JPS5969977A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS5969977A JPS5969977A JP57181738A JP18173882A JPS5969977A JP S5969977 A JPS5969977 A JP S5969977A JP 57181738 A JP57181738 A JP 57181738A JP 18173882 A JP18173882 A JP 18173882A JP S5969977 A JPS5969977 A JP S5969977A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高輝度化をはかった半導体発光装置に関するも
のである。
のである。
従来例の構成とその問題点
発光ダイオード(以下、LEDと称す)は、小型堅牢、
低消費電力等の優れた特性に加えて、多色性と形体自在
な外観とが相俟って、多様な分野で使用されている。ま
た、最近では、表示用、ティジタル用のみでなく、光フ
ァイバと組合せた光伝送システムの光源としてOA機器
やロボットの分野などにも使用されている。このような
利用分野の広がりとともに、一方では、高輝度化の指向
も急である。従来のLEDは、主として、半導体のへテ
ロ接合、たとえば、GaAlAs−GaAs 。
低消費電力等の優れた特性に加えて、多色性と形体自在
な外観とが相俟って、多様な分野で使用されている。ま
た、最近では、表示用、ティジタル用のみでなく、光フ
ァイバと組合せた光伝送システムの光源としてOA機器
やロボットの分野などにも使用されている。このような
利用分野の広がりとともに、一方では、高輝度化の指向
も急である。従来のLEDは、主として、半導体のへテ
ロ接合、たとえば、GaAlAs−GaAs 。
GaAsP−GaPのような構造が用いられるが、この
場合、ヘテロ界面に起因する問題によシ、発光効率がな
かなか向上しない。
場合、ヘテロ界面に起因する問題によシ、発光効率がな
かなか向上しない。
ヘテロ接合は入神の半導体て]ど合音形成するだめ、通
常の同一半導体による、いわゆるホモ接合と比較して数
多くの問題が発生する。−例でみると、ペテロ接合を形
成する場合、結晶構造、格子定数を一致させ結晶へ−の
歪を極力減少させることは言うまでもないが、熱膨張係
数の差等により、接合界面での格子不整合により歪か発
生ずる。寸だ、不純物を添加する場合もヘテロ界面で偏
析が起りやすく、その結果、高密度の界面準位か発生す
る等、素子の特性を悪くしていた。
常の同一半導体による、いわゆるホモ接合と比較して数
多くの問題が発生する。−例でみると、ペテロ接合を形
成する場合、結晶構造、格子定数を一致させ結晶へ−の
歪を極力減少させることは言うまでもないが、熱膨張係
数の差等により、接合界面での格子不整合により歪か発
生ずる。寸だ、不純物を添加する場合もヘテロ界面で偏
析が起りやすく、その結果、高密度の界面準位か発生す
る等、素子の特性を悪くしていた。
例えば、現在高輝度発光ダイオ゛−トとして圧用されて
いるG、aAlAs LED の、構造およびAlAs
混晶比を第1図a、bに示す。一般に結晶成長は、基板
のp−GaAs1 の表面に、徐冷法を用いてp−G
aAeAs層2の成長を行なうか、このp−GaAlA
s層2は図で示す様にへlAs混晶比か成長とともに減
少する。GaAgAs LEDでは、通常、発光効率
と視感度の関係より、pn接合部で八l A s混晶比
が0.35となるように、第1層のp−GaA77As
層2中のAl添加量等が制御される。
いるG、aAlAs LED の、構造およびAlAs
混晶比を第1図a、bに示す。一般に結晶成長は、基板
のp−GaAs1 の表面に、徐冷法を用いてp−G
aAeAs層2の成長を行なうか、このp−GaAlA
s層2は図で示す様にへlAs混晶比か成長とともに減
少する。GaAgAs LEDでは、通常、発光効率
と視感度の関係より、pn接合部で八l A s混晶比
が0.35となるように、第1層のp−GaA77As
層2中のAl添加量等が制御される。
合で発光した光を吸収されることなく取り出すために、
このn −G a A RA s層32中のAj2As
混晶比を0.7と高くする。G a A I A s
をn型にする添加不純物としてTe iは液相から固
相への分配係数が大きく結晶中へ入り易い。GaARA
S LEDの発光領域はp−GaAlAs層2であるた
