JPH08306958A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08306958A JPH08306958A JP11088795A JP11088795A JPH08306958A JP H08306958 A JPH08306958 A JP H08306958A JP 11088795 A JP11088795 A JP 11088795A JP 11088795 A JP11088795 A JP 11088795A JP H08306958 A JPH08306958 A JP H08306958A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地層が導電性およびへき開性を有し、かつ
ＧａＮ、ＡｌＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶から
なる成長層が下地層とほぼ完全に格子整合した半導体装
置を提供することである。 【構成】 Ａｌが添加されたｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０
を用いる。ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０の｛０００１｝面
上に、ｐ型ＧａＮ層２１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２
２、ｎ型ＩｎＧａＮ発光層２３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層２４およびｎ型ＧａＮ層２５を順に含むＧａＮ成長
層２０をエピタキシャル成長させる。
ＧａＮ、ＡｌＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶から
なる成長層が下地層とほぼ完全に格子整合した半導体装
置を提供することである。 【構成】 Ａｌが添加されたｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０
を用いる。ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０の｛０００１｝面
上に、ｐ型ＧａＮ層２１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２
２、ｎ型ＩｎＧａＮ発光層２３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層２４およびｎ型ＧａＮ層２５を順に含むＧａＮ成長
層２０をエピタキシャル成長させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＮ（窒化ガリウ
ム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）もしくはＩｎＮ（窒
化インジウム）またはこれらの混晶からなる成長層を有
する半導体装置に関する。
ム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）もしくはＩｎＮ（窒
化インジウム）またはこれらの混晶からなる成長層を有
する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】直接遷移型のバンド構造を有するＧａＮ
は、青色あるいは紫色の光を発する発光ダイオード、半
導体レーザ装置等の半導体発光素子の材料として有望で
ある。しかしながら、ＧａＮからなる良好な基板が存在
しないため、ＧａＮ系半導体発光素子を作製する際には
他の材料からなる基板を用いる必要がある。
は、青色あるいは紫色の光を発する発光ダイオード、半
導体レーザ装置等の半導体発光素子の材料として有望で
ある。しかしながら、ＧａＮからなる良好な基板が存在
しないため、ＧａＮ系半導体発光素子を作製する際には
他の材料からなる基板を用いる必要がある。
【０００３】例えば、図８に示すように、サファイア
（Ａｌ2 Ｏ3 ）基板３０の（０００１）面上に多結晶の
ＡｌＮバッファ層３１を形成し、ＡｌＮバッファ層３１
上にＧａＮ成長層４０を形成する。あるいは、図９に示
すように、サファイア基板３０の（０００１）面上に多
結晶のＧａＮバッファ層３２を形成し、ＧａＮバッファ
層３２上にＧａＮ成長層４０を形成する。また、図１０
に示すように、６Ｈ−ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板３３の
（０００１）面上にＧａＮ成長層４０を形成する方法も
提案されている。
（Ａｌ2 Ｏ3 ）基板３０の（０００１）面上に多結晶の
ＡｌＮバッファ層３１を形成し、ＡｌＮバッファ層３１
上にＧａＮ成長層４０を形成する。あるいは、図９に示
すように、サファイア基板３０の（０００１）面上に多
結晶のＧａＮバッファ層３２を形成し、ＧａＮバッファ
層３２上にＧａＮ成長層４０を形成する。また、図１０
に示すように、６Ｈ−ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板３３の
（０００１）面上にＧａＮ成長層４０を形成する方法も
提案されている。
【０００４】図１１は図９の方法を用いて作製される従
来のＧａＮ系発光ダイオードの構造を示す断面図であ
る。図１１の発光ダイオードは日経マイクロデバイス１
９９４年２月号の第９２頁〜第９３頁に開示されてい
る。
来のＧａＮ系発光ダイオードの構造を示す断面図であ
る。図１１の発光ダイオードは日経マイクロデバイス１
９９４年２月号の第９２頁〜第９３頁に開示されてい
る。
【０００５】図１１において、サファイア基板３０上に
ＧａＮバッファ層３２が形成され、ＧａＮバッファ層３
２上に、ｎ型ＧａＮ層４１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
４２、ＩｎＧａＮ発光層４３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層４４およびｐ型ＧａＮ層４５からなるＧａＮ成長層４
