JP2006232639A - 窒化物系半導体の気相成長方法とそれを用いた窒化物系半導体エピタキシャル基板並びに自立基板、及び半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】MOVPE法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する
【解決手段】MOVPE法において一定条件下でV/III比を下げることにより、10μm/Hr以上の成長速度が得られ、またこれをR面サファイア基板上のA面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、A面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。
【選択図】図3

Description

本発明は、窒化物系半導体の気相成長方法、窒化物系半導体からなるエピタキシャル基板、窒化物系半導体基板及び、それを用いた半導体装置に関するものである。
窒化アルミニウム(以下、AlNという。)、窒化ガリウム(以下、GaNという。)、窒化インジウム(以下、InNという。)、あるいは、それらの混晶である窒化アルミニウムガリウムインジウム(以下、AlGa1−x−yInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)という。)などの窒化物系半導体は受発光素子や電子走行素子に用いることができるため、近年、その結晶成長や半導体装置への応用について、幅広く研究がなされており、発光ダイオード、レーザダイオードに関しては、既に実用化されているものもある。
窒化物系半導体は大型のバルク単結晶が成長できないため、一般的には、(0001)サファイア(以下C面サファイアという)、(11-20)サファイア、もしくは、(0001)4H-SiC、(0001)6H-SiCなどの基板を用いてヘテロエピタキシャル成長させている。
エピタキシャル成長の方法としては、有機金属気相成長(MOVPE) 法、分子線エピタキシー(MBE)法、ハライド気相成長(HVPE)法などがあり、一般的にはMOVPE法が用いられている。
MOVPE法によって基板表面上にエピタキシャル成長させるには、反応炉内で加熱状態にある基板に、複数の原料ガスを含んだキャリアガスを送り込み、これらの原料ガスを基板上で熱分解させることによって行われる。III −V族化合物半導体の結晶をMOVPE法によって成長させる場合、V族族原料はアルシン(AsH3 )やアンモニア(NH3 )といったV族元素の水素化物、III 族原料はトリメチルガリウム(TMG)やトリメチルアルミニウム(TMA)といったIII 族元素の有機金属化合物で供給される。結晶の成長速度は、一般的にIII 族原料の供給量に依存する物質輸送律速である。この為、V族原料はV/III 比(V族元素とIII 族元素のモル流量比)が数百〜数千になる程大量に流している(特許文献1、非特許文献1参照)。
V族元素をこのように大量に供給している理由は、基板上にV族原料が分解してできるV族元素を十分に供給しておく必要があるからである。
ここでGaまたはInを主成分とするIII−V族窒化物系半導体の成長速度について、従来は以下のように考えられていた。
III族元素の平衡分圧はV/III比の増加と共に減少する。従って、窒化物の析出の駆動力はV/III比の増加と共に増加する。即ち、V/III比が大きいほど成長速度は速いと考えられてきた。また、V/III比の小さい領域では成長温度が高いほどエッチングモードが支配的になり、成長速度は抑制されると考えられて来た(非特許文献2参照)。
この為、従来はIII−V族のエピタキシャル成長には非常に大きなV/III比が必要と考えられ、そのように実施されて来た。
また、成長速度が比較的速い成長方法としてHVPE法が知られている。HVPE法は一般的には数十〜数百μm/Hrと高速であるが、MPVPE法と比較して基板結晶と窒化物系半導体成長界面の制御が難しいと言う欠点がある(特許文献2参照)。
特開平8−97149号公報 特開2004−296640号公報 Japanese Journal of Applied Physics, Vol.32 (1993) L16-L19 III族窒化物半導体 赤崎勇編著 培風館 (1999) 69-74
前記のように、従来の方法によってMOVPE法によって基板表面上にエピタキシャル成長させるには、V族原料をV/III 比(V族元素とIII 族元素のモル流量比)が数百〜数千になる程大量に流す必要がある。
