JPH04192585A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH04192585A JPH04192585A JP2324588A JP32458890A JPH04192585A JP H04192585 A JPH04192585 A JP H04192585A JP 2324588 A JP2324588 A JP 2324588A JP 32458890 A JP32458890 A JP 32458890A JP H04192585 A JPH04192585 A JP H04192585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- zno
- epitaxial layer
- semiconductor light
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0218—Substrates comprising semiconducting materials from different groups of the periodic system than the active layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、特にレーザ装置に用いられる半導体発光素子
に関する。
に関する。
背景技術
ＧａＮ等の■−■ナイトライド系混晶エピタキシャル層
を使った半導体発光素子では、従来、基板結晶としてサ
ファイア（α−Ａ１２０３）が用いられていた。
を使った半導体発光素子では、従来、基板結晶としてサ
ファイア（α−Ａ１２０３）が用いられていた。
ＧａＮの結晶構造はウルツ型であり、一方、基板結晶で
あるサファイアはコランダム型である。
あるサファイアはコランダム型である。
ともに大方晶系であるが、サファイアが原子面としては
１３回の繰返し周期を持つように、両者は等価ではない
。さらに両者の格子定数が大きく異なり、互いの格子不
整合は１４％にも及ぶ。こうした格子不整合のために良
好なエピタキシャル層を形成することが難しく、これら
を使った発光素子において効率の良い発光出力を得るこ
とができなかった。
１３回の繰返し周期を持つように、両者は等価ではない
。さらに両者の格子定数が大きく異なり、互いの格子不
整合は１４％にも及ぶ。こうした格子不整合のために良
好なエピタキシャル層を形成することが難しく、これら
を使った発光素子において効率の良い発光出力を得るこ
とができなかった。
発明の目的
よって、本発明は上記のような問題点を排除するために
なされたものであり、その目的とするところは、基板結
晶との格子整合のとれた良好なエピタキシャル層を形成
し、発光効率の良い半導体発光素子を提供することであ
る。
なされたものであり、その目的とするところは、基板結
晶との格子整合のとれた良好なエピタキシャル層を形成
し、発光効率の良い半導体発光素子を提供することであ
る。
発明の構成
本発明による半導体発光素子は、複数の■−ｖ族化合物
半導体混晶が基板結晶上にエビタキシャル層として形成
されてなる半導体発光素子であって、前記基板結晶をＺ
ｎＯとし、前記エピタキシャル層の組成を ＡｌｘＧａ１−ｘＮｌ−ｙＡ５ｙ （０≦Ｘ≦１．０＜ｙ＜１） としたことを特徴とするものである。
半導体混晶が基板結晶上にエビタキシャル層として形成
されてなる半導体発光素子であって、前記基板結晶をＺ
ｎＯとし、前記エピタキシャル層の組成を ＡｌｘＧａ１−ｘＮｌ−ｙＡ５ｙ （０≦Ｘ≦１．０＜ｙ＜１） としたことを特徴とするものである。
発明の作用
本発明による半導体発光素子においては、ＧａＮ及びＡ
ＩＮエピタキシャル層の組成中、Ｎの一部をＡｓで置換
したので、基板結晶ＺｎＯとの格子整合が得られる。
ＩＮエピタキシャル層の組成中、Ｎの一部をＡｓで置換
したので、基板結晶ＺｎＯとの格子整合が得られる。
実施例
複数のｍ−ｖ族化合物半導体ＧａＮ、ＡＩＮ。
ＧａＡｓ、ＡｌＡｓに関して、横軸に格子定数、縦軸に
バンドギャップ（禁制帯幅）をとリブロットすると、第
１図のようなＧａＮ、ＡＩＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓと記
した４点となる。ここで、混晶系におけるベガード則を
仮定すると、上記４つの２元系半導体を適当な比率で混
合することにより、同図中実線で囲まれた四角形内の領
域において当該４元系混晶の物性値（格子定数とバンド
ギャップ）を実現することができる。なお、第１図にお
いて、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓの結晶構造は閃亜鉛型である
ので、ウルツ型であるナイトライドＧａＮ及びＡＩＮと
合わせるべく格子定数を換算したものである。また、Ｇ
ａＮ、ＡＩＮ、ＧａＡｓは直接遷移型半導体であり、各
伝導帯及び価電子帯のそれぞれエネルギー最小値及び最
大値でのバンドギャップを示し、間接遷移型であるＡｌ
Ａｓについては、ｒ点（波数に−０）における伝導帯及
び価電子帯のそれぞれエネルギー極小値及び極大値での
バンドギャップを示したものである。
バンドギャップ（禁制帯幅）をとリブロットすると、第
１図のようなＧａＮ、ＡＩＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓと記
した４点となる。ここで、混晶系におけるベガード則を
仮定すると、上記４つの２元系半導体を適当な比率で混
合することにより、同図中実線で囲まれた四角形内の領
域において当該４元系混晶の物性値（格子定数とバンド
ギャップ）を実現することができる。なお、第１図にお
いて、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓの結晶構造は閃亜鉛型である
ので、ウルツ型であるナイトライドＧａＮ及びＡＩＮと
合わせるべく格子定数を換算したものである。また、Ｇ
ａＮ、ＡＩＮ、ＧａＡｓは直接遷移型半導体であり、各
伝導帯及び価電子帯のそれぞれエネルギー最小値及び最
大値でのバンドギャップを示し、間接遷移型であるＡｌ
Ａｓについては、ｒ点（波数に−０）における伝導帯及
び価電子帯のそれぞれエネルギー極小値及び極大値での
バンドギャップを示したものである。
図゛中点線で示した直線１１は基板結晶ＺｎＯの格子定
数３．２４人のラインである。基板結晶Ｚｎｏは半導体