め、発光効率を向上させるためには電子の注入効率を上
げることか必要である。すなわちTeの添加量を増加す
ることが必要であるが、前述したようにヘテロ界面に高
濃度層が発生し、結晶性、クロス・ドーピンク等によっ
て添加量を多くすることが出来ず発光効率も悪かった。
このn −G a A RA s層32中のAj2As
混晶比を0.7と高くする。G a A I A s
をn型にする添加不純物としてTe iは液相から固
相への分配係数が大きく結晶中へ入り易い。GaARA
S LEDの発光領域はp−GaAlAs層2であるた
め、発光効率を向上させるためには電子の注入効率を上
げることか必要である。すなわちTeの添加量を増加す
ることが必要であるが、前述したようにヘテロ界面に高
濃度層が発生し、結晶性、クロス・ドーピンク等によっ
て添加量を多くすることが出来ず発光効率も悪かった。
尚、第1図において、11.12はそれぞれn −G
a A 11. A s層32 、p−GaAIV、i
上に形成された電極である。
a A 11. A s層32 、p−GaAIV、i
上に形成された電極である。
発明の目的
本発明は、pn接合界面近傍を低濃度にすることにより
界面での高濃度の準位の発生を押え結晶性を良くし、か
つ近接する高濃度層より低濃度層を介して、電子または
正孔を発光領域に注入し、注入効率を向上させ高輝度化
を計るものである。
界面での高濃度の準位の発生を押え結晶性を良くし、か
つ近接する高濃度層より低濃度層を介して、電子または
正孔を発光領域に注入し、注入効率を向上させ高輝度化
を計るものである。
発明の構成
本発明は、基板上に形成された結晶成長層上に低濃度で
、かつ電子寸たは正孔の拡散長以下の薄膜を形成し、p
n接合近傍での添加不純物による結晶欠陥を除去し、さ
らに近接して高濃度層を形成し、発光領域への電子捷た
け正孔の注入は、高濃度層より低濃度層を介して注入効
率を高めるとともにpn接合近傍の結晶性を良くし発光
角結合効率を向」ニさせ、より高輝度化がI]能となる
ものである。
、かつ電子寸たは正孔の拡散長以下の薄膜を形成し、p
n接合近傍での添加不純物による結晶欠陥を除去し、さ
らに近接して高濃度層を形成し、発光領域への電子捷た
け正孔の注入は、高濃度層より低濃度層を介して注入効
率を高めるとともにpn接合近傍の結晶性を良くし発光
角結合効率を向」ニさせ、より高輝度化がI]能となる
ものである。
実施例の説明
本発明を実施例のG a A II A s 赤色発光
ダイオード(LED)を用いて詳細に説明する。p−G
aAs基板1(Zn ドーグ、不純物濃度1〜2×1
0 r、m )」二に、通常の徐冷法を用いてp −
G a A 12 A s層2を形成するp −G a
A 12 A s層2の厚さは、30 μmでり、添
加不純物は亜鉛(Zn)を用い、濃度は(5”’−10
) X 10’ 7cm−’である。p−GaAl!、
As層2を徐冷法で作成するとA I2 A s混晶比
は成長とともに減少する。それゆえp −G a A
12 A s層2は発光波長が660 n m とな
るよう、成長温度、Affi添加量を決定する。850
℃より80o℃址で成長する場合のGa 1y尚りのA
R添加量は1.8〃り。
ダイオード(LED)を用いて詳細に説明する。p−G
aAs基板1(Zn ドーグ、不純物濃度1〜2×1
0 r、m )」二に、通常の徐冷法を用いてp −
G a A 12 A s層2を形成するp −G a
A 12 A s層2の厚さは、30 μmでり、添
加不純物は亜鉛(Zn)を用い、濃度は(5”’−10
) X 10’ 7cm−’である。p−GaAl!、
As層2を徐冷法で作成するとA I2 A s混晶比
は成長とともに減少する。それゆえp −G a A
12 A s層2は発光波長が660 n m とな
るよう、成長温度、Affi添加量を決定する。850
℃より80o℃址で成長する場合のGa 1y尚りのA
R添加量は1.8〃り。
G a A s添加、’jn Vl、 60 nrgと
した。p −G a A RA s層2を形成後、成長
溶液を交換しn−GaAlAs層31を形成する。n−
GaAffAs層31への添加不純物ばTeであり不純
物濃度は(5〜7 ) X 10” cm−3である。
した。p −G a A RA s層2を形成後、成長
溶液を交換しn−GaAlAs層31を形成する。n−
GaAffAs層31への添加不純物ばTeであり不純
