JPS62204583A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPS62204583A JPS62204583A JP61047562A JP4756286A JPS62204583A JP S62204583 A JPS62204583 A JP S62204583A JP 61047562 A JP61047562 A JP 61047562A JP 4756286 A JP4756286 A JP 4756286A JP S62204583 A JPS62204583 A JP S62204583A
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＧａＡＪＡｓを用いた高出力発光素子に関する
。
。
現在、（）ａＡＩＡｓをその材料として用いた赤外又は
赤色の発光ダイオード（ＬｇＤ）は単体ラングのみなら
ず、ホトカプラ等の光結合素子に組み込まれ、広く光応
用機器に用いられておシ、よシ高出力でしかも量産性に
優れた素子の開発が強く望まれている。
赤色の発光ダイオード（ＬｇＤ）は単体ラングのみなら
ず、ホトカプラ等の光結合素子に組み込まれ、広く光応
用機器に用いられておシ、よシ高出力でしかも量産性に
優れた素子の開発が強く望まれている。
これに対して％従来開発されている高出力ＧａＡＩＡｓ
ＬｇＤとしては、ジャーナルオプアプライドフィジック
ス４８巻６号Ｐ、２４８５〜Ｐ、２４９２，１９７７に
詳細に述べられている構造の素子が量産化されつつある
。第４図にその模式的な断面図を示すように、Ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板７上に３ｉ ドー１のＮ型Ｇａ １−ＸＡＡ？
ＸＡＳ層８及びＰ型Ｇａ ｔ−ｘＡｌｘｋｓ、ｇ９がＳ
ｔの両性不純物としての性質を利用して、同一成長溶液
よシ１回の液相成長過程によ多形成される。即ち、基板
方位、ＡｌＡｓ混晶比、Ｓｉドープ量等によシ決定され
る反転温度Ｔｃが存在し、Ｔｃ以上の温度においてＮ型
層が、それ以下の温度においてＰ型層が形成される。ま
たＡｌＡｓ混晶比の分布については第５図に示されるよ
うに、ＡＩの分配係数が大きいことによシ、成長方向に
対して単調に減少する。従ってこの構造においてＮ型Ｇ
ａＡｓ基板７を工ヴチング等によシ完全に除去し、Ｎ型
Ｇａ １−ｘＡｌｘＡｓ層８を上面としてこの面より光
を＊ｂ出すような構成とすることにより、発光波長に対
し、Ｎ型（）ａ ｓ −ｘｋｌ ｘＡｓ層の禁制帯幅が
上面にいくに従い大きくなるため光の再吸収がほとんど
無視できる。また、前述のように成長中にＰ−Ｎ接合が
形成されるため接合界面での結晶性も良好であり、結果
として量産レベルで発光出力として〜９ｍＷ（ＩＰ＝５
０ｍＡＤ、Ｃ；ｘボキシ樹脂コート有）程度が得られ、
この値は現在市販されている汎用のＬＦｉＤとしては最
高の水準であると共に発光波長についても８５０〜９Ｑ
Ｑｎｍの範囲で任意に選択できるという利点を持ってい
る。
ＬｇＤとしては、ジャーナルオプアプライドフィジック
ス４８巻６号Ｐ、２４８５〜Ｐ、２４９２，１９７７に
詳細に述べられている構造の素子が量産化されつつある
。第４図にその模式的な断面図を示すように、Ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板７上に３ｉ ドー１のＮ型Ｇａ １−ＸＡＡ？
ＸＡＳ層８及びＰ型Ｇａ ｔ−ｘＡｌｘｋｓ、ｇ９がＳ
ｔの両性不純物としての性質を利用して、同一成長溶液
よシ１回の液相成長過程によ多形成される。即ち、基板
方位、ＡｌＡｓ混晶比、Ｓｉドープ量等によシ決定され
る反転温度Ｔｃが存在し、Ｔｃ以上の温度においてＮ型
層が、それ以下の温度においてＰ型層が形成される。ま
たＡｌＡｓ混晶比の分布については第５図に示されるよ
