JPH08316581A - 半導体装置および半導体発光素子 - Google Patents
半導体装置および半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH08316581A JPH08316581A JP12028195A JP12028195A JPH08316581A JP H08316581 A JPH08316581 A JP H08316581A JP 12028195 A JP12028195 A JP 12028195A JP 12028195 A JP12028195 A JP 12028195A JP H08316581 A JPH08316581 A JP H08316581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gan
- semiconductor
- light emitting
- gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧａＮ系成長層に対する格子不整合率が小さ
く、かつ格子不整合率の増大を抑制しつつバンドギャッ
プを小さくすることが可能な活性層を有する半導体装置
を提供することである。 【構成】 サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、
ｎ−ＧａＮ層３、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
４、ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0. 85Ｎ
クラッド層６、ｐ−ＧａＮ層７およびｐ−ＧａＮ1-Y Ｐ
Y コンタクト層８を順に形成する。活性層の材料として
ＧａＮ1-Y ＰY を用いることによりＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ
クラッド層４，６に対する活性層の格子不整合率を小さ
くする。ｐ−ＧａＮ1-Y ＰY コンタクト層８をｐ−Ｇａ
Ｎ層７とｐ側電極９との間に挿入することにより、ｐ−
ＧａＮ層７との格子不整合率の増大を抑制しつつ良好な
オーミック特性を得る。
く、かつ格子不整合率の増大を抑制しつつバンドギャッ
プを小さくすることが可能な活性層を有する半導体装置
を提供することである。 【構成】 サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、
ｎ−ＧａＮ層３、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
４、ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0. 85Ｎ
クラッド層６、ｐ−ＧａＮ層７およびｐ−ＧａＮ1-Y Ｐ
Y コンタクト層８を順に形成する。活性層の材料として
ＧａＮ1-Y ＰY を用いることによりＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ
クラッド層４，６に対する活性層の格子不整合率を小さ
くする。ｐ−ＧａＮ1-Y ＰY コンタクト層８をｐ−Ｇａ
Ｎ層７とｐ側電極９との間に挿入することにより、ｐ−
ＧａＮ層７との格子不整合率の増大を抑制しつつ良好な
オーミック特性を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＮ（窒化ガリウ
ム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）もしくはＩｎＮ（窒
化インジウム）またはこれらの混晶からなる成長層を有
する半導体装置および半導体発光素子に関する。
ム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）もしくはＩｎＮ（窒
化インジウム）またはこれらの混晶からなる成長層を有
する半導体装置および半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】直接遷移型のバンド構造を有するＧａＮ
系は、赤色から紫外の光を発する発光ダイオード、半導
体レーザ素子等の半導体発光素子の材料として有望であ
る。ＧａＮは紫外の光を発するので、青緑色から青色の
発光を得るために、従来は、活性層の材料としてＧａＩ
ｎＮを用いている。図４は従来のＧａＮ系青色発光ダイ
オードの構造を示す断面図である。
系は、赤色から紫外の光を発する発光ダイオード、半導
体レーザ素子等の半導体発光素子の材料として有望であ
る。ＧａＮは紫外の光を発するので、青緑色から青色の
発光を得るために、従来は、活性層の材料としてＧａＩ
ｎＮを用いている。図４は従来のＧａＮ系青色発光ダイ
オードの構造を示す断面図である。
【０００３】図４において、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）
基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−ＧａＮ層１
３、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層１４、Ｇａ0.94
Ｉｎ 0.06Ｎ活性層１５、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッ
ド層１６およびｐ−ＧａＮ層１７が順に形成されてい
る。ｐ−ＧａＮ層１７からｎ−ＧａＮ層１３の上部領域
までがエッチングされ、ｐ−ＧａＮ層１７の上面にｐ側
電極１８が形成され、ｎ−ＧａＮ層１３の上面にｎ側電
極１９が形成されている。
基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−ＧａＮ層１
３、ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層１４、Ｇａ0.94
Ｉｎ 0.06Ｎ活性層１５、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッ
ド層１６およびｐ−ＧａＮ層１７が順に形成されてい
る。ｐ−ＧａＮ層１７からｎ−ＧａＮ層１３の上部領域
までがエッチングされ、ｐ−ＧａＮ層１７の上面にｐ側
電極１８が形成され、ｎ−ＧａＮ層１３の上面にｎ側電
極１９が形成されている。
【０００４】図４の発光ダイオードでは、Ｇａ0.94Ｉｎ
0.06Ｎ活性層１５をｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
１４およびｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層１６で挟
んだダブルヘテロ構造のｐｎ接合を有し、青色から青緑
色の光を発生することができる。
0.06Ｎ活性層１５をｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
１４およびｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層１６で挟
んだダブルヘテロ構造のｐｎ接合を有し、青色から青緑
色の光を発生することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
ＧａＮ系発光ダイオードでは、活性層の材料としてＧａ
1-X ＩｎX Ｎを用いている。Ｇａ1-X ＩｎX Ｎのバンド
ギャップＥg は次式により求められる。
ＧａＮ系発光ダイオードでは、活性層の材料としてＧａ
1-X ＩｎX Ｎを用いている。Ｇａ1-X ＩｎX Ｎのバンド
