CN112768576A - 一种发光二极管及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管及制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；N型半导体层，位于衬底的第一表面上；中间层，位于N型半导体层的上方；中间层的材料为AlxGa1‑x‑yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；中间层在N型半导体层的上方包括至少两个子中间层、以及设置于相邻两个子中间层之间的掺杂层，子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于掺杂层的杂质掺杂浓度；有源层，位于中间层的上方；P型半导体层，位于有源层的上方。本发明所述的发光二极管能够改善发光二极管的光电特性，有效的提高发光二极管的发光强度及效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种发光二极管及制备方法。
背景技术
发光二极管是固态照明中的核心器件，具备寿命长，可靠性好、电光转换效率高等诸多优点。发光二极管的外延结构包括多层结构，其中核心层次为N型外延层、有源层和P型外延层，通过将N型外延层中的电子和P型外延层中的空穴输送至有源层，电子和空穴在有源层进行复合发光。
发光二极管多为GaN基材料，而GaN体系材料多为纤锌矿结构，这种结构缺乏对称中心，沿(0001)方向会存在自发极化以及压电极化现象。因此在GaN生长过程中掺入In或Al，或者是GaN生长条件发生变化时，会在材料变化的界面处产生一系列的界面电荷，使得LED的发光效率很难进一步提高；因而，急需提供一种光电性能更好、发光效率更高的发光二极管。
发明内容
为了解决背景技术中至少一个技术问题，本发明提供一种发光二极管及制备方法，能够改善发光二极管的光电特性，有效的提高发光二极管的发光强度及效率。
本发明所采用的技术方案具体如下：
根据本发明的一个方面，提供一种发光二极管，包括：
衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；
N型半导体层，位于衬底的第一表面上；
中间层，位于N型半导体层的上方；且中间层包括至少两个子中间层、以及设置在相邻两个子中间层之间的掺杂层；中间层的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于掺杂层的杂质掺杂浓度；
有源层，位于中间层的上方；
P型半导体层，位于有源层的上方。
可选地，相邻子中间层的材料的x和/或y的取值不同。
可选地，中间层还包括：设置于子中间层与有源层之间的掺杂层。
可选地，靠近有源层一侧的子中间层为超晶格层。
可选地，掺杂层的杂质掺杂浓度与子中间层的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。
可选地，掺杂层的杂质掺杂浓度与有源层的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。
根据本发明的一个方面，提供一种发光二极管，包括：
提供一衬底，该衬底具备相对设置的第一表面和第二表面；
在衬底的第一表面上形成N型半导体层；
在N型半导体层的上方形成中间层，中间层包括至少两个子中间层、以及形成于相邻两个子中间层的掺杂层；中间层的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于掺杂层的杂质掺杂浓度；
在中间层的上方制备有源层；
在有源层的上方制备P型半导体层。
可选地，在N型半导体层的上方形成中间层，中间层包括至少两个子中间层、以及形成于相邻两个子中间层的掺杂层，包括：
在N型半导体层的上方形成第一子中间层；
在第一子中间层的上方形成第一掺杂层；
在第一掺杂层的上方形成第二子中间层；
在第二子中间层的上方形成第二掺杂层；
继续按照上述顺序依次循环生长……直至在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层(n≥2)；
其中，相邻子中间层中的x和/或y的取值不同，以使形成的相邻的两个子中间层具有不同的材料组成。
可选地，在N型半导体层的上方形成中间层，中间层包括至少两个子中间层、以及形成于相邻两个子中间层的掺杂层，还包括：
在N型半导体层的上方形成第一子中间层；
在第一子中间层的上方形成第一掺杂层；
在第一掺杂层之上继续形成第二子中间层；
在第二子中间层之上形成第二掺杂层；
继续按照上述顺序依次循环生长……直至在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层(n≥2)；
其中，相邻子中间层的生长条件不同；生长条件包括生长温度、生长速度、生长压力或生长气氛中的至少一个。
可选地，在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层之后，还包括：
在第n子中间层之上形成第n掺杂层；
在第n掺杂层之上形成有源层。
可选地，在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层，还包括：
将第n子中间层形成为超晶格层。
可选地，掺杂层的杂质掺杂浓度与有源层的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。
可选地，还包括：形成子中间层的温度介于750～1100℃，形成掺杂层的温度介于600～1100℃。
可选地，掺杂层的杂质掺杂浓度与子中间层的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。
与现有技术相比，本发明所述的发光二极管及制备方法至少具备如下有益效果：