ＧａＮと同じウルツ型の結晶構造であり、ＧａＮに近い
格子定数を有していることが分かる。このライン１１と
ＧａＮ−ＧａＡｓ間の３元系混晶のラインとの交点Ａ、
及びライン１１とＡｌＮ−ＡｌＡｓ間の３元系混晶のラ
インとの交点Ｂの組成をベガード則を用いればそれぞれ
Ａ点：ＧａＮ Ａｓ Ｏ，９２０，０１１１ ８点：ＡＩＮ Ａｓ Ｏ，８５０，１５ と見積ることができる。
数３．２４人のラインである。基板結晶Ｚｎｏは半導体
ＧａＮと同じウルツ型の結晶構造であり、ＧａＮに近い
格子定数を有していることが分かる。このライン１１と
ＧａＮ−ＧａＡｓ間の３元系混晶のラインとの交点Ａ、
及びライン１１とＡｌＮ−ＡｌＡｓ間の３元系混晶のラ
インとの交点Ｂの組成をベガード則を用いればそれぞれ
Ａ点：ＧａＮ Ａｓ Ｏ，９２０，０１１１ ８点：ＡＩＮ Ａｓ Ｏ，８５０，１５ と見積ることができる。
また、線分ＡＢは、混晶Ａ Ｉ Ｇ ａ Ｎ Ａ ｓ系
で基板結晶ＺｎＯと格子整合がとれる組成範囲を示すも
のであり、これに再びベガード則を仮定すれば、線分Ａ
Ｂの物性値は、上記Ａ点の組成とＢ点組成間の混晶（４
元系混晶）により実現されることになるので、 （Ｇ ａ Ｎ Ａ ｓ Ｏ，９２０，０８）ｌ−ν （ＡＩＮ Ａｓ Ｏ，８５０，１５）ｗ ””” （１）という概略
の組成範囲にてエピタキシャル層を形成すれば基板結晶
ＺｎＯとの格子整合がなされることになる。
で基板結晶ＺｎＯと格子整合がとれる組成範囲を示すも
のであり、これに再びベガード則を仮定すれば、線分Ａ
Ｂの物性値は、上記Ａ点の組成とＢ点組成間の混晶（４
元系混晶）により実現されることになるので、 （Ｇ ａ Ｎ Ａ ｓ Ｏ，９２０，０８）ｌ−ν （ＡＩＮ Ａｓ Ｏ，８５０，１５）ｗ ””” （１）という概略
の組成範囲にてエピタキシャル層を形成すれば基板結晶
ＺｎＯとの格子整合がなされることになる。
半導体レーザ素子を形成する場合、エピタキシャル層を
いわゆるダブルへテロ構造とすることが一般的に採用さ
れている。この場合、活性層における光子の閉込めを有
効に行なうため、クラッド層のバンドギャップを、活性
層のバンドギャップより０，３ｅＶ程度大きい値に設定
するのが好ましいと言われており、ＺｎＯを基板結晶と
する場合は、上記組成式（１）で表わされる組成範囲の
中から、互いのバンドギャップ差が約Ｑ、 ３ｅＶと
なるものを形成すれば良いことになる。例えば第１図中
において、活性層として最もシンプルな組成としてＡ点
を選択した場合には、当該Ａ点組成におけるバンドギャ
ップよりも０．３ｅＶだけ大きいバンドギャップを有す
るＣ点組成をクラッド層に適用すれば良い。０点におけ
る混晶の組成は、上述の１１線上の４元系混晶の組成式
（１）及びベガード則より算出することができる。
いわゆるダブルへテロ構造とすることが一般的に採用さ
れている。この場合、活性層における光子の閉込めを有
効に行なうため、クラッド層のバンドギャップを、活性
層のバンドギャップより０，３ｅＶ程度大きい値に設定
するのが好ましいと言われており、ＺｎＯを基板結晶と
する場合は、上記組成式（１）で表わされる組成範囲の
中から、互いのバンドギャップ差が約Ｑ、 ３ｅＶと
なるものを形成すれば良いことになる。例えば第１図中
において、活性層として最もシンプルな組成としてＡ点
を選択した場合には、当該Ａ点組成におけるバンドギャ
ップよりも０．３ｅＶだけ大きいバンドギャップを有す
るＣ点組成をクラッド層に適用すれば良い。０点におけ
る混晶の組成は、上述の１１線上の４元系混晶の組成式
（１）及びベガード則より算出することができる。
第２図に、上述の如く基板結晶ＺｎＯに格子整合をとっ
たｐ、 １ｘＧａｌ、Ｎｌ−、Ａｓ、（０≦Ｘ≦１．’
０＜ｙ＜１）系混晶で活性層とクラッド層を形成したダ
ブルへテロ構造半導体レーザ素子の構成の一例が示され
ている。
たｐ、 １ｘＧａｌ、Ｎｌ−、Ａｓ、（０≦Ｘ≦１．’
０＜ｙ＜１）系混晶で活性層とクラッド層を形成したダ
ブルへテロ構造半導体レーザ素子の構成の一例が示され
ている。
ここでは、基板結晶１をｎ型ＺｎＯとし、上記見積られ
た組成範囲に従って、活性層２を混晶ＧＯ，９２０，０
８とし、クラッド層３及び４ａＮ Ａｓ をそれぞれｎ型及びｎ型の混晶ＡＩ ＧａＯ，１
２０ ，８ｇ ０．９Ｌ Ｏ，０９としてエピタキ
シャル層Ｎ Ａｓ ５を形成したものである。このようにして構成された半
導体レーザ素子では、通常、クラッド層に順方向バイア
スを印加することにより活性層に光子を発生せしめ、層
内部の光共振によって活性層の臂開面より誘導放出され
たレーザ光を得ることができる。
た組成範囲に従って、活性層２を混晶ＧＯ，９２０，０
８とし、クラッド層３及び４ａＮ Ａｓ をそれぞれｎ型及びｎ型の混晶ＡＩ ＧａＯ，１
２０ ，８ｇ ０．９Ｌ Ｏ，０９としてエピタキ
シャル層Ｎ Ａｓ ５を形成したものである。このようにして構成された半
導体レーザ素子では、通常、クラッド層に順方向バイア
スを印加することにより活性層に光子を発生せしめ、層
内部の光共振によって活性層の臂開面より誘導放出され
たレーザ光を得ることができる。
さらに、活性層もＡｌｘＧａ、、Ｎ１−、Ａｓ。
（０くｘ≦１．０＜ｙ＜１）で構成することを考慮すれ
ば、波長４００ｎｍ〜２２０ｎｍの短波長半導体レーザ
光を得ることが可能となる。また、同じように基板結晶
ＺｎＯに格子整合をとったＡｌｘＧａ、、Ｎ１−、Ａｓ
、系混晶でｐｎ接合を形成し、発光ダイオードとするこ
とも可能である。
ば、波長４００ｎｍ〜２２０ｎｍの短波長半導体レーザ
光を得ることが可能となる。また、同じように基板結晶
ＺｎＯに格子整合をとったＡｌｘＧａ、、Ｎ１−、Ａｓ
、系混晶でｐｎ接合を形成し、発光ダイオードとするこ
とも可能である。
発明の詳細
な説明したように、本発明の半導体発光素子においては
、ＺｎＯを基板結晶とし、エピタキシャル層の組成中、
半導体ＧａＮ及びＡＩＮにおいてＮの一部をＡｓで置換
することにより基板結晶ＺｎＯとの格子整合をなしてい
るので、混晶ＧａＮＡｓ系あるいは混晶ＡｌＧａＮＡｓ
系の良好なエピタキシャル層が得られ、これらにより発
光効率の優れた半導体発光素子を構成することができる
。
、ＺｎＯを基板結晶とし、エピタキシャル層の組成中、
半導体ＧａＮ及びＡＩＮにおいてＮの一部をＡｓで置換
することにより基板結晶ＺｎＯとの格子整合をなしてい
るので、混晶ＧａＮＡｓ系あるいは混晶ＡｌＧａＮＡｓ
系の良好なエピタキシャル層が得られ、これらにより発