しかし、これほど大量に原料ガスを流しても得られる窒化物系半導体の成長速度はおよそ1〜3μm/Hr程度であり、MOVPE法で成長速度をこれ以上に大きくすることは困難であった。
また、大量に原料ガスを流すことにより、結晶成長の制御が困難であると言う問題が有り、また、原料の利用効率が悪い、除害装置が大型化するなど様々な問題が有った。
また、前述のようにV/III比を数百〜数千程度に大きくしても成長速度はせいぜい1〜3μm/Hr程度と低く制約を受けていた。
例えば、MOVPE法を用いた場合、成長条件を適切に選ぶことにより横方向成長をさせることができ、これにより成長させた窒化物系半導体の転位密度を低減させることができる。
しかし、成長速度が遅いために数十μm以上の厚い膜を成長させるのには不向きであり、また厚膜成長により更に転位密度を低減させることは困難であった。また、近年サファイア基板上に窒化物系半導体を厚膜成長させ、その後サファイア基板を除去して窒化物半導体のバルク基板を作製することも行われるようになってきたが、このような用途にも不向きであった。
また、前述のようにHVPE法は成長速度が比較的速く、一般的には数十〜数百μm/Hrと高速であるが、MPVPE法と比較して基板結晶と窒化物系半導体成長界面の制御が難しいと言う問題がある。
このように従来のエピタキシャル成長方法にはそれぞれ長所と欠点があり、一つの方法だけで望ましい成長速度および成長モードを自由に駆使することは困難であった。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、MOVPE法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。
また、本発明の別の目的は前記エピタキシャル成長方法により製造した窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体基板及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
前述のように、従来MOVPE法において成長速度はV/III比に比例すると考えられ、この為数百〜数千と言う大きなV/III比が用いられてきたが、大きな成長速度が得られないと言う課題が有った。
従来V/III比を大きく取らなければ成らなかった理由は、前述の通りであるが、これはIII族原料の供給分圧を一定に保った場合の結果である。
この為、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、逆にV/III比を下げることによって従来よりも大幅に成長速度を大きくする事ができることを見出した。
即ち、V/III比を下げるに際にIII族原料の供給分圧を一定にせず、相対的にIII族原料の流量を増やすことにより、成長速度を大きくすることが可能であることを見出したのである。つまり、成長プロセスに用いる水素分圧(水素ガスとイナートガス(窒素)の混合ガス中の水素ガス圧の比率)に比例してIII族原料の供給圧力を大きく取ることによって、小さいV/III比でも成長速度の増大をもたらすことが出来たのである。
即ち本発明は、主面をR面とするサファイア基板上に、主面をA面とする窒化物系半導体層を形成する窒化物系半導体気相成長方法において、前記窒化物系半導体層を形成するIII族元素に対するV族元素のモル流量比を0.01〜100の範囲とすることを特徴とする。
前記窒化物系半導体気相成長方法が有機金属気相成長方法を用いており、かつ窒化物系半導体層の成長速度が1時間当たり10μmより大きいことを特徴とする。
前記窒化物系半導体層を積層した後、連続して他の半導体素子層を積層することを特徴とする。
前記他の半導体素子層を形成するIII族元素に対するV族元素のモル流量比を600〜3000の範囲として積層することを特徴とする。
前記請求項1〜4の何れかに記載の窒化物系半導体成長方法により窒化物系半導体を作製したことを特徴とする。
前記窒化物系半導体層の主面がA面あるいはA面から0°<θ≦5°の範囲で傾斜した方位を持つことを特徴とする。
前記窒化物系半導体の主面が、該窒化物系半導体の主面内のM軸を回転軸として傾斜したものであることを特徴とする。
前記窒化物系半導体が少なくともGaNから成ることを特徴とする。
前記窒化物系半導体が少なくともAlNから成ることを特徴とする。
前記窒化物系半導体が少なくともAlGa1−XN(0<X<1)から成ることを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