物濃度は(5〜7 ) X 10” cm−3である。
発光領域で発光した光が吸収されること疫〈外部へ取り
出せるようにn−GaAffAs層31のA I A
s混晶比を0.7と−高くしである。成長溶液1ya−
坐りのA(1,GaAs多結晶の添加量は、それそIt
、 67n9 、40 Tqである。n−GaARAs
31の膜厚ば1.5〜2.Q77mである。さらに同
じA I2 A s混晶比で不純物濃度が5〜10 X
10 cm のn−GaA児As1d32を形成
する。n−GaARAs層32の厚さは20〜30μm
である。結晶成長終了後、n側電極11 、p側電極1
2を形成する。メサエッチを施し、ついで、素子分離を
行ない所定のステムにマウントする。
出せるようにn−GaAffAs層31のA I A
s混晶比を0.7と−高くしである。成長溶液1ya−
坐りのA(1,GaAs多結晶の添加量は、それそIt
、 67n9 、40 Tqである。n−GaARAs
31の膜厚ば1.5〜2.Q77mである。さらに同
じA I2 A s混晶比で不純物濃度が5〜10 X
10 cm のn−GaA児As1d32を形成
する。n−GaARAs層32の厚さは20〜30μm
である。結晶成長終了後、n側電極11 、p側電極1
2を形成する。メサエッチを施し、ついで、素子分離を
行ない所定のステムにマウントする。
第3図1cn−Ga7JAs層31の膜厚と光出力の関
係を示す。n −G a A I2A s層31の膜厚
が零というのは、p−GaAffAs 7g72−Lf
/C直接、高C度n−GaAffAs );432を形
成したものである。第3図に示すように、n −G a
A 42 A s層31が薄い背光出力は高くなるが
、しかしn−GaAaAs層31がな層表1−e(テル
ル)の偏析や結晶性の悪化により発光出力は減少する。
係を示す。n −G a A I2A s層31の膜厚
が零というのは、p−GaAffAs 7g72−Lf
/C直接、高C度n−GaAffAs );432を形
成したものである。第3図に示すように、n −G a
A 42 A s層31が薄い背光出力は高くなるが
、しかしn−GaAaAs層31がな層表1−e(テル
ル)の偏析や結晶性の悪化により発光出力は減少する。
この結果より、電子の拡散長以下の膜厚の低濃度n −
G a A fl A s層31を導入することにより
、pn接合近傍でのTeの偏析を無くし、結晶性を良く
することができる。一方、高濃度n−GaAffAs
7%32は高濃度にドーピングを行なっても低濃度層3
1が存在しかつAβAs混晶比が同じため、界面で偏析
が起こらない。この高濃度層より低濃度層を介して電子
の発光領域への注入効率を向上させることができる。従
来の低濃度層を導入しない場合と比較して2〜3倍の発
光出力が可能となった。
G a A fl A s層31を導入することにより
、pn接合近傍でのTeの偏析を無くし、結晶性を良く
することができる。一方、高濃度n−GaAffAs
7%32は高濃度にドーピングを行なっても低濃度層3
1が存在しかつAβAs混晶比が同じため、界面で偏析
が起こらない。この高濃度層より低濃度層を介して電子
の発光領域への注入効率を向上させることができる。従
来の低濃度層を導入しない場合と比較して2〜3倍の発
光出力が可能となった。
なお、以上実施例において、G a A n A s赤
色発光ダイオードについて述べたが、G a A s赤
外発光ダイオード、GaP 緑色、赤色ダイオード等の
場合も同様の効果を奏することは言う寸でもない。
色発光ダイオードについて述べたが、G a A s赤
外発光ダイオード、GaP 緑色、赤色ダイオード等の
場合も同様の効果を奏することは言う寸でもない。
発明の効果
本発明ではpn接合界面近傍を低濃度化することにより
、結晶性を向上し、かつ不純物の偏析を押え、前記 低
濃度層の厚さを拡散長以内にすることにより、隣接する
高濃度層より注入を行ない、発光効率の向上を刷ること
が出来るものである。
、結晶性を向上し、かつ不純物の偏析を押え、前記 低
濃度層の厚さを拡散長以内にすることにより、隣接する
高濃度層より注入を行ない、発光効率の向上を刷ること
が出来るものである。
第1図aは従来のG a A II A s 赤色発光
ダイオードの構造断面図、同図すはA Q A s混晶
比プロファイル図、第2図は本発明にょるG a A
I A s赤色発光ダイオードの構造断面図、第3図は
本発明にょるn −G a A I A s層の膜厚と
