JP4960621B2 - 窒化物半導体成長基板及びその製造方法 - Google Patents
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(第1の実施の形態の構成)
図1は、第1の実施の形態に係る窒化物半導体成長基板の構造を示す図である。窒化物半導体成長基板1は、ガリウム酸化物基板であるGa2O3系半導体基板2と、このGa2O3系半導体基板2の上に水素キャリアにより所定の面方位に形成された窒化物半導体であるGaN系化合物半導体のバッファ層3とから構成される。
結晶成長は、化合物半導体の結晶成長に最も実績のあるMOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法を用いて行なう。結晶成長原料は、Ga原料としてはトリメチルガリウム(TMG)を、窒素原料としてはアンモニアをそれぞれ使用する。例えば、成長圧力は、100torr、アンモニア流量は、1200sccm(=standard cc/min)である。成長炉に入れる前の基板の洗浄前処理は、硝酸処理、純水置換洗浄、流水洗浄、超音波洗浄等により行う。
図2は、ウルツ鉱構造GaNの結晶構造を示すものである。ナイトライド系半導体は、主に六方晶ウルツ鉱構造が安定となる。白丸がGa原子、黒丸が窒素原子を表している。従来の窒化物半導体のバッファ層は、面方位がc面:(0001)となって成長しているので、このバッファ層の上に窒化物半導体のエピタキシャル層をさらに成長させると、バッファ層の面方位に倣い成長するので、成長したエピタキシャル層もc面:(0001)となる。(0001)面方位を持つエピタキシャル層は、Ga原子及び窒素原子が分極構造になり、この面方位を持つ窒化物半導体成長基板により発光素子を形成しても、光りにくく、また、発光効率が低下する。
第1の実施の形態に係る窒化物半導体成長基板と同様に、窒化物半導体成長基板1は、ガリウム酸化物基板であるGa2O3系半導体基板2と、このGa2O3系半導体基板2の上にヘリウムキャリアにより所定の面方位に形成された窒化物半導体であるGaN系化合物半導体のバッファ層3とから構成される。
結晶成長は、化合物半導体の結晶成長に最も実績のあるMOVPE法を用いて行なう。結晶成長原料は、Ga原料としてはトリメチルガリウム(TMG)を、窒素原料としてはアンモニアをそれぞれ使用する。例えば、成長圧力は、100torr、アンモニア流量は、1200sccmである。成長炉に入れる前の基板の洗浄前処理は、硝酸処理、純水置換洗浄、流水洗浄、超音波洗浄等により行う。
図3(b)は、第2の実施の形態により得られる窒化物半導体のバッファ層の面方位を表す図であり、(1−101)面が得られる。従って、本発明の実施の形態によれば、上記のように所定のバッファ層面方位が得られ、このバッファ層を有する窒化物半導体成長基板により発光素子を形成すれば、分極が小さくなり、発光効率の大きな発光素子を得ることが可能となる。
2 Ga2O3系半導体基板
3 バッファ層
Claims (4)
- ガリウム酸化物基板と、
前記ガリウム酸化物基板上に600℃以下の成長温度条件で、水素キャリアにより所定の面方位に形成された窒化物半導体のバッファ層と、を有し、
前記ガリウム酸化物基板は、β−Ga 2 O 3 基板であり、
前記窒化物半導体のバッファ層は、GaNバッファ層であり、
前記所定の面方位は、(1−100)面である窒化物半導体成長基板。 - ガリウム酸化物基板と、
前記ガリウム酸化物基板上に600℃以上の成長温度条件で、ヘリウムキャリアにより所定の面方位に形成された窒化物半導体のバッファ層と、を有し、
前記ガリウム酸化物基板は、β−Ga 2 O 3 基板であり、
前記窒化物半導体のバッファ層は、GaNバッファ層であり、
前記所定の面方位は、(1−101)面である窒化物半導体成長基板。 - ガリウム酸化物基板を準備する工程と、
前記ガリウム酸化物基板上に、600℃以下の成長温度条件の下で、水素キャリアにより所定の面方位の窒化物半導体層をバッファ層として形成する工程とを有し、
前記ガリウム酸化物基板は、β−Ga 2 O 3 基板であり、
前記窒化物半導体のバッファ層は、GaNバッファ層であり、
前記所定の面方位は、(1−100)面である窒化物半導体成長基板の製造方法。 - ガリウム酸化物基板を準備する工程と、
前記ガリウム酸化物基板上に、600℃以上の成長温度条件の下で、ヘリウムキャリアにより所定の面方位の窒化物半導体層をバッファ層として形成する工程とを有し、
前記ガリウム酸化物基板は、β−Ga 2 O 3 基板であり、
前記窒化物半導体のバッファ層は、GaNバッファ層であり、
前記所定の面方位は、(1−101)面である窒化物半導体成長基板の製造方法。
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