JPS5958878A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS5958878A JPS5958878A JP57170140A JP17014082A JPS5958878A JP S5958878 A JPS5958878 A JP S5958878A JP 57170140 A JP57170140 A JP 57170140A JP 17014082 A JP17014082 A JP 17014082A JP S5958878 A JPS5958878 A JP S5958878A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
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- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光ダイオード等の半導体発光装置に関する。
従来例の構成とその問題点
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、小型堅牢、低消費電力等
、優れた特性に加え、多色性とファツショナブルな外観
と相俟って、数多くの分野で使用されている。表示用、
デジタル用は言うまでもなく、最近では、光ファイバと
組合せ、光伝送システムの光源として、ＯＡ機器やロボ
ット等に使用されつつある。このように多種多様にわた
るＬＥＤに対して、市場より、より高輝度化を望む声が
強い０ ところで、ＬＥＤは例えばＧａＡｆｉＡＳ −ＣａＡＳ
接合、ＧａＡｓＰ −ＧａＰ接合のようなヘテロ接合が
しばしば用いられる。ヘテロ接合は異種の半導体で接合
を形成するため、通常のホモ接合と比較して数多くの問
題が発生する。ヘテロ接合を形成する場合、結晶構造、
格子定数を一致させ結晶への歪を極力減少させることは
言うまでもないが、熱膨張係数の差等により、接合界面
での格子不整合により歪が発生する。また不純物を添加
する場合もヘテロ界面で偏析が起りやすく、その結果、
高密度の界面準位が発生する等、素子の特性を悪くして
いた。
、優れた特性に加え、多色性とファツショナブルな外観
と相俟って、数多くの分野で使用されている。表示用、
デジタル用は言うまでもなく、最近では、光ファイバと
組合せ、光伝送システムの光源として、ＯＡ機器やロボ
ット等に使用されつつある。このように多種多様にわた
るＬＥＤに対して、市場より、より高輝度化を望む声が
強い０ ところで、ＬＥＤは例えばＧａＡｆｉＡＳ −ＣａＡＳ
接合、ＧａＡｓＰ −ＧａＰ接合のようなヘテロ接合が
しばしば用いられる。ヘテロ接合は異種の半導体で接合
を形成するため、通常のホモ接合と比較して数多くの問
題が発生する。ヘテロ接合を形成する場合、結晶構造、
格子定数を一致させ結晶への歪を極力減少させることは
言うまでもないが、熱膨張係数の差等により、接合界面
での格子不整合により歪が発生する。また不純物を添加
する場合もヘテロ界面で偏析が起りやすく、その結果、
高密度の界面準位が発生する等、素子の特性を悪くして
いた。
例えば、高輝度発光ダイオードとして注目されているＣ
ａＡ７Ａｓ Ｌ ＲＤ の構造および同混晶中のｊＪ
Ａｓ混晶比をそれぞれ第１図（ａ） 、 （ｂ）に示す
。同図において、１はｐ −ＧａＡＳ基板、２はｐ −
ＧａＡ７ＡＳ層、３はｎ −ＧａＡｌＡｓ層、４，６は
それぞれｎ側。
ａＡ７Ａｓ Ｌ ＲＤ の構造および同混晶中のｊＪ
Ａｓ混晶比をそれぞれ第１図（ａ） 、 （ｂ）に示す
。同図において、１はｐ −ＧａＡＳ基板、２はｐ −
ＧａＡ７ＡＳ層、３はｎ −ＧａＡｌＡｓ層、４，６は
それぞれｎ側。
ｐ側電極である。一般に結晶成長は一除冷法を用いて成
長を行なうが、ｐ −ＣａＡ、５Ａｓ層２は同図（ｂ）
で示す様にＡＩＡＳ混晶比は成長とともに減少する。
長を行なうが、ｐ −ＣａＡ、５Ａｓ層２は同図（ｂ）
で示す様にＡＩＡＳ混晶比は成長とともに減少する。
ＧａＡ４ＡＳ Ｌ Ｅ Ｄ は−発光効率と視感度の
関係より−ｐｎ接合部でのＡβｈｓ混晶比が０．３６と
なるように、Ａ７１！添加量等を制御される。その後ｎ
−ＧａＡｌＡｓ層３を形成するが−このｎ −ＧａＡ７
