JPS59225580A - 半導体発光ダイオ−ドおよびその製造方法 - Google Patents
半導体発光ダイオ−ドおよびその製造方法Info
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- JPS59225580A JPS59225580A JP58099350A JP9935083A JPS59225580A JP S59225580 A JPS59225580 A JP S59225580A JP 58099350 A JP58099350 A JP 58099350A JP 9935083 A JP9935083 A JP 9935083A JP S59225580 A JPS59225580 A JP S59225580A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ｍ −ｖ化合物半導体を母材とする半導体発
光ダイオードに関するもので、電流゛電圧特性の特に逆
耐圧特性の優れた素子を歩留良く製造できる構造および
その製造方法に関する。
光ダイオードに関するもので、電流゛電圧特性の特に逆
耐圧特性の優れた素子を歩留良く製造できる構造および
その製造方法に関する。
発光ダイオードとしてダブルへテロ構造と言われる、発
光領域をバンドギャップの大きな物質ではさみ込む構造
が用いられる。本構造は発光効率が高く、高速応答でき
る長所がある。しかし、ダブルへテロ構造を形成するた
めには、結晶母材組成が異なる以上、接続する両結晶格
子には組成制御の限界内で生ずるミスマツチングが発生
する。
光領域をバンドギャップの大きな物質ではさみ込む構造
が用いられる。本構造は発光効率が高く、高速応答でき
る長所がある。しかし、ダブルへテロ構造を形成するた
めには、結晶母材組成が異なる以上、接続する両結晶格
子には組成制御の限界内で生ずるミスマツチングが発生
する。
従来の構造ではｐｎ接合面が結晶性の悪いヘテロ接合面
と一致させている事から、ダイオードとして調べた電気
特性は結晶性の悪さに起因するＩＪ−り′ｒＩＫ、流が
多く、素子の歩留りが悪い欠点がめった。
と一致させている事から、ダイオードとして調べた電気
特性は結晶性の悪さに起因するＩＪ−り′ｒＩＫ、流が
多く、素子の歩留りが悪い欠点がめった。
本発明は従来のダブルへテロ構造の欠点を無くし、リー
ク電流が無く、発光効率の高い発光ダイオードを歩留良
く作製できるダイオードの構造および製造方法を提供す
ることにある。
ク電流が無く、発光効率の高い発光ダイオードを歩留良
く作製できるダイオードの構造および製造方法を提供す
ることにある。
上記の目的を達成するため、本発明はダブルへテロ構造
からなる発光ダイオ−ドルｎ接合面をへテロ接合面と異
なる所に形成する。すなわち、最も結晶性の悪くなるヘ
テロ接合面にｐｎ接合を形成するのでは無く、ヘテロ接
合面と離れた位置にｐｎ接合面を形成する。この結果、
発光ダイオードの電気的特性を支配するｐｎ接合面は結
晶性の良い所に形成されるため、結晶格子のミスマツチ
ング等に帰因するリーク電流の発生を無くす事が可能で
ある。本発明におけるｐｎ接合面の位置は、２ケ所ある
ヘテロ接合面の外側でも良いし、内側でも良い。ただし
、外側にある場合には、Ｐｎ接合と近接のへテロ接合は
電子の拡散距離以内の間隔に位置している事が重要であ
る。これは、発光ダイオードの発光メカニズムが電子と
ホールの再結合にある事は言うまでも無いが、距離が大
巾に太きいときは通常のバンドギャップの障壁の無いホ
モ接合での発光と不買的に差が無くなるからである。す
なわち、ダブルへテロ構造の利点は、バンドギャップの
大きい物置ではさまれた発光領域となるバンドギャップ
の小さい領域にキャリアを注入して再結合をさせる事に
よって生まれるのであるが、Ｐｎ接合の位置かへテロ接
合位置と異なることから、キャリアかへテロ接合を超え
る以前から再結合が生じてしまい、キャリアの注入効率
が低くなって１．まい、目的とする波長の発光効率も低
くなる。しかし、Ｐｎ接合とへテロ接合の距離がキャリ
ア（特に電子）の拡散長以内にあるならば、電子の大部
分はへテロ接合面を超えてバンドギヤングの小さい発光
領域に注入させる事が可能でるる。通常、発光ダイオー
ドに用いるｎおよびＰ型層中の電子の拡散長は〜５μｍ
である。従って、Ｐｎ接合面がダブルへテロ接合の外側
にある場合、両者の間隔は５μｍ以内であれば良好であ