０が形成されている。ｐ型ＧａＮ層４５からｎ型ＧａＮ
層４１の上部領域までがエッチングされ、ｐ型ＧａＮ層
４５の上面にｐ側電極４６が形成され、ｎ型ＧａＮ層４
１の上面にｎ側電極４７が形成されている。このような
発光ダイオードの構造はラテラル構造と呼ばれている。
ＧａＮバッファ層３２が形成され、ＧａＮバッファ層３
２上に、ｎ型ＧａＮ層４１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
４２、ＩｎＧａＮ発光層４３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層４４およびｐ型ＧａＮ層４５からなるＧａＮ成長層４
０が形成されている。ｐ型ＧａＮ層４５からｎ型ＧａＮ
層４１の上部領域までがエッチングされ、ｐ型ＧａＮ層
４５の上面にｐ側電極４６が形成され、ｎ型ＧａＮ層４
１の上面にｎ側電極４７が形成されている。このような
発光ダイオードの構造はラテラル構造と呼ばれている。
【０００６】図１１の発光ダイオードは、ＩｎＧａＮ発
光層４３をｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４２およびｐ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層４４で挟んだダブルヘテロ構造のｐ
ｎ接合を有し、青色の光を効率よく発生することができ
る。
光層４３をｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４２およびｐ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層４４で挟んだダブルヘテロ構造のｐ
ｎ接合を有し、青色の光を効率よく発生することができ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１２にサファイア、
ＧａＮおよびＡｌＮの格子を示し、表１にサファイア、
ＧａＮおよびＡｌＮの格子定数および格子不整合率を示
す。図１２においては、ＧａＮおよびＡｌＮの格子が実
線で示され、サファイアの格子が破線で示される。Ｇａ
ＮおよびＡｌＮの格子において、ａ1 ′は格子定数ａ2
の√３倍である。
ＧａＮおよびＡｌＮの格子を示し、表１にサファイア、
ＧａＮおよびＡｌＮの格子定数および格子不整合率を示
す。図１２においては、ＧａＮおよびＡｌＮの格子が実
線で示され、サファイアの格子が破線で示される。Ｇａ
ＮおよびＡｌＮの格子において、ａ1 ′は格子定数ａ2
の√３倍である。
【０００８】
【表１】
【０００９】表１に示すように、ＧａＮおよびＡｌＮの
格子定数ａ2 はそれぞれ３．１８９Åおよび３．１１１
Åであり、ａ1 ′の値はそれぞれ５．５２４Åおよび
５．３８８Åである。サファイアの格子定数ａ1 は４．
７５８Åであるので、ＧａＮのａ1 ′の値とサファイア
の格子定数ａ1 との比は１．１６１となり、ＡｌＮのａ
1 ′の値とサファイアの格子定数ａ1 との比は１．１３
２となる。したがって、サファイアに対するＧａＮの格
子不整合率は＋１６．１％となり、サファイアに対する
ＡｌＮの格子不整合率は＋１３．２％となる。このよう
に、ＧａＮおよびＡｌＮの格子定数はサファイアの格子
定数と大きく異なっている。
格子定数ａ2 はそれぞれ３．１８９Åおよび３．１１１
Åであり、ａ1 ′の値はそれぞれ５．５２４Åおよび
５．３８８Åである。サファイアの格子定数ａ1 は４．
７５８Åであるので、ＧａＮのａ1 ′の値とサファイア
の格子定数ａ1 との比は１．１６１となり、ＡｌＮのａ
1 ′の値とサファイアの格子定数ａ1 との比は１．１３
２となる。したがって、サファイアに対するＧａＮの格
子不整合率は＋１６．１％となり、サファイアに対する
ＡｌＮの格子不整合率は＋１３．２％となる。このよう
に、ＧａＮおよびＡｌＮの格子定数はサファイアの格子
定数と大きく異なっている。
【００１０】図８および図９の構造を有する半導体装置
においては、サファイア基板３０上に多結晶のＡｌＮバ
ッファ層３１またはＧａＮバッファ層３２を設けること
によりＧａＮ成長層４０とサファイア基板３０との格子
不整合を緩和している。しかしながら、サファイア基板
３０との格子不整を緩和するためにＧａＮ成長層４０の
下地層（バッファ層）として多結晶を採用しているの
で、ＧａＮ成長層４０中に格子欠陥が多くなる。その結
果、素子寿命が短くなるという問題がある。
においては、サファイア基板３０上に多結晶のＡｌＮバ
ッファ層３１またはＧａＮバッファ層３２を設けること
によりＧａＮ成長層４０とサファイア基板３０との格子
不整合を緩和している。しかしながら、サファイア基板
３０との格子不整を緩和するためにＧａＮ成長層４０の
下地層（バッファ層）として多結晶を採用しているの
で、ＧａＮ成長層４０中に格子欠陥が多くなる。その結
果、素子寿命が短くなるという問題がある。
【００１１】また、サファイア基板３０が絶縁物であ
り、素子の上下方向に導電性がないので、サファイア基
板３０の下面に電極を形成することができない。このた
め、例えば、図１１の発光ダイオードでは、ｎ型ＧａＮ
層４１に電極を形成するために、ｐ型ＧａＮ層４５から
ｎ型ＧａＮ層４１の上部領域までを精度良くエッチング
する工程が必要となる。この場合、ｎ側電極４７が形成
されるｎ型ＧａＮ層４１の膜厚を均一にすることは容易
ではない。その結果、製造工程が複雑となり、歩留りが
低くなる。
り、素子の上下方向に導電性がないので、サファイア基
板３０の下面に電極を形成することができない。このた
め、例えば、図１１の発光ダイオードでは、ｎ型ＧａＮ
層４１に電極を形成するために、ｐ型ＧａＮ層４５から
ｎ型ＧａＮ層４１の上部領域までを精度良くエッチング
する工程が必要となる。この場合、ｎ側電極４７が形成
されるｎ型ＧａＮ層４１の膜厚を均一にすることは容易
ではない。その結果、製造工程が複雑となり、歩留りが
低くなる。
【００１２】また、サファイア基板３０にへき開性がな
いため、ウエハ上に形成された各素子をへき開により分
離することができない。そのため、へき開により共振器