ギャップＥg は次式により求められる。
【０００６】 Ｅg ＝３．４４−１．４９Ｘ …（１） ここで、ＸはＧａ1-X ＩｎX Ｎ中のＩｎの組成比であ
る。式（１）から、Ｇａ 1-X ＩｎX Ｎのバンドギャップ
Ｅg を３．３５ｅＶとするためには、Ｉｎ組成比Ｘを
０．０６とする必要がある。
る。式（１）から、Ｇａ 1-X ＩｎX Ｎのバンドギャップ
Ｅg を３．３５ｅＶとするためには、Ｉｎ組成比Ｘを
０．０６とする必要がある。
【０００７】一方、Ｇａ1-X ＩｎX Ｎの格子定数ａは次
式により求められる。 ａ＝３．１９＋０．３５Ｘ …（２） 式（２）から、Ｇａ1-X ＩｎX Ｎ中のＩｎ組成比Ｘが
０．０６のとき、格子定数ａは３．２１１となる。
式により求められる。 ａ＝３．１９＋０．３５Ｘ …（２） 式（２）から、Ｇａ1-X ＩｎX Ｎ中のＩｎ組成比Ｘが
０．０６のとき、格子定数ａは３．２１１となる。
【０００８】他方、従来のＧａＮ系発光ダイオードで
は、クラッド層の材料としてＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎを用いて
いる。ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎの格子定数ｂは次式により求め
られる。
は、クラッド層の材料としてＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎを用いて
いる。ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎの格子定数ｂは次式により求め
られる。
【０００９】 ｂ＝３．１９−０．０８Ｚ …（３） したがって、上記従来の発光ダイオードにおけるクラッ
ド層１４，１６に対する活性層１５の格子不整合率は
（３．１７８−３．２１１）／３．１７８＝−１．０４
［％］となる。
ド層１４，１６に対する活性層１５の格子不整合率は
（３．１７８−３．２１１）／３．１７８＝−１．０４
［％］となる。
【００１０】このように、従来のＧａＮ系発光ダイオー
ドにおいては、活性層の材料としてＧａ1-X ＩｎX Ｎを
用いているので、ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎクラッド層に対する
活性層の格子不整合率が大きく、格子欠陥が多いという
問題がある。
ドにおいては、活性層の材料としてＧａ1-X ＩｎX Ｎを
用いているので、ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎクラッド層に対する
活性層の格子不整合率が大きく、格子欠陥が多いという
問題がある。
【００１１】特に、従来のＧａＮ系発光ダイオードで
は、青色の光を効率良く発生するために、Ｉｎ組成比Ｘ
を大きくして活性層のバンドギャップを小さくすると、
Ｇａ1- X ＩｎX Ｎの格子定数ａが大きくなり、ＡｌZ Ｇ
ａ1-Z Ｎ層に対する格子不整合率が大きくなる。それに
より、格子欠陥が多くなり、素子の寿命が短くなるとい
う問題がある。
は、青色の光を効率良く発生するために、Ｉｎ組成比Ｘ
を大きくして活性層のバンドギャップを小さくすると、
Ｇａ1- X ＩｎX Ｎの格子定数ａが大きくなり、ＡｌZ Ｇ
ａ1-Z Ｎ層に対する格子不整合率が大きくなる。それに
より、格子欠陥が多くなり、素子の寿命が短くなるとい
う問題がある。
【００１２】一方、電極と成長層との間でオーミック特
性を得るためには、電極に接触する層のバンドギャップ
をできるだけ小さくすることが望ましい。そのため、上
記の従来の発光ダイオードでは、ｐ側電極１８とｐ−Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層１６との間にｐ−ＧａＮ層
１７を挿入している。しかしながら、さらにオーミック
特性を良好にすることが望まれる。
性を得るためには、電極に接触する層のバンドギャップ
をできるだけ小さくすることが望ましい。そのため、上
記の従来の発光ダイオードでは、ｐ側電極１８とｐ−Ａ
ｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層１６との間にｐ−ＧａＮ層
１７を挿入している。しかしながら、さらにオーミック
特性を良好にすることが望まれる。
【００１３】本発明の目的は、ＧａＮ、ＡｌＮもしくは
ＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層に対する格子
不整合率が小さい活性領域を有する半導体装置を提供す
ることである。
ＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層に対する格子
不整合率が小さい活性領域を有する半導体装置を提供す
ることである。
【００１４】本発明の他の目的は、格子不整合率の増大
を抑制しつつヘテロ構造からなる活性領域のバンドギャ
ップ差を大きくすることができる半導体装置を提供する
ことである。
を抑制しつつヘテロ構造からなる活性領域のバンドギャ
ップ差を大きくすることができる半導体装置を提供する
ことである。
【００１５】本発明の他の目的は、格子不整合率の増大
を抑制しつつ活性領域のバンドギャップを小さくし、可
視光を発生することができる半導体発光素子を提供する
ことである。
を抑制しつつ活性領域のバンドギャップを小さくし、可
視光を発生することができる半導体発光素子を提供する
ことである。
【００１６】本発明のさらに他の目的は、ＧａＮ、Ａｌ
ＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層に
対する格子不整合率が小さく、かつ良好なオーミック特
性を得ることができるオーミックコンタクト層を有する
半導体装置を提供することである。
ＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層に
対する格子不整合率が小さく、かつ良好なオーミック特
性を得ることができるオーミックコンタクト層を有する
半導体装置を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
装置は、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少
なくとも１つを含む窒化物半導体と、ガリウム、アルミ
ニウムおよびインジウムの少なくとも１つと窒素および
燐を含む混晶半導体とのヘテロ構造からなる半導体層を
含むものである。
装置は、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少
なくとも１つを含む窒化物半導体と、ガリウム、アルミ
ニウムおよびインジウムの少なくとも１つと窒素および
燐を含む混晶半導体とのヘテロ構造からなる半導体層を
含むものである。
【００１８】第２の発明に係る半導体装置は、ガリウ
ム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを
含む窒化物半導体と、ガリウム、アルミニウムおよびイ
ンジウムの少なくとも１つと窒素および燐を含む混晶半
導体とのヘテロ構造により形成された活性領域を含むも
のである。
ム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを
含む窒化物半導体と、ガリウム、アルミニウムおよびイ
ンジウムの少なくとも１つと窒素および燐を含む混晶半
導体とのヘテロ構造により形成された活性領域を含むも
のである。
【００１９】第３の発明に係る半導体発光素子は、ガリ
ウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つ