光効率の優れた半導体発光素子を構成することができる
。
第１図は■−ｖ族化合物半導体とその混晶についてバン
ドギャップとその格子定数を示す図、第２図は本発明の
実施例におけるダブルへテロ構造半導体レーザ素子の構
成を示す図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・・・・基板結晶 ２・・・・・・・・・活性層 ３．４・・・クラッド層 ５・・・・・・・・・エピタキシャル層出願人 パ
イオニア株式会社
ドギャップとその格子定数を示す図、第２図は本発明の
実施例におけるダブルへテロ構造半導体レーザ素子の構
成を示す図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・・・・基板結晶 ２・・・・・・・・・活性層 ３．４・・・クラッド層 ５・・・・・・・・・エピタキシャル層出願人 パ
イオニア株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数のIII−Ｖ族化合物半導体混晶が基板結晶上にエピ
タキシャル層として形成されてなる半導体発光素子であ
って、前記基板結晶をＺｎＯとし、前記エピタキシャル
層の組成をＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＮ＿１＿−＿ｙＡ
ｓ＿ｙ（０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１） としたことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324588A JPH04192585A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体発光素子 |
| EP19910110478 EP0487823A3 (en) | 1990-11-27 | 1991-06-25 | Semiconductor light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324588A JPH04192585A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192585A true JPH04192585A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18167494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324588A Pending JPH04192585A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体発光素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0487823A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04192585A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222764A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
| US5886367A (en) * | 1996-08-07 | 1999-03-23 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer device including an active layer having a two-phase structure and light-emitting device using the wafer |
| KR100603681B1 (ko) * | 1998-04-22 | 2006-07-20 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 소자 |
| DE19954242B4 (de) * | 1998-11-12 | 2007-04-26 | Showa Denko K.K. | Lichtemittierende Vorrichtung aus einem Nitridhalbleiter der Gruppe III |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617491B1 (de) * | 1993-03-26 | 1996-07-31 | Daimler-Benz Aktiengesellschaft | Lichtemittierendes Halbleiterbauelement |
| US6218677B1 (en) | 1994-08-15 | 2001-04-17 | Texas Instruments Incorporated | III-V nitride resonant tunneling |
| US6229150B1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-05-08 | Matsushita Electronics Corp. | Semiconductor structures using a group III-nitride quaternary material system with reduced phase separation and method of fabrication |
| US6472680B1 (en) | 1999-12-31 | 2002-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor structures using a group III-nitride quaternary material system with reduced phase separation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3124456C2 (de) * | 1980-06-23 | 1985-04-25 | Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba | Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2324588A patent/JPH04192585A/ja active Pending