前記窒化物系半導体が少なくともAlGa1−x−yInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)から成ることを特徴とする。
前記窒化物系半導体の2乗根平均表面粗さが0.1nm〜10nmであることを特徴とする。
前記窒化物系半導体エピタキシャル基板上に半導体構造または半導体多層膜構造を有することを特徴とする。
前記請求項5〜13の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板から窒化物系半導体層を分離して作製することを特徴とする。
前記窒化物系半導体自立基板上に半導体多層膜構造を有することを特徴とする。
前記窒化物系半導体自立基板の厚みが30μm〜2mmであることを特徴とする。
請求項5〜13の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板上に半導体素子構造を有したことを特徴とする。
請求項14〜16の何れかに記載の窒化物系半導体自立基板上に半導体素子構造を有することを特徴とする。
以上のように、MOVPE法において一定条件下でV/III比を下げることにより、10μm/Hr以上の成長速度が得られる。またこれをR面サファイア基板上のA面窒化物半導体層の成長に適用することにより、A面窒化物半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用が可能である。
即ち本発明によれば、R面サファイア基板上に主面がA面の窒化物系半導体を少なくとも有するエピタキシャル基板の窒化物系半導体気相成長方法において、前記R面サファイア基板上にA面窒化物系半導体を積層するIII族元素に対するV族元素のモル流量比を0.01〜100の範囲とした窒化物系半導体気相成長方法とすることにより成長レートの高いエピタキシャル成長を行うことができる。
また、前記窒化物系半導体気相成長方法を有機金属気相成長方法とした場合、その成長速度を1時間当たり10μmより大きくする事ができる。これは従来の方法の10倍以上早い成長速度である。
また本発明によれば、前記主面がA面の窒化物系半導体を積層した後、連続して他の半導体素子構造を積層することができるので、成長炉から基板を取り出すことなく一連のエピ成長を行うことが出来るので、製造工程が短縮出来ると言うメリットがある。
また本発明によれば、前記他の半導体素子構造をIII族元素に対するV族元素のモル流量比を0.01〜100の範囲として窒化物半導体層を積層した後、連続して600〜3000の範囲として積層することのより、結晶性の良い窒化物半導体層を効率よく作製することができる。
また、前記の窒化物系半導体成長方法により作製した基板を用いてさらにその上に窒化物系半導体あるいは窒化物系半導体構造をを成長させる為の窒化物半導体エピタキシャル基板とすることができる。
またR面サファイア基板上に窒化物系半導体を積層してなる窒化物系半導体エピタキシャル基板において、当該窒化物系半導体の主面がA面あるいはA面から0°<θ≦5°の範囲で傾斜した方位を持つ窒化物系半導体エピタキシャル基板とすることにより、その表面の粗さを非常に平滑な物とすることができる。
また、前記窒化物系半導体の主面であるA面から傾斜した方向が前記窒化物系半導体のC軸方向である窒化物系半導体エピタキシャル基板とすることにより、その表面の粗さをさらに平滑なものにすることができ、例えば前記エピタキシャル基板の二乗根平均表面粗さを0.1nm〜10nmとすることができる。
また本発明によれば、前記窒化物系半導体エピタキシャル基板を構成する窒化物系半導体を少なくともGaN、AlN、AlGa1−XN(0<X<1)、AlGa1−x−yInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)を含む窒化物半導体層から成るものとする事ができる。この窒化物系半導体エピタキシャル基板を用いて発光素子やFET、エンハンスメント型電界効果トランジスタ、パワーデバイスなどの半導体装置を作製することが出来る。
また本発明による窒化物系半導体エピタキシャル基板は、その二乗根平均表面粗さが0.1nm〜10nmであるので、その上に作製する窒化物系半導体エピタキシャル層の表面の粗さも小さいものとする事が出来、結晶欠陥も少ない物とする事ができる。