端面が形成される半導体レーザ装置を作製することがで
きない。
いため、ウエハ上に形成された各素子をへき開により分
離することができない。そのため、へき開により共振器
端面が形成される半導体レーザ装置を作製することがで
きない。
【００１３】一方、図１０に示す構造を有する半導体装
置においては、６Ｈ−ＳｉＣ基板３３が導電性およびへ
き開性を有するので、製造工程が複雑化せず、かつウエ
ハ上の各素子をへき開により分離することが可能とな
る。しかしながら、ＳｉＣの格子定数が３．０８Åであ
り、ＧａＮの格子定数が３．１９Åであるため、６Ｈ−
ＳｉＣ基板３３とＧａＮ成長層４０との界面に３．６％
の格子不整合が存在する。それにより、ＧａＮ成長層４
０の結晶性が低下し、格子欠陥が多くなる。
置においては、６Ｈ−ＳｉＣ基板３３が導電性およびへ
き開性を有するので、製造工程が複雑化せず、かつウエ
ハ上の各素子をへき開により分離することが可能とな
る。しかしながら、ＳｉＣの格子定数が３．０８Åであ
り、ＧａＮの格子定数が３．１９Åであるため、６Ｈ−
ＳｉＣ基板３３とＧａＮ成長層４０との界面に３．６％
の格子不整合が存在する。それにより、ＧａＮ成長層４
０の結晶性が低下し、格子欠陥が多くなる。
【００１４】本発明の目的は、下地層が導電性およびへ
き開性を有し、ＧａＮ、ＡｌＮもしくはＩｎＮまたはこ
れらの混晶からなる成長層が下地層とほぼ完全に格子整
合した半導体装置を提供することである。
き開性を有し、ＧａＮ、ＡｌＮもしくはＩｎＮまたはこ
れらの混晶からなる成長層が下地層とほぼ完全に格子整
合した半導体装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、炭素よりも大きな原子サイズ（炭化ケイ素結晶中の
不純物元素の原子サイズ）を有する不純物元素が添加さ
れた炭化ケイ素からなる下地層上に、ガリウム、アルミ
ニウムおよびインジウムの少なくとも１つを含む窒化物
半導体からなる成長層が形成されたものである。
は、炭素よりも大きな原子サイズ（炭化ケイ素結晶中の
不純物元素の原子サイズ）を有する不純物元素が添加さ
れた炭化ケイ素からなる下地層上に、ガリウム、アルミ
ニウムおよびインジウムの少なくとも１つを含む窒化物
半導体からなる成長層が形成されたものである。
【００１６】好ましくは、下地層と成長層とがほぼ格子
整合するように下地層に不純物元素が添加されている。
特に、不純物元素がアルミニウム、ベリリウム、ガリウ
ム、スカンジウム、チタン、クロムまたは酸素であるこ
とが好ましい。また、下地層は、｛０００１｝成長面、
｛１０１０｝成長面、｛１１２０｝成長面または｛１１
１｝成長面を有する炭化ケイ素基板またはその炭化ケイ
素基板上に成長した炭化ケイ素層であることが好まし
い。
整合するように下地層に不純物元素が添加されている。
特に、不純物元素がアルミニウム、ベリリウム、ガリウ
ム、スカンジウム、チタン、クロムまたは酸素であるこ
とが好ましい。また、下地層は、｛０００１｝成長面、
｛１０１０｝成長面、｛１１２０｝成長面または｛１１
１｝成長面を有する炭化ケイ素基板またはその炭化ケイ
素基板上に成長した炭化ケイ素層であることが好まし
い。
【００１７】
【作用】本発明に係る半導体装置においては、炭化ケイ
素からなる下地層中に炭素よりも大きな原子サイズを有
する不純物元素が添加されることにより、下地層の格子
定数が拡大する。炭化ケイ素中に添加する不純物元素の
量を選択することにより、炭化ケイ素からなる下地層の
格子定数をガリウム、アルミニウム、インジウムの少な
くとも１つを含む窒化物半導体からなる成長層の格子定
数とほぼ一致させることができる。それにより、成長層
が下地層とほぼ完全に格子整合し、成長層の結晶性が良
好となる。
素からなる下地層中に炭素よりも大きな原子サイズを有
する不純物元素が添加されることにより、下地層の格子
定数が拡大する。炭化ケイ素中に添加する不純物元素の
量を選択することにより、炭化ケイ素からなる下地層の
格子定数をガリウム、アルミニウム、インジウムの少な
くとも１つを含む窒化物半導体からなる成長層の格子定
数とほぼ一致させることができる。それにより、成長層
が下地層とほぼ完全に格子整合し、成長層の結晶性が良
好となる。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例による半導体装
置の製造方法を示す断面図である。第１の実施例では、
図１（ａ）に示すように、Ａｌが添加された６Ｈ−Ｓｉ
Ｃ基板１０を用いる。図１（ｂ）に示すように、Ａｌが
添加された６Ｈ−ＳｉＣ基板１０の｛０００１｝面上に
ＧａＮ成長層２０をエピタキシャル成長させる。ＧａＮ
成長層２０は、ＧａＮ層、ＡｌＮ層、ＩｎＮ層、ＡｌＧ
ａＮ層、ＩｎＧａＮ層、ＩｎＡｌＮ層およびＩｎＡｌＧ
ａＮ層のうち１または２以上の種類からなる積層構造を
有するが、ここでは代表的にＧａＮ成長層と記す。
置の製造方法を示す断面図である。第１の実施例では、
図１（ａ）に示すように、Ａｌが添加された６Ｈ−Ｓｉ
Ｃ基板１０を用いる。図１（ｂ）に示すように、Ａｌが
添加された６Ｈ−ＳｉＣ基板１０の｛０００１｝面上に
ＧａＮ成長層２０をエピタキシャル成長させる。ＧａＮ
成長層２０は、ＧａＮ層、ＡｌＮ層、ＩｎＮ層、ＡｌＧ
ａＮ層、ＩｎＧａＮ層、ＩｎＡｌＮ層およびＩｎＡｌＧ
ａＮ層のうち１または２以上の種類からなる積層構造を
有するが、ここでは代表的にＧａＮ成長層と記す。
【００１９】六方晶ＳｉＣの結晶成長時に、自然核発生
成長（例えばアチソン法）の段階から成長結晶にＡｌを
一定濃度以上添加すると、成長したＳｉＣ単結晶の格子
定数が増加する。
成長（例えばアチソン法）の段階から成長結晶にＡｌを
一定濃度以上添加すると、成長したＳｉＣ単結晶の格子
定数が増加する。
【００２０】図２にＳｉ融液中のＡｌ添加量と格子定数
のａ0 の拡大率との関係の測定結果を示す。図２の関係
は、ＬＰＥ法（液相エピタキシャル成長法）によるＳｉ
Ｃ成長結晶にＡｌを添加した場合に得られたものであ
り、成長温度は１７００℃である。図２から明らかなよ
うに、Ｓｉ融液中のＡｌ添加量を増加させるにしたがっ
て、ＳｉＣ結晶のａ軸方向の格子定数ａ0 が拡大するこ
とがわかる。