うに、ＡＩの分配係数が大きいことによシ、成長方向に
対して単調に減少する。従ってこの構造においてＮ型Ｇ
ａＡｓ基板７を工ヴチング等によシ完全に除去し、Ｎ型
Ｇａ １−ｘＡｌｘＡｓ層８を上面としてこの面より光
を＊ｂ出すような構成とすることにより、発光波長に対
し、Ｎ型（）ａ ｓ −ｘｋｌ ｘＡｓ層の禁制帯幅が
上面にいくに従い大きくなるため光の再吸収がほとんど
無視できる。また、前述のように成長中にＰ−Ｎ接合が
形成されるため接合界面での結晶性も良好であり、結果
として量産レベルで発光出力として〜９ｍＷ（ＩＰ＝５
０ｍＡＤ、Ｃ；ｘボキシ樹脂コート有）程度が得られ、
この値は現在市販されている汎用のＬＦｉＤとしては最
高の水準であると共に発光波長についても８５０〜９Ｑ
Ｑｎｍの範囲で任意に選択できるという利点を持ってい
る。
しかしながら、前述した８ｉドープＧａＡＩＡｓＬＥＤ
は以下に説明されるような基本的な欠点がある。即ち、
第４図及び第５図を見れば明らかなようにＰ型Ｇａ １
−ｘＡｌｘＡｓ層９のＡｌＡｓ混晶比はＰ −Ｎ接合に
おける値ようも小さいためにＰ型Ｇａ １− ｘｋｌ
ｘＡｓ層９は発光波長に対してほぼ完全な光の吸収体と
なるため、Ｐ−Ｎ接合よシＰ型（Ｊａ １−ｘＡＪｘＡ
ｓ層９側へ発した光は有効に利用することが不可能であ
る点である。従って発光出力に関しては尚充分な改善の
余地が残されていることが明らかである。
は以下に説明されるような基本的な欠点がある。即ち、
第４図及び第５図を見れば明らかなようにＰ型Ｇａ １
−ｘＡｌｘＡｓ層９のＡｌＡｓ混晶比はＰ −Ｎ接合に
おける値ようも小さいためにＰ型Ｇａ １− ｘｋｌ
ｘＡｓ層９は発光波長に対してほぼ完全な光の吸収体と
なるため、Ｐ−Ｎ接合よシＰ型（Ｊａ １−ｘＡＪｘＡ
ｓ層９側へ発した光は有効に利用することが不可能であ
る点である。従って発光出力に関しては尚充分な改善の
余地が残されていることが明らかである。
またこの分野における市場の要求としては、低消費電力
に伴う低電流駆動の方向が強く、一方、例えばホトカプ
ラ等の光結合素子における製品設計の面からも組み合わ
せる８ｉの受光トランジスタの電流増幅率小化による応
答性改善を計る為にＬＥＤのよシ高出力化がさらに強く
望°まれできている。これらの振求への対処としてごく
最近になって、光通信用ＬＦｌｉＤと基本的には同様の
多層のエビ構造を有し、その材料としてはやはｌ） Ｇ
ａｋｌＡｓを用いたダブルへテロＬＥＤが開発されてき
ているが、多数の成長溶液槽を用いる液相成長法を使用
した場合、製造コスト面において、前述の汎用ＬＥＤの
市場価格とのギャップが大きく採算がとれないのみなら
ず、供給数量の面においても。
に伴う低電流駆動の方向が強く、一方、例えばホトカプ
ラ等の光結合素子における製品設計の面からも組み合わ
せる８ｉの受光トランジスタの電流増幅率小化による応
答性改善を計る為にＬＥＤのよシ高出力化がさらに強く
望°まれできている。これらの振求への対処としてごく
最近になって、光通信用ＬＦｌｉＤと基本的には同様の
多層のエビ構造を有し、その材料としてはやはｌ） Ｇ
ａｋｌＡｓを用いたダブルへテロＬＥＤが開発されてき
ているが、多数の成長溶液槽を用いる液相成長法を使用
した場合、製造コスト面において、前述の汎用ＬＥＤの
市場価格とのギャップが大きく採算がとれないのみなら
ず、供給数量の面においても。
極めて不充分である。また多層エピタキシャル層を形成
するための他の量産成長技術についても末だ確立されて
おらず、また将来的に見ても必ずしも充分な技術革新を
見通せないのが現状である。
するための他の量産成長技術についても末だ確立されて
おらず、また将来的に見ても必ずしも充分な技術革新を
見通せないのが現状である。
本発明は前述した従来のＬＥＤ素子構造の欠点に鑑みな
され念もので、従来素子に比し、発光出力において極め
て優れ、かつ量産性に富む安価な素子構造を提供するも
のである。
され念もので、従来素子に比し、発光出力において極め
て優れ、かつ量産性に富む安価な素子構造を提供するも
のである。
本発明のＬＥＤ素子は同一成長溶液からＳｉドーグのＮ
型及びＰ型のＧａ ＊−ｘＡｌｘＡｓエピタキシャル層
が液相成長法によシ形成され、さらにＰ型Ｇａ １−ｘ
ＡｌｘＡｓ成長層上によシ入ｌＡｓ混晶比が大なるＰ型
Ｇａ１−ｙＡＡｉｙＡｓ層が形成される構造を有する。
型及びＰ型のＧａ ＊−ｘＡｌｘＡｓエピタキシャル層
が液相成長法によシ形成され、さらにＰ型Ｇａ １−ｘ
ＡｌｘＡｓ成長層上によシ入ｌＡｓ混晶比が大なるＰ型
Ｇａ１−ｙＡＡｉｙＡｓ層が形成される構造を有する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本実施例において製作された（）ａ ＡＪ Ａ
ｓヘテロ接合ＬＥＤのウェハース断面図である。通常
の徐々液相エピタキシャル成長法を用いて、Ｎ型（１０
０）ＧａＡｓ基板ｌ上にはじめにＳｉドープのＮ型及び
Ｐ型のＧａ １−ｘＡｌｘＡｓ層（２及び３）を成長し
、引き続いてＺｎドーグのＰ型Ｇａ！−ｙＡｌｙＡｓ層
４を成長する。即ち、一般的なスライド式液相成長ボー
ドを用いて、その第１溶液槽中ＫＧａ１ｇＫ対し、Ｇａ
Ａｓ１４７ｍｇ、八１１．９ｍｇ及び５１３ｍｇの割合
で、また第２溶液漕中には同様にＧａ１Ｈに対し、Ｇａ
Ａｓ基板ｌ上、Ａ１２．ｚｍｇ及びＺｎ１．５ｍｇの割
合で各溶媒及び溶質をチャージする。成長系を９５０℃
に保ち、溶液の均一性が得られた彼、前述のＧａＡｓ基
板ｌを第１溶液に接触し、直ちに０．４℃／ｍｉｎの一
定め冷却速度で徐冷する。８５０℃になった時点で第１
溶液から基板を引き剥し、続いて第２溶液に接触させる
。このとき第１溶液の持ち込みが極小となるように成長
ボート寸法が配慮されて−る。７８０℃まで冷却された
ところで第２溶液から基板を引き剥し、その後直ちに室
温まで成長系を急冷する。
ｓヘテロ接合ＬＥＤのウェハース断面図である。通常
の徐々液相エピタキシャル成長法を用いて、Ｎ型（１０
０）ＧａＡｓ基板ｌ上にはじめにＳｉドープのＮ型及び
Ｐ型のＧａ １−ｘＡｌｘＡｓ層（２及び３）を成長し
、引き続いてＺｎドーグのＰ型Ｇａ！−ｙＡｌｙＡｓ層
４を成長する。即ち、一般的なスライド式液相成長ボー
ドを用いて、その第１溶液槽中ＫＧａ１ｇＫ対し、Ｇａ
Ａｓ１４７ｍｇ、八１１．９ｍｇ及び５１３ｍｇの割合
で、また第２溶液漕中には同様にＧａ１Ｈに対し、Ｇａ
Ａｓ基板ｌ上、Ａ１２．ｚｍｇ及びＺｎ１．５ｍｇの割
合で各溶媒及び溶質をチャージする。成長系を９５０℃
に保ち、溶液の均一性が得られた彼、前述のＧａＡｓ基
板ｌを第１溶液に接触し、直ちに０．４℃／ｍｉｎの一
定め冷却速度で徐冷する。８５０℃になった時点で第１
溶液から基板を引き剥し、続いて第２溶液に接触させる
。このとき第１溶液の持ち込みが極小となるように成長
ボート寸法が配慮されて−る。７８０℃まで冷却された
ところで第２溶液から基板を引き剥し、その後直ちに室
温まで成長系を急冷する。
以上の成長条件によシＳｉドーグのＮ型Ｇａｔ−ｘＮｌ
ｘＡｓ層２及びＰ型Ｇａ １−ｙＡｌｙＡｓ層３が各々
１３０μｍ及び３／Ａｍ、またＺｎドーグのＰ型Ｇａｔ
−ｙＡｌｙＡｓ層４が３０μｍ得ゆれた。また各エピタ
キシャル層中のＡＪＡｓ混晶比分布は図２に示される通
シであり％Ｐ−Ｎ接合界面において〜０．０８程度、ま
たＺｎドープ型層３の成長初期で０．５５及び成長終了
時で０．４０程度の値となった。次に、このようにして
得られたエピタキシャルウエノ・−に対し、Ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１をエツチングによシ完全に除去し、第３図に示
されるようにＰ側及びＮ側のオーミヴク雷極５．６を各