また本発明によれば、前記の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板に対して公知のレーザリフトオフ法あるいは研磨法を用いてのR面サファイア基板を除去して窒化物系半導体部分を分離し、窒化物系半導体自立基板を作製することができる。この時、R面サファイア基板を除去して分離した窒化物系半導体自立基板はR面サファイア基板を除去した面の面粗度が粗い場合があるので、必要に応じて研磨などを行い、平坦にする処理を行っても良い。このようにして作製した窒化物系半導体自立基板の厚みは30μm以上2mm以下であることが望ましい。これは、30μm以下であるとその取り扱いが困難であり、取り扱い中に窒化物系半導体自立基板が割れたり、破損したりする可能性があるためである。また、当該窒化物系半導体自立基板を用いての窒化物系半導体装置を作製する際に多くても2mmの厚みが有れば十分使用することが出来、また、2mm以上の厚みとすると、経済的にも無駄となる。この為、当該窒化物系半導体自立基板の厚みは30μm以上2mm以下で有れば良い。
このようにして作製した窒化物系半導体自立基板は、サファイア基板を除去した物であるので、サファイア基板を除去しない窒化物系半導体エピタキシャル基板と比較して熱伝導率が高い物である。この為、例えば当該窒化物系半導体自立基板を用いて高輝度LEDやパワーデバイスなどを作製するときに問題となる発熱による性能の劣化の問題を回避することができる。例えばLEDやパワーデイスを銅やアルミニウム等の熱伝導率の高い金属に貼り付ける等によって放熱性を高める事が出来る。
また本発明によれば、前記の何れかに記載の窒化物系エピタキシャル基板上に半導体構造または半導体多層膜構造を有する窒化物系半導体エピタキシャル基板を作製することが出来、また、前記の何れかに記載のR面サファイア基板を除去して作製した窒化物系半導体自立基板上に半導体構造または半導体多層膜構造を有する窒化物系半導体自立基板を作製する事もできる。
また本発明によれば、このようにして作製した、窒化物系半導体エピタキシャル基板上または窒化物系半導体自立基板上に半導体素子構造を有する半導体装置を作製することができる。このようにして発光素子やFET、エンハンスメント型電界効果トランジスタ、パワーデバイスなどの窒化物系半導体装置を作製することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
一般にMOVPE成長の成長速度はIII族原料の供給量に依存する物質輸送律速であり、供給原料のV/III比に依存するが、それだけではなく供給原料のIII族分圧にも依存する。この傾向は特にMOVPE成長時の水素分圧(水素ガスとイナートガス(窒素)の混合ガス中の水素ガス圧の比率)が高くなると顕著である。
図1にMOVPE成長時に水素分圧を0.5とした時にエピ成長が起きる限界値を示す。
図1では、GaNのエピ成長が起きる最小の供給III族分圧と最小の供給V/III比が示されている。図1に示すプロットより右上の領域でエピ成長が起こり、左下の領域ではエピ成長が起きにくいことを示している。
このように、供給III族分圧を100Pa(約1×10−3気圧)以上に上げてやることにより、V/III比が10前後の低い値でも十分早い成長速度を得られる条件を見出すことが出来た。
前記の条件でGaNの成長を行った場合、成長速度は55μm/Hrと従来の10倍以上の速度が得られる。
また、この方法と従来の方法を組み合わせて、サファイア基板上に成長させる窒化物系半導体の第1層は従来の大きなV/III比の条件で成長させ、その上に本発明の小さなV/III比の条件で厚い膜を成長させることにより、転位密度の低いエピタキシャル基板を作製することが出来る。この方法は、溝加工などの凹凸を作製したサファイア基板上に窒化物系半導体を形成するいわゆる横方向成長を行い転位密度の低いエピタキシャル基板を作製する際にも適用することが出来る。即ち、溝加工等を施したサファイア基板にバッファ層形成後、第1層は従来の大きなV/III比の条件で成長させ、その上に本発明の小さなV/III比の条件で厚い膜を成長させることにより、更に転位密度の低いエピタキシャル基板を作製することも出来る。
また、バッファ層を形成することなく、最初にV/III比を10程度として高速で2〜20μm程度の厚く、転位密度の低い窒化物系半導体層を形成した後、引き続き連続してV/III比を1000程度として、一般的な窒化物系半導体素子構造を形成して、エピタキシャル基板を作成することも出来る。