る。しかし、上記の間隔が小さい程、注入効率の低下を
防止できるのは当然であって、本発明においては０．１
μｍ〜２μｍの範囲内にするのが最も望ましく、従来の
構造における注入効率’ｅ１．ｏ。
からなる発光ダイオ−ドルｎ接合面をへテロ接合面と異
なる所に形成する。すなわち、最も結晶性の悪くなるヘ
テロ接合面にｐｎ接合を形成するのでは無く、ヘテロ接
合面と離れた位置にｐｎ接合面を形成する。この結果、
発光ダイオードの電気的特性を支配するｐｎ接合面は結
晶性の良い所に形成されるため、結晶格子のミスマツチ
ング等に帰因するリーク電流の発生を無くす事が可能で
ある。本発明におけるｐｎ接合面の位置は、２ケ所ある
ヘテロ接合面の外側でも良いし、内側でも良い。ただし
、外側にある場合には、Ｐｎ接合と近接のへテロ接合は
電子の拡散距離以内の間隔に位置している事が重要であ
る。これは、発光ダイオードの発光メカニズムが電子と
ホールの再結合にある事は言うまでも無いが、距離が大
巾に太きいときは通常のバンドギャップの障壁の無いホ
モ接合での発光と不買的に差が無くなるからである。す
なわち、ダブルへテロ構造の利点は、バンドギャップの
大きい物置ではさまれた発光領域となるバンドギャップ
の小さい領域にキャリアを注入して再結合をさせる事に
よって生まれるのであるが、Ｐｎ接合の位置かへテロ接
合位置と異なることから、キャリアかへテロ接合を超え
る以前から再結合が生じてしまい、キャリアの注入効率
が低くなって１．まい、目的とする波長の発光効率も低
くなる。しかし、Ｐｎ接合とへテロ接合の距離がキャリ
ア（特に電子）の拡散長以内にあるならば、電子の大部
分はへテロ接合面を超えてバンドギヤングの小さい発光
領域に注入させる事が可能でるる。通常、発光ダイオー
ドに用いるｎおよびＰ型層中の電子の拡散長は〜５μｍ
である。従って、Ｐｎ接合面がダブルへテロ接合の外側
にある場合、両者の間隔は５μｍ以内であれば良好であ
る。しかし、上記の間隔が小さい程、注入効率の低下を
防止できるのは当然であって、本発明においては０．１
μｍ〜２μｍの範囲内にするのが最も望ましく、従来の
構造における注入効率’ｅ１．ｏ。
とした時の相対的な効率は０．９９〜０．９０であって
、実質上、発光効率の低下は無い。この結果、リーク電
流の無い、効率の良い発光ダイオードを歩留良く作製で
きる。
、実質上、発光効率の低下は無い。この結果、リーク電
流の無い、効率の良い発光ダイオードを歩留良く作製で
きる。
本発明の構造全形成するには、成長接合法を用いて良い
。丁ｌわち、ヘテロ接合を有する結晶を気相から成長す
る方法において、成長ケ行なう系に導入するＰ型および
ｎ型不純物種の切換えをヘテロ接合の形成のタイミング
とずらすことによって行なりて良い。ま１ζ、液相成長
の場合には、母材成分は同じでめるがＰ型とｎ型の不純
物合金む二つの溶液を組合せる事で行なっても良い。し
かし、上記の方法において形成したｐｎ接合の電気的特
性は、従来の構造での特性よりもはるかに浸れているが
、以下の理由によって十分ではない。
。丁ｌわち、ヘテロ接合を有する結晶を気相から成長す
る方法において、成長ケ行なう系に導入するＰ型および
ｎ型不純物種の切換えをヘテロ接合の形成のタイミング
とずらすことによって行なりて良い。ま１ζ、液相成長
の場合には、母材成分は同じでめるがＰ型とｎ型の不純
物合金む二つの溶液を組合せる事で行なっても良い。し
かし、上記の方法において形成したｐｎ接合の電気的特
性は、従来の構造での特性よりもはるかに浸れているが
、以下の理由によって十分ではない。
すなわち、不純物標の切換えのために、母材結晶の成長
を一時的に停止させなければならず、成長の不連続によ
る結晶性の低下が起きてＰ ” 埃８ Ｖ（−リーク電
流を生じさせるからである。
を一時的に停止させなければならず、成長の不連続によ
る結晶性の低下が起きてＰ ” 埃８ Ｖ（−リーク電
流を生じさせるからである。
本発明の構造を形成するための最も単純で再現性の良い
方法を以下に説明する。本方法しこおいては、ヘテロ接
合形成時に結晶に添加するＰ型不純物をｎ型不純物より
も高濃度にして行なう。すなわち、ｌ［［−Ｖ化合物半
導体結晶における不純物拡散は実質上Ｐ型不純物のみに
生ずる事を利用し、結晶成長中もしくは別に設けた熱処
理工程においてＰ型不純物をｎ型層中に拡散、ｌ）ｎ接
合を移動させる。これは一種の拡散接合法である。この
結果、ｐｎ接合は結晶性の悪いヘテロ接合から結晶性の