を含む窒化物半導体からなる半導体発光素子において、
ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも
１つ、窒素および燐を含む混晶半導体からなる発光領域
を設けたものである。
ウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つ
を含む窒化物半導体からなる半導体発光素子において、
ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも
１つ、窒素および燐を含む混晶半導体からなる発光領域
を設けたものである。
【００２０】第４の発明に係る半導体装置は、ガリウ
ム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを
含む窒化物半導体からなる成長層上に電極が形成された
半導体装置において、窒化物半導体と電極との間にガリ
ウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１
つ、窒素および燐を含む混晶半導体からなるオーミック
コンタクト層を設けたものである。
ム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを
含む窒化物半導体からなる成長層上に電極が形成された
半導体装置において、窒化物半導体と電極との間にガリ
ウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１
つ、窒素および燐を含む混晶半導体からなるオーミック
コンタクト層を設けたものである。
【００２１】特に、ｐ型層ではｎ型層に比べてキャリア
濃度を大きくすることができないので、良好なオーミッ
ク特性を得ることが困難である。したがって、本発明の
オーミックコンタクト層を特にｐ型層と電極との間に設
けることが好ましい。
濃度を大きくすることができないので、良好なオーミッ
ク特性を得ることが困難である。したがって、本発明の
オーミックコンタクト層を特にｐ型層と電極との間に設
けることが好ましい。
【００２２】
【作用】第１の発明に係る半導体装置においては、半導
体層がガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少な
くとも１つを含む窒化物半導体と、ガリウム、アルミニ
ウムおよびインジウムの少なくとも１つ、窒素および燐
を含む混晶半導体とのヘテロ構造からなるので、窒化物
半導体と混晶半導体との格子不整合率が小さく、格子欠
陥が少ない。
体層がガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少な
くとも１つを含む窒化物半導体と、ガリウム、アルミニ
ウムおよびインジウムの少なくとも１つ、窒素および燐
を含む混晶半導体とのヘテロ構造からなるので、窒化物
半導体と混晶半導体との格子不整合率が小さく、格子欠
陥が少ない。
【００２３】また、混晶半導体中の燐の組成比を僅かに
増加させるだけでバンドギャップを小さくすることがで
きるので、格子不整合率の増大を抑制しつつ、ヘテロ構
造のバンドギャップ差を大きくすることができる。
増加させるだけでバンドギャップを小さくすることがで
きるので、格子不整合率の増大を抑制しつつ、ヘテロ構
造のバンドギャップ差を大きくすることができる。
【００２４】第２の発明に係る半導体装置においては、
活性領域がガリウム、アルミニウムおよびインジウムの
少なくとも１つを含む窒化物半導体と、ガリウム、アル
ミニウムおよびインジウムの少なくとも１つ、窒素およ
び燐を含む混晶半導体とのヘテロ構造により形成されて
いるので、窒化物半導体と混晶半導体との格子不整合率
が小さく、格子欠陥が少ない。
活性領域がガリウム、アルミニウムおよびインジウムの
少なくとも１つを含む窒化物半導体と、ガリウム、アル
ミニウムおよびインジウムの少なくとも１つ、窒素およ
び燐を含む混晶半導体とのヘテロ構造により形成されて
いるので、窒化物半導体と混晶半導体との格子不整合率
が小さく、格子欠陥が少ない。
【００２５】また、混晶半導体中の燐の組成比を僅かに
増加させるだけでバンドギャップを小さくすることがで
きるので、格子不整合率の増大を抑制しつつ、ヘテロ構
造のバンドギャップの差を大きくすることができる。
増加させるだけでバンドギャップを小さくすることがで
きるので、格子不整合率の増大を抑制しつつ、ヘテロ構
造のバンドギャップの差を大きくすることができる。
【００２６】第３の発明に係る半導体発光素子において
は、発光領域がガリウム、アルミニウムおよびインジウ
ムの少なくとも１つ、窒素および燐を含む混晶半導体に
より形成されているので、ガリウム、アルミニウムおよ
びインジウムの少なくとも１つを含む窒化物半導体から
なる成長層に対する発光領域の格子不整合率が小さく、
格子欠陥が少ない。
は、発光領域がガリウム、アルミニウムおよびインジウ
ムの少なくとも１つ、窒素および燐を含む混晶半導体に
より形成されているので、ガリウム、アルミニウムおよ
びインジウムの少なくとも１つを含む窒化物半導体から
なる成長層に対する発光領域の格子不整合率が小さく、
格子欠陥が少ない。
【００２７】また、混晶半導体中の燐の組成比を僅かに
増加させるだけでバンドギャップを小さくすることがで
きるので、格子不整合率の増大を抑制しつつ、発光領域
のバンドギャップを小さくすることができる。それによ
り、特に可視光を効率良く発生することが可能となる。
増加させるだけでバンドギャップを小さくすることがで
きるので、格子不整合率の増大を抑制しつつ、発光領域
のバンドギャップを小さくすることができる。それによ
り、特に可視光を効率良く発生することが可能となる。
【００２８】第４の発明に係る半導体装置においては、
ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも
１つを含む窒化物半導体と電極との間にガリウム、アル
ミニウムおよびインジウムの少なくとも１つ、窒素およ
び燐を含む混晶半導体からなるオーミックコンタクト層
が設けられている。混晶半導体中の燐の組成比を僅かに
増加させるだけでそのバンドギャップを小さくすること
ができるので、格子不整合率の増大を抑制しつつ良好な
オーミック特性を得ることが可能となる。
ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも
１つを含む窒化物半導体と電極との間にガリウム、アル
ミニウムおよびインジウムの少なくとも１つ、窒素およ
び燐を含む混晶半導体からなるオーミックコンタクト層
が設けられている。混晶半導体中の燐の組成比を僅かに
増加させるだけでそのバンドギャップを小さくすること
ができるので、格子不整合率の増大を抑制しつつ良好な
オーミック特性を得ることが可能となる。
【００２９】
【実施例】図１は本発明の一実施例によるＧａＮ系発光
ダイオードの構造を示す断面図である。
ダイオードの構造を示す断面図である。
【００３０】図１において、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）
基板１上に、厚さ２５０ÅのＧａＮバッファ層２、厚さ
４μｍのｎ−ＧａＮ層３、厚さ０．５〜１μｍのｎ−Ａ
ｌ0. 15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４、および厚さ２００Åの
ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５が順に形成されている。ｎ−Ｇ