以上のように本発明にかかる窒化物系半導体気相成長方法をR面サファイア基板に適用することにより、また、本発明と従来の公知の方法とを組み合わせることにより、高品質のA面窒化物系半導体エピタキシャル基板を作製することが出来る。
また、本発明にかかる窒化物系半導体気相成長方法を用いてR面サファイア基板上に窒化物系半導体を積層した窒化物系半導体エピタキシャル基板において、当該窒化物系半導体の主面がA面あるいはA面から0°<θ≦5°の範囲でオフした方位を持つようにR面サファイア基板の方位を選択することにより、当該窒化物系半導体の表面の面粗さを10nm以下の平坦な面にする事ができる。
さらに、前記窒化物系半導体の主面であるA面からのオフ方向がC軸方向であるようにR面サファイア基板の方位を選択することにより、さらに平坦な面を得ることが出来る。
また本発明にかかる窒化物系半導体気相成長方法を用いてR面サファイア基板上に窒化物系半導体を積層した窒化物系半導体エピタキシャル基板において、積層する窒化物系半導体としては、少なくともGaN、AlN、AlGa1−XN(0<X<1)、AlGa1−x−yInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の何れか、あるいはこれらの組み合わせを用いることが出来る。
また、このようにして作製した窒化物系半導体エピタキシャル基板は非常に平坦な物であり、その二乗根平均表面粗さは0.1nm〜10nmであった。
また、本発明にかかる窒化物系半導体気相成長方法を用いてR面サファイア基板上に更に半導体多層膜構造を形成し窒化物系半導体エピタキシャル基板とすることも出来る。
また本発明にかかる窒化物系半導体気相成長方法を用いてR面サファイア基板上に窒
化物系半導体を積層した後、レーザリフトオフ法などの公知の方法により、当該R面サファイア基板を除去してA面窒化物系半導体の自立基板を得ることも出来る。このようにして得られたA面窒化物系半導体の自立基板を研磨することにより、後の半導体素子形成に必要な平坦性を得ることが出来る。このようにして作製した窒化物系半導体自立基板は結晶欠陥が少なく、またピエゾ電界の影響の無い半導体基板である。
この時前記の自立基板の厚みは取り扱いのし易さから30μm以上の厚みが必要であり、また後の半導体素子構造の形成に必要な厚みとして2mm以下であれば十分である。
また、前記の何れかに記載の窒化物系半導体自立基板上に半導体構造または半導体多層膜構造を形成し窒化物系半導体自立基板とすることも出来る。
さらに前記の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板を用いて半導体素子構造を有する半導体装置を作製する事もできる。具体的には、発光素子やFET、エンハンスメント型電界効果トランジスタ、パワーデバイスなどの半導体装置を作製することが出来る。
また、前記の何れかに記載の窒化物系半導体自立基板を用いて半導体素子構造を有する半導体装置を作製する事もできる。具体的には、発光素子やFET、エンハンスメント型電界効果トランジスタ、パワーデバイスなどの半導体装置を作製することが出来る。
(実施例1)
図2に本発明の第1の実施例で用いたMOVPE装置の模式図を示す。図2において、1はV族の原料であるアンモニアの高圧ボンベ、2はIII族原料である有機金属のTMGのバブラー、3、4、5、6は原料ガスを制御するマスフローコントローラ(MFC)、7は基板となるサファイア基板、8は基板加熱用の炭素ヒーター、9は反応管、10は排気配管である。
アンモニアは高圧ボンベ1よりMFC5を用いて流量制御し、反応管9に供給した。有機金属のTMGはMFC6により制御された水素によりバブリングし、供給した。
EFG法により作製したR面サファイア基板を洗浄後、MOVPE装置に装着し、窒素ガス主成分雰囲気下で1100℃まで昇温し、サーマルクリーニングを行った。加熱は、炭素ヒーター8による輻射加熱を用いた。次に温度を1000℃とし、III族原料としてトリメチルガリウム(以下TMG)を、V族原料としてアンモニアを流し、厚さ100nmのAlGaN層を成長させた。
続いて温度を1100℃に昇温しIII族原料としてTMGを、V族原料としてアンモニアを流した。TMGの流量は30μmol/min、アンモニアの流量は6.7sccmとし、キャリアガスとして窒素を5SLM、水素を5SLMそれぞれ流し、GaNのエピタキシャル基板を作製した。この時の、V/III比は約10、III族原料の分圧は200Paであった。この時の成長時間は1時間で、成長速度は55μm/hrであった。このような条件で成長したGaN薄膜の表面状態は極めて良好であった。このようにして作製いたエピタキシャル基板の二乗根平均表面粗さがは1nmであった。