のａ0 の拡大率との関係の測定結果を示す。図２の関係
は、ＬＰＥ法（液相エピタキシャル成長法）によるＳｉ
Ｃ成長結晶にＡｌを添加した場合に得られたものであ
り、成長温度は１７００℃である。図２から明らかなよ
うに、Ｓｉ融液中のＡｌ添加量を増加させるにしたがっ
て、ＳｉＣ結晶のａ軸方向の格子定数ａ0 が拡大するこ
とがわかる。
【００２１】表２に２Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、Ａｌ
Ｎ、ＧａＮおよびＩｎＮのａ軸方向の格子定数ａ0 およ
びｃ軸方向の格子定数ｃ0 を示す。また、図３に六方晶
の単位格子を示す。
Ｎ、ＧａＮおよびＩｎＮのａ軸方向の格子定数ａ0 およ
びｃ軸方向の格子定数ｃ0 を示す。また、図３に六方晶
の単位格子を示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】２Ｈ−ＳｉＣおよび６Ｈ−ＳｉＣは六方晶
ＳｉＣ群の一種である。表２に示すように、２Ｈ−Ｓｉ
Ｃおよび６Ｈ−ＳｉＣの格子定数ａ0 は３．０８Åであ
り、ＡｌＮ、ＧａＮおよびＩｎＮの格子定数ａ0 よりも
小さい。そこで、図２に示すように、Ｓｉ融液中のＡｌ
添加量を適当に選択することにより、２Ｈ−ＳｉＣおよ
び６Ｈ−ＳｉＣの格子定数ａ0 をＡｌＮ、ＧａＮおよび
ＩｎＮの格子定数ａ0と一致させることができる。これ
により、完全に格子整合した６Ｈ−ＳｉＣ基板１０とＧ
ａＮ成長層２０とのヘテロ接合が得られ、ＧａＮ成長層
２０の結晶性が向上する。
ＳｉＣ群の一種である。表２に示すように、２Ｈ−Ｓｉ
Ｃおよび６Ｈ−ＳｉＣの格子定数ａ0 は３．０８Åであ
り、ＡｌＮ、ＧａＮおよびＩｎＮの格子定数ａ0 よりも
小さい。そこで、図２に示すように、Ｓｉ融液中のＡｌ
添加量を適当に選択することにより、２Ｈ−ＳｉＣおよ
び６Ｈ−ＳｉＣの格子定数ａ0 をＡｌＮ、ＧａＮおよび
ＩｎＮの格子定数ａ0と一致させることができる。これ
により、完全に格子整合した６Ｈ−ＳｉＣ基板１０とＧ
ａＮ成長層２０とのヘテロ接合が得られ、ＧａＮ成長層
２０の結晶性が向上する。
【００２４】図４は第１の実施例による半導体装置の一
例であるＧａＮ系発光ダイオードの構造例を示す断面図
である。図４に示すように、Ａｌが添加された厚さ３０
０μｍのｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０を用いる。ｐ型６Ｈ
−ＳｉＣ基板１０の｛０００１｝面上に、ＭＯＣＶＤ法
（有機金属化学的気相成長法）またはＭＢＥ法（分子線
エピタキシャル成長法）によりＧａＮ成長層２０が形成
される。
例であるＧａＮ系発光ダイオードの構造例を示す断面図
である。図４に示すように、Ａｌが添加された厚さ３０
０μｍのｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０を用いる。ｐ型６Ｈ
−ＳｉＣ基板１０の｛０００１｝面上に、ＭＯＣＶＤ法
（有機金属化学的気相成長法）またはＭＢＥ法（分子線
エピタキシャル成長法）によりＧａＮ成長層２０が形成
される。
【００２５】ＧａＮ成長層２０は、Ｍｇが添加された厚
さ２μｍのｐ型ＧａＮ層２１、Ｍｇが添加された厚さ
０．１５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｓｉお
よびＺｎが添加された厚さ０．０５μｍのｎ型ＩｎＧａ
Ｎ発光層２３、Ｓｉが添加された厚さ０．１５μｍのｎ
型ＡｌＧａＮクラッド層２４、およびＳｉが添加された
厚さ０．５μｍのｎ型ＧａＮ層２５を順に含む。
さ２μｍのｐ型ＧａＮ層２１、Ｍｇが添加された厚さ
０．１５μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｓｉお
よびＺｎが添加された厚さ０．０５μｍのｎ型ＩｎＧａ
Ｎ発光層２３、Ｓｉが添加された厚さ０．１５μｍのｎ
型ＡｌＧａＮクラッド層２４、およびＳｉが添加された
厚さ０．５μｍのｎ型ＧａＮ層２５を順に含む。
【００２６】ｎ型ＧａＮ層２５の上面にはＡｌ／Ａｕか
らなるｎ側電極２６が形成され、ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板
１０の下面にはＡｕ／Ｎｉからなるｐ側電極２７が形成
されている。
らなるｎ側電極２６が形成され、ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板
１０の下面にはＡｕ／Ｎｉからなるｐ側電極２７が形成
されている。
【００２７】図４の発光ダイオードは、ｎ型ＩｎＧａＮ
発光層２３をｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２２およびｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層２４で挟んだダブルヘテロ構造の
ｐｎ接合を有し、青色の光を効率よく発生することがで
きる。
発光層２３をｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２２およびｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層２４で挟んだダブルヘテロ構造の
ｐｎ接合を有し、青色の光を効率よく発生することがで
きる。
【００２８】このように、ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０が
導電性を有し、素子の上下方向に導電性があるので、ｐ
側電極２７をｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０の下面に形成す
ることができる。したがって、素子の構造および製造工
程が複雑化しない。また、６Ｈ−ＳｉＣ基板１０がへき
開性を有するので、ウエハ上に形成された各素子をへき
開により分離することができる。さらに、ｐ型６Ｈ−Ｓ
ｉＣ基板１０とＧａＮ成長層２０との間に多結晶のバッ
ファ層が存在せず、ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０がｐ型Ｇ