ａＮ層３およびｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４の
キャリア濃度はいずれも２×１０18ｃｍ-3である。
基板１上に、厚さ２５０ÅのＧａＮバッファ層２、厚さ
４μｍのｎ−ＧａＮ層３、厚さ０．５〜１μｍのｎ−Ａ
ｌ0. 15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４、および厚さ２００Åの
ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５が順に形成されている。ｎ−Ｇ
ａＮ層３およびｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層４の
キャリア濃度はいずれも２×１０18ｃｍ-3である。
【００３１】ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５上には、厚さ０．
５〜１μｍのｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６、厚
さ０．５〜１μｍのｐ−ＧａＮ層７、および厚さ０．１
〜０．５μｍのｐ−ＧａＮ1-Y ＰY コンタクト層８が順
に形成されている。ｐ−Ａｌ 0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
６およびｐ−ＧａＮ層７のキャリア濃度はいずれも１×
１０18ｃｍ-3である。これらの層２〜８は、ＭＯＣＶＤ
法（有機金属化学的気相成長法）により連続的に成長さ
れる。
５〜１μｍのｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６、厚
さ０．５〜１μｍのｐ−ＧａＮ層７、および厚さ０．１
〜０．５μｍのｐ−ＧａＮ1-Y ＰY コンタクト層８が順
に形成されている。ｐ−Ａｌ 0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
６およびｐ−ＧａＮ層７のキャリア濃度はいずれも１×
１０18ｃｍ-3である。これらの層２〜８は、ＭＯＣＶＤ
法（有機金属化学的気相成長法）により連続的に成長さ
れる。
【００３２】ｐ−ＧａＮ1-Y ＰY コンタクト層８からｎ
−ＧａＮ層３の上部領域までがエッチングされ、ｐ−Ｇ
ａＮ1-Y ＰY コンタクト層８の上面にＮｉ／Ａｕからな
るｐ側電極９が形成され、ｎ−ＧａＮ層３の上面にＡｌ
からなるｎ側電極１０が形成されている。
−ＧａＮ層３の上部領域までがエッチングされ、ｐ−Ｇ
ａＮ1-Y ＰY コンタクト層８の上面にＮｉ／Ａｕからな
るｐ側電極９が形成され、ｎ−ＧａＮ層３の上面にＡｌ
からなるｎ側電極１０が形成されている。
【００３３】本実施例の発光ダイオードにおいては、活
性層５の材料としてＧａＮ1-Y ＰYが用いられている。
ＧａＮ1-Y ＰY のバンドギャップＥg は次式により求め
られる。
性層５の材料としてＧａＮ1-Y ＰYが用いられている。
ＧａＮ1-Y ＰY のバンドギャップＥg は次式により求め
られる。
【００３４】 Ｅg ＝３．４４−０．６６Ｙ−１４．１０３Ｙ（１−Ｙ） …（４） ここで、ＹはＧａＮ1-Y ＰY 中のＰの組成比である。式
（４）から、ＧａＮ1- Y ＰY のバンドギャップＥg を
３．３５ｅＶとするためには、ＧａＮ1-Y ＰY 中のＰ組
成比Ｙを０．００６とすればよい。また、ＧａＮ1-Y Ｐ
Y の格子定数ａは次式により求められる。
（４）から、ＧａＮ1- Y ＰY のバンドギャップＥg を
３．３５ｅＶとするためには、ＧａＮ1-Y ＰY 中のＰ組
成比Ｙを０．００６とすればよい。また、ＧａＮ1-Y Ｐ
Y の格子定数ａは次式により求められる。
【００３５】 ａ＝３．１９＋０．６６Ｙ …（５） したがって、式（５）から、ＧａＮ1-Y ＰY 中のＰ組成
比Ｙが０．００６のときの格子定数ａは３．１９４とな
る。この場合、ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎクラッド層に対するＧ
ａＮ1-Y ＰY の格子不整合率は（３．１７８−３．１９
４）／３．１７８×１００＝−０．５［％］となる。
比Ｙが０．００６のときの格子定数ａは３．１９４とな
る。この場合、ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎクラッド層に対するＧ
ａＮ1-Y ＰY の格子不整合率は（３．１７８−３．１９
４）／３．１７８×１００＝−０．５［％］となる。
【００３６】このように、活性層の材料としてＧａＮ
1-Y ＰY を用いた場合には、同じバンドギャップのＧａ
1-X ＩｎX Ｎを用いた場合に比べて、ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎ
クラッド層に対する活性層の格子不整合率が小さくな
る。
1-Y ＰY を用いた場合には、同じバンドギャップのＧａ
1-X ＩｎX Ｎを用いた場合に比べて、ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎ
クラッド層に対する活性層の格子不整合率が小さくな
る。
【００３７】図２（ａ）にＧａ1-X ＩｎX Ｎ中のＩｎ組
成比ＸとバンドギャップＥg との関係を示し、図２
（ｂ）にＧａＮ1-Y ＰY 中のＰ組成比Ｙとバンドギャッ
プＥg との関係を示す。
成比ＸとバンドギャップＥg との関係を示し、図２
（ｂ）にＧａＮ1-Y ＰY 中のＰ組成比Ｙとバンドギャッ
プＥg との関係を示す。
【００３８】図２（ａ）および式（１）から、Ｇａ1-X
ＩｎX Ｎでは、バンドギャップＥgを小さくするために
は、Ｉｎ組成比Ｘをある程度大きくしなければならな
い。Ｉｎ組成比Ｘを大きくすると、式（２）からＧａ
1-X ＩｎX Ｎの格子定数ａが大きくなり、ＡｌZ Ｇａ
1-Z Ｎクラッド層に対する格子不整合率が大きくなる。
ＩｎX Ｎでは、バンドギャップＥgを小さくするために
は、Ｉｎ組成比Ｘをある程度大きくしなければならな
い。Ｉｎ組成比Ｘを大きくすると、式（２）からＧａ
1-X ＩｎX Ｎの格子定数ａが大きくなり、ＡｌZ Ｇａ
1-Z Ｎクラッド層に対する格子不整合率が大きくなる。
【００３９】一方、図２（ｂ）および式（４）から、Ｇ
ａＮ1-Y ＰY では、バンドギャップＥg がＰ組成比Ｙの
２次式となっており、Ｐ組成比Ｙを僅かに増加させるだ
けでバンドギャップＥg をかなり小さくすることができ
る。この場合、式（５）からＧａＮ1-Y ＰY の格子定数
ａはほとんど増大しない。したがって、ＡｌZ Ｇａ1- Z
クラッド層に対する格子不整合率の増大を抑制しつつＧ
ａＮ1-Y ＰY のバンドギャップＥg を小さくすることが
できる。
ａＮ1-Y ＰY では、バンドギャップＥg がＰ組成比Ｙの
２次式となっており、Ｐ組成比Ｙを僅かに増加させるだ
けでバンドギャップＥg をかなり小さくすることができ
る。この場合、式（５）からＧａＮ1-Y ＰY の格子定数
ａはほとんど増大しない。したがって、ＡｌZ Ｇａ1- Z
クラッド層に対する格子不整合率の増大を抑制しつつＧ
ａＮ1-Y ＰY のバンドギャップＥg を小さくすることが
できる。
【００４０】このように、活性層の材料としてＧａＮ
1-Y ＰY を用いると、青色の光を発生させるためにＰ組
成比Ｙを僅かに増加させてバンドギャップを小さくして
も、ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎクラッド層に対する格子不整合率
がほとんど増大せず、格子欠陥が増加しない。
1-Y ＰY を用いると、青色の光を発生させるためにＰ組