また、本実施例ではGaNについて説明したが、本発明の方法は用いる原料ガスの選択により、AlN、AlGa1−XN(0<X<1)、AlGa1−x−yInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)などの他の窒化物系半導体にも応用できることは言うまでもない。
(実施例2)
図3に本発明の第2の実施例のMOVPE装置を示す。図3において、1〜10は第1の実施例で示した図2と同じ構成である。第2の実施例の特徴は新たにアンモニアの配管にマスフローコントローラーMFC11を追加した事である。
アンモニアの配管にMFC5とMFC11の2つのマスフローコントローラーを設置することにより、アンモニアの流量を1〜10SCCMおよび1〜10SLMの2種類の流量を選択することが出来た。
これにより、一つのMOVPE装置で複数のV/III比を用いることができる。これは、1回のプロセスで通常の成長速度と本発明による高速の成長速度とを任意に組み合わせて選択することが出来ると言う特徴を有する。なお、ここではMFC5とMFC11の流量として前記の値を例示したが、他の任意の流量の組み合わせも自由に選択できることは言うまでもない。
(実施例3)
第3の実施例においては、図3に示すV属原料の供給経路を複数持つMOVPE装置において、エピタキシャル成長中に流すV属原料の最大流量に対する最小流量の比率が5倍以上30万倍以下の範囲で任意に切り替えることが可能なようにマスフローコントローラMFC5とMFC11の流量を設定した。
この装置を用いてR面サファイア基板上にMOVPEエピタキシャル層を成長させ、LED構造を作製した。
先ず、EFG法により作製したR面サファイア基板を洗浄後、MOVPE装置に装着し、窒素ガス主成分雰囲気下で1100℃まで昇温し、サーマルクリーニングを行った。次に温度を500℃まで下げ、III族原料としてトリメチルガリウム(以下TMG)を、V族原料としてアンモニアを流し、厚さ30nmのAlGaN低温バッファ層を成長させた。
続いて温度を1100℃に昇温しIII族原料としてTMGを、V族原料としてアンモニアを流し、ドーパントとしてシランガスを流し、n型GaN層(コンタクト層)を成長させた。なお、図3にはドーパントやその他のガスラインは省略して書いてあるが、通常のLEDの製造に用いられるガスラインとして一般的な物は全て備えた装置を用いた。
この時、TMGの流量は30μmol/min、アンモニアの流量は2SLMとし、キャリアガスとして窒素を5SLM、水素を5SLM、3ppmのシランガスを例えば20ccmそれぞれ流してR面サファイア基板上に0.5μmの厚さまでn型GaN層を成長させた。この時のV/III比は約3000であった。
これに続いてアンモニアの流量を6.7sccm、3ppmのシランガスの流量を例えば20ccmとし、その他のガス流量は前記同様で前記0.5μmのn型GaN層の上に連続してn型GaN層を5μmの厚さまで成長させた。
さらに続いて、アンモニアのガス量を2SLMとして、n型AlGaNクラッド層、InGaN発光層(MQW構造)、p型AlGaNクラッド層、p型GaNコンタクト層を順に形成した。さらに、n型コンタクト層を表出させるためのエッチング加工、電極形成、素子分離を行い、LED素子とした。
本発明のエピタキシャル成長条件の実験データを示すグラフである。 本発明のエピタキシャル装置を説明する配線図である。 本発明のエピタキシャル装置の別の例を説明する配線図である。 本発明の半導体装置(発光ダイオード)を示す断面図である。
符号の説明
1 V族の原料であるアンモニアの高圧ボンベ
2 III族原料である有機金属のTMGのバブラー
3 ガス流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)
4 ガス流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)
5 ガス流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)
6 ガス流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)
7 基板となるサファイア基板
8 基板加熱用の炭素ヒーター
9 反応管
10 排気配管
11 ガス流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)
