JP3005115B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カラーディスプレー等
に用いられる波長７２０ｎｍから４５０ｎｍ程度の赤色
から青色の光を出すことが可能な半導体発光素子、例え
ば発光ダイオード素子や、高密度光ディスクシステムに
おいて半導体レーザ素子等として用いられる半導体発光
素子に関する。
に用いられる波長７２０ｎｍから４５０ｎｍ程度の赤色
から青色の光を出すことが可能な半導体発光素子、例え
ば発光ダイオード素子や、高密度光ディスクシステムに
おいて半導体レーザ素子等として用いられる半導体発光
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】電流注入型の半導体発光素子は、発光効
率が高いため、小型、高輝度の表示素子や、半導体レー
ザ素子等として広く用いられている。
率が高いため、小型、高輝度の表示素子や、半導体レー
ザ素子等として広く用いられている。
【０００３】フルカラーディスプレーやフルカラーレー
ザプリンターを実現するためには、赤色、緑色、青色の
三原色の発光が必要であるため、赤色から青色の可視光
領域全体で高効率発光可能な発光ダイオード素子および
半導体レーザの開発が進められている。
ザプリンターを実現するためには、赤色、緑色、青色の
三原色の発光が必要であるため、赤色から青色の可視光
領域全体で高効率発光可能な発光ダイオード素子および
半導体レーザの開発が進められている。
【０００４】従来、ｐｎ接合を用いた電流注入型の半導
体発光素子として、例えば、ガリウムヒ素系材料（Ｇａ
Ａｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＰ）等の
III−Ｖ族化合物半導体材料を用いて形成された半導体
発光素子が知られている。しかし、これらの材料は禁制
帯幅が小さいため、これら材料を用いた半導体発光素子
では近赤外から赤色までの領域の発光しか得られなかっ
た。
体発光素子として、例えば、ガリウムヒ素系材料（Ｇａ
Ａｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＰ）等の
III−Ｖ族化合物半導体材料を用いて形成された半導体
発光素子が知られている。しかし、これらの材料は禁制
帯幅が小さいため、これら材料を用いた半導体発光素子
では近赤外から赤色までの領域の発光しか得られなかっ
た。
【０００５】青色の光を出す半導体発光素子を得るに
は、より禁制帯幅の大きな材料を用いる必要がある。
は、より禁制帯幅の大きな材料を用いる必要がある。
【０００６】禁制帯幅の大きな材料として直接遷移型の
窒化ガリウム系（ＧａＮ／ＩｎＧａＡｌＮ）材料が挙げ
られる。しかし、この系の材料はその禁制帯幅が十分に
大きいものの格子整合がとれる適当な半導体基板がな
い。そのため、格子定数が近似しているものの誘電体で
あるサファイア基板等を用いなければならないため電極
の作製が難しい。また、基板とその上に積層された半導
体層との間に大きな歪みが発生するため、素子の信頼性
が十分に得られない。
窒化ガリウム系（ＧａＮ／ＩｎＧａＡｌＮ）材料が挙げ
られる。しかし、この系の材料はその禁制帯幅が十分に
大きいものの格子整合がとれる適当な半導体基板がな
い。そのため、格子定数が近似しているものの誘電体で
あるサファイア基板等を用いなければならないため電極
の作製が難しい。また、基板とその上に積層された半導
体層との間に大きな歪みが発生するため、素子の信頼性
が十分に得られない。
【０００７】また、間接遷移型材料の炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）や不純物発光を用いるリン化ガリウム（ＧａＰ）が
発光ダイオード材料として用いられていた。しかし、こ
れらの材料は直接遷移型のガリウムヒ素系等の材料に比
べると発光効率が悪く、高輝度化が難しい。しかも、Ｓ
ｉＣを用いた場合には、半導体レーザ素子として用い得
る半導体発光素子を作製できない。
Ｃ）や不純物発光を用いるリン化ガリウム（ＧａＰ）が
発光ダイオード材料として用いられていた。しかし、こ
れらの材料は直接遷移型のガリウムヒ素系等の材料に比
べると発光効率が悪く、高輝度化が難しい。しかも、Ｓ
ｉＣを用いた場合には、半導体レーザ素子として用い得
る半導体発光素子を作製できない。
【０００８】上記禁制帯幅の大きな材料としては、セレ
ン化亜鉛系（ＺｎuＣｄ1-u）（ＳvＳｅ1-v）（ｕおよび
ｖは０以上１以下である）に代表されるII−VI族化合物
半導体材料が最も有望なものとして検討されている。こ
のセレン化亜鉛系材料においては、図７に示すように、
高品質の大型基板が得られやすいＧａＡｓと格子定数が
ほぼ一致する材料を得ることが可能であり、すなわちＧ
ａＡｓと格子整合がとれるという大きな特徴がある。
ン化亜鉛系（ＺｎuＣｄ1-u）（ＳvＳｅ1-v）（ｕおよび
ｖは０以上１以下である）に代表されるII−VI族化合物
半導体材料が最も有望なものとして検討されている。こ
のセレン化亜鉛系材料においては、図７に示すように、
高品質の大型基板が得られやすいＧａＡｓと格子定数が
ほぼ一致する材料を得ることが可能であり、すなわちＧ
ａＡｓと格子整合がとれるという大きな特徴がある。
【０００９】しかし、上記セレン化亜鉛系の材料におい
てＧａＡｓと格子整合がとれるという条件のもとでは、
禁制帯幅を変えられる範囲が狭く、４６０ｎｍ〜４７０
ｎｍ程度の青色光しか得ることができない。発光波長を
長くする方法としては、Ｃｄの量を増やし、ＧａＡｓの
格子定数と数％ずれた格子定数を有するＺｎＣｄＳｅ層
を用いて活性層を作製する方法がある。しかし、この方
法では、発光層と基板との間に大きな応力がかかるため
に結晶欠陥が増大する。そのため、発光層を厚く形成す
ることができないため、発光ダイオードとして用い得る
高効率の半導体発光素子を作製することが困難である。
てＧａＡｓと格子整合がとれるという条件のもとでは、
禁制帯幅を変えられる範囲が狭く、４６０ｎｍ〜４７０
ｎｍ程度の青色光しか得ることができない。発光波長を
長くする方法としては、Ｃｄの量を増やし、ＧａＡｓの
格子定数と数％ずれた格子定数を有するＺｎＣｄＳｅ層
を用いて活性層を作製する方法がある。しかし、この方
法では、発光層と基板との間に大きな応力がかかるため
に結晶欠陥が増大する。そのため、発光層を厚く形成す
ることができないため、発光ダイオードとして用い得る
高効率の半導体発光素子を作製することが困難である。
【００１０】特開平１−１７５７８８号公報には、Ｇａ
Ｐ基板上に、該基板と格子整合するカルコパイライト族
化合物半導体であるＣｕ（ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）2材料
を用いて形成した半導体レーザ素子が開示されている。
上記カルコパイライト族化合物半導体は、図７に示すよ
うに、ＧａＰと格子整合可能な組成比の範囲において緑
色から紫外領域の発光が可能である。しかしながら、こ
の半導体レーザ素子においては、ＧａＰと格子整合可能
な組成比の範囲では赤色光は得られず、赤色光を得るた
めには、不純物発光を用いなければならず、変換効率が
よい電流注入型の３原色発光はできない。
Ｐ基板上に、該基板と格子整合するカルコパイライト族
化合物半導体であるＣｕ（ＧａＡｌ）（ＳＳｅ）2材料
を用いて形成した半導体レーザ素子が開示されている。
上記カルコパイライト族化合物半導体は、図７に示すよ
うに、ＧａＰと格子整合可能な組成比の範囲において緑
色から紫外領域の発光が可能である。しかしながら、こ
の半導体レーザ素子においては、ＧａＰと格子整合可能
な組成比の範囲では赤色光は得られず、赤色光を得るた
めには、不純物発光を用いなければならず、変換効率が
よい電流注入型の３原色発光はできない。
【００１１】なお、カルコパイライト族化合物半導体と
は、カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物半導
体のことをいう。
は、カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物半導
体のことをいう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、様々な
材料系の半導体を用いて発光層を形成した半導体発光素
子が提案されているが、上記従来の半導体発光素子のい
ずれにおいても、赤色、緑色、青色の三原色のすべてを
発光できるものはなく、同一系の半導体からなる層を１
つの基板上に形成して作製した半導体発光素子の発光色
にはかなりの制限があるという欠点があった。
材料系の半導体を用いて発光層を形成した半導体発光素
子が提案されているが、上記従来の半導体発光素子のい
ずれにおいても、赤色、緑色、青色の三原色のすべてを
発光できるものはなく、同一系の半導体からなる層を１
つの基板上に形成して作製した半導体発光素子の発光色
にはかなりの制限があるという欠点があった。
【００１３】本発明の目的は、上記欠点を解決しようと
するものであり、品質の高い１つの基板上に同一系の半
導体からなる層を形成することにより作製され、赤色か
ら青色の領域内で高効率発光が可能で、しかも半導体レ
ーザとしても利用し得る半導体発光素子を提供すること
にある。
するものであり、品質の高い１つの基板上に同一系の半
導体からなる層を形成することにより作製され、赤色か
ら青色の領域内で高効率発光が可能で、しかも半導体レ
ーザとしても利用し得る半導体発光素子を提供すること
にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、ＩｎＰ半導体基板上に複数の半導体層を含む積層構
造が形成され、該積層構造が、それぞれカルコパライト
族化合物半導体層であって発光波長がお互いに異なるＡ
ｇＩｎ（ＳzＳｅ1-z）2第１層、ＡｇＧａ（ＳzＳ
ｅ1-z）2第２層、及びＡｇＡｌ（ＳzＳｅ1-z）2第３層
（但しｚは０より大で１未満であり、各層のｚの値は異
なっても良い）を含み、該第１層、該第２層、及び該第
３層の各々の格子定数が該ＩｎＰ半導体基板の格子定数
にほぼ等しく、そのことにより上記目的が達成される。
ある実施形態では、前記第１層、前記第２層、及び前記
第３層が階段形状に形成されており、該第１層、該第２
層、及び該第３層の各々に対する電極が設けられてい
る。他の実施形態では、前記積層構造は、前記ＩｎＰ基
板上に、前記第１層、前記第２層、前記第３層の順に形
成されて成る。そして、前記積層構造は、前記ＩｎＰ基
板と前記第１層との間にＡｇ（Ｉｎ w Ｇａ 1-w ）（Ｓ z Ｓ
ｅ 1-z ） 2 層が設けられると共に、前記第１層と前記第２
層との間にＡｇ（Ｇａ w Ａｌ 1-w ）（Ｓ z Ｓｅ 1-z ） 2 層
（但しｚ，ｗは０より大で１未満であり、各層のｚ，ｗ
の値は異なっても良い）が設けられても良い。例えば、
前記第１層、前記第２層、及び前記第３層が、それぞれ
ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2層、ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓ
ｅ0.51）2層、及びＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2層であ
る。
は、ＩｎＰ半導体基板上に複数の半導体層を含む積層構
造が形成され、該積層構造が、それぞれカルコパライト
族化合物半導体層であって発光波長がお互いに異なるＡ
ｇＩｎ（ＳzＳｅ1-z）2第１層、ＡｇＧａ（ＳzＳ
ｅ1-z）2第２層、及びＡｇＡｌ（ＳzＳｅ1-z）2第３層
（但しｚは０より大で１未満であり、各層のｚの値は異
なっても良い）を含み、該第１層、該第２層、及び該第
３層の各々の格子定数が該ＩｎＰ半導体基板の格子定数
にほぼ等しく、そのことにより上記目的が達成される。
ある実施形態では、前記第１層、前記第２層、及び前記
第３層が階段形状に形成されており、該第１層、該第２
層、及び該第３層の各々に対する電極が設けられてい
る。他の実施形態では、前記積層構造は、前記ＩｎＰ基
板上に、前記第１層、前記第２層、前記第３層の順に形
成されて成る。そして、前記積層構造は、前記ＩｎＰ基
板と前記第１層との間にＡｇ（Ｉｎ w Ｇａ 1-w ）（Ｓ z Ｓ
ｅ 1-z ） 2 層が設けられると共に、前記第１層と前記第２
層との間にＡｇ（Ｇａ w Ａｌ 1-w ）（Ｓ z Ｓｅ 1-z ） 2 層
（但しｚ，ｗは０より大で１未満であり、各層のｚ，ｗ
の値は異なっても良い）が設けられても良い。例えば、
前記第１層、前記第２層、及び前記第３層が、それぞれ
ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2層、ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓ
ｅ0.51）2層、及びＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2層であ
る。
【００１５】
【作用】本発明の半導体発光素子にあっては、高品質の
ＩｎＰ基板を用い、発光部を形成する材料としてＡｇ、
Ｓｅ、ＳならびにＧａ、ＡｌおよびＩｎのうちの少なく
とも１種を含有するカルコパイライト族化合物半導体を
用いる。この半導体においては、赤色から青色の領域内
の光が発振される組成比の範囲内において、基板を形成
するＩｎＰの格子定数とその格子定数が一致するので、
基板に格子整合する半導体層を得られる。さらに、上記
組成比の範囲内で選択される異なる組成比の半導体の間
では、十分に大きな禁制帯幅の差を得ることができるの
で、半導体レーザとして利用できる半導体発光素子が得
られる。
ＩｎＰ基板を用い、発光部を形成する材料としてＡｇ、
Ｓｅ、ＳならびにＧａ、ＡｌおよびＩｎのうちの少なく
とも１種を含有するカルコパイライト族化合物半導体を
用いる。この半導体においては、赤色から青色の領域内
の光が発振される組成比の範囲内において、基板を形成
するＩｎＰの格子定数とその格子定数が一致するので、
基板に格子整合する半導体層を得られる。さらに、上記
組成比の範囲内で選択される異なる組成比の半導体の間
では、十分に大きな禁制帯幅の差を得ることができるの
で、半導体レーザとして利用できる半導体発光素子が得
られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１７】（実施例１）図１は、本発明の半導体発光
素子の一実施例の要部斜視図である。この半導体発光素
子においては、ｎ型ＩｎＰ基板１００上に、ｎ型ＩｎＰ
バッファ層１０１が形成されており、さらにその上に、
それぞれＡｇＧａ（ＳzＳｅ1-z）2層（ｚは０より大で
１未満である）からなるｎ型半導体層１１、ｐ型半導体
層１２が形成されている。ｐ型半導体層１２の上には、
ｐ型ＩｎＰコンタクト層１３が積層形成されている。こ
の積層体においてｎ型ＩｎＰ基板１００側にはＡｕとＳ
ｎからなるオーミック電極１５が、ｐ型ＩｎＰコンタク
ト層１３側にはＡｕ、Ｚｎからなるオーミック電極１４
が蒸着形成されており、これらから素子本体１６が構成
されている。素子本体１６は、ｎ側のオーミック電極１
５を下側にしてステム２５ａ上にマウントされて半導体
チップ２３とされ、ワイア２６によって後述するステム
２５ｂと接続されている。
素子の一実施例の要部斜視図である。この半導体発光素
子においては、ｎ型ＩｎＰ基板１００上に、ｎ型ＩｎＰ
バッファ層１０１が形成されており、さらにその上に、
それぞれＡｇＧａ（ＳzＳｅ1-z）2層（ｚは０より大で
１未満である）からなるｎ型半導体層１１、ｐ型半導体
層１２が形成されている。ｐ型半導体層１２の上には、
ｐ型ＩｎＰコンタクト層１３が積層形成されている。こ
の積層体においてｎ型ＩｎＰ基板１００側にはＡｕとＳ
ｎからなるオーミック電極１５が、ｐ型ＩｎＰコンタク
ト層１３側にはＡｕ、Ｚｎからなるオーミック電極１４
が蒸着形成されており、これらから素子本体１６が構成
されている。素子本体１６は、ｎ側のオーミック電極１
５を下側にしてステム２５ａ上にマウントされて半導体
チップ２３とされ、ワイア２６によって後述するステム
２５ｂと接続されている。
【００１８】上記半導体発光素子の作製方法を、図２を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１９】まず、ウェハー状のｎ型ＩｎＰ基板１００
上に上記した半導体層をそれぞれ積層形成する。この半
導体発光素子における半導体層の成長工程は、例えば、
以下に示すような通常の分子線エピタキシー（ＭＢＥ）
法等を用いて行うことができる。
上に上記した半導体層をそれぞれ積層形成する。この半
導体発光素子における半導体層の成長工程は、例えば、
以下に示すような通常の分子線エピタキシー（ＭＢＥ）
法等を用いて行うことができる。
【００２０】ところで、基板１００の表面には不純物が
付着していたり、該表面を研磨した際に生じた結晶欠陥
等が存在していることが多く、このような状態にある基
板表面に直接上記半導体層を成長させると品質の優れた
結晶を得られにくいことがある。これを避けるために
は、カルコパイライト族化合物半導体を成長させる第１
の成長室と、ＩｎＰを成長させるために用い、該第１の
成長室と真空中において接続および分離が可能な第２の
成長室とを用意し、該第２の成長室で３００℃程度に加
熱したｎ型ＩｎＰ基板１００上にＩｎＰバッファ層１０
１を成長させ、品質の高いＩｎＰ面を形成する。ｎ型Ｉ
ｎＰバッファ層１０１形成後、ウェハーを真空中にて第
１の成長室へ移動させる。
付着していたり、該表面を研磨した際に生じた結晶欠陥
等が存在していることが多く、このような状態にある基
板表面に直接上記半導体層を成長させると品質の優れた
結晶を得られにくいことがある。これを避けるために
は、カルコパイライト族化合物半導体を成長させる第１
の成長室と、ＩｎＰを成長させるために用い、該第１の
成長室と真空中において接続および分離が可能な第２の
成長室とを用意し、該第２の成長室で３００℃程度に加
熱したｎ型ＩｎＰ基板１００上にＩｎＰバッファ層１０
１を成長させ、品質の高いＩｎＰ面を形成する。ｎ型Ｉ
ｎＰバッファ層１０１形成後、ウェハーを真空中にて第
１の成長室へ移動させる。
【００２１】カルコパイライト族化合物半導体の成長材
料として純度９９．９９％以上の高純度のＡｇ、Ｇａ、
Ｓ、Ｓｅ、Ａｌを用い、真空にした第１の成長室内で、
５５０℃程度に過熱した基板１００上に上記材料の分子
線を照射して結晶を成長させ、上記ｎ型半導体層１１お
よびｐ型半導体層１２を形成する。第１の成長室内にお
けるＳとＳｅの原子の量の割合は、成長される半導体層
がＩｎＰ基板１００と格子整合できるように調節してお
く。ただし、その総量は、他の原子より十分多い量とし
ておく。ドーピング材料としては、ｎ型材料としてＳ
ｉ、ｐ型材料としてＮを用いた。
料として純度９９．９９％以上の高純度のＡｇ、Ｇａ、
Ｓ、Ｓｅ、Ａｌを用い、真空にした第１の成長室内で、
５５０℃程度に過熱した基板１００上に上記材料の分子
線を照射して結晶を成長させ、上記ｎ型半導体層１１お
よびｐ型半導体層１２を形成する。第１の成長室内にお
けるＳとＳｅの原子の量の割合は、成長される半導体層
がＩｎＰ基板１００と格子整合できるように調節してお
く。ただし、その総量は、他の原子より十分多い量とし
ておく。ドーピング材料としては、ｎ型材料としてＳ
ｉ、ｐ型材料としてＮを用いた。
【００２２】ｐ型半導体層１２を形成した後、上記ウェ
ハーを真空雰囲気中で第２の成長室に運び、ｐ型ＩｎＰ
コンタクト層１３を積層形成する。このウェハーを第２
の成長室から取り出し、ｎ型ＩｎＰ基板１側にはＡｕお
よびＳｎを、ｐ型ＩｎＰコンタクト層１３側にはＡｕお
よびＺｎを蒸着させて真空中で昇温し、それぞれオーミ
ック電極１５、１４を形成する。以上により図２（ａ）
に示した積層体が形成される。
ハーを真空雰囲気中で第２の成長室に運び、ｐ型ＩｎＰ
コンタクト層１３を積層形成する。このウェハーを第２
の成長室から取り出し、ｎ型ＩｎＰ基板１側にはＡｕお
よびＳｎを、ｐ型ＩｎＰコンタクト層１３側にはＡｕお
よびＺｎを蒸着させて真空中で昇温し、それぞれオーミ
ック電極１５、１４を形成する。以上により図２（ａ）
に示した積層体が形成される。
【００２３】次に、図２（ｂ）に示すように、上記で得
られた積層体においてｐ側の電極１４上にホトレジスト
２０を塗布する。その後、通常のホトリソグラフィー法
によって、上記ホトレジスト２０を直径１００μｍ程度
の円形状のホトレジストパターン２１を残して除去し、
このホトレジストパターン２１をマスクとして用い、通
常のイオンビームエッチング法等、例えばＡｒイオンビ
ーム２２を用いて電極１４およびｐ型ＩｎＰコンタクト
層１３を除去する。エッチング終了後、上記ウェハーは
切断されて素子本体１６となり、この素子本体１６はヒ
ートシンク、あるいはヒートシンクを兼ねたステム２５
ａ上にＩｎ（図示せず）により融着されて半導体チップ
２３となる。
られた積層体においてｐ側の電極１４上にホトレジスト
２０を塗布する。その後、通常のホトリソグラフィー法
によって、上記ホトレジスト２０を直径１００μｍ程度
の円形状のホトレジストパターン２１を残して除去し、
このホトレジストパターン２１をマスクとして用い、通
常のイオンビームエッチング法等、例えばＡｒイオンビ
ーム２２を用いて電極１４およびｐ型ＩｎＰコンタクト
層１３を除去する。エッチング終了後、上記ウェハーは
切断されて素子本体１６となり、この素子本体１６はヒ
ートシンク、あるいはヒートシンクを兼ねたステム２５
ａ上にＩｎ（図示せず）により融着されて半導体チップ
２３となる。
【００２４】上記で得られた半導体チップ２３は、図２
（ｃ）に示されるように、ワイア２６によってステム２
５ｂに接続される。これらはポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の透明な樹脂１４に
よってモールドされ、半導体発光素子が形成される。
（ｃ）に示されるように、ワイア２６によってステム２
５ｂに接続される。これらはポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の透明な樹脂１４に
よってモールドされ、半導体発光素子が形成される。
【００２５】上記半導体発光素子の動作原理は、通常の
シングルヘテロ構造型発光ダイオードと同様である。ｎ
型ＩｎＰ基板１００側の電極１５を負電位に、ｐ型Ｉｎ
Ｐコンタクト層１３側の電極１４を正電位にすることに
より、ｎ側からは電子が、ｐ側からは正孔が注入され
る。電子は速やかに拡散するが、正孔はｐ型層内に溜
り、ｎ側にはあまり拡散しない。そのため電子はｐ側に
溜っている正孔と効率よく再結合して発光する。
シングルヘテロ構造型発光ダイオードと同様である。ｎ
型ＩｎＰ基板１００側の電極１５を負電位に、ｐ型Ｉｎ
Ｐコンタクト層１３側の電極１４を正電位にすることに
より、ｎ側からは電子が、ｐ側からは正孔が注入され
る。電子は速やかに拡散するが、正孔はｐ型層内に溜
り、ｎ側にはあまり拡散しない。そのため電子はｐ側に
溜っている正孔と効率よく再結合して発光する。
【００２６】この実施例おける基板１００および基板１
００上に形成した各半導体層の詳細は、以下の通りであ
る。
００上に形成した各半導体層の詳細は、以下の通りであ
る。
【００２７】ＩｎＰ基板１００：厚さ３００μｍ、Ｉｎ
Ｐバッファ層１０１：厚さ１μｍ、ｎ型半導体層１１：
ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ１μｍ、ｐ型半導
体層１２：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ１μ
ｍ、ＩｎＰコンタクト層：厚さ０．５μｍ。
Ｐバッファ層１０１：厚さ１μｍ、ｎ型半導体層１１：
ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ１μｍ、ｐ型半導
体層１２：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ１μ
ｍ、ＩｎＰコンタクト層：厚さ０．５μｍ。
【００２８】この半導体発光素子の発振波長はおよそ５
５５ｎｍであり、緑色の発光を得た。この半導体発光素
子は、発光ダイオード素子として利用することができ
る。
５５ｎｍであり、緑色の発光を得た。この半導体発光素
子は、発光ダイオード素子として利用することができ
る。
【００２９】本発明に用いられる化合物半導体はこの実
施例で使用されたものに限らず、ＩｎＰ基板とその格子
定数がほぼ一致し、Ａｇ、Ｓ、Ｓｅ並びにＧａ、Ａｌお
よびＩｎのうちの少なくとも１種を含有するカルコパイ
ライト族化合物半導体が使用される。
施例で使用されたものに限らず、ＩｎＰ基板とその格子
定数がほぼ一致し、Ａｇ、Ｓ、Ｓｅ並びにＧａ、Ａｌお
よびＩｎのうちの少なくとも１種を含有するカルコパイ
ライト族化合物半導体が使用される。
【００３０】図７には、ＺｎＣｄＳＳｅ系材料とＡｇＧ
ａＡｌＩｎＳＳｅ系材料の格子定数と禁制帯幅との関係
および発光波長との関係が示されている。ＺｎＣｄＳＳ
ｅ系材料は、図７に示すように、高品質の大型基板が得
られやすいＧａＡｓと格子定数がほぼ一致し、格子整合
がとれる。しかし、ＧａＡｓと格子整合がとれる組成比
の範囲内においてＳとＳｅの割合を変えても、青色光し
か得ることができず、また、禁制帯幅の差が大きな混晶
は得られない。
ａＡｌＩｎＳＳｅ系材料の格子定数と禁制帯幅との関係
および発光波長との関係が示されている。ＺｎＣｄＳＳ
ｅ系材料は、図７に示すように、高品質の大型基板が得
られやすいＧａＡｓと格子定数がほぼ一致し、格子整合
がとれる。しかし、ＧａＡｓと格子整合がとれる組成比
の範囲内においてＳとＳｅの割合を変えても、青色光し
か得ることができず、また、禁制帯幅の差が大きな混晶
は得られない。
【００３１】ＡｇＧａＡｌＩｎＳＳｅ系材料は、図７に
示したように、波長７２０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の
光、すなわち赤色から青色の領域内の光を得ることがで
きる組成比を有し、しかも、その組成比においてはＩｎ
Ｐの格子定数とほぼ一致する格子定数を有する。すなわ
ち、Ａｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（ＳzＳｅ1-z）2では、上
記組成比ｗ、ｘ、ｙおよびｚの値が、ｗ、ｘ、ｙは０以
上１以下の範囲内、ｚは０より大で１未満の範囲内にあ
って、ＩｎＰの格子定数とほぼ等しい格子定数が得られ
る。
示したように、波長７２０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の
光、すなわち赤色から青色の領域内の光を得ることがで
きる組成比を有し、しかも、その組成比においてはＩｎ
Ｐの格子定数とほぼ一致する格子定数を有する。すなわ
ち、Ａｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（ＳzＳｅ1-z）2では、上
記組成比ｗ、ｘ、ｙおよびｚの値が、ｗ、ｘ、ｙは０以
上１以下の範囲内、ｚは０より大で１未満の範囲内にあ
って、ＩｎＰの格子定数とほぼ等しい格子定数が得られ
る。
【００３２】実施例１においては、ｎ型半導体層１１お
よびｐ型半導体層１２を、Ａｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）
（ＳzＳｅ1-z）2の組成比ｘ、ｙがそれぞれ０である材
料、すなわちＡｌおよびＩｎを含まない材料を用いて形
成したが、ｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２に
おいてIII族原子に関わる組成比ｗ、ｘ、ｙを調節する
ことにより、発光波長の異なる半導体発光素子を作製す
ることができる。
よびｐ型半導体層１２を、Ａｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）
（ＳzＳｅ1-z）2の組成比ｘ、ｙがそれぞれ０である材
料、すなわちＡｌおよびＩｎを含まない材料を用いて形
成したが、ｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２に
おいてIII族原子に関わる組成比ｗ、ｘ、ｙを調節する
ことにより、発光波長の異なる半導体発光素子を作製す
ることができる。
【００３３】例えば、実施例１の半導体発光素子におい
て、ｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２を形成す
る半導体として、ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2を用い
た場合には赤色発光する半導体発光素子が得られ、Ａｇ
Ａｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2を用いた場合には青色発光す
る半導体発光素子が得られる。
て、ｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２を形成す
る半導体として、ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2を用い
た場合には赤色発光する半導体発光素子が得られ、Ａｇ
Ａｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2を用いた場合には青色発光す
る半導体発光素子が得られる。
【００３４】また、上記組成比の範囲内、すなわちｗ、
ｘ、ｙおよびｚの値が、ｗ、ｘ、ｙは０以上１以下の範
囲内、ｚは０より大で１未満の範囲内においては、十分
に大きな禁制帯幅の差が得られるように、異なる組成比
の半導体材料を選択することができるので、この半導体
材料を用いてクラッド層と活性層を形成すれば、半導体
レーザ素子として十分利用し得る半導体発光素子が得ら
れる。
ｘ、ｙおよびｚの値が、ｗ、ｘ、ｙは０以上１以下の範
囲内、ｚは０より大で１未満の範囲内においては、十分
に大きな禁制帯幅の差が得られるように、異なる組成比
の半導体材料を選択することができるので、この半導体
材料を用いてクラッド層と活性層を形成すれば、半導体
レーザ素子として十分利用し得る半導体発光素子が得ら
れる。
【００３５】上述のように、本発明に用いられるＡｇＧ
ａＡｌＩｎＳＳｅ系の半導体は、その組成比が緑色から
青色の領域の光を発振する範囲においてＩｎＰの格子定
数とほぼ一致する格子定数が得られる。本発明の半導体
発光素子においては、ＩｎＰ基板と半導体層とが格子整
合しているため歪みが生じない。
ａＡｌＩｎＳＳｅ系の半導体は、その組成比が緑色から
青色の領域の光を発振する範囲においてＩｎＰの格子定
数とほぼ一致する格子定数が得られる。本発明の半導体
発光素子においては、ＩｎＰ基板と半導体層とが格子整
合しているため歪みが生じない。
【００３６】なお、この実施例では、発光部がｎ型半導
体層１１とｐ型半導体層１２との接合部であり、またｎ
型半導体層１１の組成比とｐ型半導体層１２の組成比が
等しいホモ接合となっているが、それぞれの組成比が異
なるｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２を用いて
形成し、シングルヘテロ構造となっていてもよい。さら
に、この２層１１、１２をより大きな禁制帯幅を有する
Ａｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（ＳzＳｅ1-z）2からなる層で
挟み、ダブルヘテロ構造としてもよい。ただし、例え
ば、青色発光素子の例として挙げた上記ＡｇＡｌ（Ｓ
0.35Ｓｅ0.65）2のようにＡｌを含んだ層がイオンビー
ムエッチング後に露出する場合には、該層中のＡｌが酸
化されて素子本体が劣化することを防止するため、上記
樹脂によるモールドには細心の注意を要する。
体層１１とｐ型半導体層１２との接合部であり、またｎ
型半導体層１１の組成比とｐ型半導体層１２の組成比が
等しいホモ接合となっているが、それぞれの組成比が異
なるｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１２を用いて
形成し、シングルヘテロ構造となっていてもよい。さら
に、この２層１１、１２をより大きな禁制帯幅を有する
Ａｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（ＳzＳｅ1-z）2からなる層で
挟み、ダブルヘテロ構造としてもよい。ただし、例え
ば、青色発光素子の例として挙げた上記ＡｇＡｌ（Ｓ
0.35Ｓｅ0.65）2のようにＡｌを含んだ層がイオンビー
ムエッチング後に露出する場合には、該層中のＡｌが酸
化されて素子本体が劣化することを防止するため、上記
樹脂によるモールドには細心の注意を要する。
【００３７】本実施例においては、ＩｎＰ基板上に積層
形成した半導体層の上にコンタクト層としてＩｎＰ層が
あるので、オーミック電極の形成が容易になる。
形成した半導体層の上にコンタクト層としてＩｎＰ層が
あるので、オーミック電極の形成が容易になる。
【００３８】（実施例２）図３は本発明の半導体発光素
子の実施例２を示す模式図である。
子の実施例２を示す模式図である。
【００３９】このｐ型ＩｎＰ基板３００の上には、ｐ型
ＩｎＰバッファ層３０１が形成されており、さらにその
上に、それぞれＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（Ｓｅ
1-zＳz）2からなるカルコパイライト族化合物半導体で
形成された第１ｐ型半導体層３１、第２ｐ型半導体層３
２、第３ｐ型半導体層３３が形成されている。第２ｐ型
半導体層３２および第３ｐ型半導体層３３は、それぞれ
一部が除去され、その下の層が一部露出されており、ｐ
型ＩｎＰバッファ層３０１上に積層された半導体層は階
段形状をなしている。図中斜線で示した部分、すなわ
ち、第１ｐ型層３１においてその上面が露出された部分
３４、第２ｐ型半導体層３２においてその上面が露出さ
れた部分３５および、第３ｐ型半導体層３３の上部３６
は、拡散不純物が拡散されておりｎ型層となっている。
これにより、第１ｐ型半導体層３１、第２ｐ型半導体３
２、第３ｐ型半導体層３３とそれぞれのｎ型拡散領域３
４、３５、３６との接合部分においてそれぞれｐｎ接合
が形成される。基板３００にはｐ型電極３１０が、半導
体層側にはｎ型電極３７、３８、３９が形成されてい
る。
ＩｎＰバッファ層３０１が形成されており、さらにその
上に、それぞれＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（Ｓｅ
1-zＳz）2からなるカルコパイライト族化合物半導体で
形成された第１ｐ型半導体層３１、第２ｐ型半導体層３
２、第３ｐ型半導体層３３が形成されている。第２ｐ型
半導体層３２および第３ｐ型半導体層３３は、それぞれ
一部が除去され、その下の層が一部露出されており、ｐ
型ＩｎＰバッファ層３０１上に積層された半導体層は階
段形状をなしている。図中斜線で示した部分、すなわ
ち、第１ｐ型層３１においてその上面が露出された部分
３４、第２ｐ型半導体層３２においてその上面が露出さ
れた部分３５および、第３ｐ型半導体層３３の上部３６
は、拡散不純物が拡散されておりｎ型層となっている。
これにより、第１ｐ型半導体層３１、第２ｐ型半導体３
２、第３ｐ型半導体層３３とそれぞれのｎ型拡散領域３
４、３５、３６との接合部分においてそれぞれｐｎ接合
が形成される。基板３００にはｐ型電極３１０が、半導
体層側にはｎ型電極３７、３８、３９が形成されてい
る。
【００４０】上記半導体発光素子においては、通常のガ
スソース分子線エピタキシー法によって各半導体層を形
成することができる。カルコパイライト族化合物半導体
の原料としては、高純度のＡｇ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、セ
レン化水素（Ｈ2Ｓｅ）、硫化水素（Ｈ2Ｓ）を用い、ｐ
型ド−ピング材料としてはＮを用い、拡散不純物として
はＳｉを用いた。第１ｎ型半導体層３１、第２ｎ型半導
体層３２および第３ｎ型半導体層３３を成長させる際に
は、Ｈ2ＳｅおよびＨ2Ｓの供給量をマスフローコントロ
ーラーにより厳密に制御し、基板３００と基板３００上
に形成されるＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（Ｓｅ1-zＳz）2
からなる層とが格子整合できるように調節する。これに
より、本実施例の半導体発光素子においては、格子不整
合を０．１％以内に抑えることができる。
スソース分子線エピタキシー法によって各半導体層を形
成することができる。カルコパイライト族化合物半導体
の原料としては、高純度のＡｇ、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、セ
レン化水素（Ｈ2Ｓｅ）、硫化水素（Ｈ2Ｓ）を用い、ｐ
型ド−ピング材料としてはＮを用い、拡散不純物として
はＳｉを用いた。第１ｎ型半導体層３１、第２ｎ型半導
体層３２および第３ｎ型半導体層３３を成長させる際に
は、Ｈ2ＳｅおよびＨ2Ｓの供給量をマスフローコントロ
ーラーにより厳密に制御し、基板３００と基板３００上
に形成されるＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（Ｓｅ1-zＳz）2
からなる層とが格子整合できるように調節する。これに
より、本実施例の半導体発光素子においては、格子不整
合を０．１％以内に抑えることができる。
【００４１】第３ｐ型半導体層３３を形成後、通常のホ
トリソグラフィーおよびイオンビームエッチングを２回
繰り返すことにより、第２ｐ型半導体層３２および第３
ｐ型半導体層３３の一部を除去し、それらの下の層を一
部露出させる。その後、拡散領域３４、３５、３６にＳ
ｉを拡散し、これらの領域をｎ型とする。
トリソグラフィーおよびイオンビームエッチングを２回
繰り返すことにより、第２ｐ型半導体層３２および第３
ｐ型半導体層３３の一部を除去し、それらの下の層を一
部露出させる。その後、拡散領域３４、３５、３６にＳ
ｉを拡散し、これらの領域をｎ型とする。
【００４２】この半導体発光素子に電流を注入すると、
第１ｐ型半導体層３１とそのｎ型領域３４との界面、第
２ｎ型半導体層３２とそのｎ型領域３５との界面、第３
ｎ型半導体層３３とそのｎ型領域３６との界面のそれぞ
れの界面においてｐｎ接合が形成されているため、接合
面において電子と正孔の再結合がおこり、各層３１、３
２、３３の禁制帯幅に対応した発光λ1、λ2、λ3が得
られる。
第１ｐ型半導体層３１とそのｎ型領域３４との界面、第
２ｎ型半導体層３２とそのｎ型領域３５との界面、第３
ｎ型半導体層３３とそのｎ型領域３６との界面のそれぞ
れの界面においてｐｎ接合が形成されているため、接合
面において電子と正孔の再結合がおこり、各層３１、３
２、３３の禁制帯幅に対応した発光λ1、λ2、λ3が得
られる。
【００４３】この実施例おける基板３００および基板３
００上に形成した各半導体層の詳細は以下の通りであ
る。
００上に形成した各半導体層の詳細は以下の通りであ
る。
【００４４】ＩｎＰ基板３００：厚さ３００μｍ、Ｉｎ
Ｐバッファ層３０１：厚さ１μｍ、第１ｐ型半導体層３
１：ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2、厚さ１μｍ、第２
ｐ型半導体層３２：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚
さ１μｍ、第３ｐ型半導体層３３：ＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓ
ｅ0.65）2、厚さ１μｍ。
Ｐバッファ層３０１：厚さ１μｍ、第１ｐ型半導体層３
１：ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2、厚さ１μｍ、第２
ｐ型半導体層３２：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚
さ１μｍ、第３ｐ型半導体層３３：ＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓ
ｅ0.65）2、厚さ１μｍ。
【００４５】発振波長は、λ1＝７２０ｎｍ（赤色）、
λ2＝５５５ｎｍ（緑色）、λ3＝４５０ｎｍ（青色）で
あった。この半導体発光素子は、発光ダイオードとして
利用することができる。
λ2＝５５５ｎｍ（緑色）、λ3＝４５０ｎｍ（青色）で
あった。この半導体発光素子は、発光ダイオードとして
利用することができる。
【００４６】この実施例に示した半導体発光素子におい
ては、通電する電極を選択することによって任意の発光
波長を得ることができ、さらに、各層への電流注入量を
調節することによりフルカラー発光または白色発光が可
能になる。
ては、通電する電極を選択することによって任意の発光
波長を得ることができ、さらに、各層への電流注入量を
調節することによりフルカラー発光または白色発光が可
能になる。
【００４７】（実施例３）図３は本発明の半導体発光素
子の実施例３を示す模式図である。この半導体発光素子
においては、ｎ型ＩｎＰ基板４００の上にｎ型ＩｎＰバ
ッファ層４０１が形成され、さらにその上には、それぞ
れＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（Ｓｅ1-zＳz）2からなるカ
ルコパイライト族化合物半導体で形成されたノンドープ
第１バリア層４１、ノンドープ第１発光層４２、ノンド
ープ第２バリア層４３、ノンドープ第２発光層４４、ノ
ンドープ第３バリア層４５、ｐ型キャップ層４６が形成
されている。ｐ型キャップ層４６の上にはｐ型部分電極
４８が形成されており、基板４００側には、全面にｎ型
電極４７が形成されている。
子の実施例３を示す模式図である。この半導体発光素子
においては、ｎ型ＩｎＰ基板４００の上にｎ型ＩｎＰバ
ッファ層４０１が形成され、さらにその上には、それぞ
れＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（Ｓｅ1-zＳz）2からなるカ
ルコパイライト族化合物半導体で形成されたノンドープ
第１バリア層４１、ノンドープ第１発光層４２、ノンド
ープ第２バリア層４３、ノンドープ第２発光層４４、ノ
ンドープ第３バリア層４５、ｐ型キャップ層４６が形成
されている。ｐ型キャップ層４６の上にはｐ型部分電極
４８が形成されており、基板４００側には、全面にｎ型
電極４７が形成されている。
【００４８】この実施例では、有機金属気相エピタキシ
ー（ＭＯＣＶＤ）法を用いてｎ型ＩｎＰ基板４２０上に
半導体層を形成した。成長材料としては、高純度のシク
ロペンタジエニルトリエチルフォスフィン銀（Ｃ5Ｈ5Ａ
ｇ・Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3）、トリエチルインジウム（Ｉｎ
（Ｃ2Ｈ5）3）、トリエチルガリウム（Ｇａ（Ｃ
2Ｈ5）3)、トリエチルアルミニウム(Al(C2Ｈ5）3）、Ｈ2Ｓｅ、Ｈ2Ｓ
を用いた。成長ドーピング材料としては、ｎ型材料とし
てＳｉを用いた。半導体層成長時の基板温度は６００℃
とした。成長させる際には、Ｈ2ＳおよびＨ2Ｓｅの供給
量をそれぞれ一定に保ちつつ、他の元素の量より十分に
多い量としておく。Ｉｎの供給量とＧａの供給量の比、
またはＧａの供給量とＡｌの供給量との比は一定に保ち
つつ、ＡｇとこれらIII族元素との割合を化学量論を満
足するように設定する。本実施例においても格子不整合
は小さく、０．３％程度以内に抑えられる。
ー（ＭＯＣＶＤ）法を用いてｎ型ＩｎＰ基板４２０上に
半導体層を形成した。成長材料としては、高純度のシク
ロペンタジエニルトリエチルフォスフィン銀（Ｃ5Ｈ5Ａ
ｇ・Ｐ（Ｃ2Ｈ5）3）、トリエチルインジウム（Ｉｎ
（Ｃ2Ｈ5）3）、トリエチルガリウム（Ｇａ（Ｃ
2Ｈ5）3)、トリエチルアルミニウム(Al(C2Ｈ5）3）、Ｈ2Ｓｅ、Ｈ2Ｓ
を用いた。成長ドーピング材料としては、ｎ型材料とし
てＳｉを用いた。半導体層成長時の基板温度は６００℃
とした。成長させる際には、Ｈ2ＳおよびＨ2Ｓｅの供給
量をそれぞれ一定に保ちつつ、他の元素の量より十分に
多い量としておく。Ｉｎの供給量とＧａの供給量の比、
またはＧａの供給量とＡｌの供給量との比は一定に保ち
つつ、ＡｇとこれらIII族元素との割合を化学量論を満
足するように設定する。本実施例においても格子不整合
は小さく、０．３％程度以内に抑えられる。
【００４９】ｐ型キャップ層４６形成後、基板４００側
のｎ型電極４７およびｐ型キャップ層４６側のｐ型電極
４８を蒸着によって形成する。
のｎ型電極４７およびｐ型キャップ層４６側のｐ型電極
４８を蒸着によって形成する。
【００５０】この半導体発光素子の動作原理を図４を参
照しながら説明する。図４は、この半導体発光素子の要
部の禁制帯幅構造を示している。図４中、ｎ型ＩｎＰバ
ッファ層４０１の禁制帯幅を４０１ａ、ノンドープ第１
バリア層４１の禁制帯幅を４１ａ、ノンドープ第１発光
層４２の禁制帯幅を４２ａ、ノンドープ第２バリア層４
３の禁制帯幅を４３ａ、ノンドープ第２発光層４４の禁
制帯幅を４４ａ、ノンドープ第３バリア層４５の禁制帯
幅を４５ａ、ｐ型キャップ層４６の禁制帯幅を４６ａで
示す。
照しながら説明する。図４は、この半導体発光素子の要
部の禁制帯幅構造を示している。図４中、ｎ型ＩｎＰバ
ッファ層４０１の禁制帯幅を４０１ａ、ノンドープ第１
バリア層４１の禁制帯幅を４１ａ、ノンドープ第１発光
層４２の禁制帯幅を４２ａ、ノンドープ第２バリア層４
３の禁制帯幅を４３ａ、ノンドープ第２発光層４４の禁
制帯幅を４４ａ、ノンドープ第３バリア層４５の禁制帯
幅を４５ａ、ｐ型キャップ層４６の禁制帯幅を４６ａで
示す。
【００５１】この半導体発光素子に電流を注入すると、
ノンドープ第１バリア層４１からノンドープ第３バリア
層４５にいたるノンドープ層に電子ｅおよび正孔ｈが注
入され、エネルギー障壁に囲まれたノンドープ第１発光
層４２およびノンドープ第２発光層４４において上記電
子ｅおよび正孔ｈが再結合することによって各層の禁制
帯幅に対応した発光が得られる。ノンドープ第３バリア
層４５とｐ型キャップ層４６との間にはエネルギー障壁
に囲まれていないが、その層厚が厚いため、ノンドープ
第３バリア層４５内において電子と正孔が再結合する確
率が大きくなるため発光することが可能となる。すなわ
ち、ノンドープ第３バリア層４５は発光層としての機能
も有する。よって、この半導体発光素子おいても各層４
２、４４、４５の禁制帯幅に対応した発光λ4、λ5、λ
6が得られる。
ノンドープ第１バリア層４１からノンドープ第３バリア
層４５にいたるノンドープ層に電子ｅおよび正孔ｈが注
入され、エネルギー障壁に囲まれたノンドープ第１発光
層４２およびノンドープ第２発光層４４において上記電
子ｅおよび正孔ｈが再結合することによって各層の禁制
帯幅に対応した発光が得られる。ノンドープ第３バリア
層４５とｐ型キャップ層４６との間にはエネルギー障壁
に囲まれていないが、その層厚が厚いため、ノンドープ
第３バリア層４５内において電子と正孔が再結合する確
率が大きくなるため発光することが可能となる。すなわ
ち、ノンドープ第３バリア層４５は発光層としての機能
も有する。よって、この半導体発光素子おいても各層４
２、４４、４５の禁制帯幅に対応した発光λ4、λ5、λ
6が得られる。
【００５２】この実施例おける基板４００および基板４
００上に形成した各半導体層の詳細は以下の通りであ
る。
００上に形成した各半導体層の詳細は以下の通りであ
る。
【００５３】ＩｎＰ基板４００：厚さ３００μｍ、Ｉｎ
Ｐバッファ層４０１：厚さ１μｍ、第１バリア層４１：
Ａｇ（Ｉｎ0.9Ｇａ0.1）（Ｓ0.8Ｓｅ0.2）2、厚さ０．
５μｍ、第１発光層４２：ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）
2、厚さ０．１μｍ、第２バリア層４３：Ａｇ（Ｇａ0.9
Ａｌ0.1）（Ｓ0.5Ｓｅ0.5）2、厚さ０．１μｍ、第２発
光層４４：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ０．１
μｍ、第３バリア層４５：ＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）
2、厚さ０．３μｍ、ｐ型キャップ層４６：ＡｇＡｌ
（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2、厚さ１μｍ、発振波長は、λ4＝
７２０ｎｍ（赤色）、λ5＝５５５ｎｍ（緑色）、λ6＝
４５０ｎｍ（青色）であった。この半導体発光素子は、
発光ダイオードとして使用することができる。
Ｐバッファ層４０１：厚さ１μｍ、第１バリア層４１：
Ａｇ（Ｉｎ0.9Ｇａ0.1）（Ｓ0.8Ｓｅ0.2）2、厚さ０．
５μｍ、第１発光層４２：ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）
2、厚さ０．１μｍ、第２バリア層４３：Ａｇ（Ｇａ0.9
Ａｌ0.1）（Ｓ0.5Ｓｅ0.5）2、厚さ０．１μｍ、第２発
光層４４：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ０．１
μｍ、第３バリア層４５：ＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）
2、厚さ０．３μｍ、ｐ型キャップ層４６：ＡｇＡｌ
（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2、厚さ１μｍ、発振波長は、λ4＝
７２０ｎｍ（赤色）、λ5＝５５５ｎｍ（緑色）、λ6＝
４５０ｎｍ（青色）であった。この半導体発光素子は、
発光ダイオードとして使用することができる。
【００５４】この実施例の半導体発光素子においては、
電流注入が各発光層で個別に行われず、各層に同時に注
入される。よって、この素子単独で単色光を得ることは
できない。しかし、各色の発光強度を調節することによ
って白色光を得ることができる。また、素子の出射端面
に各色に対応したフィルターを備えることにより、それ
ぞれの色に分離した単色光を得ることが可能である。
電流注入が各発光層で個別に行われず、各層に同時に注
入される。よって、この素子単独で単色光を得ることは
できない。しかし、各色の発光強度を調節することによ
って白色光を得ることができる。また、素子の出射端面
に各色に対応したフィルターを備えることにより、それ
ぞれの色に分離した単色光を得ることが可能である。
【００５５】（実施例４）図６は、本発明の半導体発光
素子の実施例４を示す要部斜視図である。ｎ型ＩｎＰ基
板５００上には、ｎ型ＩｎＰバッファ層５０１が形成さ
れており、さらにその上にそれぞれＡｇ（ＧａwＡｌxＩ
ｎy）（ＳzＳｅ1-z）2からなるｎ型クラッド層５１、ノ
ンドープ活性層５２、ｐ型クラッド層５３、ｐ型ＩｎＰ
コンタクト層５５が積層形成されている。ｐ型ＩｎＰコ
ンタクト層５５上には、ポリイミド膜５６が形成されて
おり、このポリイミド膜５６は部分的に除去されて幅２
０μｍのストライプ状の窓部６０が形成されている。基
板５００側およびポリイミド膜５６側には、それぞれｎ
型オーミック電極５８、ｐ型オーミック電極５７が形成
されている。
素子の実施例４を示す要部斜視図である。ｎ型ＩｎＰ基
板５００上には、ｎ型ＩｎＰバッファ層５０１が形成さ
れており、さらにその上にそれぞれＡｇ（ＧａwＡｌxＩ
ｎy）（ＳzＳｅ1-z）2からなるｎ型クラッド層５１、ノ
ンドープ活性層５２、ｐ型クラッド層５３、ｐ型ＩｎＰ
コンタクト層５５が積層形成されている。ｐ型ＩｎＰコ
ンタクト層５５上には、ポリイミド膜５６が形成されて
おり、このポリイミド膜５６は部分的に除去されて幅２
０μｍのストライプ状の窓部６０が形成されている。基
板５００側およびポリイミド膜５６側には、それぞれｎ
型オーミック電極５８、ｐ型オーミック電極５７が形成
されている。
【００５６】この半導体発光素子は、積層方法として実
施例１と同様のＭＢＥ法を採用することができ、以下の
ようにして作製される。
施例１と同様のＭＢＥ法を採用することができ、以下の
ようにして作製される。
【００５７】まず、第２の成長室でウェハー状のｎ型Ｉ
ｎＰ基板５００上にｎ型ＩｎＰバッファ層５０１を成長
させる。次に、第１の成長室で、ＩｎＰバッファ層５０
１上にｎ型クラッド層５１、アンドープ活性層５２、ｐ
型クラッド層５３を形成する。次いで、ウェハーを真空
中で第２の成長室に移動させ、ｐ型ＩｎＰコンタクト層
５５を形成する。
ｎＰ基板５００上にｎ型ＩｎＰバッファ層５０１を成長
させる。次に、第１の成長室で、ＩｎＰバッファ層５０
１上にｎ型クラッド層５１、アンドープ活性層５２、ｐ
型クラッド層５３を形成する。次いで、ウェハーを真空
中で第２の成長室に移動させ、ｐ型ＩｎＰコンタクト層
５５を形成する。
【００５８】ｐ型ＩｎＰコンタクト層５５形成後、上記
ウェハーを第２の成長室から取り出し、上記ポリイミド
膜５６を塗布し、通常のホトリソグラフィーによって、
窓部６０を形成する。その上から、実施例１と同様にし
て電極材料を蒸着し、ｎ型ＩｎＰ基板５００側にはその
全面に電極材料を蒸着し、窒素ガス中等で昇温してそれ
ぞれｐ型オーミック電極５７、ｎ型オーミック電極５８
を形成する。
ウェハーを第２の成長室から取り出し、上記ポリイミド
膜５６を塗布し、通常のホトリソグラフィーによって、
窓部６０を形成する。その上から、実施例１と同様にし
て電極材料を蒸着し、ｎ型ＩｎＰ基板５００側にはその
全面に電極材料を蒸着し、窒素ガス中等で昇温してそれ
ぞれｐ型オーミック電極５７、ｎ型オーミック電極５８
を形成する。
【００５９】電極５８、５７を形成した後、上記ウェハ
ーを電極５７のストライプと直交する面６１ａ、６１ｂ
で劈開し、素子本体を得る。劈開面６１ａ、６２ａはそ
れぞれレーザ共振器のミラーとして機能する。得られた
素子本体は、ヒートシンクあるいはヒートシンクを兼ね
たステム（図示せず）にＩｎ（図示せず）を用いて融着
され、半導体発光素子とされる。
ーを電極５７のストライプと直交する面６１ａ、６１ｂ
で劈開し、素子本体を得る。劈開面６１ａ、６２ａはそ
れぞれレーザ共振器のミラーとして機能する。得られた
素子本体は、ヒートシンクあるいはヒートシンクを兼ね
たステム（図示せず）にＩｎ（図示せず）を用いて融着
され、半導体発光素子とされる。
【００６０】この実施例においては、半導体発光素子の
長さ（上記劈開面６１ａ、６１ｂの間の間隔）Ｌを１０
００μｍ程度に形成した。
長さ（上記劈開面６１ａ、６１ｂの間の間隔）Ｌを１０
００μｍ程度に形成した。
【００６１】この実施例おける基板５００および基板５
００上に形成した各半導体層の詳細は以下の通りであ
る。
００上に形成した各半導体層の詳細は以下の通りであ
る。
【００６２】ＩｎＰ基板５００：厚さ３００μｍ、Ｉｎ
Ｐバッファ層５０１：厚さ１μｍ、ｎ型クラッド層５
１：ＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2、厚さ１μｍ、活性
層５２：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ０．０８
μｍ、ｐ型クラッド層５３：ＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓ
ｅ0.65）2、厚さ１μｍ、ＩｎＰコンタクト層５５：厚
さ０．５μｍ。
Ｐバッファ層５０１：厚さ１μｍ、ｎ型クラッド層５
１：ＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2、厚さ１μｍ、活性
層５２：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ０．０８
μｍ、ｐ型クラッド層５３：ＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓ
ｅ0.65）2、厚さ１μｍ、ＩｎＰコンタクト層５５：厚
さ０．５μｍ。
【００６３】この半導体発光素子の発振波長はおよそ５
５５ｎｍであり、緑色光が得られた。この半導体発光素
子は、半導体レーザ素子として使用することができる。
５５ｎｍであり、緑色光が得られた。この半導体発光素
子は、半導体レーザ素子として使用することができる。
【００６４】上記半導体発光素子においても、ｎ型クラ
ッド層５１、活性層５２、ｐ型クラッド層５３を形成す
るＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（ＳzＳｅ1-z）2の各組成比
ｗ、ｘ、ｙ、ｚを調節することにより、他の色の発振を
する半導体発光素子が得られる。例えば、ｎ型クラッド
層５１、活性層５２、ｐ型クラッド層５３を以下の半導
体を用いて形成すると、赤色光が得られる。
ッド層５１、活性層５２、ｐ型クラッド層５３を形成す
るＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（ＳzＳｅ1-z）2の各組成比
ｗ、ｘ、ｙ、ｚを調節することにより、他の色の発振を
する半導体発光素子が得られる。例えば、ｎ型クラッド
層５１、活性層５２、ｐ型クラッド層５３を以下の半導
体を用いて形成すると、赤色光が得られる。
【００６５】ｎ型クラッド層５１：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓ
ｅ0.51）2、厚さ１μｍ、活性層５２：ＡｇＩｎ（Ｓ
0.82Ｓｅ0.18）2、厚さ０．０８μｍ、、ｐ型クラッド
層５３：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ１μｍ。
ｅ0.51）2、厚さ１μｍ、活性層５２：ＡｇＩｎ（Ｓ
0.82Ｓｅ0.18）2、厚さ０．０８μｍ、、ｐ型クラッド
層５３：ＡｇＧａ（Ｓ0.49Ｓｅ0.51）2、厚さ１μｍ。
【００６６】この半導体発光素子の発振波長は６２０ｎ
ｍであった。
ｍであった。
【００６７】また、発光色が青色とするには、例えば、
活性層５２をＡｇＡｌＳｅ2を用いて形成すればよい。
この場合に、クラッド層５１、５３が活性層５２よりも
大きなエネルギーギャップ、低い屈折率を有するように
例えばＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ 0. 65）2を用いると活性層
５２の格子定数は上記クラッド層の格子定数から約２．
５％ずれるが、その場合は、歪による結晶性の低下を防
ぐため活性層５２の厚さを十分薄く、例えば７０オング
ストローム程度とすればよい。
活性層５２をＡｇＡｌＳｅ2を用いて形成すればよい。
この場合に、クラッド層５１、５３が活性層５２よりも
大きなエネルギーギャップ、低い屈折率を有するように
例えばＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ 0. 65）2を用いると活性層
５２の格子定数は上記クラッド層の格子定数から約２．
５％ずれるが、その場合は、歪による結晶性の低下を防
ぐため活性層５２の厚さを十分薄く、例えば７０オング
ストローム程度とすればよい。
【００６８】本構成の場合、活性層５２のエネルギーギ
ャップに対応する発光波長は４９０ｎｍ（水色）である
が、活性層厚が十分薄いため量子効果により約４７０ｎ
ｍの波長（青色）が得られる。
ャップに対応する発光波長は４９０ｎｍ（水色）である
が、活性層厚が十分薄いため量子効果により約４７０ｎ
ｍの波長（青色）が得られる。
【００６９】さらに、基板と格子整合したＡｇＡｌ（Ｓ
0.35Ｓｅ0.65）2を用いて活性層５２を形成する場合に
は、例えば、ＭｇＳｅのように、ＩｎＰと格子整合可能
で、かつＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2より屈折率の低
い半導体材料を用いてクラッド層５１、５３を形成する
こともできる。ＭｇＳｅはII−VI族化合物半導体である
が、図７に示すように、ＩｎＰとほぼ格子整合すること
ができ、かつ禁制帯幅がＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2
より十分大きく、また発振光を吸収しない。ＩｎＰと格
子整合可能で、かつ活性層より低い屈折率を有する材料
であれば、ＭｇＳｅ以外の材料でもクラッド像５１、５
３を形成する材料として用いることができる。
0.35Ｓｅ0.65）2を用いて活性層５２を形成する場合に
は、例えば、ＭｇＳｅのように、ＩｎＰと格子整合可能
で、かつＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2より屈折率の低
い半導体材料を用いてクラッド層５１、５３を形成する
こともできる。ＭｇＳｅはII−VI族化合物半導体である
が、図７に示すように、ＩｎＰとほぼ格子整合すること
ができ、かつ禁制帯幅がＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）2
より十分大きく、また発振光を吸収しない。ＩｎＰと格
子整合可能で、かつ活性層より低い屈折率を有する材料
であれば、ＭｇＳｅ以外の材料でもクラッド像５１、５
３を形成する材料として用いることができる。
【００７０】なお、ＭｇＳｅを用いた場合には、図６中
に破線で示すようにクラッド層５３とＩｎＰコンタクト
層５５との間に、クラッド層５３の禁制帯幅とＩｎＰコ
ンタクト層５５の禁制帯幅の中間の値の禁制帯幅を有す
るバッファ層５４を設ける構成とすると好ましい。クラ
ッド層５３の禁制帯幅とＩｎＰコンタクト層５５の禁制
帯幅との差が大きいためにこれら２層の界面ではの抵抗
が大きくなるが、上記バッファ層５４を該２層の間に介
在させることによって抵抗の増大を防ぐことができる。
このようなバッファ層５４としては、例えば、ｐ型Ａｇ
Ｉｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2を用いて、厚さ０．３μｍに
形成した層が用いられるが、クラッド層５３の禁制帯幅
とＩｎＰコンタクト層５５の禁制帯幅の中間の値の禁制
帯幅を有する材料であればよい。
に破線で示すようにクラッド層５３とＩｎＰコンタクト
層５５との間に、クラッド層５３の禁制帯幅とＩｎＰコ
ンタクト層５５の禁制帯幅の中間の値の禁制帯幅を有す
るバッファ層５４を設ける構成とすると好ましい。クラ
ッド層５３の禁制帯幅とＩｎＰコンタクト層５５の禁制
帯幅との差が大きいためにこれら２層の界面ではの抵抗
が大きくなるが、上記バッファ層５４を該２層の間に介
在させることによって抵抗の増大を防ぐことができる。
このようなバッファ層５４としては、例えば、ｐ型Ａｇ
Ｉｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2を用いて、厚さ０．３μｍに
形成した層が用いられるが、クラッド層５３の禁制帯幅
とＩｎＰコンタクト層５５の禁制帯幅の中間の値の禁制
帯幅を有する材料であればよい。
【００７１】活性層５２をＡｇＡｌ（Ｓ0.35Ｓｅ0.65）
2を用いて形成し、クラッド層５１、５３を上記ＭｇＳ
ｅを用いて形成し、さらに上記バッファ層５４としてｐ
型ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2を用いて形成した半導
体発光素子においては、４５０ｎｍで発振し、青色光が
得られた。
2を用いて形成し、クラッド層５１、５３を上記ＭｇＳ
ｅを用いて形成し、さらに上記バッファ層５４としてｐ
型ＡｇＩｎ（Ｓ0.82Ｓｅ0.18）2を用いて形成した半導
体発光素子においては、４５０ｎｍで発振し、青色光が
得られた。
【００７２】実施例４の半導体発光素子においては、簡
単のため、電極ストライプ型のダブルヘテロ構造の素子
とした例を示したが、クラッド層を二重にしたＳＣＨ
（Separate Confinement Heterostructure）型、ＧＲＩ
Ｎ−ＳＣＨ（Graded Index Separate Confinement Hete
rostructure）型等のＧａＡｓ系やＩｎＰ系の半導体レ
ーザ素子として用いられている他の構造においても本発
明を適用することができる。また、通常の埋込リッジス
トライプ型構造とすることにより光学特性が改善され、
光ディスクシステムにも用い得る半導体発光素子とする
ことができる。
単のため、電極ストライプ型のダブルヘテロ構造の素子
とした例を示したが、クラッド層を二重にしたＳＣＨ
（Separate Confinement Heterostructure）型、ＧＲＩ
Ｎ−ＳＣＨ（Graded Index Separate Confinement Hete
rostructure）型等のＧａＡｓ系やＩｎＰ系の半導体レ
ーザ素子として用いられている他の構造においても本発
明を適用することができる。また、通常の埋込リッジス
トライプ型構造とすることにより光学特性が改善され、
光ディスクシステムにも用い得る半導体発光素子とする
ことができる。
【００７３】本発明を適用した半導体発光素子において
は、発振されるレーザ光の集光径が最大０．５μｍ程度
である半導体レーザ素子を提供することが可能である。
よって、従来のＧａＡｓ系半導体レーザ素子の集光径が
最大０．８μｍ程度であることと比較すると、集光径の
上限を４０％程度小さくすることができる。そのため、
光ディスク記録システムの記録密度を従来より２．５倍
程度まで向上させることができる。
は、発振されるレーザ光の集光径が最大０．５μｍ程度
である半導体レーザ素子を提供することが可能である。
よって、従来のＧａＡｓ系半導体レーザ素子の集光径が
最大０．８μｍ程度であることと比較すると、集光径の
上限を４０％程度小さくすることができる。そのため、
光ディスク記録システムの記録密度を従来より２．５倍
程度まで向上させることができる。
【００７４】
【発明の効果】本発明によれば、赤色から青色の領域内
で高輝度の発光が可能な半導体発光素子を、品質の高い
１つの基板および同一系の半導体材料を用いて形成する
ことができる。よって、３原色のそれぞれの発光が可能
な素子が得られるので、フルカラーディスプレーを実現
することができる。
で高輝度の発光が可能な半導体発光素子を、品質の高い
１つの基板および同一系の半導体材料を用いて形成する
ことができる。よって、３原色のそれぞれの発光が可能
な素子が得られるので、フルカラーディスプレーを実現
することができる。
【００７５】さらに、１つの基板を用いて複数の半導体
層を形成し、それぞれの禁制帯幅を変化させることによ
って発光色がそれぞれ異なる複数の発光部を形成するこ
とができるので、単色発光する素子のみならず、１つの
基板を用いてフルカラーディスプレーを形成することが
でき、かつ白色発光するディスプレーをも作製すること
ができる。
層を形成し、それぞれの禁制帯幅を変化させることによ
って発光色がそれぞれ異なる複数の発光部を形成するこ
とができるので、単色発光する素子のみならず、１つの
基板を用いてフルカラーディスプレーを形成することが
でき、かつ白色発光するディスプレーをも作製すること
ができる。
【００７６】また、本発明によれば、赤色から青色領域
において高効率発振でき、半導体レーザとして利用でき
る半導体発光素子を作製することができる。本発明の半
導体発光素子を使用することによりフルカラーレーザプ
リンタを実現できる。さらに、光ディスクシステム、光
磁気記録ディスクシステム等に好適に使用することがで
き、本発明の半導体発光素子を用いることによってこれ
らシステムの高密度化を図ることができる。
において高効率発振でき、半導体レーザとして利用でき
る半導体発光素子を作製することができる。本発明の半
導体発光素子を使用することによりフルカラーレーザプ
リンタを実現できる。さらに、光ディスクシステム、光
磁気記録ディスクシステム等に好適に使用することがで
き、本発明の半導体発光素子を用いることによってこれ
らシステムの高密度化を図ることができる。
【図１】実施例１の半導体発光素子を示す要部斜視図で
ある。
ある。
【図２】実施例１の半導体発光素子の製造工程の説明図
である。
である。
【図３】実施例２の半導体発光素子を示す模式図であ
る。
る。
【図４】実施例３の半導体発光素子を示す模式図であ
る。
る。
【図５】実施例３の半導体発光素子の要部の禁制帯幅構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図６】実施例４の半導体発光素子の要部斜視図であ
る。
る。
【図７】ＩｎＰとＡｇ（ＧａwＡｌxＩｎy）（ＳzＳｅ
1-z）2における格子定数と禁制帯幅との関係および発光
波長との関係を表す図である。
1-z）2における格子定数と禁制帯幅との関係および発光
波長との関係を表す図である。
１００ ＩｎＰ基板 １１ ｎ型半導体層 １２ ｐ型半導体層 １３ ＩｎＰコンタクト層 ３００ ＩｎＰ基板 ３１、３２、３３ ｐ型半導体層 ３４、３５、３６ ｎ型領域 ４００ ＩｎＰ基板 ４１、４３、４５ ノンドープバリア層 ４２、４４ ノンドープ発光層 ５００ ＩｎＰ基板 ５１ ｎ型クラッド層 ５２ 活性層 ５３ ｐ型クラッド層 ５５ ＩｎＰコンタクト層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−72670（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−74673（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−57592（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−283079（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01S 3/18
Claims (5)
- 【請求項１】 ＩｎＰ半導体基板上に複数の半導体層を
含む積層構造が形成され、該積層構造が、それぞれカル
コパライト族化合物半導体層であって発光波長がお互い
に異なるＡｇＩｎ（ＳzＳｅ1-z）2第１層、ＡｇＧａ
（ＳzＳｅ1-z）2第２層、及びＡｇＡｌ（ＳzＳｅ1-z）2
第３層（但しｚは０より大で１未満であり、各層のｚの
値は異なっても良い）を含み、該第１層、該第２層、及
び該第３層の各々の格子定数が該ＩｎＰ半導体基板の格
子定数にほぼ等しい、半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記第１層、前記第２層、及び前記第３
層が階段形状に形成されており、該第１層、該第２層、
及び該第３層の各々に対する電極が設けられている、請
求項１に記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記積層構造は、前記ＩｎＰ基板上に、
前記第１層、前記第２層、前記第３層の順に形成されて
成る、請求項１又は２に記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記積層構造は、前記ＩｎＰ基板と前記
第１層との間にＡｇ（Ｉｎ w Ｇａ 1-w ）（Ｓ z Ｓｅ 1-z ） 2
層が設けられると共に、前記第１層と前記第２層との間
にＡｇ（Ｇａ w Ａｌ 1-w ）（Ｓ z Ｓｅ 1-z ） 2 層（但しｚ，
ｗは０より大で１未満であり、各層のｚ，ｗの値は異な
っても良い）が設けられて成る、請求項３に記載の半導
体発光素子。 - 【請求項５】 前記第１層、前記第２層、及び前記第３
層が、それぞれＡｇＩｎ（Ｓ 0.82 Ｓｅ 0.18 ） 2 層、Ａｇ
Ｇａ（Ｓ 0.49 Ｓｅ 0.51 ） 2 層、及びＡｇＡｌ（Ｓ 0.35 Ｓ
ｅ 0.65 ） 2 層である、請求項１から５のいずれか１項に
記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16151092A JP3005115B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16151092A JP3005115B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065915A JPH065915A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3005115B2 true JP3005115B2 (ja) | 2000-01-31 |
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ID=15736437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16151092A Expired - Fee Related JP3005115B2 (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3005115B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-06-19 JP JP16151092A patent/JP3005115B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
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| JPH065915A (ja) | 1994-01-14 |
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