成比Ｙを僅かに増加させてバンドギャップを小さくして
も、ＡｌZ Ｇａ1-Z Ｎクラッド層に対する格子不整合率
がほとんど増大せず、格子欠陥が増加しない。
【００４１】図３にＧａＩｎＮおよびＧａＮＰにおける
バンドギャップと格子定数との関係を示す。図３に示す
ように、ＧａＩｎＮでは、バンドギャップが小さくなる
と、格子定数がかなり増大するが、ＧａＮＰでは、バン
ドギャップが小さくなっても、格子定数の増大が小さい
ことがわかる。
バンドギャップと格子定数との関係を示す。図３に示す
ように、ＧａＩｎＮでは、バンドギャップが小さくなる
と、格子定数がかなり増大するが、ＧａＮＰでは、バン
ドギャップが小さくなっても、格子定数の増大が小さい
ことがわかる。
【００４２】したがって、本実施例の発光ダイオードで
は、ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５のＰ組成比Ｙを小さくする
ことにより、青色の光を効率良く発生することができ
る。なお、ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５中にＺｎ、Ｃｄ等の
不純物をドープすることにより、禁止帯中に深い準位を
作り、発光波長を長くすることもできる。
は、ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５のＰ組成比Ｙを小さくする
ことにより、青色の光を効率良く発生することができ
る。なお、ＧａＮ1-Y ＰY 活性層５中にＺｎ、Ｃｄ等の
不純物をドープすることにより、禁止帯中に深い準位を
作り、発光波長を長くすることもできる。
【００４３】また、本実施例の発光ダイオードでは、ｐ
−ＧａＮ層７とｐ側電極９との間にｐ−ＧａＮ1-Y ＰY
コンタクト層８が挿入されている。ＧａＮ1-Y ＰY で
は、バンドギャップＥg を小さくするためにＰ組成比Ｙ
を僅かに増加させた場合、格子定数ａがほとんど増加せ
ず、ＧａＮに対する格子不整合率もほとんど増大しな
い。したがって、格子不整合を抑制しつつ良好なオーミ
ック特性を実現することができる。
−ＧａＮ層７とｐ側電極９との間にｐ−ＧａＮ1-Y ＰY
コンタクト層８が挿入されている。ＧａＮ1-Y ＰY で
は、バンドギャップＥg を小さくするためにＰ組成比Ｙ
を僅かに増加させた場合、格子定数ａがほとんど増加せ
ず、ＧａＮに対する格子不整合率もほとんど増大しな
い。したがって、格子不整合を抑制しつつ良好なオーミ
ック特性を実現することができる。
【００４４】上記実施例の発光ダイオードでは、ｐ−Ｇ
ａＮ層７とＰ側電極９との間にｐ−ＧａＮ1-Y ＰY コン
タクト層８が挿入されているが、ｐ−ＧａＮ層７側から
ｐ側電極９側までＰ組成比Ｙ１が０からＹまで徐々に増
加するｐ−ＧａＮ1-Y1ＰY1からなるコンタクト層を用い
ることもできる。
ａＮ層７とＰ側電極９との間にｐ−ＧａＮ1-Y ＰY コン
タクト層８が挿入されているが、ｐ−ＧａＮ層７側から
ｐ側電極９側までＰ組成比Ｙ１が０からＹまで徐々に増
加するｐ−ＧａＮ1-Y1ＰY1からなるコンタクト層を用い
ることもできる。
【００４５】また、上記実施例の発光ダイオードでは、
ＧａＮ1-Y ＰY 活性層をＡｌZ Ｇａ 1-Z Ｎクラッド層に
対してほぼ格子整合させているが、ＧａＮ1-Y ＰY 活性
層が他の成長層に対してほぼ格子整合するようにＧａＮ
1-Y ＰY 活性層中のＰ組成比Ｙを選択してもよい。
ＧａＮ1-Y ＰY 活性層をＡｌZ Ｇａ 1-Z Ｎクラッド層に
対してほぼ格子整合させているが、ＧａＮ1-Y ＰY 活性
層が他の成長層に対してほぼ格子整合するようにＧａＮ
1-Y ＰY 活性層中のＰ組成比Ｙを選択してもよい。
【００４６】上記実施例の発光ダイオードはｎ−ＡｌＧ
ａＮ／アンドープＧａＮＰ／ｐ−ＡｌＧａＮからなるダ
ブルヘテロ構造を有しているが、ｎ−ＧａＩｎＮ／アン
ドープＧａＮＰ／ｐ−ＧａＩｎＮからなるダブルヘテロ
構造としてもよい。
ａＮ／アンドープＧａＮＰ／ｐ−ＡｌＧａＮからなるダ
ブルヘテロ構造を有しているが、ｎ−ＧａＩｎＮ／アン
ドープＧａＮＰ／ｐ−ＧａＩｎＮからなるダブルヘテロ
構造としてもよい。
【００４７】また、ｐ−ＧａＮＰ／ｎ−ＡｌＧａＮ、ｐ
−ＧａＮＰ／アンドープＧａＮＰ／ｎ−ＡｌＧａＮ、ｐ
−ＧａＮＰ／ｎ−ＧａＮＰ／ｎ−ＡｌＧａＮ、ｐ−Ｇａ
ＮＰ／アンドープＧａＮＰ／ｎ−ＧａＮＰ／ｎ−ＡｌＧ
ａＮ等のシングルヘテロ構造、あるいはこれらのｎ型と
ｐ型を逆にしたシングルヘテロ構造の発光ダイオードを
構成することもできる。
−ＧａＮＰ／アンドープＧａＮＰ／ｎ−ＡｌＧａＮ、ｐ
−ＧａＮＰ／ｎ−ＧａＮＰ／ｎ−ＡｌＧａＮ、ｐ−Ｇａ
ＮＰ／アンドープＧａＮＰ／ｎ−ＧａＮＰ／ｎ−ＡｌＧ
ａＮ等のシングルヘテロ構造、あるいはこれらのｎ型と
ｐ型を逆にしたシングルヘテロ構造の発光ダイオードを
構成することもできる。
【００４８】本発明は、複数の障壁層および１または複
数の井戸層が交互に積層されてなる量子井戸構造の活性
層を有する発光ダイオード、半導体レーザ装置等の半導
体発光素子にも適用することができる。この場合、（Ａ
ｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ1-Y2ＰY2井戸層と（Ａｌ，Ｇａ，Ｉ
ｎ）Ｎ1-Y3ＰY3障壁層との組み合わせが可能である。た
だし、Ｙ２＞Ｙ３≧０である。また、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉ
ｎ）は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎまたはこれらの混晶を表わ
す。
数の井戸層が交互に積層されてなる量子井戸構造の活性
層を有する発光ダイオード、半導体レーザ装置等の半導
体発光素子にも適用することができる。この場合、（Ａ
ｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ1-Y2ＰY2井戸層と（Ａｌ，Ｇａ，Ｉ
ｎ）Ｎ1-Y3ＰY3障壁層との組み合わせが可能である。た
だし、Ｙ２＞Ｙ３≧０である。また、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉ
ｎ）は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎまたはこれらの混晶を表わ
す。
【００４９】上記実施例では、ＧａＮ系成長層を有する
発光ダイオードについて説明したが、本発明は、Ｇａ
Ｎ、ＡｌＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる
成長層を有する他の半導体装置にも適用することができ
る。
発光ダイオードについて説明したが、本発明は、Ｇａ
Ｎ、ＡｌＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる
成長層を有する他の半導体装置にも適用することができ
る。
【００５０】たとえば、本発明は、ＧａＮ、ＡｌＮもし
くはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層を有する
発光ダイオード、半導体レーザ素子等の半導体発光素子
に適用することができる。この場合、活性層の材料とし
てＧａＮＰ、ＡｌＮＰもしくはＩｎＮＰまたはこれらの
混晶を用いる。また、半導体発光素子またはその他の半
導体装置のオーミックコンタクト層の材料としてＧａＮ
Ｐ、ＡｌＮＰもしくはＩｎＮＰまたはこれらの混晶を用
いてもよい。さらに、本発明は半導体発光素子に限ら
ず、半導体受光素子およびその他の半導体装置にも適用
することができる。
くはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層を有する
発光ダイオード、半導体レーザ素子等の半導体発光素子
に適用することができる。この場合、活性層の材料とし
てＧａＮＰ、ＡｌＮＰもしくはＩｎＮＰまたはこれらの
混晶を用いる。また、半導体発光素子またはその他の半
導体装置のオーミックコンタクト層の材料としてＧａＮ
Ｐ、ＡｌＮＰもしくはＩｎＮＰまたはこれらの混晶を用
いてもよい。さらに、本発明は半導体発光素子に限ら
ず、半導体受光素子およびその他の半導体装置にも適用
することができる。
【００５１】本発明で用いられる（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）
Ｎ1-Y ＰY 層において、Ｐ組成比Ｙが０＜Ｙ≦０．３５
の範囲内にあるときにバンドギャップが０から３．４４
まで変化し、またＹ＞０．３５の場合には格子不整合が
大きくなる。したがって、Ｐ組成比は０＜Ｙ≦０．３５
であることが望ましい。特に、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ
1-Y ＰY を発光ダイオードの光取出し側のオーミックコ
ンタクト層の材料として用いる場合には、良好なオーミ
ック特性を得つつ光を透過できるように、０＜Ｙ＜０．
２であることが望ましい。
Ｎ1-Y ＰY 層において、Ｐ組成比Ｙが０＜Ｙ≦０．３５
の範囲内にあるときにバンドギャップが０から３．４４
まで変化し、またＹ＞０．３５の場合には格子不整合が
大きくなる。したがって、Ｐ組成比は０＜Ｙ≦０．３５
であることが望ましい。特に、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ
1-Y ＰY を発光ダイオードの光取出し側のオーミックコ
ンタクト層の材料として用いる場合には、良好なオーミ
ック特性を得つつ光を透過できるように、０＜Ｙ＜０．
２であることが望ましい。
【００５２】
【発明の効果】第１の発明によれば、窒化物半導体と混
晶半導体との格子不整合率が小さく、かつ格子不整合率
の増大を抑制しつつヘテロ構造の半導体層のバンドギャ
ップ差を大きくすることが可能な半導体装置が得られ
る。
晶半導体との格子不整合率が小さく、かつ格子不整合率
の増大を抑制しつつヘテロ構造の半導体層のバンドギャ
ップ差を大きくすることが可能な半導体装置が得られ
る。
【００５３】第２の発明によれば、格子不整合率が小さ
く、かつ格子不整合率の増大を抑制しつつヘテロ構造の
活性領域のバンドギャップの差を大きくすることが可能
な半導体装置が得られる。
く、かつ格子不整合率の増大を抑制しつつヘテロ構造の
活性領域のバンドギャップの差を大きくすることが可能
な半導体装置が得られる。
【００５４】第３の発明によれば、ガリウム、アルミニ
ウムおよびインジウムの少なくとも１つを含む窒化物半
導体からなる成長層に対する発光領域の格子不整合率が
小さく、かつ格子不整合率の増大を抑制しつつ短波長の
光を効率良く発生することが可能な半導体発光素子が得
られる。
ウムおよびインジウムの少なくとも１つを含む窒化物半
導体からなる成長層に対する発光領域の格子不整合率が
小さく、かつ格子不整合率の増大を抑制しつつ短波長の
光を効率良く発生することが可能な半導体発光素子が得
られる。
【００５５】第４の発明によれば、ガリウム、アルミニ
ウムおよびインジウムの少なくとも１つを含む窒化物半
導体からなる成長層に対する格子不整合率が小さくかつ
良好なオーミック特性を得ることが可能なオーミックコ
ンタクト層を有する半導体装置が得られる。
ウムおよびインジウムの少なくとも１つを含む窒化物半
導体からなる成長層に対する格子不整合率が小さくかつ
良好なオーミック特性を得ることが可能なオーミックコ
ンタクト層を有する半導体装置が得られる。
【図１】本発明の一実施例によるＧａＮ系発光ダイオー
ドの構造を示す断面図である
ドの構造を示す断面図である
【図２】Ｇａ1-X ＩｎX Ｎ中のＩｎ組成比Ｘとバンドギ
ャップＥg との関係を示す図およびＧａＮ1-Y ＰY 中の
Ｐ組成比ＹとバンドギャップＥg との関係を示す図であ
る。
ャップＥg との関係を示す図およびＧａＮ1-Y ＰY 中の
Ｐ組成比ＹとバンドギャップＥg との関係を示す図であ
る。
【図３】ＧａＩｎＮおよびＧａＮＰにおけるバンドギャ
ップと歪みとの関係を示す図である。
ップと歪みとの関係を示す図である。
【図４】従来のＧａＮ系発光ダイオードの構造を示す断
面図である。
面図である。
１ サファイア基板 ２ ＧａＮバッファ層 ３ ｎ−ＧａＮ層 ４ ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ５ ＧａＮ1-Y ＰY 活性層 ６ ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層 ７ ｐ−ＧａＮ層 ８ ｐ−ＧａＮ1-Y ＰY コンタクト層 ９ ｐ側電極 １０ ｎ側電極
Claims (4)
- 【請求項１】 ガリウム、アルミニウムおよびインジウ
ムの少なくとも１つを含む窒化物半導体と、ガリウム、
アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つと窒素
および燐を含む混晶半導体とのヘテロ構造からなる半導
体層を含むことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ガリウム、アルミニウムおよびインジウ
ムの少なくとも１つを含む窒化物半導体と、ガリウム、
アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つと窒素
および燐を含む混晶半導体とのヘテロ構造により形成さ
れた活性領域を含むことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 ガリウム、アルミニウムおよびインジウ
ムの少なくとも１つを含む窒化物半導体からなる半導体
発光素子において、ガリウム、アルミニウムおよびイン
ジウムの少なくとも１つと窒素および燐を含む混晶半導
体からなる発光領域を設けたことを特徴とする半導体発
光素子。 - 【請求項４】 ガリウム、アルミニウムおよびインジウ
ムの少なくとも１つを含む窒化物半導体からなる成長層
上に電極が形成された半導体装置において、前記窒化物
半導体と前記電極との間にガリウム、アルミニウムおよ
びインジウムの少なくとも１つ、窒素および燐を含む混
晶半導体からなるオーミックコンタクト層を設けたこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12028195A JPH08316581A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体装置および半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12028195A JPH08316581A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体装置および半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316581A true JPH08316581A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14782365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12028195A Pending JPH08316581A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体装置および半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316581A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114594A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| WO2001093388A1 (fr) * | 2000-05-29 | 2001-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif photoemissif a semiconducteur de nitrure et appareil optique comprenant ce composant |