12 サファイア基板
13 n型GaNコンタクト層
14 下部電極
15 n型AlGaNクラッド層
16 GaN系半導体発光層(MQW構造)
17 p型AlGaNクラッド層
18 p型GaNコンタクト層
19 上部電極

Claims (18)

  1. 主面をR面とするサファイア基板上に、主面をA面とする窒化物系半導体層を形成する窒化物系半導体気相成長方法において、前記窒化物系半導体層を形成するIII族元素に対するV族元素のモル流量比を0.01〜100の範囲とすることを特徴とする窒化物系半導体気相成長方法。
  2. 前記窒化物系半導体気相成長方法が有機金属気相成長方法を用いており、かつ窒化物系半導体層の成長速度が1時間当たり10μmより大きいことを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体成長方法。
  3. 前記窒化物系半導体層を積層した後、連続して他の半導体素子層を積層することを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物系半導体気相成長方法。
  4. 前記他の半導体素子層を形成するIII族元素に対するV族元素のモル流量比を600〜3000の範囲として積層することを特徴とする請求項3に記載の窒化物系半導体気相成長方法。
  5. 前記請求項1〜4の何れかに記載の窒化物系半導体成長方法により窒化物系半導体を作製したことを特徴とする窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  6. 前記窒化物系半導体層の主面がA面あるいはA面から0°<θ≦5°の範囲で傾斜した方位を持つことを特徴とする請求項5記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  7. 前記窒化物系半導体の主面が、該窒化物系半導体の主面内のM軸を回転軸として傾斜したものであることを特徴とする請求項6記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  8. 前記窒化物系半導体が少なくともGaNから成ることを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  9. 前記窒化物系半導体が少なくともAlNから成ることを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  10. 前記窒化物系半導体が少なくともAlGa1−XN(0<X<1)から成ることを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  11. 前記窒化物系半導体が少なくともAlGa1−x−yInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)から成ることを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  12. 前記窒化物系半導体の2乗根平均表面粗さが0.1nm〜10nmであることを特徴とする請求項5〜11の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  13. 前記窒化物系半導体エピタキシャル基板上に半導体構造または半導体多層膜構造を有することを特徴とする請求項5〜12の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板。
  14. 前記請求項5〜13の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板から窒化物系半導体層を分離して作製することを特徴とする窒化物系半導体自立基板。
  15. 前記窒化物系半導体自立基板上に半導体多層膜構造を有することを特徴とする請求項14に記載の窒化物系半導体自立基板。
  16. 前記窒化物系半導体自立基板の厚みが30μm〜2mmであることを特徴とする請求項15に記載の窒化物系半導体自立基板。
  17. 請求項5〜13の何れかに記載の窒化物系半導体エピタキシャル基板上に半導体素子構造を有したことを特徴とする半導体装置。
  18. 請求項14〜16の何れかに記載の窒化物系半導体自立基板上に半導体素子構造を有することを特徴とする半導体装置。
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