上に設けられた活性層と、前記第１のクラッド層
と同等の混晶比の第２導電型の混晶型化合物半導体によ
り形成され、かつ前記活性層となす接合部近傍の濃度が
前記活性層の亜鉛濃度より低く、前記活性層上に設けら
れた第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層の裏面
に設けられた第１の電極と、前記第２のクラッド層の表
面に設けられた第２の電極とを具備したことを特徴とす
る発光素子。 - （５）前記活性層の亜鉛濃度は１×１０＾１＾７〜１×
１０＾１＾８ｃｍ＾−３である特許請求の範囲第４項記
載の発光素子。 - （６）ダブルヘテロ接合構造の発光素子を製造する方法
に於いて、第１導電型の化合物半導体結晶基板上に第１
導電型の混晶型化合物半導体をエピタキシャル成長させ
第１のクラッド層を形成する工程と、この第１のクラッ
ド層上に発光波長に必要な混晶比で所定濃度の亜鉛を添
加した混晶型化合物半導体をエピタキシャル成長させ活
性層を形成する工程と、この活性層上に前記第１のクラ
ッド層と同等の混晶比の第２導電型の混晶型化合物半導
体をエピタキシャル成長させ、前記活性層となす接合部
近傍の濃度が前記活性層の亜鉛濃度より低い第２のクラ
ッド層を形成する工程とを具備し、前記第１のクラッド
層、活性層及び第２のクラッド層のエピタキシャル成長
は徐冷法により行なうことを特徴とする発光素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022947A JPS61183977A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022947A JPS61183977A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183977A true JPS61183977A (ja) | 1986-08-16 |
| JPH055191B2 JPH055191B2 (ja) | 1993-01-21 |
Family
ID=12096813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60022947A Granted JPS61183977A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183977A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1985
- 1985-02-08 JP JP60022947A patent/JPS61183977A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH055191B2 (ja) | 1993-01-21 |
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