良い非接合部分に移動し、リーク電流の無いｐｎ接合を
形成できる。また、前述の成長接合法と異なり、結晶成
長時の不連続で生ずる結晶性の低下による影響も無い。
方法を以下に説明する。本方法しこおいては、ヘテロ接
合形成時に結晶に添加するＰ型不純物をｎ型不純物より
も高濃度にして行なう。すなわち、ｌ［［−Ｖ化合物半
導体結晶における不純物拡散は実質上Ｐ型不純物のみに
生ずる事を利用し、結晶成長中もしくは別に設けた熱処
理工程においてＰ型不純物をｎ型層中に拡散、ｌ）ｎ接
合を移動させる。これは一種の拡散接合法である。この
結果、ｐｎ接合は結晶性の悪いヘテロ接合から結晶性の
良い非接合部分に移動し、リーク電流の無いｐｎ接合を
形成できる。また、前述の成長接合法と異なり、結晶成
長時の不連続で生ずる結晶性の低下による影響も無い。
ｐｎ接合の移動量は、熱処理の温度と時間、各不純物の
ａ度によって０．１μｍのオーダーで制御が可能である
。この結果、本方法によって、リーク電流の無い、高効
率の発光タイオードを再現性良く製造する事ができる。
ａ度によって０．１μｍのオーダーで制御が可能である
。この結果、本方法によって、リーク電流の無い、高効
率の発光タイオードを再現性良く製造する事ができる。
以下、本発明を実施例をもって詳細に説明する。
実施例１
第１図を用いて説明する。ｎ型１ｎＰ（８ｎドープＩ
Ｘ １０１８ ｃｍ−３）基、叛１１上に溶液成長法に
よりダブルへテロ構造の多層エピタキシーを行なった。
Ｘ １０１８ ｃｍ−３）基、叛１１上に溶液成長法に
よりダブルへテロ構造の多層エピタキシーを行なった。
すなわち Ｉｌｌ ｅドープ、ｚｎドーグ。
ｚｎドープ、Ｔｅドープの各々の溶液から、ｎ型層ｎＰ
層（４Ｘ １０１８ｃｍ−３） １２、Ｐ型層ｎＧａ
ＡＳ Ｐ層（５Ｘ １ ｇｌｌｊｃｍ−” ） １３、
Ｐ型Ｉｎ Ｐ層（Ｉ Ｘ １０ ”Ｃｌ１ｌ−” ）
１４、ｎ型層ｎＧ’１ＡｓＰ層（５Ｘ １０”Ｃｍ−”
） １５−＞、各々４μｍ、１μｍ、２μｍ、２μＩ
ｎずつ成長させた。
層（４Ｘ １０１８ｃｍ−３） １２、Ｐ型層ｎＧａ
ＡＳ Ｐ層（５Ｘ １ ｇｌｌｊｃｍ−” ） １３、
Ｐ型Ｉｎ Ｐ層（Ｉ Ｘ １０ ”Ｃｌ１ｌ−” ）
１４、ｎ型層ｎＧ’１ＡｓＰ層（５Ｘ １０”Ｃｍ−”
） １５−＞、各々４μｍ、１μｍ、２μｍ、２μＩ
ｎずつ成長させた。
Ｐ型層１３から以後の成長は、６２５℃〜６１５℃、２
０分間であった。成長後、ｎ型層１５にｒｌ、ｎ拡散（
５５０℃１ｈｒ）で直径４０／！ｊｍψのＰ型変換域１
５′を形成した。基板１１には１５０μｍφの窓１６の
ついた陰電極１７、ｎ型層には陽電極１８を形成した。
０分間であった。成長後、ｎ型層１５にｒｌ、ｎ拡散（
５５０℃１ｈｒ）で直径４０／！ｊｍψのＰ型変換域１
５′を形成した。基板１１には１５０μｍφの窓１６の
ついた陰電極１７、ｎ型層には陽電極１８を形成した。
後、５００μｍ角に切断し、ダイボンディング、ワイア
ボンディングを行なって発光ダイオードとした。なお、
この時点で、ｎｕ層１２にＰ型層１３からｚｎが拡散さ
れており、ｐｎ接合１９がｎ型層１２とＰ型層１３の境
界から０．２μｍの所に移動していた。電極１７および
１８にｊ胆バイアス金印加した所、電流１００ｍＡにお
いて、窓１６から１．３μｍの赤外線が２ｍＷ以上放出
した。次に、ダイオードのリーク電流を調べるため、電
極１７と１８に逆バイアスを印加したところ、ダイオー
ドの８５チは５■で１μ八以下の電流しか流れなく、極
めてリーク電流が少なく良好である事が判明した。一方
、従来のへテロ接合とｐｎ接合が一致する構造では、逆
バイアスにおいて、５Ｖ１μ八以下の電流であるダイオ
ードは４５％しか得られなかった。この結果、本発明の
構造はリーク電流の無い良好な特性を持つ発光ダイオー
ドを高い歩留りで作製できる事がわかった。
ボンディングを行なって発光ダイオードとした。なお、
この時点で、ｎｕ層１２にＰ型層１３からｚｎが拡散さ
れており、ｐｎ接合１９がｎ型層１２とＰ型層１３の境
界から０．２μｍの所に移動していた。電極１７および
１８にｊ胆バイアス金印加した所、電流１００ｍＡにお
いて、窓１６から１．３μｍの赤外線が２ｍＷ以上放出
した。次に、ダイオードのリーク電流を調べるため、電
極１７と１８に逆バイアスを印加したところ、ダイオー
ドの８５チは５■で１μ八以下の電流しか流れなく、極
めてリーク電流が少なく良好である事が判明した。一方
、従来のへテロ接合とｐｎ接合が一致する構造では、逆