本发明的发光二极管包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；N型半导体层，位于衬底的第一表面上；中间层，位于N型半导体层的上方，中间层的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；中间层在N型半导体层的上方包括至少两个子中间层，相邻两个子中间层之间设置有掺杂层，子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于掺杂层的杂质掺杂浓度；有源层，位于中间层的上方；P型半导体层，位于有源层的上方。进一步地，各个子中间层的材料x和/或y的取值不同或各子中间层的生长条件不同。一般地，发光二极管中间层存在的子中间层的材料及生长条件的不同，会使得各子中间层与层之间存在界面电荷。本发明在中间层或有源层的x和/或y发生变化的区域或生长条件变化的区域形成掺杂层，该掺杂层能够屏蔽变化区域之间的界面电荷，进而可以有效改善LED的光电特性，提高发光二极管的发光强度和效率。
附图说明
图1为发光二极管的结构示意图；
图2为图1中所述发光二极管的外延结构的掺杂浓度与深度的SIMS(secondaryion mass spectroscopy；二次离子质谱)曲线图；
图3为本发明中实施例1中一实施例的所述发光二极管的结构示意图；
图4为本发明中实施例1中一实施例的所述发光二极管的外延结构的掺杂浓度与深度的SIMS(secondary ion mass spectroscopy；二次离子质谱)曲线图；
图5为本发明中实施例1中一实施例的所述发光二极管的结构示意图；
图6为本发明中实施例2所述发光二极管的制备流程图。
附图标记列表：
100 衬底
200 低温缓冲层
300 N型半导体层
400 中间层
401 子中间层
4011 第一子中间层
4012 第二子中间层
4013 第三子中间层
402 掺杂层
4021 第一掺杂层
4022 第二掺杂层
4023 第三掺杂层
500 有源层
600 P型半导体层
700 P型电极
800 N型电极
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了改善发光二极管内部的载流子注入及电子泄露问题，图1提供一种发光二极管的结构，参照图1，该发光二极管依次包括衬底100、低温缓冲层200、N型半导体层300、中间层400、有源层500和P型半导体层600；其中，在P型半导体层600上设置有P电极700，在裸露的N型半导体层300上设置有N电极800。具体地，衬底100采用蓝宝石衬底，低温缓冲层200为低温GaN缓冲层，N型半导体层300为N-GaN层，中间层400材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：x＝0，y＝0.1；且中间层400整体掺杂有硅，掺杂浓度为1E17-5E18 atoms/cm3。有源层500为GaN/InGaN，P型半导体层600为N-GaN层。对该发光二极管的外延结构进行SIMS(secondaryion mass spectroscopy；二次离子质谱)测试，所得SIMS曲线如图2所示。图2为目前市场上多数发光二极管SIMS测试图，其中发光二极管外延结构的中间层整体进行硅掺杂，并且硅掺杂浓度变化平稳。但是，这种发光二极管的光电性能发展已经进入瓶颈期，性能无法进一步突破。
为了进一步提高发光二极管的光电性能，本发明实施例提供一种发光二极管及制备方法，能够改善发光二极管的光电特性，有效的提高发光二极管的发光强度及效率。
实施例1
本实施例公开一种发光二极管，参照图3或图5。该发光二极管依次包括衬底100、N型半导体层300、中间层400、有源层500和P型半导体层600；其中，衬底100具有相对设置的第一表面和第二表面；衬底100可以为蓝宝石衬底，也可以是其他的衬底材料，如Si、SiC等；N型半导体层300位于衬底100的第一表面上；具体地，该N型半导体层300可以为N-GaN层。可选地，在N型半导体层300与衬底100之间还设置有低温缓冲层200，该低温缓冲层200为GaN层。中间层400位于N型半导体层的上方，中间层400的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；且中间层400在N型半导体层300的上方包括至少两个子中间层401，相邻两个子中间层401之间设置有掺杂层402，子中间层401的杂质掺杂浓度小于或等于掺杂层402的杂质掺杂浓度。进一步地，控制掺杂层402的杂质掺杂浓度与子中间层401的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17 atoms/cm3，可以有效改善发光二极管的光电性能。有源层500位于中间层400的上方；可选地，在中间层400和有源层500之间也设置有掺杂层402。P型半导体层600位于有源层500的上方，具体地，可以为P-GaN层。可选地，在P型半导体层600的上方设置有P型电极，在N型半导体层的裸露部分设置有N型电极。
在本发明的一个实施例中，相邻两个子中间层401中AlxGa1-x-yInyN材料的x和/或y的取值不同。参照图3，当子中间层的个数为3个时，中间层400包括第一子中间层4011、第二子中间层4012和第三子中间层4013，其中，第一子中间层4011、第二子中间层4012和第三子中间层4013可以分别为AlGaInN、GaInN和AlInN；也可以分别为Ga0.95In0。05N、Ga0.9In0.1N和Ga0.8In0.2N；掺杂层402位于相邻子中间层401之间的界面变化区域。掺杂层402的材料为AlxGa1-x-yInyN；其中，该掺杂层402可以为渐变层，也可以与任何一个子中间层401的材料组成相同；或是由相邻两个子中间层401构成，与相邻两个子中间层的材料组成相同。例如：位于第一子中间层4011与第二子中间层4012之间的第一掺杂层402的材料一部分与第一子中间层4011相同，另一部分与第二子中间层4012相同。可选地，该掺杂层402包括第一子中间层厚度的0％～50％和第二子中间层厚度的0％～50％。可选地，掺杂层402的形成温度为600～1100℃。可选地，掺杂层为硅掺杂层。