ａＮ層２１と格子整合しているので、ＧａＮ成長層２０
の結晶性が向上し、格子欠陥が少ない。
導電性を有し、素子の上下方向に導電性があるので、ｐ
側電極２７をｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０の下面に形成す
ることができる。したがって、素子の構造および製造工
程が複雑化しない。また、６Ｈ−ＳｉＣ基板１０がへき
開性を有するので、ウエハ上に形成された各素子をへき
開により分離することができる。さらに、ｐ型６Ｈ−Ｓ
ｉＣ基板１０とＧａＮ成長層２０との間に多結晶のバッ
ファ層が存在せず、ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ基板１０がｐ型Ｇ
ａＮ層２１と格子整合しているので、ＧａＮ成長層２０
の結晶性が向上し、格子欠陥が少ない。
【００２９】図５は本発明の第２の実施例による半導体
装置の製造方法を示す断面図である。第２の実施例にお
いても、図５（ａ）に示すように、Ａｌが添加された６
Ｈ−ＳｉＣ基板１１を用いる。図５（ｂ）に示すよう
に、Ａｌが添加された６Ｈ−ＳｉＣ基板１１の｛０００
１｝面上に、Ａｌが添加された１〜１０μｍ程度の厚さ
の６Ｈ−ＳｉＣ成長層１２をエピタキシャル成長させ
る。そして、図５（ｃ）に示すように、６Ｈ−ＳｉＣ成
長層１２の｛０００１｝面上にＧａＮ成長層２０をエピ
タキシャル成長させる。
装置の製造方法を示す断面図である。第２の実施例にお
いても、図５（ａ）に示すように、Ａｌが添加された６
Ｈ−ＳｉＣ基板１１を用いる。図５（ｂ）に示すよう
に、Ａｌが添加された６Ｈ−ＳｉＣ基板１１の｛０００
１｝面上に、Ａｌが添加された１〜１０μｍ程度の厚さ
の６Ｈ−ＳｉＣ成長層１２をエピタキシャル成長させ
る。そして、図５（ｃ）に示すように、６Ｈ−ＳｉＣ成
長層１２の｛０００１｝面上にＧａＮ成長層２０をエピ
タキシャル成長させる。
【００３０】本実施例では、６Ｈ−ＳｉＣ基板１１と６
Ｈ−ＳｉＣ成長層１２とがそれらの界面で互いに格子整
合するようにＡｌ濃度がほぼ同一になる。特に、６Ｈ−
ＳｉＣ基板１１よりも６Ｈ−ＳｉＣ成長層１２の方が結
晶性が良好となるため、６Ｈ−ＳｉＣ成長層１２上に形
成されたＧａＮ成長層２０の結晶性が向上する。
Ｈ−ＳｉＣ成長層１２とがそれらの界面で互いに格子整
合するようにＡｌ濃度がほぼ同一になる。特に、６Ｈ−
ＳｉＣ基板１１よりも６Ｈ−ＳｉＣ成長層１２の方が結
晶性が良好となるため、６Ｈ−ＳｉＣ成長層１２上に形
成されたＧａＮ成長層２０の結晶性が向上する。
【００３１】図６は本発明の第３の実施例による半導体
装置の製造方法を示す断面図である。第３の実施例で
は、図６（ａ）に示すように、アンドープ（Ａｌ無添
加）の６Ｈ−ＳｉＣ基板１３を用いる。図６（ｂ）に示
すように、アンドープの６Ｈ−ＳｉＣ基板１３の｛００
０１｝面上に、Ａｌが添加された６Ｈ−ＳｉＣ成長層１
４をエピタキシャル成長させる。そして、図６（ｃ）に
示すように、６Ｈ−ＳｉＣ成長層１４の｛０００１｝面
上に、ＧａＮ成長層２０をエピタキシャル成長させる。
装置の製造方法を示す断面図である。第３の実施例で
は、図６（ａ）に示すように、アンドープ（Ａｌ無添
加）の６Ｈ−ＳｉＣ基板１３を用いる。図６（ｂ）に示
すように、アンドープの６Ｈ−ＳｉＣ基板１３の｛００
０１｝面上に、Ａｌが添加された６Ｈ−ＳｉＣ成長層１
４をエピタキシャル成長させる。そして、図６（ｃ）に
示すように、６Ｈ−ＳｉＣ成長層１４の｛０００１｝面
上に、ＧａＮ成長層２０をエピタキシャル成長させる。
【００３２】本実施例においては、６Ｈ−ＳｉＣ成長層
１４が６Ｈ−ＳｉＣ基板１３と格子整合しないので、そ
れらの格子不整合がＧａＮ成長層２０にも悪影響を与え
る可能性がある。しかしながら、ＧａＮ成長層２０が６
Ｈ−ＳｉＣ成長層１４とほぼ完全に格子整合しているの
で、従来例に比べるとＧａＮ成長層２０の結晶性が改善
される。
１４が６Ｈ−ＳｉＣ基板１３と格子整合しないので、そ
れらの格子不整合がＧａＮ成長層２０にも悪影響を与え
る可能性がある。しかしながら、ＧａＮ成長層２０が６
Ｈ−ＳｉＣ成長層１４とほぼ完全に格子整合しているの
で、従来例に比べるとＧａＮ成長層２０の結晶性が改善
される。
【００３３】図７は本発明の第４の実施例による半導体
装置の製造方法を示す断面図である。第４の実施例にお
いても、図７（ａ）に示すように、アンドープの６Ｈ−
ＳｉＣ基板１３を用いる。図７（ｂ）に示すように、ア
ンドープの６Ｈ−ＳｉＣ基板１３の｛０００１｝面上
に、Ａｌが添加された１００μｍ以上の厚さの６Ｈ−Ｓ
ｉＣ成長層１４をエピタキシャル成長させる。そして、
図７（ｃ）に示すように、６Ｈ−ＳｉＣ基板１３を研
磨、エッチング等により除去する。その後、６Ｈ−Ｓｉ
Ｃ成長層１４の｛０００１｝面上にＧａＮ成長層２０を
エピタキシャル成長させる。
装置の製造方法を示す断面図である。第４の実施例にお
いても、図７（ａ）に示すように、アンドープの６Ｈ−
ＳｉＣ基板１３を用いる。図７（ｂ）に示すように、ア
ンドープの６Ｈ−ＳｉＣ基板１３の｛０００１｝面上
に、Ａｌが添加された１００μｍ以上の厚さの６Ｈ−Ｓ
ｉＣ成長層１４をエピタキシャル成長させる。そして、
図７（ｃ）に示すように、６Ｈ−ＳｉＣ基板１３を研
磨、エッチング等により除去する。その後、６Ｈ−Ｓｉ
Ｃ成長層１４の｛０００１｝面上にＧａＮ成長層２０を
エピタキシャル成長させる。
【００３４】本実施例においては、アンドープの６Ｈ−
ＳｉＣ基板１３を除去することにより６Ｈ−ＳｉＣ成長
層１４と６Ｈ−ＳｉＣ基板１３との格子不整合による悪
影響を取り除くことができる。
ＳｉＣ基板１３を除去することにより６Ｈ−ＳｉＣ成長
層１４と６Ｈ−ＳｉＣ基板１３との格子不整合による悪
影響を取り除くことができる。
【００３５】以上のように、第１〜第４の実施例によれ
ば、Ａｌが添加された６Ｈ−ＳｉＣ基板または６Ｈ−Ｓ
ｉＣ成長層の｛０００１｝面を下地層として用いること
によりＧａＮ成長層内のＧａＮ層を下地層と完全に格子
整合させることが可能となる。その結果、結晶性の向上
したＧａＮ成長層が得られ、半導体装置の特性が向上
し、素子寿命が長くなる。