ｉＡＳ層３は一通常、ｐｎ接合で発光した光を吸収され
ることなく取り出すためにＡ７ＡＳ混晶比を０．７と高
くする。一方、ＧａＡ］Ａｓをｎ型にする添加不純物と
してＴｅを用いるが、Ｔｅは液相から固相への分配係数
が大きく結晶中へ入り易い。ｅａＡ、５Ａｓ発光ダイオ
ードの発光領域はｐ −ＧａＡ／Ａｓ層２であるため、
発光効率を向上させるためには電子の注入効率を上げる
ことが必要である。すなわちＴｅの添加量を増加するこ
とが必要であるが、Ｔｅ濃度の増大と関連して前述した
ようにヘテロ界面にも高濃度層が発生し、結晶性が悪く
なるとともに、クロスドーピング等の現象が現われるた
め、実際にばＴｅ添加量を多くすることが出来ず発光効
率も悪かった。
関係より−ｐｎ接合部でのＡβｈｓ混晶比が０．３６と
なるように、Ａ７１！添加量等を制御される。その後ｎ
−ＧａＡｌＡｓ層３を形成するが−このｎ −ＧａＡ７
ｉＡＳ層３は一通常、ｐｎ接合で発光した光を吸収され
ることなく取り出すためにＡ７ＡＳ混晶比を０．７と高
くする。一方、ＧａＡ］Ａｓをｎ型にする添加不純物と
してＴｅを用いるが、Ｔｅは液相から固相への分配係数
が大きく結晶中へ入り易い。ｅａＡ、５Ａｓ発光ダイオ
ードの発光領域はｐ −ＧａＡ／Ａｓ層２であるため、
発光効率を向上させるためには電子の注入効率を上げる
ことが必要である。すなわちＴｅの添加量を増加するこ
とが必要であるが、Ｔｅ濃度の増大と関連して前述した
ようにヘテロ界面にも高濃度層が発生し、結晶性が悪く
なるとともに、クロスドーピング等の現象が現われるた
め、実際にばＴｅ添加量を多くすることが出来ず発光効
率も悪かった。
発明の目的
本発明は、ｐｎ接合界面近傍を低濃度にすることにより
界面での高濃度の準位の発生を押え結晶性を良くし、か
つ近接する高濃度層より低濃度層を介して一電子または
正孔を発光領域に注入し、注入効率を向上させ高輝度化
を図ることのできる半導体発光装置を提供せんとするも
のである。
界面での高濃度の準位の発生を押え結晶性を良くし、か
つ近接する高濃度層より低濃度層を介して一電子または
正孔を発光領域に注入し、注入効率を向上させ高輝度化
を図ることのできる半導体発光装置を提供せんとするも
のである。
発明の構成
本発明の半導体発光装置は、所定導電型の半導体基板上
に形成された同導電型成長層上に低濃度で、かつ電子ま
たは正孔の拡散長以下の薄膜を形成し、ｐｎ接合近傍で
の添加不純物による結晶欠陥の生成を阻止し、さらに近
接して高濃度層を形成し、発光領域への電子捷たは正孔
の注入は、高ａ度層より低濃度層を介して注入効率を高
めるとともに、ｐｎ接合近傍の結晶性を良くし発光再結
合効率を向上させることにより、高輝度化を可能とした
ものである。
に形成された同導電型成長層上に低濃度で、かつ電子ま
たは正孔の拡散長以下の薄膜を形成し、ｐｎ接合近傍で
の添加不純物による結晶欠陥の生成を阻止し、さらに近
接して高濃度層を形成し、発光領域への電子捷たは正孔
の注入は、高ａ度層より低濃度層を介して注入効率を高
めるとともに、ｐｎ接合近傍の結晶性を良くし発光再結
合効率を向上させることにより、高輝度化を可能とした
ものである。
実施例の説明
本発明を第２図に断面構造で示すＧａＡ］ＡＳ Ｌ Ｅ
Ｄを用いて詳細に説明する。ｐ −ＧａＡＳ基板１（
Ｚｎドープ、不純物濃度１〜２×１０ｃｒｒＬ）上に、
通常の徐冷法を用いて、ｐ −ＧａＡ、５Ａｓ層２を形
成する。ｐ −ＣＴａｊＪＪＩＳ層２の厚さは、３０μ
ｍであり、添加不純物は亜鉛（Ｚｎ）を用い濃度は１〜
２×１０１８ｃｒｎ−６である。ｐ −ＧａＡ／Ａｓ層
２を徐冷法を用いて成長するとＡ／ＡＳ混晶比は第１図
（ｂ）で示す従来の場合と同様に成長とともに減少する
。それゆえｐ −ＧａＡ／ＡＳ層２を成長する場合（７
）Ｇａ１．Ｌｉ７当りのＡｌ添加量は１．８１ｎ７、Ｇ
ａＡｓ多結晶は６ Ｑ ｍＬｉであり、８５０℃よりｓ
ｏ ｏ ′Ｃ’１で徐冷を行なった。ｐ −ＧａｊＪ
ＡＳ層２形成後層成形成後を交換しｐ −（ｒａＡ７１
ＩＡｓ層２１を形成する。 ｐ −ＧａＡＩＡＳ層２１
への添加不純物はＺｎであり、不純物濃度は６〜１０×
１０ Ｃｒｎ である。成長溶液形成用原料中のｊＪ
、 ＧａＡｓ 多結晶のＧａに対する比率は前記溶液
と同じである。ｐ −ＧａＡ４ＡＳ層２１の膜原２１．