発光出力の関係を示す特性Mに 1−p−GaAs 基板、2−p−GaAlAs層、3
1・・・・・n−GaAl八S層へ低濃度層)、32・
・・・・・n −G a A I A s 層(高濃度
層)。
ダイオードの構造断面図、同図すはA Q A s混晶
比プロファイル図、第2図は本発明にょるG a A
I A s赤色発光ダイオードの構造断面図、第3図は
本発明にょるn −G a A I A s層の膜厚と
発光出力の関係を示す特性Mに 1−p−GaAs 基板、2−p−GaAlAs層、3
1・・・・・n−GaAl八S層へ低濃度層)、32・
・・・・・n −G a A I A s 層(高濃度
層)。
Claims (4)
- (1)半導体結晶基板上に、形成された少なくとも一層
以上の前記基板と同じ導電型の結晶成長層と、前記成長
層上に形成された前記基板と異なる導電型を有する低不
純物濃度でかつ厚さが電子又は正孔の拡散長以下の低濃
度層と、前記低濃度層」二に形成され前記基板と異なる
導電型有する高不純物濃度層とを有し、前記低濃度層を
介して電子又は正孔の少なくとも一方を発光領域へ注入
することを特徴とした半導体発光装置。 - (2)低濃度層の不純物濃度が1×10c111
以下であることを特徴とする特許請求範囲第1項記載の
半導体発光装置。 - (3)高不純物濃度層の不純物濃度が5X10 1以上
であることを特徴とする特許請求範囲第1項に記載の半
導体発光装置。 - (4)低濃度層の厚みが1.5μm〜2.0μmの範囲
に形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57181738A JPS5969977A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57181738A JPS5969977A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5969977A true JPS5969977A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16106018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57181738A Pending JPS5969977A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5969977A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61127699A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウム・アルミニウム混晶エピタキシヤルウエハ及びその製造方法 |
EP0322465A1 (en) * | 1987-07-09 | 1989-07-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method of epitaxially growing a substrate for highly bright led |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP57181738A patent/JPS5969977A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61127699A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウム・アルミニウム混晶エピタキシヤルウエハ及びその製造方法 |
JPH058155B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1993-02-01 | Mitsubishi Kasei Horitetsuku Kk | |
EP0322465A1 (en) * | 1987-07-09 | 1989-07-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method of epitaxially growing a substrate for highly bright led |
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