ば、Ａｌが添加された６Ｈ−ＳｉＣ基板または６Ｈ−Ｓ
ｉＣ成長層の｛０００１｝面を下地層として用いること
によりＧａＮ成長層内のＧａＮ層を下地層と完全に格子
整合させることが可能となる。その結果、結晶性の向上
したＧａＮ成長層が得られ、半導体装置の特性が向上
し、素子寿命が長くなる。
【００３６】また、６Ｈ−ＳｉＣ基板または６Ｈ−Ｓｉ
Ｃ成長層が導電性およびへき開性を有するので、半導体
装置の構造および製造工程が複雑化せず、かつウエハ上
に作製された各素子をへき開により分離することが可能
になる。さらに、へき開により形成される共振器端面を
有する半導体レーザ装置を作製することもできる。
Ｃ成長層が導電性およびへき開性を有するので、半導体
装置の構造および製造工程が複雑化せず、かつウエハ上
に作製された各素子をへき開により分離することが可能
になる。さらに、へき開により形成される共振器端面を
有する半導体レーザ装置を作製することもできる。
【００３７】なお、表２に示したように、２Ｈ−ＳｉＣ
の格子定数ａ0 は６Ｈ−ＳｉＣの格子定数ａ0 と等し
い。したがって、Ａｌが添加された２Ｈ−ＳｉＣ基板ま
たはＡｌが添加された２Ｈ−ＳｉＣ成長層を下地層とし
て用い、２Ｈ−ＳｉＣ基板または２Ｈ−ＳｉＣ成長層の
｛０００１｝面上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮまたはＩｎＡｌＧａＮから
なる成長層をエピタキシャル成長させてもよい。また、
その他の全ての六方晶ＳｉＣ基板または六方晶ＳｉＣ成
長層を下地層として用いることも可能であり、菱面体Ｓ
ｉＣ基板または菱面体ＳｉＣ成長層を下地層として用い
ることも可能である。
の格子定数ａ0 は６Ｈ−ＳｉＣの格子定数ａ0 と等し
い。したがって、Ａｌが添加された２Ｈ−ＳｉＣ基板ま
たはＡｌが添加された２Ｈ−ＳｉＣ成長層を下地層とし
て用い、２Ｈ−ＳｉＣ基板または２Ｈ−ＳｉＣ成長層の
｛０００１｝面上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮまたはＩｎＡｌＧａＮから
なる成長層をエピタキシャル成長させてもよい。また、
その他の全ての六方晶ＳｉＣ基板または六方晶ＳｉＣ成
長層を下地層として用いることも可能であり、菱面体Ｓ
ｉＣ基板または菱面体ＳｉＣ成長層を下地層として用い
ることも可能である。
【００３８】さらに、立方晶ＳｉＣの各結晶面の中で
｛１１１｝面の原子配列は六方晶ＳｉＣの｛０００１｝
面の原子配列と同一であるので、立方晶ＳｉＣの｛１１
１｝面を下地層として用いても同様の効果がある。
｛１１１｝面の原子配列は六方晶ＳｉＣの｛０００１｝
面の原子配列と同一であるので、立方晶ＳｉＣの｛１１
１｝面を下地層として用いても同様の効果がある。
【００３９】また、ＳｉＣ基板またはＳｉＣ成長層にＡ
ｌの代わりに、炭素の原子サイズ（０．２Å）よりも大
きな原子サイズ（ＳｉＣ結晶中の不純物元素の原子サイ
ズ）を有する他の不純物元素を添加してもよい。例え
ば、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｓｃ（ス
カンジウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）または
Ｏ（酸素）をＳｉＣ基板またはＳｉＣ成長層に添加する
ことによりＳｉＣ基板またはＳｉＣ成長層の格子定数ａ
0 を拡大させることができる。
ｌの代わりに、炭素の原子サイズ（０．２Å）よりも大
きな原子サイズ（ＳｉＣ結晶中の不純物元素の原子サイ
ズ）を有する他の不純物元素を添加してもよい。例え
ば、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｓｃ（ス
カンジウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）または
Ｏ（酸素）をＳｉＣ基板またはＳｉＣ成長層に添加する
ことによりＳｉＣ基板またはＳｉＣ成長層の格子定数ａ
0 を拡大させることができる。
【００４０】また、第１〜第４の実施例では、ＳｉＣ基
板またはＳｉＣ成長層に不純物元素を添加することによ
り、ＳｉＣ結晶のａ軸方向の格子定数ａ0 をＧａＮ、Ａ
ｌＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層
のａ軸方向の格子定数ａ0 と一致させているが、ＳｉＣ
基板またはＳｉＣ成長層のｃ軸方向の格子定数ｃ0 をＧ
ａＮ、ＡｌＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からな
る成長層のｃ軸方向の格子定数ｃ0 と一致させることも
可能である。この場合、ＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮは
ウルツ鉱型結晶であるので、六方晶ＳｉＣの中でも２Ｈ
−ＳｉＣのみが下地層として使用可能である。他の型の
六方晶ＳｉＣはｃ軸方向の結晶の並び方がウルツ鉱型結
晶とは異なる。
板またはＳｉＣ成長層に不純物元素を添加することによ
り、ＳｉＣ結晶のａ軸方向の格子定数ａ0 をＧａＮ、Ａ
ｌＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層
のａ軸方向の格子定数ａ0 と一致させているが、ＳｉＣ
基板またはＳｉＣ成長層のｃ軸方向の格子定数ｃ0 をＧ
ａＮ、ＡｌＮもしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からな
る成長層のｃ軸方向の格子定数ｃ0 と一致させることも
可能である。この場合、ＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮは
ウルツ鉱型結晶であるので、六方晶ＳｉＣの中でも２Ｈ
−ＳｉＣのみが下地層として使用可能である。他の型の
六方晶ＳｉＣはｃ軸方向の結晶の並び方がウルツ鉱型結
晶とは異なる。
【００４１】表２に示したように、２Ｈ−ＳｉＣのｃ軸
方向の格子定数ｃ0 は５．０５Åであり、ＧａＮおよび
ＩｎＮのｃ軸方向の格子定数ｃ0 はそれぞれ５．１９Å