５〜１．Ｑｌｌｍに制御される。その後、発光領域で発
光した光が吸収されることなく外部へ取り出せるようＧ
ａｊＪＡＳ混晶中のＡＩＡＳ混晶比が０．７と高く、不
純物濃度が１〜５Ｘ１０１ で膜厚が０．３〜０．６
μｍのｎ −（ｒａＡ４Ａｓ層３１を形成する。成長溶
液形成組成物中、Ｇａ１ｇｒ当りのＡｌ、 ＧａＡｓ多
結晶の添加量は、それぞれ” ”！ ＋４ Ｑ ｍｇで
ある。その後、同じｊＪＡｓ混晶比を持つｎ −ＧａＡ
ｌＡｓ層３を形成する。ｎ −ＧａＡ４ＡＳ層３の膜厚
は２ｏ〜２６μｍであり不純物濃度は５〜１０Ｘ１０（
１７７１である。結晶成長終了後、ｎ側電極４．ｎ側電
極５を形成する。メサエッチを施し、素子分離を行身い
所定のステムにマウントする。
Ｄを用いて詳細に説明する。ｐ −ＧａＡＳ基板１（
Ｚｎドープ、不純物濃度１〜２×１０ｃｒｒＬ）上に、
通常の徐冷法を用いて、ｐ −ＧａＡ、５Ａｓ層２を形
成する。ｐ −ＣＴａｊＪＪＩＳ層２の厚さは、３０μ
ｍであり、添加不純物は亜鉛（Ｚｎ）を用い濃度は１〜
２×１０１８ｃｒｎ−６である。ｐ −ＧａＡ／Ａｓ層
２を徐冷法を用いて成長するとＡ／ＡＳ混晶比は第１図
（ｂ）で示す従来の場合と同様に成長とともに減少する
。それゆえｐ −ＧａＡ／ＡＳ層２を成長する場合（７
）Ｇａ１．Ｌｉ７当りのＡｌ添加量は１．８１ｎ７、Ｇ
ａＡｓ多結晶は６ Ｑ ｍＬｉであり、８５０℃よりｓ
ｏ ｏ ′Ｃ’１で徐冷を行なった。ｐ −ＧａｊＪ
ＡＳ層２形成後層成形成後を交換しｐ −（ｒａＡ７１
ＩＡｓ層２１を形成する。 ｐ −ＧａＡＩＡＳ層２１
への添加不純物はＺｎであり、不純物濃度は６〜１０×
１０ Ｃｒｎ である。成長溶液形成用原料中のｊＪ
、 ＧａＡｓ 多結晶のＧａに対する比率は前記溶液
と同じである。ｐ −ＧａＡ４ＡＳ層２１の膜原２１．
５〜１．Ｑｌｌｍに制御される。その後、発光領域で発
光した光が吸収されることなく外部へ取り出せるようＧ
ａｊＪＡＳ混晶中のＡＩＡＳ混晶比が０．７と高く、不
純物濃度が１〜５Ｘ１０１ で膜厚が０．３〜０．６
μｍのｎ −（ｒａＡ４Ａｓ層３１を形成する。成長溶
液形成組成物中、Ｇａ１ｇｒ当りのＡｌ、 ＧａＡｓ多
結晶の添加量は、それぞれ” ”！ ＋４ Ｑ ｍｇで
ある。その後、同じｊＪＡｓ混晶比を持つｎ −ＧａＡ
ｌＡｓ層３を形成する。ｎ −ＧａＡ４ＡＳ層３の膜厚
は２ｏ〜２６μｍであり不純物濃度は５〜１０Ｘ１０（
１７７１である。結晶成長終了後、ｎ側電極４．ｎ側電
極５を形成する。メサエッチを施し、素子分離を行身い
所定のステムにマウントする。
第３図に低濃度層（ｐ −ＧａＡｌＡｓ層２１およびｎ
−ＧａＡＩＡＳ層３１）の層厚１光出力の関係を、第
４図に低濃度層の膜厚が１．５〜２ 、Ｏｌｉｍの時の
ｐ −ＧａＡｆｉＡＳ層２１とｎ −ＣｒａｊＪＡｓ層
３１の膜厚比と光出力の関係を示す。第３図に示すよう
に低濃度層の膜厚が薄くなる柳、高濃度層よりの電子の
注入が増え、かつ低濃度層を介して高濃度層の発光領域
まで注入され発光再結合確率が増加する。
−ＧａＡＩＡＳ層３１）の層厚１光出力の関係を、第
４図に低濃度層の膜厚が１．５〜２ 、Ｏｌｉｍの時の
ｐ −ＧａＡｆｉＡＳ層２１とｎ −ＣｒａｊＪＡｓ層
３１の膜厚比と光出力の関係を示す。第３図に示すよう
に低濃度層の膜厚が薄くなる柳、高濃度層よりの電子の
注入が増え、かつ低濃度層を介して高濃度層の発光領域
まで注入され発光再結合確率が増加する。
なお、第３図中の膜厚が零の点は一低ａ度層が存在しな
い点であり、従来装置の発光出力を示すものである。
い点であり、従来装置の発光出力を示すものである。
一方、第４図かられかるように、低濃度ｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ層２１が薄くなりすぎると、高濃度層ｐ−ＧａＡ４Ａ
Ｓ層２からのＺｎのオートド−ピンクにより低濃度ｐ
−ＧａＡ４Ａｓ層２１中へ層数１中高濃度になり効果が
減少する。また極端な場合は、低濃度ｎ −ＧａｊＪＡ
Ｓ層３１中にまで拡散が及び、電気的なρｎ接合が低濃
度ｎ −ＧａＡｌＡｓ層３１中に出来る。この場合ｎ
−Ｇ２ＬＡβＡｓ層３１中はエネルギーギャップが間接
遷移領域となり発光効率は悪くなる。
ｓ層２１が薄くなりすぎると、高濃度層ｐ−ＧａＡ４Ａ
Ｓ層２からのＺｎのオートド−ピンクにより低濃度ｐ
−ＧａＡ４Ａｓ層２１中へ層数１中高濃度になり効果が
減少する。また極端な場合は、低濃度ｎ −ＧａｊＪＡ
Ｓ層３１中にまで拡散が及び、電気的なρｎ接合が低濃
度ｎ −ＧａＡｌＡｓ層３１中に出来る。この場合ｎ
−Ｇ２ＬＡβＡｓ層３１中はエネルギーギャップが間接
遷移領域となり発光効率は悪くなる。
以上の結果より、電子または正孔の拡散長以下ヒ
の膜厚の低濃度の心及びｎｏＧａＡＩＡＳ層を導入する
ことにより、接合近傍での不純物の偏析を無くし、かつ
結晶性を良くすることが出来る。また−高濃度なドーピ
ングを行なってもＡｌＡｓ混晶比の同じ低濃度層２１．
３１が存在するため、界面での偏析が起こらない。更に
、ヘテロ接合界面は相互が低濃度なため、不純物の偏析
は起こりにくい。
ことにより、接合近傍での不純物の偏析を無くし、かつ
結晶性を良くすることが出来る。また−高濃度なドーピ
ングを行なってもＡｌＡｓ混晶比の同じ低濃度層２１．
３１が存在するため、界面での偏析が起こらない。更に
、ヘテロ接合界面は相互が低濃度なため、不純物の偏析
は起こりにくい。
低濃度層２１．３１の膜厚は充分薄いため、高濃度層よ
り低濃度層を介して発光領域へ注入され発光再結合を起
こす。したがって、高濃度ｐ−にａＡＩＡｓ層１での発
光再結合イ１舊率は高く、従来の低濃度層を導入しない
場合と比較して発光出力は３〜４倍に向上した。
り低濃度層を介して発光領域へ注入され発光再結合を起
こす。したがって、高濃度ｐ−にａＡＩＡｓ層１での発
光再結合イ１舊率は高く、従来の低濃度層を導入しない
場合と比較して発光出力は３〜４倍に向上した。
なお本発明は、ＧａｊＪＡｓ赤色発光ダイオードについ
て述べたが、ＧａＡＳｐ 、 ＩｎＣｒａＡＳｐ 、
ＧａＡＳ 。
て述べたが、ＧａＡＳｐ 、 ＩｎＣｒａＡＳｐ 、
ＧａＡＳ 。
Ｇａｐ 等発光ダイオードについても同様のことが言
える。
える。
発明の効果
本発明は前記の実施例より明らかなように−ａｎ接合近
傍に低ａ度層を導入することにより、結晶性を向上させ
、かつ不純物の偏析を押え、前記低ａ度層の厚さを電子
又は正孔の拡散長以内にすることにより、隣接する高濃
度層より注入を行ない、発光効率の向上を実現したもの
である。
傍に低ａ度層を導入することにより、結晶性を向上させ
、かつ不純物の偏析を押え、前記低ａ度層の厚さを電子
又は正孔の拡散長以内にすることにより、隣接する高濃
度層より注入を行ない、発光効率の向上を実現したもの
である。
第１図（ａ）は、従来の（１，ａＡｄＡＳ赤色発光ダイ
オードの構造断面図、第１図（ｂ）はｊＪＡｓ混晶比を
示すプロファイル図、第２図は本発明によるＧａＡβＡ
ｓ赤色発光ダイオードの構造断面図、第３図は本発明に
係る装置の低濃度層の膜厚と光出力の関係図、第４図は
ｐ／ｎ低濃度層の膜厚比と光出力の関係図である。 １ ＝−＝−ｐ −ＧａＡＳ基板、２ 、、、 、・−
ｐ −ＧａＡ７ｊｊＡＳ層（高濃度層）−２１・・・・
・・ｐ −ＧａＡｄＡＳ層（低濃度層）、３１ ＝−・
−ｎ −ＧａＡｌＡＳ層（低濃度層）、３・・・・・・
ｎ −ＧａＡｌＡｓ層（高濃度層）、４・・・・・・ｎ
側電極、５・・・・・・ｎ側電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ４ 第３図 第４図 Ｐ・Ｇ、Ａｌｌ５ Ｒ／１ ／ｎ−に、ＡｌＡｓ＃Ｌ４
２７
オードの構造断面図、第１図（ｂ）はｊＪＡｓ混晶比を
示すプロファイル図、第２図は本発明によるＧａＡβＡ
ｓ赤色発光ダイオードの構造断面図、第３図は本発明に
係る装置の低濃度層の膜厚と光出力の関係図、第４図は
ｐ／ｎ低濃度層の膜厚比と光出力の関係図である。 １ ＝−＝−ｐ −ＧａＡＳ基板、２ 、、、 、・−
ｐ −ＧａＡ７ｊｊＡＳ層（高濃度層）−２１・・・・
・・ｐ −ＧａＡｄＡＳ層（低濃度層）、３１ ＝−・
−ｎ −ＧａＡｌＡＳ層（低濃度層）、３・・・・・・
ｎ −ＧａＡｌＡｓ層（高濃度層）、４・・・・・・ｎ
側電極、５・・・・・・ｎ側電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ４ 第３図 第４図 Ｐ・Ｇ、Ａｌｌ５ Ｒ／１ ／ｎ−に、ＡｌＡｓ＃Ｌ４
２７
Claims (3)