在本发明的一个实施例中，相邻子中间层的生长条件不同。需要说明的是，本实施例所述的生长条件包括生长温度、生长速度、生长压力或生长气氛一种或多种。下面以生长温度发生变化为例进行说明；参照图5，当子中间层的个数为2个时，中间层400包括第一子中间层4011和第二子中间层4012。其中，第一子中间层4011和第二子中间层4012的材料均为GaN，第一子中间层GaN的生长温度为750～1100℃；第二子中间层GaN的生长温度为800℃～1000℃，且第一子中间层GaN和第一子中间层GaN的生长温度不同。在第一子中间层GaN与第二子中间层GaN之间进行掺杂，形成掺杂层402；该掺杂层402的形成温度为600～1100℃，且该掺杂层402的形成温度可以与子中间层401的形成温度相同，也可以不同。可选地，该掺杂层402包括第一子中间层4011厚度的0％～50％和第二子中间层4012厚度的0％～50％。
在可选实施例中，靠近有源层500一端的子中间层401为超晶格层，超晶格层与有源层500之间设置有掺杂层402。可选地，超晶格层的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1。可选地，该掺杂层402包括超晶格层厚度的0％～50％和有源层500厚度的0％～50％。可选地，掺杂层402的杂质掺杂浓度与有源层500的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。在一些实施例中，子中间层401也可以全部为超晶格层。
在一具体实施例中，如图3所示，该发光二极管依次包括衬底100、低温缓冲层200、N型半导体层300、中间层400、有源层500和P型半导体层600；其中，在P型半导体层600上设置有P电极700，在裸露的N型半导体层300上设置有N电极800。具体地，衬底100采用蓝宝石衬底，低温缓冲层200为低温GaN缓冲层，N型半导体层300为N-GaN层，中间层400包括第一子中间层4011、第二子中间层4012和第三子中间层4013，上述三层的材料依次为Ga0.95In0。05N、Ga0.9In0.1N和Ga0.8In0.2N，且层与层之间均设置有掺杂层402，各个子中间层的形成温度为1000℃，掺杂层的形成温度为830℃；第三子中间层4013为超晶格层，该超晶格层为GaN/InGaN。有源层500为GaN/InGaN，在超晶格层与有源层500之间也设置有掺杂层402；P型半导体层600为P-GaN层。对该发光二极管的外延结构进行SIMS(secondary ion massspectroscopy；二次离子质谱)测试，获该发光二极管外延结构的掺杂浓度与深度的SIMS曲线如图4所示；图中，掺杂层402的杂质掺杂浓度与子中间层401或有源层500的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17 atoms/cm3。对该发光二极管的光电性能进行测试可得，该发光二极管的光电性能有较大的改善，发光强度有明显的提高。
由于中间层AlxGa1-x-yInyN中x和/或y的取值发生变化或生长条件发生变化时，会使得变化的界面存在界面电荷，该界面电荷的存在会影响载流子的传输，产生顺向或逆向漏电，因而对LED的发光效率产生不利的影响。本实施例在中间层或有源层的x或y发生变化的区域或生长条件变化的区域形成掺杂层，采用掺杂层屏蔽变化区域之间的界面电荷，能够有效改善LED的光电特性，提高发光二极管的发光强度和效率。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管的制备方法，参照图3、5或6。
S101：提供一衬底，该衬底具备相对设置的第一表面和第二表面；
提供一衬底100，该衬底100具备相对设置的第一表面和第二表面，可选地，衬底100可以为蓝宝石衬底，也可以为其他的衬底材料，如Si、SiC等。
S102：在衬底的第一表面形成N型半导体层；
在衬底100的第一表面上形成N型半导体层300。具体地，可以采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)的方法制备N型半导体层300。在本实施例中，该N型半导体层300可以为N-GaN层。可选地，在形成N型半导体层300之前，还包括：在衬底100上制备一层低温缓冲层200，具体地，该低温缓冲层200可以为GaN层。
S103：在N型半导体层的上方形成中间层，中间层包括至少两个子中间层、以及形成于相邻两个子中间层的掺杂层；其中：中间层的材料为AlxGa1-x-yInyN，0≤x≤1，0≤y≤1；所述子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于所述掺杂层的杂质掺杂浓度；
在一实施例中，参照图3，形成中间层400包括：在N型半导体层300的上方形成第一子中间层4011，在第一子中间层4011的上方形成第一掺杂层4021；在第一掺杂层4021的上方形成第二子中间层4012；在第二子中间层4012的上方形成第二掺杂层4022，继续按照上述顺序依次循环生长……直至在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层(n≥2)；其中，相邻子中间层401中的x和/或y的取值不同，以使形成的相邻的两个子中间层401具有不同的材料组成。掺杂层402的材料为AlxGa1-x-yInyN；其中，该掺杂层402可以为渐变层，也可以与任何一个子中间层401的材料组成相同；或是由相邻两个子中间层401构成，与相邻两个子中间层401的材料组成相同。