々ＡｕＢｅ及びＡｕＧｅＮｉを用いて形成する。このと
き、本実施例においてはＰ型層を上面とする構成とする
ために、電極形状としてはＰ側電極５は素子中央配置の
円型とし、またＮ側電極６は、径の小さいドツト状部分
電極とした。
ｘＡｓ層２及びＰ型Ｇａ １−ｙＡｌｙＡｓ層３が各々
１３０μｍ及び３／Ａｍ、またＺｎドーグのＰ型Ｇａｔ
−ｙＡｌｙＡｓ層４が３０μｍ得ゆれた。また各エピタ
キシャル層中のＡＪＡｓ混晶比分布は図２に示される通
シであり％Ｐ−Ｎ接合界面において〜０．０８程度、ま
たＺｎドープ型層３の成長初期で０．５５及び成長終了
時で０．４０程度の値となった。次に、このようにして
得られたエピタキシャルウエノ・−に対し、Ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１をエツチングによシ完全に除去し、第３図に示
されるようにＰ側及びＮ側のオーミヴク雷極５．６を各
々ＡｕＢｅ及びＡｕＧｅＮｉを用いて形成する。このと
き、本実施例においてはＰ型層を上面とする構成とする
ために、電極形状としてはＰ側電極５は素子中央配置の
円型とし、またＮ側電極６は、径の小さいドツト状部分
電極とした。
このＬＥＤの発光出力は平均値において１４ｒｎＷ（Ｉ
ｒ＝５０ ｍＡ Ｄ、Ｃ、ｘポキシ樹脂コート有＞を有
し、最高１７ｍＷに達した。この理由は既に述べたとこ
ろから容易に推定されるようにＳｉ ビー１Ｐ型（）ａ
５−ｘＡＪｘＡｓ層３内で発した光のうち、下方（Ｎ
型層）へ向ったものもＮ型Ｇａ １−ｘＡｌｘＡｓＮ２
中においてはその禁制帯幅が大きいため再吸収されるこ
となく通過し、またペレブト裏面（Ｎ側）を極６がドツ
ト状となっているため、’ＦＩＬ＠以外の底面において
は損失が小さい状態で反射し、ベレット上面よシ有効に
玲・り出される割合が大きいことが最も寄与していると
考えられる。また８１ド一プＰ型層３の層厚を適当に小
さくとることによりこの層内でのＡ＄Ａｓ混晶比分布の
傾きは充分小さくでき、層内光再吸収もほとんど無視す
ることが出来る。′まだ、Ｚｎｎドーグ型層４は光の取
シ出し口としてそのＡｌＡｓ混晶比が発光波長に対し、
充分大きく選ぶ必要性のあることは当然である。尚、Ｐ
−Ｎ接合面の結晶性に関してはＳｉ不純物による自然反
転を利用しているため、前述の従来品のノリ９トをも合
わせもつことは言うまでもない。
ｒ＝５０ ｍＡ Ｄ、Ｃ、ｘポキシ樹脂コート有＞を有
し、最高１７ｍＷに達した。この理由は既に述べたとこ
ろから容易に推定されるようにＳｉ ビー１Ｐ型（）ａ
５−ｘＡＪｘＡｓ層３内で発した光のうち、下方（Ｎ
型層）へ向ったものもＮ型Ｇａ １−ｘＡｌｘＡｓＮ２
中においてはその禁制帯幅が大きいため再吸収されるこ
となく通過し、またペレブト裏面（Ｎ側）を極６がドツ
ト状となっているため、’ＦＩＬ＠以外の底面において
は損失が小さい状態で反射し、ベレット上面よシ有効に
玲・り出される割合が大きいことが最も寄与していると
考えられる。また８１ド一プＰ型層３の層厚を適当に小
さくとることによりこの層内でのＡ＄Ａｓ混晶比分布の
傾きは充分小さくでき、層内光再吸収もほとんど無視す
ることが出来る。′まだ、Ｚｎｎドーグ型層４は光の取
シ出し口としてそのＡｌＡｓ混晶比が発光波長に対し、
充分大きく選ぶ必要性のあることは当然である。尚、Ｐ
−Ｎ接合面の結晶性に関してはＳｉ不純物による自然反
転を利用しているため、前述の従来品のノリ９トをも合
わせもつことは言うまでもない。
−４、製造コストの点については、前記したダブルへテ
ロＧａＡＩＡｓＬＥＤは成長溶液の数として少なくとも
３種以上が必要であυ、従って本発明の構造と比較した
場合、明らかに不利である。
ロＧａＡＩＡｓＬＥＤは成長溶液の数として少なくとも
３種以上が必要であυ、従って本発明の構造と比較した
場合、明らかに不利である。
またこのことは同時に生産量についてもそのまま当ては
まる。
まる。
以上、実施例を用いて具体的に説明したように、本発明
による素子構造、即ちＳｉの両性不純物であることの特
徴を利用し、液相成長法により同一溶液から連続して形
成されたＳｉ添加のＮ型及びＰ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ
（ｘ ） Ｏ）層上にｙ＞ｘなるＰ型Ｇａ ５−ｙＡ
７ｙＡｓ層が形成された構造を有するＧ ａ Ａ Ｉ
Ａ ｓへテロ接合ＬＥＤはその発光領域の両側が発光波
長に対して吸収が無視できるよシ禁制帯幅の大きな材料
により構成されているという通信用ダブルへテロＬＥＤ
の基本的な構造を維持するのみならず、Ｐ−ｎ接合が成
長中に形成されるためその結晶性については独立に形成
する場合に比し、原理的に優れると共に、この分野にお
いて極めて重要な指標である製造コスト並びに量産性に
関しても圧倒的に有利であることは言を待たない０ 尚、本実施例においてはＰサイドアップの場合を示した
が、２層全厚を適切な値に選ぶことによシＮサイドアッ
プも可能であシ、また％Ｐ型Ｇａｘ−ｙＡｌｙＡｓ層の
形成方法としては液相成長法に限定されることもない。
による素子構造、即ちＳｉの両性不純物であることの特
徴を利用し、液相成長法により同一溶液から連続して形
成されたＳｉ添加のＮ型及びＰ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ
（ｘ ） Ｏ）層上にｙ＞ｘなるＰ型Ｇａ ５−ｙＡ
７ｙＡｓ層が形成された構造を有するＧ ａ Ａ Ｉ
Ａ ｓへテロ接合ＬＥＤはその発光領域の両側が発光波
長に対して吸収が無視できるよシ禁制帯幅の大きな材料
により構成されているという通信用ダブルへテロＬＥＤ
の基本的な構造を維持するのみならず、Ｐ−ｎ接合が成
長中に形成されるためその結晶性については独立に形成
する場合に比し、原理的に優れると共に、この分野にお
いて極めて重要な指標である製造コスト並びに量産性に
関しても圧倒的に有利であることは言を待たない０ 尚、本実施例においてはＰサイドアップの場合を示した
が、２層全厚を適切な値に選ぶことによシＮサイドアッ
プも可能であシ、また％Ｐ型Ｇａｘ−ｙＡｌｙＡｓ層の
形成方法としては液相成長法に限定されることもない。
また実施例における活性層厚の値についても素子の要求
特性に応じ、最適な値を選定できることは言うまでもな
い。
特性に応じ、最適な値を選定できることは言うまでもな
い。
第１図は本発明の一実施例で用いられたＧａＡｌＡｓへ
テロ接合ＬＥＤのエピタキシャルウェハースの断面図、
第２図は第１図のウェハースのＡｌＡｓ混晶比の深さ方
向分布、第３図は第１図のウェハースを用いたペレヴト
の断面図、第４図は従来のＳｉ添加ＧａＡ／Ａｓ Ｌ
ＥＤエピタキシャルウェハース断面図、第５図は第４図
のウェハースのＡＡ’ＡＳ混晶比の閑さ方向分布を各々
示す。 １・・・・・・Ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・・・・３ｉ
添加Ｎ型Ｇａｓ −ｘＡｌｘＡｓ Ｌ Ｐ Ｅ層、３−
−−−−・Ｓ ｉ添加Ｐ型Ｇａｔ−ｘＡｌｘＡｓ Ｌ
Ｐ Ｅ層、４−−−−−− Ｚ ｎ添加Ｐ型Ｇａ １−
ｙｌｙｌｙＡ、ｓ層、５・・・・・・Ｐ側電極％ ６・
・・・・・Ｎ側ドヅト（部分）ＴＬ極、７・・・・・・
Ｎ型ＧａＡｓ基板（除去）、Ｓ−・−Ｓ ｉ添加Ｎ型Ｇ
ａ １−ｘＡｌｘＡｓＬＰｇ層、 ９・・・−・・Ｓ
ｉ添加Ｐ型Ｇａ １− ｘＡｌ ｘＡｓＬＰＦｌｉ層
。 牟Ｉ 手続補正書（自発）
テロ接合ＬＥＤのエピタキシャルウェハースの断面図、
第２図は第１図のウェハースのＡｌＡｓ混晶比の深さ方
向分布、第３図は第１図のウェハースを用いたペレヴト
の断面図、第４図は従来のＳｉ添加ＧａＡ／Ａｓ Ｌ
ＥＤエピタキシャルウェハース断面図、第５図は第４図