バイアスにおいて、５Ｖ１μ八以下の電流であるダイオ
ードは４５％しか得られなかった。この結果、本発明の
構造はリーク電流の無い良好な特性を持つ発光ダイオー
ドを高い歩留りで作製できる事がわかった。
実施例２
実施例１と同様であるが、各ノーの不純物濃度の異なる
条件で実験を行なった。ご九金第２図で説明する。図に
おいて、２１はｎ型層ｎＰ基＆（ＴｅドープＩ Ｘ １
０ｌ８ｃｍ−ａ）、２２はｎ型１１１Ｐ層（Ｔｅ ドー
プＩ Ｘ ｉ Ｑ”ｃｍ−１′）、２３はｎ型層 ｎＧ
ａ ＡＳ Ｐ７階（’ｌ’ｅ ドープ５ Ｘ １０ｌ
７ｃｍ−３）、２４ｉｔＰ型ＩｎＰ層（ｚ、ｎドープ８
Ｘ １０”ｃｍ−３）、２５はｎ型Ｉｎ Ｇａ Ａｓ
Ｐ層（１゛ｅドープ１×１０”ｃｍ”” ）であり、
各々多層エピタキシーで成長させたもので厚さと成長条
件は実施例１と同じである。成長後 Ｚ ｎ拡散による
Ｐ型変換域２５′を形成、電極２７．２８の被着を行な
った。２６は窓である。ダイボンディングおよびダイボ
ンデインクを行なって発光ダイオードとした。なおこの
時点でｎ型Ｉｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ＠２３にＨＰｎ接合面
２９が存在していた。これは、成長時およびＰ型変換域
２５′ヲ形成するための加熱工程中に、Ｐ型層ｎＰ層２
４からＺｎが拡散したためである。
条件で実験を行なった。ご九金第２図で説明する。図に
おいて、２１はｎ型層ｎＰ基＆（ＴｅドープＩ Ｘ １
０ｌ８ｃｍ−ａ）、２２はｎ型１１１Ｐ層（Ｔｅ ドー
プＩ Ｘ ｉ Ｑ”ｃｍ−１′）、２３はｎ型層 ｎＧ
ａ ＡＳ Ｐ７階（’ｌ’ｅ ドープ５ Ｘ １０ｌ
７ｃｍ−３）、２４ｉｔＰ型ＩｎＰ層（ｚ、ｎドープ８
Ｘ １０”ｃｍ−３）、２５はｎ型Ｉｎ Ｇａ Ａｓ
Ｐ層（１゛ｅドープ１×１０”ｃｍ”” ）であり、
各々多層エピタキシーで成長させたもので厚さと成長条
件は実施例１と同じである。成長後 Ｚ ｎ拡散による
Ｐ型変換域２５′を形成、電極２７．２８の被着を行な
った。２６は窓である。ダイボンディングおよびダイボ
ンデインクを行なって発光ダイオードとした。なおこの
時点でｎ型Ｉｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ＠２３にＨＰｎ接合面
２９が存在していた。これは、成長時およびＰ型変換域
２５′ヲ形成するための加熱工程中に、Ｐ型層ｎＰ層２
４からＺｎが拡散したためである。
ｐｎ接合面２９と層２３と２４とのへテロ接合面からの
距離は０．１μｍであった。ダイオードのリーク電流の
測定Ｖこより、本構造の素子では９０条の率で５■で１
μＡ以下で良好であった。しかし、成長層２３と２４が
各々、ｎおよびＰ型の５×ＩＱ”ｃｍ−”で、ｐｎ接合
面２９がへテロ接合面と一致している素子構造（従来の
構造）では３０％の良品しか得られなかった。
距離は０．１μｍであった。ダイオードのリーク電流の
測定Ｖこより、本構造の素子では９０条の率で５■で１
μＡ以下で良好であった。しかし、成長層２３と２４が
各々、ｎおよびＰ型の５×ＩＱ”ｃｍ−”で、ｐｎ接合
面２９がへテロ接合面と一致している素子構造（従来の
構造）では３０％の良品しか得られなかった。
実施例３
第１図と同じ結晶を用いて、成長〜Ｐ型変換域１５′を
形成後の熱処理により、Ｐｎ接合の移動とこれにともな
う光出力の関係を求ぬた。この結果６００℃で１時間（
Ａ群）、５時間（Ｂ群）３０時間（０群）の熱処理によ
り、Ｐｎ接合１９が成長層１２および１３との界面とな
す距離は１．０μｍ、２．０μｍ、５μｍであった。こ
れらの処理をして作製した発光ダイオードの特性は、次
の様であった。逆バイアス５Ｖ１μ八以下の歩留りはＡ
群は９３％、Ｂ群と０群は９５％でるって、いずれも、
実施例１における８５チよりも高率であった。発光出力
は順バイアス１００ｍＡにおいて、Ａ＃Ｆｉ２ｍＷ、Ｂ
群は１．８ｍＷ、０群は１．０ ｍ Ｗであった。この
結果、Ａ群が最も作製条件として優れている事がわかっ
た。以上の事から、熱処理によるｐｎ接合の移動量の制
御により、特性の改善が可能な事がわかった。しかし、
リーク電流はｐｎ接合かへテロ接合から離れる程少なく
なるも低下する事が明らかとなり、特性的にはｐｎ接合
る事が最も高い歩留りが得られる。
形成後の熱処理により、Ｐｎ接合の移動とこれにともな
う光出力の関係を求ぬた。この結果６００℃で１時間（
Ａ群）、５時間（Ｂ群）３０時間（０群）の熱処理によ