具体地，以掺杂层402由相邻两个子中间层401构成为例进行说明；如图3所示，在N型半导体层300的上方形成第一子中间层4011，在形成第一子中间层4011厚度的50～100％之后，通入掺杂气体，直至形成第二子中间层4012厚度的0～50％时，停止通入掺杂气体；继续形成第二子中间层4012。最终，在第一子中间层4011和第二子中间层4012之间形成第一掺杂层4021，且形成子中间层的温度介于750～1100℃，形成所述掺杂层的温度介于600～1100℃。其中，第一掺杂层4021包括第一子中间层厚度的0％～50％和第二子中间层厚度的0％～50％。使用同样的方法，在第二子中间层4011和第三子中间层4012之间形成第二掺杂层4022。其中，第一子中间层4011、第二子中间层4012和第三子中间层4013可以分别为AlGaInN、GaInN和AlInN；也可以分别为Ga0.8In0。2N、Ga0.5In0.5N和Ga0.1In0.9N。
在一实施例中，参照图5，形成中间层400包括：在N型半导体层300的上方形成第一子中间层4011；在第一子中间层4011的上方形成第一掺杂层4021；在第一掺杂层4021之上继续形成第二子中间层4012；在第二子中间层4012之上形成第二掺杂层4022；继续按照上述顺序依次循环生长……直至在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层(n≥2)，使得形成相邻子中间层401之间形成有掺杂层402的中间层结构；其中，相邻子中间层401的生长条件不同；生长条件包括生长温度、生长速度、生长压力或生长气氛中的至少一个；该掺杂层402可以为渐变层，也可以与任何一个子中间层401的材料组成相同；或是由相邻两个子中间层401构成，与相邻两个子中间层401的材料组成相同。
下面以生长温度发生变化及掺杂层402由相邻两个子中间层401构成为例进行说明；如图5所示，当子中间层的生长条件变化2次时，中间层400包括第一子中间层4011和第二子中间层4012。具体地，在生长温度为950℃的条件下，在N型半导体层300的上方形成第一子中间层4011，在形成第一子中间层4011厚度的50～100％之后，通入掺杂气体，改变生长温度为1100℃，开始生长第二子中间层4012，直至形成第二子中间层4012厚度的0～50％时，停止通入掺杂气体，形成第一掺杂层4021，并继续在生长温度为1100℃的条件下，制备第二子中间层4012。最终，在第一子中间层4011和第二子中间层4012之间形成第一掺杂层4021，该第一掺杂层4021包括第一子中间层厚度的0％～50％和第二子中间层厚度的0％～50％。可选地，形成子中间层的温度介于750～1100℃，形成掺杂层的温度介于600～1100℃。
在可选实施例中，第三子中间层4023形成为超晶格层；可选地，该超晶格层的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；具体地，可以为GaN/InGaN。
S104：在中间层的上方形成有源层；
在中间层400的上方形成有源层500。可选地，有源层500可以为GaN/InGaN。可选地，可以采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)的方法进行制备。
在可选实施例中，在中间层400的上方制备有源层500还包括：在中间层400的第n子中间层与有源层500之间形成掺杂层402。可选地，第n子中间层形成为超晶格层。具体地，在制备超晶格层的厚度达到50～100％之后，通入掺杂气体，并继续生长有源层500，直至形成有源层500厚度的0～50％时，停止通入掺杂气体，以在超晶格层与有源层500之间形成第三掺杂层4013，并继续生长有源层500。可选地，掺杂层402的杂质掺杂浓度与有源层500的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17 atoms/cm3。可选地，形成有源层的温度介于750～1100℃，形成掺杂层的温度介于600～1100℃。
S105：在有源层的上方形成P型半导体层。
在有源层500的上方形成P型半导体层600。具体地，可以采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)的方法制备P型半导体层600。在本实施例中，该P型半导体层600可以为P-GaN层。
可选地，在有源层500的上方制备P型半导体层600之后，还包括：刻蚀发光二极管的外延结构，使得裸露出部分N型半导体层，在裸露出的N型半导体层及P型半导体层上蒸镀或者溅射电极材料，获得N型电极和P型电极。
综上，本发明所述的发光二极管及制备方法至少具备如下有益效果：
本发明的发光二极管包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；N型半导体层，位于衬底的第一表面上；中间层，位于N型半导体层的上方所述中间层的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；中间层在N型半导体层的上方包括至少两个子中间层，相邻两个子中间层之间设置有掺杂层，子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于掺杂层的杂质掺杂浓度；有源层，位于中间层的上方；P型半导体层，位于有源层的上方。进一步地，各个子中间层的材料x和/或y的取值不同或各子中间层的生长条件不同。一般地，发光二极管中间层存在的子中间层的材料及生长条件的不同，会使得各子中间层与层之间存在界面电荷。本发明在中间层或有源层的x和/或y发生变化的区域或生长条件变化的区域形成掺杂层，该掺杂层能够屏蔽变化区域之间的界面电荷，进而可以有效改善LED的光电特性，提高发光二极管的发光强度和效率。
本具体的实施例仅仅是对本发明的解释，而并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
Claims (14)
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；
N型半导体层，位于所述衬底的所述第一表面上；
中间层，位于所述N型半导体层的上方；且所述中间层包括至少两个子中间层、以及设置在相邻两个所述子中间层之间的掺杂层；所述中间层的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；所述子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于所述掺杂层的杂质掺杂浓度；
有源层，位于所述中间层的上方；
P型半导体层，位于所述有源层的上方。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述子中间层的材料的x和/或y的取值不同。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述中间层还包括：设置于所述子中间层与所述有源层之间的所述掺杂层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，靠近所述有源层一侧的所述子中间层为超晶格层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述掺杂层的杂质掺杂浓度与所述子中间层的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述掺杂层的杂质掺杂浓度与所述有源层的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。
7.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，该衬底具备相对设置的第一表面和第二表面；
在所述衬底的第一表面上形成N型半导体层；
在所述N型半导体层的上方形成中间层，所述中间层包括至少两个子中间层、以及形成于相邻两个所述子中间层的掺杂层；所述中间层的材料为AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；所述子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于所述掺杂层的杂质掺杂浓度；
在所述中间层的上方制备有源层；
在所述有源层的上方制备P型半导体层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述N型半导体层的上方形成中间层，所述中间层包括至少两个子中间层、以及形成于相邻两个子中间层的掺杂层，包括：
在所述N型半导体层的上方形成第一子中间层；
在所述第一子中间层的上方形成第一掺杂层；
在所述第一掺杂层的上方形成第二子中间层；
在所述第二子中间层的上方形成第二掺杂层；
继续按照上述顺序依次循环生长……直至在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层(n≥2)；
其中，相邻子中间层中的x和/或y的取值不同，以使形成的相邻的两个子中间层具有不同的材料组成。
9.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述N型半导体层的上方形成中间层，所述中间层包括至少两个子中间层、以及形成于相邻两个子中间层的掺杂层，还包括：
在所述N型半导体层的上方形成第一子中间层；
在所述第一子中间层的上方形成第一掺杂层；
在所述第一掺杂层之上继续形成第二子中间层；
在所述第二子中间层之上形成第二掺杂层；
继续按照上述顺序依次循环生长……直至在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层(n≥2)；
其中，相邻子中间层的生长条件不同；所述生长条件包括生长温度、生长速度、生长压力或生长气氛中的至少一个。
10.根据权利要求8或9所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层之后，还包括：
在所述第n子中间层之上形成第n掺杂层；
在所述第n掺杂层之上形成所述有源层。
11.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在第n-1掺杂层的上方形成第n子中间层，还包括：
将所述第n子中间层形成为超晶格层。
12.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述掺杂层的杂质掺杂浓度与所述有源层的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。
13.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括：形成所述子中间层的温度介于750～1100℃，形成所述掺杂层的温度介于600～1100℃。
14.根据权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述掺杂层的杂质掺杂浓度与所述子中间层的杂质掺杂浓度的浓度差大于或等于1E17atoms/cm3。
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