のウェハースのＡＡ’ＡＳ混晶比の閑さ方向分布を各々
示す。 １・・・・・・Ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・・・・３ｉ
添加Ｎ型Ｇａｓ −ｘＡｌｘＡｓ Ｌ Ｐ Ｅ層、３−
−−−−・Ｓ ｉ添加Ｐ型Ｇａｔ−ｘＡｌｘＡｓ Ｌ
Ｐ Ｅ層、４−−−−−− Ｚ ｎ添加Ｐ型Ｇａ １−
ｙｌｙｌｙＡ、ｓ層、５・・・・・・Ｐ側電極％ ６・
・・・・・Ｎ側ドヅト（部分）ＴＬ極、７・・・・・・
Ｎ型ＧａＡｓ基板（除去）、Ｓ−・−Ｓ ｉ添加Ｎ型Ｇ
ａ １−ｘＡｌｘＡｓＬＰｇ層、 ９・・・−・・Ｓ
ｉ添加Ｐ型Ｇａ １− ｘＡｌ ｘＡｓＬＰＦｌｉ層
。 牟Ｉ 手続補正書（自発）
Claims (1)
- 導電型が異なるＧａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ成長上に
同じ導電型であってｙ＞ｘなるＧａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿
ｙＡｓ層が形成されていることを特徴とする半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047562A JPS62204583A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61047562A JPS62204583A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204583A true JPS62204583A (ja) | 1987-09-09 |
Family
ID=12778652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61047562A Pending JPS62204583A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204583A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108777A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JPH0448661A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡ１Ａｓ発光ダイオード及びその製造方法 |
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
| JPH11186601A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子 |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP61047562A patent/JPS62204583A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108777A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JPH0448661A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡ１Ａｓ発光ダイオード及びその製造方法 |
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
| JPH11186601A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子 |
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