- （１）第１導電型の半導体基板上に形成された第１導電
型の第１の成長層と、前記第１の成長層上に形成され、
前記第１の成長層より不純物濃度が低く、かつ厚さが薄
い第１導電型の第２の成長層と、前記第２の成長層上に
形成され、前記第２の成長層と同程度の不純物濃度およ
び厚みを有する第２導電型の第３の成長層と、前記第３
の成長層上に形成され、前記第３の成長層より高濃度の
第２導電型の第４の成長層を有し、前記第２および第３
の両成長層を合わせた厚さが電子又は正孔の拡散長よシ
も薄いことを特徴とする半導体発光装置。 - （２）第２．第３の成長層の不純物濃度が１×１０１７
０ 以下である特許請求範囲第１項に記載の半導体発光
装置。 - （３）前記第４の成長層の不純物濃度が６×１０１７σ
以上である特許請求範囲第１頂に記載の半導体発光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170140A JPS5958878A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170140A JPS5958878A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958878A true JPS5958878A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15899403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57170140A Pending JPS5958878A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958878A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183977A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 発光素子及びその製造方法 |
| JPH0316279A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| US5024967A (en) * | 1989-06-30 | 1991-06-18 | At&T Bell Laboratories | Doping procedures for semiconductor devices |
| US5087949A (en) * | 1989-06-27 | 1992-02-11 | Hewlett-Packard Company | Light-emitting diode with diagonal faces |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP57170140A patent/JPS5958878A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183977A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 発光素子及びその製造方法 |
| JPH055191B2 (ja) * | 1985-02-08 | 1993-01-21 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH0316279A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| US5087949A (en) * | 1989-06-27 | 1992-02-11 | Hewlett-Packard Company | Light-emitting diode with diagonal faces |
| US5024967A (en) * | 1989-06-30 | 1991-06-18 | At&T Bell Laboratories | Doping procedures for semiconductor devices |
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