り、Ｐｎ接合１９が成長層１２および１３との界面とな
す距離は１．０μｍ、２．０μｍ、５μｍであった。こ
れらの処理をして作製した発光ダイオードの特性は、次
の様であった。逆バイアス５Ｖ１μ八以下の歩留りはＡ
群は９３％、Ｂ群と０群は９５％でるって、いずれも、
実施例１における８５チよりも高率であった。発光出力
は順バイアス１００ｍＡにおいて、Ａ＃Ｆｉ２ｍＷ、Ｂ
群は１．８ｍＷ、０群は１．０ ｍ Ｗであった。この
結果、Ａ群が最も作製条件として優れている事がわかっ
た。以上の事から、熱処理によるｐｎ接合の移動量の制
御により、特性の改善が可能な事がわかった。しかし、
リーク電流はｐｎ接合かへテロ接合から離れる程少なく
なるも低下する事が明らかとなり、特性的にはｐｎ接合
る事が最も高い歩留りが得られる。
以上、説明した様に、本発明によればへテロ接合を用い
た発光ダイオードにおいて、光出力の低下なしに良好な
電気特性を持つ素子全歩留り良く作製できる。また、本
発明の構造全実現するために、近接するＰ型層の不純物
濃＃をｎ型層の不純物濃度よりも＾くして成長を行ない
、成長中またはその後の熱処理工程でｎ型層中に拡散さ
せて行なう方法が良い。この方法は成長接合法で行なう
のに対較して、工程数が少なく、また、再現性が良い特
長がある。本発明の効果は、実施例の他に、ＩｎＧａＰ
とＧａＡＳ、ＩｎＱａＡＳ、ｐと工ｎＧａＡＳＰとＩｎ
ＧａＡｓ 、Ｉｎ ＧａＡｓとＩｎＰ。
た発光ダイオードにおいて、光出力の低下なしに良好な
電気特性を持つ素子全歩留り良く作製できる。また、本
発明の構造全実現するために、近接するＰ型層の不純物
濃＃をｎ型層の不純物濃度よりも＾くして成長を行ない
、成長中またはその後の熱処理工程でｎ型層中に拡散さ
せて行なう方法が良い。この方法は成長接合法で行なう
のに対較して、工程数が少なく、また、再現性が良い特
長がある。本発明の効果は、実施例の他に、ＩｎＧａＰ
とＧａＡＳ、ＩｎＱａＡＳ、ｐと工ｎＧａＡＳＰとＩｎ
ＧａＡｓ 、Ｉｎ ＧａＡｓとＩｎＰ。
Ｇａ Ａ４ＡｓとＧａＡＳ等の組合せ、および仙の１１
１＝Ｖ化合物の組合せでも同様である。また、素子溝端
においても、本発明の概念を変更しない範囲において、
実施例にとられれる事なく、変更しても良い。また、Ｐ
およびｎの導伝型を実施例と、全く逆にしたり、その他
の順序で層をがさねる等をしても良い事は当然である。
１＝Ｖ化合物の組合せでも同様である。また、素子溝端
においても、本発明の概念を変更しない範囲において、
実施例にとられれる事なく、変更しても良い。また、Ｐ
およびｎの導伝型を実施例と、全く逆にしたり、その他
の順序で層をがさねる等をしても良い事は当然である。
この結果、本発明の構造およびその製造方法により、信
頼性の商い発光ダイオードを安価に製造できる。これら
の発光ダイオードは光通信、計測その他の分野への応用
が可能であり、本発明は工業上、経済上極めて有用であ
る。
頼性の商い発光ダイオードを安価に製造できる。これら
の発光ダイオードは光通信、計測その他の分野への応用
が可能であり、本発明は工業上、経済上極めて有用であ
る。
第１図は本発明による発光ダイオードの断面図、第２図
は本発明による他の発光ダイオードの断面図である。
は本発明による他の発光ダイオードの断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 バンドギャップの大きい第１の層、第１の層より
もバンドギャップの小さい第２の層、および、第２の層
よりもバンドギャップの大きい第３の層の少なくとも３
つの層から成り、３層が順に接触している半導体素子に
おいて、ｐ−ｎ接合面が第１の層もしくは第２の層、も
しくは第３の層内部にあり、各層の境界とは不一致であ
る事を特徴とする半導体発光ダイオードおよびその製造
方法。 ２、各々、′Ｐまたはｎ型の第１および第２．第３の層
を順次エピタキシャル成長させる際に、ｎ型と接触する
Ｐ型層の不純物濃度を該ｎ型層よりも高くしておき、エ
ピタキシャル成長中またはその後の熱処理工程によって
、該Ｐ型層に含まれる不純物を該ｎ型層に拡散させてｐ
ｎ接合面を成長境界から移動させる事を特徴とする半導
体発光ダイオードおよびその製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9935083A JPH0691280B2 (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 半導体発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9935083A JPH0691280B2 (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 半導体発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225580A true JPS59225580A (ja) | 1984-12-18 |
| JPH0691280B2 JPH0691280B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=14245159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9935083A Expired - Lifetime JPH0691280B2 (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 半導体発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691280B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183977A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 発光素子及びその製造方法 |
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| JP2019062046A (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 株式会社沖データ | 発光サイリスタ、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
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| CN113646907A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-11-12 | 优志旺电机株式会社 | 红外led元件 |
Citations (1)
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| JPS5544471A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-28 | Hitachi Ltd | Work individually feeding mechanism |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP9935083A patent/JPH0691280B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544471A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-28 | Hitachi Ltd | Work individually feeding mechanism |
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| CN113632248A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-11-09 | 优志旺电机株式会社 | 红外led元件 |
| CN113646907A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-11-12 | 优志旺电机株式会社 | 红外led元件 |
| JP2020167372A (ja) * | 2019-12-05 | 2020-10-08 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 赤外ｌｅｄ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691280B2 (ja) | 1994-11-14 |
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