| WO2002025746A1 (fr) * | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element emetteur de lumiere a semiconducteur de nitrure et dispositif optique contenant cet element |
| JP2002094110A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードの構造 |
| WO2002039555A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element lumineux semi-conducteur nitrure et dispositif optique equipe de cet element |
| JP2003133543A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-05-09 | Xerox Corp | コンタクト抵抗を低下させた半導体ストラクチャ |
| KR100663911B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-01-02 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
| US7166874B2 (en) | 1995-11-06 | 2007-01-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor with active layer of quantum well structure with indium-containing nitride semiconductor |
| WO2007037648A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Seoul Opto-Device Co., Ltd. | Light emitting diode |
| JP2007096330A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | Ｉｉｉ−ｖ族発光デバイス |
| JP2008004970A (ja) * | 1998-09-16 | 2008-01-10 | Cree Inc | 縦型窒化インジウムガリウムｌｅｄ |
| KR101154706B1 (ko) * | 2004-09-30 | 2012-06-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 |
| CN108574027A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-09-25 | 福建兆元光电有限公司 | 氮化镓基led芯片及制造方法 |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP12028195A patent/JPH08316581A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7166874B2 (en) | 1995-11-06 | 2007-01-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor with active layer of quantum well structure with indium-containing nitride semiconductor |
| US8304790B2 (en) | 1995-11-06 | 2012-11-06 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor with active layer of quantum well structure with indium-containing nitride semiconductor |
| US7166869B2 (en) | 1995-11-06 | 2007-01-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor with active layer of quantum well structure with indium-containing nitride semiconductor |
| JP4625979B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2011-02-02 | クリー インコーポレイテッド | 縦型窒化インジウムガリウムｌｅｄ |
| JP2008004970A (ja) * | 1998-09-16 | 2008-01-10 | Cree Inc | 縦型窒化インジウムガリウムｌｅｄ |
| JP2000114594A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| EP1291989A1 (en) * | 2000-05-29 | 2003-03-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device and optical apparatus including the same |
| EP1291989A4 (en) * | 2000-05-29 | 2005-05-04 | Sharp Kk | LIGHT-EMITTING NITRID SEMICONDUCTOR ELEMENT AND OPTICAL DEVICE THEREFOR |
| US6924512B2 (en) | 2000-05-29 | 2005-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device and optical apparatus including the same |
| WO2001093388A1 (fr) * | 2000-05-29 | 2001-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif photoemissif a semiconducteur de nitrure et appareil optique comprenant ce composant |
| JP2002094110A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードの構造 |