-
1991
- 1991-06-25 EP EP19910110478 patent/EP0487823A3/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222764A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
| US5886367A (en) * | 1996-08-07 | 1999-03-23 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer device including an active layer having a two-phase structure and light-emitting device using the wafer |
| DE19734034C2 (de) * | 1996-08-07 | 2000-07-13 | Showa Denko Kk | Epitaxiewafer für Licht emittierende Vorrichtung, Verfahren zum Bilden des Wafers und den Wafer verwendende, Licht emittierende Vorrichtung |
| US6110757A (en) * | 1996-08-07 | 2000-08-29 | Showa Denko K. K. | Method of forming epitaxial wafer for light-emitting device including an active layer having a two-phase structure |
| KR100603681B1 (ko) * | 1998-04-22 | 2006-07-20 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 소자 |
| DE19954242B4 (de) * | 1998-11-12 | 2007-04-26 | Showa Denko K.K. | Lichtemittierende Vorrichtung aus einem Nitridhalbleiter der Gruppe III |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0487823A3 (en) | 1992-08-26 |
| EP0487823A2 (en) | 1992-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5173751A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US6717185B2 (en) | Light emitting devices with Group III nitride contact layer and superlattice | |
| US20050040426A1 (en) | Group iii nitride led with silicon carbide substrate | |
| JPH04192586A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0897468A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2002033512A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
| JPH02270387A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US4841531A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3561536B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US20080258131A1 (en) | Light Emitting Diode | |
| JPH11340505A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH04236478A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4037554B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH04192585A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH04236477A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08316581A (ja) | 半導体装置および半導体発光素子 | |
| US5963787A (en) | Method of producing gallium nitride semiconductor light emitting device | |
| JPH04266075A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08306958A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0439988A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS63155781A (ja) | 発光素子 | |
| JPH05347432A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0883956A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH05291617A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3005115B2 (ja) | 半導体発光素子 |