および５．７０Åである。したがって、２Ｈ−ＳｉＣに
不純物元素を添加することにより２Ｈ−ＳｉＣ結晶の格
子定数ｃ0 をＧａＮまたはＩｎＮの格子定数ｃ0 と一致
させることができる。
方向の格子定数ｃ0 は５．０５Åであり、ＧａＮおよび
ＩｎＮのｃ軸方向の格子定数ｃ0 はそれぞれ５．１９Å
および５．７０Åである。したがって、２Ｈ−ＳｉＣに
不純物元素を添加することにより２Ｈ−ＳｉＣ結晶の格
子定数ｃ0 をＧａＮまたはＩｎＮの格子定数ｃ0 と一致
させることができる。
【００４２】なお、表２に示したように、ＡｌＮのｃ軸
方向の格子定数ｃ0 は２Ｈ−ＳｉＣのｃ軸方向の格子定
数ｃ0 よりも小さいので、２Ｈ−ＳｉＣに不純物元素を
添加することにより２Ｈ−ＳｉＣの格子定数ｃ0 をＡｌ
Ｎの格子定数ｃ0 と一致させることはできない。したが
って、２Ｈ−ＳｉＣ基板または２Ｈ−ＳｉＣ成長層の
｛１０１０｝面または｛１１２０｝面を成長面とする場
合、ＡｌＮは成長層として適当ではない。
方向の格子定数ｃ0 は２Ｈ−ＳｉＣのｃ軸方向の格子定
数ｃ0 よりも小さいので、２Ｈ−ＳｉＣに不純物元素を
添加することにより２Ｈ−ＳｉＣの格子定数ｃ0 をＡｌ
Ｎの格子定数ｃ0 と一致させることはできない。したが
って、２Ｈ−ＳｉＣ基板または２Ｈ−ＳｉＣ成長層の
｛１０１０｝面または｛１１２０｝面を成長面とする場
合、ＡｌＮは成長層として適当ではない。
【００４３】したがって、不純物元素が添加された２Ｈ
−ＳｉＣ基板または２Ｈ−ＳｉＣ成長層を下地層として
用い、２Ｈ−ＳｉＣ基板または２Ｈ−ＳｉＣ成長層の
｛１０１０｝面上または｛１１２０｝面上にＧａＮ、Ｉ
ｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮまたはＩｎ
ＡｌＧａＮからなる成長層をエピタキシャル成長させて
もよい。この場合にも、成長層と下地層の格子定数ｃ0
がそれらの界面でほぼ完全に格子整合し、成長層の結晶
性が向上する。
−ＳｉＣ基板または２Ｈ−ＳｉＣ成長層を下地層として
用い、２Ｈ−ＳｉＣ基板または２Ｈ−ＳｉＣ成長層の
｛１０１０｝面上または｛１１２０｝面上にＧａＮ、Ｉ
ｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＮまたはＩｎ
ＡｌＧａＮからなる成長層をエピタキシャル成長させて
もよい。この場合にも、成長層と下地層の格子定数ｃ0
がそれらの界面でほぼ完全に格子整合し、成長層の結晶
性が向上する。
【００４４】不純物元素としては、上記と同様に、アク
セプタとなるＡｌの他、炭素よりも大きな原子サイズ
（ＳｉＣ結晶中の不純物元素の原子サイズ）を有する他
の不純物元素を用いることができる。例えば、Ｂｅ、Ｇ
ａ、Ｓｃ、Ｔｉ、ＣｒまたはＯを用いてもよい。このう
ち、Ｂｅ、ＧａおよびＳｃはアクセプタとなり、Ｃｒは
ドナーとなる。なお、上記不純物元素以外の不純物元素
も同時に添加して導電型を決定してもよい。
セプタとなるＡｌの他、炭素よりも大きな原子サイズ
（ＳｉＣ結晶中の不純物元素の原子サイズ）を有する他
の不純物元素を用いることができる。例えば、Ｂｅ、Ｇ
ａ、Ｓｃ、Ｔｉ、ＣｒまたはＯを用いてもよい。このう
ち、Ｂｅ、ＧａおよびＳｃはアクセプタとなり、Ｃｒは
ドナーとなる。なお、上記不純物元素以外の不純物元素
も同時に添加して導電型を決定してもよい。
【００４５】なお、２Ｈの｛０００１｝面、２Ｈの｛１
０１０｝面または２Ｈの｛１１２０｝面から０〜１０°
を傾斜した成長面を有するＳｉＣ基板またはＳｉＣ成長
層を下地層として用いてもよい。
０１０｝面または２Ｈの｛１１２０｝面から０〜１０°
を傾斜した成長面を有するＳｉＣ基板またはＳｉＣ成長
層を下地層として用いてもよい。
【００４６】上記のように、本発明は、ＧａＮ、ＡｌＮ
もしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層を有
する半導体装置に適用される。本発明は、発光ダイオー
ド、半導体レーザ装置等の半導体発光素子およびその他
の種々の半導体装置に適用することができる。
もしくはＩｎＮまたはこれらの混晶からなる成長層を有
する半導体装置に適用される。本発明は、発光ダイオー
ド、半導体レーザ装置等の半導体発光素子およびその他
の種々の半導体装置に適用することができる。
【００４７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガリウ
ム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを
含む窒化物半導体からなる成長層と不純物元素が添加さ
れた炭化ケイ素からなる下地層とがほぼ完全に格子整合
するので、成長層の結晶性が良好となり、格子欠陥が少
なくなる。その結果、半導体装置の特性が向上し、素子
寿命が長くなる。
ム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも１つを
含む窒化物半導体からなる成長層と不純物元素が添加さ
れた炭化ケイ素からなる下地層とがほぼ完全に格子整合
するので、成長層の結晶性が良好となり、格子欠陥が少
なくなる。その結果、半導体装置の特性が向上し、素子
寿命が長くなる。
【００４８】また、炭化ケイ素からなる下地層が導電性
およびへき開性を有するので、半導体装置の構造および
製造工程が複雑化せず、かつウエハ上に作製された各素
子をへき開により分離することも可能となる。
およびへき開性を有するので、半導体装置の構造および
製造工程が複雑化せず、かつウエハ上に作製された各素
子をへき開により分離することも可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例による半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図２】Ｓｉ融液中のＡｌ添加量と格子定数ａ0 の拡大
率との関係の測定結果を示す図である。
率との関係の測定結果を示す図である。
【図３】六方晶の単位格子を示す図である。