| US7012283B2 (en) | 2000-09-21 | 2006-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting element and optical device containing it |
| WO2002025746A1 (fr) * | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element emetteur de lumiere a semiconducteur de nitrure et dispositif optique contenant cet element |
| WO2002039555A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element lumineux semi-conducteur nitrure et dispositif optique equipe de cet element |
| US6909120B2 (en) | 2000-11-10 | 2005-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor luminous element and optical device including it |
| JP2013168668A (ja) * | 2001-07-31 | 2013-08-29 | Bluestone Innovations Holdings Lp | コンタクト抵抗を低下させた半導体ストラクチャ |
| JP2013030813A (ja) * | 2001-07-31 | 2013-02-07 | Bluestone Innovations Holdings Lp | コンタクト抵抗を低下させた半導体ストラクチャ |
| JP2010166076A (ja) * | 2001-07-31 | 2010-07-29 | Xerox Corp | コンタクト抵抗を低下させた半導体ストラクチャ |
| JP2003133543A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-05-09 | Xerox Corp | コンタクト抵抗を低下させた半導体ストラクチャ |
| KR101154706B1 (ko) * | 2004-09-30 | 2012-06-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 |
| JP2007096330A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | Ｉｉｉ−ｖ族発光デバイス |
| WO2007037648A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Seoul Opto-Device Co., Ltd. | Light emitting diode |
| KR100663911B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-01-02 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
| CN108574027A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-09-25 | 福建兆元光电有限公司 | 氮化镓基led芯片及制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7872269B2 (en) | Gallium nitride semiconductor light emitting element | |
| KR100902109B1 (ko) | 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자 | |
| US6803596B2 (en) | Light emitting device | |
| EP1014455B1 (en) | Nitride semiconductor device | |
| KR101083872B1 (ko) | ＧａＮ계 Ⅲ-Ｖ족 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| US20030179793A1 (en) | Thin film deposition method of nitride semiconductor and nitride semiconductor light emitting device | |
| JP2000244070A (ja) | 半導体装置および半導体発光素子 | |
| US20070008998A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP2003332697A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2001053339A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP3478090B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JPH08316581A (ja) | 半導体装置および半導体発光素子 | |
| JPH09148678A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH1051070A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3651260B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JPH09116225A (ja) | 半導体発光素子 | |
| WO2017017928A1 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP4493041B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH11191639A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2004104088A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2002280673A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3464890B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3496480B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JPH11224972A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP3857417B2 (ja) | 窒化物半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040217 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040416 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |