JP2000174341A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を
用い、この基板の側を主発光面側とする発光素子におい
て、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発
光強度を高く保持することができる新規な構造を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体から
なる基板１とＩｎを含む活性層３とを包含するダブルヘ
テロ構造を備え、前記基板１に接続される電極を有する
半導体発光素子において、前記基板１と前記活性層３と
の間に、電子濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満である中間層
２を有する構成とすることによって、主発光面側に配置
される電極を不要とし主発光面側から均一な面発光を得
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードに利
用される半導体発光素子に係り、特に窒化ガリウム系化
合物半導体からなる基板を用いた窒化ガリウム系化合物
発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体は、可視光
発光デバイスや高温動作電子デバイス用の半導体材料と
して多用されるようになっており、青色や緑色の発光ダ
イオードの分野での展開が進んでいる。

【０００３】可視光で発光可能な窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子は、基本的には、サファイアやＳｉＣ等
からなる基板の上にバッファ層を介して、ｎ型クラッド
層と、発光層となるＩｎＧａＮからなる活性層と、ｐ型
クラッド層とを積層させたものが主流である。特に、近
来では、基板にサファイアを用い、有機金属気相成長法
により、ＧａＮやＡｌＮ等からなる低温成長バッファ層
を介してダブルへテロ構造を成長させたものは、高輝度
で信頼性が高く、屋外用のパネルディスプレイ用発光ダ
イオード等に広く用いられるようになってきている。

【０００４】しかしながら、最近、ＧａＮからなる基板
が作製されるようになり、これを用いた窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子がいくつか提案されるようになっ
てきている。例えば、特開平７−９４７８４号公報に
は、ＧａＮを基板とし基板の上にホモ接合構造、シング
ルヘテロ構造またはダブルヘテロ構造で構成されるｐ−
ｎ接合を含む積層体を形成させた青色発光素子が開示さ
れている。この公報によれば、ＧａＮを基板として用い
他の赤色発光ダイオード等と同様に対向する電極の間に
基板が存在する構造が可能となり、電極位置に対する制
約をなくすることができるとされている。

【０００５】また、特開平１０−１５０２２０号公報に
おいては、ｎ型ＧａＮからなる基板を用い、基板の側を
主発光面側とすることができる発光素子が開示されてい
る。

【０００６】図２は、上記公報において示された従来の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を示す断面
図である。ｎ型のＧａＮからなる基板１１の上には、Ｓ
ｉがドープされたｎ型クラッド１２層と、活性層１３
と、Ｍｇがドープされたｐ型クラッド層１４とが順次積
層されており、基板１１の積層面側でない一面の上の一
部にｎ側電極１５が設けられ、ｐ型クラッド層１４の上
の全面にわたってｐ側電極１６が設けられている。ｐ側
電極１６を下向きに実装することにより、ｎ側電極を設
けた面の側を主発光面側とし、面発光を得ることができ
る。このような構成によれば、電流−光出力特性が改善
された安価な発光素子を提供することができるとされて
いる。さらに、例えば、ＧａＮからなる基板１１を用
い、ｎ型クラッド層１２をＧａＮで形成した場合のよう
に、基板１１とｎ型クラッド層１２の組成を一致させる
と、基板１１とｎ型クラッド層１２とが一体となり、製
造が容易となるとされている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図３に示す構造の発光
素子においては、ＧａＮからなる基板１１が活性層１３
からの発光に対し透明であるので、基板１１に設けたｎ
側電極１５の側を主発光面とすることができる。このｎ
側電極１５は、通常、ワイヤボンディング用のパッドと
して用いられるため、発光に対し透過性を有しない程度
の厚膜で形成される。

【０００８】したがって、この電極の下の活性層１３で
発せられ基板１１の主発光面の側へ向かう光は、厚膜の
ｎ側電極１５で遮られてしまうこととなる。このため、
発光素子の上方のおける配光特性は、ｎ側電極１５を形
成した領域の上部で落ち込む凹状の分布となる。このよ
うな分布の配光特性は、発光素子直上で均一な配光特性
と高い発光強度を必要とする用途においては望ましくな
いという問題がある。

【０００９】このような凹状の分布を回避しようとして
主発光面となる基板１１の面積を大きくするためにｎ側
電極１５のサイズを小さくすると、ワイヤボンディング
の作業が困難となるので、ｎ側電極１５のサイズを小さ
くすることは好ましくない。したがって、ボンディング
等の電気的接続の作業性を確保してもなお発光特性を改
善することができる発光素子が望まれている。

【００１０】本発明において解決すべき課題は、窒化ガ
リウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の
側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上
での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持
することができる新規な構造を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、基板の上
に積層させるダブルヘテロ構造の積層条件と電極の配置
について鋭意検討した結果、基板をダブルヘテロ構造を
構成するｎ型クラッド層として用い、活性層と基板との
間に特定の電子濃度の中間層を設けることにより、活性
層から均一な発光が得られ発光強度を高く保持すること
ができることが判った。そして、基板に接続させる電極
を基板の積層面側に配置することにより均一な面発光が
得られることを想到するに至った。

【００１２】すなわち、本発明は、ｎ型の窒化ガリウム
系化合物半導体からなる基板とＩｎを含む活性層とを包
含するダブルヘテロ構造を備え、前記基板に接続される
電極を有する半導体発光素子であって、前記基板と前記
活性層との間に、電子濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満であ
る中間層を有することを特徴とする。

【００１３】また、本発明においては、前記電極は、前
記ダブルヘテロ構造の表面側からその一部を除去させて
露出された前記基板の表面に直接接して設けられている
ことを特徴とする。

【００１４】このような構成によれば、基板の側を主発
光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光
特性を改善することができるとともに、発光強度を高く
保持することが可能となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、ｎ型の
窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板とＩｎを含む
活性層とを包含するダブルヘテロ構造を備え、前記基板
に接続される電極を有する半導体発光素子であって、前
記基板と前記活性層との間に、電子濃度が１×１０¹⁶ｃ
ｍ^-3未満である中間層を有することを特徴とするもので
あり、ｎ型の基板をｎ型クラッド層として機能させ、基
板と中間層との界面において電子を面内で広げやすくす
るという作用を有する。

【００１６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記中間層は、その厚さが１０ｎｍ以
上で１００ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とするもの
であり、動作電圧の増大を抑えつつ中間層の結晶性を良
好に保つことができるという作用を有する。

【００１７】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記中間層は、アンドープのＧａＮか
らなることを特徴とするものであり、中間層を結晶性の
良好なものとすることができるという作用を有する。

【００１８】請求項４に記載の発明は、請求項１から３
のいずれかに記載の発明において、前記電極は、前記ダ
ブルヘテロ構造の表面側からその一部を除去させて露出
された前記基板の表面に直接接して設けられていること
を特徴とするものであり、基板の側を主発光面側とし均
一な面発光が得られるという作用を有する。

【００１９】以下に、本発明の実施の形態の具体例を、
図１を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１に、本発明の一実施の形態に係る
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を示す断面
図を示す。

【００２０】図１において、ｎ型のＧａＮからなる基板
１の上に、ＧａＮからなる中間層２と、ＩｎＧａＮから
なる活性層３と、ＧａＮからなる第一ｐ型クラッド層４
と、ＡｌＧａＮからなる第二ｐ型クラッド層５と、Ｉｎ
ＧａＮからなるｐ型コンタクト層６とが、が順次積層さ
れている。ｐ型コンタクト層６の表面上にはｐ側電極７
が形成されており、ｐ型コンタクト層６の表面側から、
ｐ型コンタクト層６と第二ｐ型クラッド層５と第一ｐ型
クラッド層４と活性層３とｎ型クラッド層２と基板１の
一部をエッチングにより除去して露出された基板１の表
面上に、ｎ側電極８が形成されている。

【００２１】基板１には、活性層３よりもバンドギャッ
プの大きいｎ型窒化ガリウム系化合物半導体を使用する
ことができる。中でも、製造が比較的容易で、かつ比較
的結晶性の良好なものが得られるＧａＮからなるものを
使用することが好ましい。基板１にはＳｉやＧｅ等のｎ
型不純物がドープされて、その電子濃度を１×１０¹⁷ｃ
ｍ^-3から１×１０¹⁹ｃｍ^-3の範囲に制御されたものを用
いる。電子濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3よりも低くなると、
抵抗率が高くなり基板１に注入された電子が基板１で広
がりにくくなる傾向にあるからであり、１×１０¹⁹ｃｍ
^-3よりも高くなると、ｎ型不純物を高濃度にドープした
ことに起因して基板１の結晶性が悪くなる傾向にあるか
らである。

【００２２】このｎ型の基板１がダブルヘテロ構造を構
成するｎ型クラッド層として機能する。

【００２３】中間層２には、活性層３よりもバンドギャ
ップの大きいｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体を用い
ることができ、その電子濃度を１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満に
調整したものを用いる。中間層２の電子濃度を１×１０
¹⁶ｃｍ^-3未満に特定することで、基板１との電子濃度の
差、すなわち抵抗率の差を大きくとることができ、基板
１と中間層２との界面において、基板１の中の電子が面
内で十分に広がり、これにより活性層３への均一な電子
の注入が実現できるため、活性層３における発光分布が
均一となり、その結果、基板１の側の主発光面で均一な
面発光が得られるからである。

【００２４】なお、中間層２にＳｉやＧｅ等のｎ型不純
物を意図的に少量ドープして、電子濃度を制御すること
も可能である。

【００２５】中間層２には、ＧａＮやＡｌＧａＮ等を用
いることができるが、基板１にＧａＮを用いる場合に
は、アンドープのＧａＮを用いることが最も望ましい。
窒化ガリウム系化合物半導体は、ＧａＮからなる基板１
の上にアンドープで形成させたＧａＮは結晶性が良好で
あり、この上に形成する活性層３の結晶性も向上するか
らである。

【００２６】本発明者らの知見によれば、ＧａＮからな
る基板１の上に形成するＧａＮは、アンドープの状態で
比較的高抵抗のｎ型の導電性を示すが、その厚さを１０
ｎｍ以上で１００ｎｍ以下の範囲に特定し肉薄の層とし
て形成することにより、この層の形成によるシリーズ抵
抗の過剰な増大を防止することができ、発光素子の動作
電圧の上昇を抑えつつ活性層における発光の均一性を向
上させることができる。

【００２７】活性層３には、Ｉｎを含み、基板１、中間
層２、第一ｐ型クラッド層４、第二ｐ型クラッド層５の
バンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する窒
化ガリウム系化合物半導体を用いることができる。特
に、Ａｌを含まないＩｎＧａＮを用いると、青色から緑
色の波長域での発光強度を高くすることができる。さら
に、膜厚を１００ｎｍよりも薄くして単一量子井戸構造
とすると、活性層３の結晶性を高めることができ、発光
効率をより一層高めることができる。

【００２８】また、活性層３は、膜厚を１００ｎｍより
も薄いＩｎＧａＮからなる量子井戸層と、この量子井戸
層よりもバンドギャップの大きいＩｎＧａＮ、ＧａＮ等
からなる障壁層とを交互に積層させた多重量子井戸構造
とすることもできる。

【００２９】第一ｐ型クラッド層４には、活性層３より
もバンドギャップの大きい窒化ガリウム系化合物半導体
を用いることができる。特に、ＧａＮを用いると、活性
層３との界面の結晶性を良好に保つことができるので、
好ましい。

【００３０】第一ｐ型クラッド層４にはｐ型不純物がド
ープされて、導電型をｐ型とされる。このｐ型不純物の
ドープは、結晶成長時にｐ型不純物の原料ガスを流すこ
とで実現することもできるが、第一ｐ型クラッド層４の
上に成長させる第二ｐ型クラッド層５にドープさせたｐ
型不純物を第一ｐ型クラッド層４に拡散させてドープす
ると、結晶性の低下を抑制し発光効率を高めることがで
きる。

【００３１】第一ｐ型クラッド層４の層厚は、３０ｎｍ
以上６０ｎｍ以下の範囲とすることが好ましい。

【００３２】第二ｐ型クラッド層５には、活性層３より
もバンドギャップの大きい窒化ガリウム系化合物半導体
を用いることができる。特に、第一ｐ型クラッド層より
もバンドギャップの大きいＡｌＧａＮを用いると、活性
層３への電子の閉じ込めを効率的に行うことができ、発
光効率を高くすることができるので好ましい。さらに、
第一ｐ型クラッド層４と接する側からｐ型コンタクト層
６に接する側にかけて、Ａｌ組成が収斂するように組成
を傾斜させて変化させた構造とすると、発光効率を高く
することができるとともに、動作電圧を低減することが
できるので好ましい。

【００３３】第二ｐ型クラッド層５の層厚は、０．０３
μｍ以上０．３μｍ以下の範囲とすることが好ましい。

【００３４】ｐ型コンタクト層６には、ＧａＮやＩｎＧ
ａＮ、ＡｌＧａＮを用いることができるが、ｐ側電極７
との接触抵抗を小さくできるＧａＮやＩｎＧａＮを用い
ることが好ましい。特に、組成傾斜させたＡｌＧａＮか
らなる第二ｐ型クラッド層５とＩｎＧａＮからなるｐ型
コンタクト層６とを組み合わせて用いると、発光効率の
向上と動作電圧の低減を同時に効果的に行うことができ
る。

【００３５】ｐ型コンタクト層６の層厚は、０．０２μ
ｍ以上０．２μｍ以下の範囲とすることが好ましい。

【００３６】第一ｐ型クラッド層４、第二ｐ型クラッド
層５、およびｐ型コンタクト層６にドープされるｐ型不
純物には、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ，Ｃ等を用いることができ
るが、比較的容易にｐ型とすることができるＭｇを用い
ることが好ましい。

【００３７】ｐ側電極７には、ＡｕやＮｉ、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｍｇ等の単体金属、あるいはそれらの合金や積層構
造を用いることができる。特に、発光波長に対する反射
率が高いＰｔ，Ｍｇ等の金属を用いると、活性層３から
ｐ側電極７の側へ向かう光を反射させて、基板１の側か
ら取り出すことができるので、発光強度向上の面で好ま
しい。

【００３８】ｎ側電極８は、基板１の上に形成された中
間層２、活性層３、第一ｐ型クラッド層４、第二ｐ型ク
ラッド層５およびｐ型コンタクト層６からなる積層構造
の表面側からこれらの一部を除去させて露出させた基板
１の表面に直接接して形成される。ｎ側電極８をこのよ
うに配置する構成とすることにより、基板１の前記積層
構造を形成していない面側を主発光面とすることがで
き、上記した中間層２と基板１との界面における電流広
がり効果により、この主発光面において均一な面発光が
得られる。

【００３９】ｎ側電極８には、ＡｌやＴｉ等の単体金
属、またはＡｌやＴｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｖ、Ｃｒ等を含む
合金、若しくはそれらの積層構造を用いることができ
る。

【００４０】

【実施例】以下、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子の製造方法の具体例について図面を参照しなが
ら説明する。以下の実施例は、主として有機金属気相成
長法を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を
示すものであるが、成長方法はこれに限定されるもので
はなく、分子線エピタキシー法や有機金属分子線エピタ
キシー法等を用いることも可能である。

【００４１】（実施例）本実施例においては、図１に示
す窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。

【００４２】まず、表面を鏡面に仕上げられたＧａＮか
らなる基板１を反応管内の基板ホルダーに載置した後、
基板１の表面温度を１１００℃に１０分間保ち、水素ガ
スを流しながら基板を加熱することにより、基板１の表
面に付着している有機物等の汚れや水分を取り除くため
のクリーニングを行った。

【００４３】続いて、基板１の表面温度を１１００℃に
５分間保ち、水素ガスと窒素ガスとアンモニアとを流し
ながら、基板１の表面の結晶性を向上させる。

【００４４】次に、基板１の表面温度を１０５０℃にま
で降下させた後、主キャリアガスとして窒素ガスと水素
ガスを流しながら、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を含
むＴＭＧ用のキャリアガスと、を流しながら成長させ
て、アンドープのＧａＮからなる中間層２を５０ｍの厚
さで成長させた。この中間層２の電子濃度は６×１０¹⁵
ｃｍ^-3であった。

【００４５】中間層２を成長後、ＴＭＧ用のキャリアガ
スを止め、基板温度を７５０℃にまで降下させ、７５０
℃において、主キャリアガスとして窒素ガスを流し、新
たにＴＭＧ用のキャリアガスと、ＴＭＩ用のキャリアガ
スと、を流しながらアンドープのＩｎ０．２Ｇａ０．８
Ｎからなる単一量子井戸構造の活性層３を３ｎｍの厚さ
で成長させた。

【００４６】活性層３を成長後、ＴＭＩ用のキャリアガ
スを止め、ＴＭＧ用のキャリアガスを流しながら基板温
度を１０５０℃に向けて昇温させながら、引き続きアン
ドープのＧａＮを４ｎｍの厚さで成長させ、基板温度が
１０５０℃に達したら、新たに主キャリアガスとしての
窒素ガスと水素ガスと、ＴＭＡ用のキャリアガスと、Ｍ
ｇ源であるＣｐ２Ｍｇ用のキャリアガスと、を流しなが
ら成長させて、ＭｇをドープさせたＡｌＧａＮからなる
第二ｐ型クラッド層５を０．１μｍの厚さで成長させ
る。このＡｌＧａＮの成長時には、ＴＭＡ用のキャリア
ガスを時間とともにリニアに減少させつつ、ＴＭＧ用の
キャリアガスを時間とともにリニアに増加させて、組成
がＡｌ０．１５Ｇａ０．８５ＮからＡｌ０．０１Ｇａ
０．９９Ｎまで変化した傾斜組成ＡｌＧａＮとして第二
ｐ型クラッド層５を成長させた。

【００４７】この後、ＴＭＧ用のキャリアガスとＴＭＡ
用のキャリアガスとを止め、基板温度を１０５０℃に保
持し、ＭｇをドープさせたＡｌＧａＮからアンドープで
形成したＧａＮにＭｇを拡散させ、第一ｐ型クラッド層
４を形成させた。

【００４８】第一ｐ型クラッド層４および第二ｐ型クラ
ッド層５を形成後、基板温度を８００℃にまで降下さ
せ、８００℃において、新たにＴＭＧ用のキャリアガス
と、ＴＭＩ用のキャリアガスと、Ｃｐ２Ｍｇ用のキャリ
アガスと、を流しながら成長させて、Ｍｇをドープさせ
たＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなるｐ型コンタクト
層６を０．１μｍの厚さで成長させた。

【００４９】ｐ型コンタクト層６を成長後、ＴＭＧ用の
キャリアガスとＴＭＩ用のキャリアガスとＣｐ２Ｍｇ用
のキャリアガスとを止め、主キャリアガスとアンモニア
をそのまま流しながら室温程度にまで冷却させて、ウェ
ハーを反応管から取り出した。

【００５０】次に、ｐ型コンタクト層６の表面上にＣＶ
Ｄ法によりＳｉＯ２膜を堆積させた後、フォトリソグラ
フィにより所定の形状にパターンニングしてエッチング
用のマスクを形成させた。そして、反応性イオンエッチ
ング法により、ｐ型コンタクト層６と第二ｐ型クラッド
層５と第一ｐ型クラッド層４と活性層３とｎ型クラッド
層２と基板１の一部を約０．４μｍの深さで積層方向と
逆の方向に向かって除去させて、基板１の表面を露出さ
せた。そして、フォトリソグラフィーと蒸着法により露
出させた基板１の表面上にＡｌからなるｎ側電極８を蒸
着形成させた。さらに、同様にしてｐ型コンタクト層６
の表面上にＰｔとＡｕとからなるｐ側電極７を蒸着形成
させた。

【００５１】この後、基板１の裏面を研磨して１００μ
ｍ程度の厚さに調整し、スクライブによりチップ状に分
離した。このようにして、図１に示す窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子が得られた。

【００５２】この発光素子を、電極形成面側を下向きに
して、正負一対の電極を有するＳｉダイオードの上にＡ
ｕバンプにより接着させた。このとき、発光素子のｐ側
電極７およびｎ側電極８が、それぞれＳｉダイオードの
負電極および正電極と接続されるようして発光素子を搭
載する。この後、発光素子を搭載させたＳｉダイオード
を、Ａｇペーストによりステム上に載置し、Ｓｉダイオ
ードの正電極をステム上の電極にワイヤで結線し、その
後樹脂モールドして発光ダイオードを作製した。この発
光ダイオードを２０ｍＡの順方向電流で駆動したとこ
ろ、ピーク発光波長４７０ｎｍの青色で発光し、基板１
の側から均一な面発光が得られた。このときの発光出力
は１．０ｍＷであり、順方向動作電圧は３．４５Ｖであ
った。

【００５３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、窒化ガリ
ウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の側
を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上で
の配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持す
ることができるので、発光素子直上で均一な配光分布が
望まれる表面実装型発光ダイオードや発光素子を基板上
に複数配列させたライン状光源などの用途に好適に用い
ることができる。

【００５４】また、発光素子直上での発光強度を高く保
持することができるので、従来の砲弾形状の樹脂レンズ
付き発光ダイオードにも用いることができる。

【００５５】さらに、ｎ側電極の配置とｎ型クラッド層
の電子濃度の条件を特定することにより、ｎ型の基板と
ｎ型クラッド層における電流広がりが確保されるので、
ｎ側電極のサイズを小さくすることが可能となる。この
ため、Ａｕバンプ等による電気的接続を用いることがで
きるので、電極サイズによるワイヤボンディング等の作
業性の制約が解消され、電気的接続の作業性が確保され
る。

【００５６】また、中間層を層厚が薄いので、積層構造
の成長時間を短くすることができ、製造コストの低減に
も寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子の構造を示す断面図

【図２】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の
構造を示す断面図

【符号の説明】

１ 基板（ｎ型クラッド層） ２ 中間層 ３ 活性層 ４ 第一ｐ型クラッド層 ５ 第二ｐ型クラッド層 ６ ｐ型コンタクト層 ７ ｐ側電極 ８ ｎ側電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA05 CA04 CA05 CA12 CA13 CA33 CA34 CA40 CA46 CA49 CA57 CA65 CA66 CA74 CA76 CA83 CA92 DA02 DA04 DA07 DA19 DA41 DB01 FF01 5F073 AA44 AA73 AA74 AA77 CA07 CB02 CB05 CB13 CB14 DA05 DA06 EA07 EA24

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体からな
   る基板とＩｎを含む活性層とを包含するダブルヘテロ構
   造を備え、前記基板に接続される電極を有する半導体発
   光素子であって、前記基板と前記活性層との間に、電子
   濃度が１×１０ ¹⁶ｃｍ^-3未満である中間層を有すること
   を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
2. 【請求項２】前記中間層は、その厚さが１０ｎｍ以上で
   １００ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１
   記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
3. 【請求項３】前記中間層は、アンドープのＧａＮからな
   ることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化合
   物半導体発光素子。
4. 【請求項４】前記電極は、前記ダブルヘテロ構造の表面
   側からその一部を除去させて露出された前記基板の表面
   に直接接して設けられていることを特徴とする請求項１
   から３のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体
   発光素子。