【図４】第１の実施例によるＧａＮ系発光ダイオードの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例による半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施例による半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施例による半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図８】従来の半導体装置の構造の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図９】従来の半導体装置の構造の他の例を示す断面図
である。
である。
【図１０】従来の半導体装置の構造のさらに他の例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１１】従来のＧａＮ系発光ダイオードの構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図１２】ＧａＮおよびＡｌＮの格子およびサファイア
の格子を示す図である。
の格子を示す図である。
１０，１１，１３ ６Ｈ−ＳｉＣ基板 １２，１４ ６Ｈ−ＳｉＣ成長層 ２０ ＧａＮ成長層 ２１ ｐ型ＧａＮ層 ２２ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 ２３ ｎ型ＩｎＧａＮ発光層 ２４ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 ２５ ｎ型ＧａＮ層
Claims (3)
- 【請求項１】 炭素よりも大きな原子サイズを有する不
純物元素が添加された炭化ケイ素からなる下地層上に、
ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも
１つを含む窒化物半導体からなる成長層が形成されたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記不純物元素は、アルミニウム、ベリ
リウム、ガリウム、スカンジウム、チタン、クロムまた
は酸素であることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 前記下地層は、｛０００１｝成長面、
｛１０１０｝成長面、｛１１２０｝成長面または｛１１
１｝成長面を有する炭化ケイ素基板または前記炭化ケイ
素基板上にエピタキシャル成長した炭化ケイ素層である
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11088795A JPH08306958A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11088795A JPH08306958A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306958A true JPH08306958A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14547217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11088795A Pending JPH08306958A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306958A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734091B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-05-11 | Kopin Corporation | Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors |
| JP2004342810A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置 |
| US6881983B2 (en) | 2002-02-25 | 2005-04-19 | Kopin Corporation | Efficient light emitting diodes and lasers |
| US6911079B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-06-28 | Kopin Corporation | Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors |
| US6984840B2 (en) | 1998-05-18 | 2006-01-10 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device having an epitaxial layer of III-V compound semiconductor material containing N as a group V element |
| JP2009026956A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子、発光素子のための基板生産物、および発光素子を作製する方法 |
| JP2014063862A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-05-09 JP JP11088795A patent/JPH08306958A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2014063862A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US9172017B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9331235B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |