CN113764556A - 一种氮化镓基发光二极管外延片的复合n型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片 - Google Patents
一种氮化镓基发光二极管外延片的复合n型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113764556A CN113764556A CN202111060296.2A CN202111060296A CN113764556A CN 113764556 A CN113764556 A CN 113764556A CN 202111060296 A CN202111060296 A CN 202111060296A CN 113764556 A CN113764556 A CN 113764556A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- composite
- type
- type barrier
- gallium nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 101
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 97
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 91
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 75
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 67
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 492
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 63
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 46
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 9
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWBUYGUPYWKAMK-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[N] Chemical compound [AlH3].[N] IWBUYGUPYWKAMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片。本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层，包括低温氮化镓层和设置在所述低温氮化镓层表面的循环层，所述循环层包括至少一层氮化硅层和至少一层氮化铝层，所述氮化硅层和氮化铝层间隔层叠设置，所述氮化硅层和氮化铝层的层数相同。本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层能够有效形成高阻隔绝，阻挡电子向高缺陷密度的非掺层泄露，不仅能够提升了电子注入效率，且减小漏电，提升抗静电能力。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。氮化镓(GaN)基材料作为一种重要的第三代半导体材料，在半导体照明、电力电子、高频通信等领域具有广泛的应用前景。二十世纪九十年代以来，氮化镓基发光二极管逐渐商业化，填补了传统发光二极管在蓝光波段的空白。
外延片为发光二极管制作过程中的初级成品。现有的氮化镓基LED外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上。P型半导体层用于提供进行复合发光的空穴，N型半导体层用于提供进行复合发光的电子，有源层用于进行电子和空穴的辐射复合发光，衬底用于为外延材料提供生长表面。
虽然氮化镓基发光二极管逐渐商业化，但是现阶段市售的氮化镓基发光二极管仍存在使用时漏电量大的缺陷。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片，本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片具有漏电小、抗静电的特点，且电子注入效率高。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层40，包括低温氮化镓层41和设置在所述低温氮化镓层41表面的循环层，所述循环层包括至少一层氮化硅层42和至少一层氮化铝层43，所述氮化硅层42 和氮化铝层43间隔层叠设置，所述氮化硅层42和氮化铝层43的层数相同。
优选的，所述氮化硅层42的层数为2～10层。
优选的，所述氮化硅层42的总厚度为0.5～5nm；所述氮化铝层43的总厚度为0.5～5nm。
优选的，所述低温氮化镓层41的厚度为50～500nm。
优选的，所述复合N型阻挡层40的表面具有锥形坑结构。
优选的，所述复合N型阻挡层40表面的锥形坑的密度为2×e8～5×e8个 /cm2。
优选的，单个所述锥形坑的深度独立为50～500nnm，单个所述锥形坑的底面直径独立为50～500nm。
本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片，包括衬底10和依次层叠设置在所述衬底10表面的缓冲层20、非掺层30、上述技术方案所述的复合N型阻挡层40、N型导电层50、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层 (80)、P型导电层90和金属接触层100；所述非掺层30表面设置所述低温氮化镓层41。
本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片，包括衬底10和依次层叠设置在所述衬底10表面的缓冲层20、第一非掺层301、上述技术方案所述的复合N型阻挡层40、第二非掺层302、N型导电层50、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100，所述第一非掺层301表面与所述复合N型阻挡层40中的所述低温氮化镓层41接触。
本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片，包括衬底10和依次层叠设置在所述衬底10表面的缓冲层20、非掺层30、第一N型导电层501、上述技术方案所述的复合N型阻挡层40、第二N型导电层502、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100，所述第一N型导电层501表面与所述的复合N型阻挡层40中的所述低温氮化镓层41接触。
本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层40，包括低温氮化镓层41和设置在所述低温氮化镓层41表面的循环层，所述循环层包括至少一层氮化硅层42和至少一层氮化铝层43，所述氮化硅层42和氮化铝层43间隔层叠设置，所述氮化硅层42和氮化铝层43的层数相同。本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层40能够有效形成高阻隔绝，阻挡电子向高缺陷密度的非掺层泄露，不仅能够提升了电子注入效率，且减小漏电，提升抗静电能力；同时，本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层也起到了阻隔非掺层缺陷和应力向N型导电层释放的作用。
附图说明
图1为本发明实施例1～5提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的结构示意图；
图2为本发明实施例1～5提供的氮化镓基发光二极管外延片的制备流程图；
图3为本发明实施例1和实施例2制备的氮化镓基发光二极管外延片的局部剖面图；
图4为本发明实施例3制备的氮化镓基发光二极管外延片的局部剖面图；
图5为本发明实施例4制备的氮化镓基发光二极管外延片的局部剖面图；
图6为本发明实施例5制备的氮化镓基发光二极管外延片的局部剖面图；
图7为本发明实施例6提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的结构示意图；
图8为本发明实施例7提供的一种氮化镓基发光二极管外延片的结构示意图；
其中10-衬底，20-缓冲层，30-非掺层，40-复合N型阻挡层，41-低温氮化镓层，42-氮化硅层，43-氮化铝层，50-N型导电层，60-应力释放层，70- 有源层，80-P型阻挡层，90-P型导电层，100-金属接触层。301-第一非掺层， 302-第二非掺层，501-第一N型导电层，502-第二N型导电层。
具体实施方式
本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层40，包括低温氮化镓层41和设置在所述低温氮化镓层41表面的循环层，所述循环层包括至少一层氮化硅层42和至少一层氮化铝层43，所述氮化硅层42 和氮化铝层43间隔层叠设置，所述氮化硅层42和氮化铝层43的层数相同。
本发明提供的复合N型阻挡层40包括低温氮化镓层41，在本发明中，所述低温氮化镓层41的厚度优选为50～500nm，更优选为55～485nm。在本发明中，所述低温氮化镓层41的材质优选为N型杂质掺杂的氮化镓，所述N型杂质元素优选为硅元素、锗元素、锡元素、碲元素、氧元素和碳元素中的一种或多种。
本发明提供的复合N型阻挡层40包括设置在所述低温氮化镓层41表面的循环层，所述循环层包括至少一层氮化硅层42和至少一层氮化铝层43，所述氮化硅层42和氮化铝层43间隔层叠设置，所述氮化硅层42和氮化铝层43的层数相同。在本发明中，所述氮化硅层42的层数优选为2～10层，在本发明中的具体实施例中，所述氮化硅层42的层数优选为1层或2层。
在本发明的具体实施例中，所述复合N型阻挡层40优选包括：依次层叠设置的低温氮化镓层41、氮化硅层42、氮化铝层43，或依次层叠设置的低温氮化镓层41、氮化铝层43、氮化硅层42，或依次层叠设置的低温氮化镓层41、氮化硅层42、氮化铝层43、氮化硅层42、氮化铝层43，或依次层叠设置的低温氮化镓层41、氮化铝层43、氮化硅层42、氮化铝层43、氮化硅层42。
在本发明中，所述氮化硅层42的总厚度优选为0.5～5nm，更优选为 1～4.5nm。
在本发明中，所述氮化铝层43的总厚度优选为0.5～5nm，更优选为 1～4.5nm。在本发明中，所述氮化铝层43的材质优选为N型杂质掺杂的氮化铝，所述N型杂质元素优选为硅元素、锗元素、锡元素、碲元素、氧元素和碳元素中的一种或多种，本发明对所述氮化铝层43的掺杂浓度没有特殊要求。
在本发明中，所述复合N型阻挡层40表面优选具有锥形坑结构。
在本发明中，所述复合N型阻挡层40表面的锥形坑的密度优选为 2×e8～5×e8个/cm2，更优选为2.5×e8～4.5×e8个/cm2。
在本发明中，单个所述锥形坑的深度优选为50～500nnm，更优选为 55～450nm；单个所述锥形坑的底面直径优选为50～500nm，更优选为 55～450nm。
本发明提供的复合N型阻挡层40优选在表面形成锥形坑，使所述复合阻挡层N具有反射电子和光子的性能，不仅能够有效阻挡电子向高缺陷密度的非掺层和缓冲层的泄露，同时减少氮化镓基发光二极管外延片的有源层70 发出的光子在所述氮化镓基发光二极管外延片内部的全反射，也减少了光子进入非掺层并被缺陷捕获的概率，提高了氮化镓基发光二极管外延片出光比例。
在本发明中，所述复合N型阻挡层40的制备方法优选包括以下步骤：
在本发明中，所述低温氮化镓层41优选采用金属有机化学气相沉积法制备，所述低温氮化镓层41的沉积温度优选为700～1000℃，沉积时间优选为1000～4000s。
在本发明的具体实施例中，所述低温氮化镓层41沉积用载气优选为H2、 N2、或H2和N2的混和气，沉积用氮源优选为氨气，沉积用镓源优选为三甲基镓何/或三乙基镓，沉积用N型掺杂剂优选为硅烷，所述硅烷的规格优选为200ppm。本发明对所述低温氮化镓层41沉积时的具体操作没有特殊要求。
本发明优选采用金属有机化学气相沉积法制备所述低温氮化镓层41，能够在所述低温氮化镓层41上形成锥形坑。
在本发明中，所述氮化硅层42优选采用金属有机化学气相沉积法制备，所述氮化硅层42的沉积温度优选为800～1150℃，沉积时间优选为30～600s。
在本发明的具体实施例中，所述氮化硅层42沉积用载气优选为N2气，沉积用氮源优选为氨气，沉积用硅源优选为硅烷，所述硅烷的规格优选为 200ppm。本发明对所述氮化硅层42沉积时的具体操作没有特殊要求。
在本发明中，所述氮化硅层42优选沿所述低温氮化镓层41表面或氮化铝层43表面生长，并保留所述低温氮化镓层41表面形成的锥形坑结构。
在本发明中，所述氮化铝层43优选采用金属有机化学气相沉积法制备，所述氮化铝层43的沉积温度优选为800～1150℃，沉积时间优选为30～600s。
在本发明的具体实施例中，所述氮化铝层43沉积用载气优选为H2、N2、或H2和N2的混和气，沉积用氮源优选为氨气，沉积用铝源优选为三甲基铝，沉积用N型掺杂剂优选为硅烷，所述硅烷的规格优选为200ppm。本发明对所述氮化铝层43沉积时的具体操作没有特殊要求。
在本发明中，所述氮化铝层43优选沿所述低温氮化镓层41表面或氮化硅氮化硅层42层表面生长，并保留所述低温氮化镓层41表面形成的锥形坑结构。
如图1所示，本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片，包括衬底 10和依次层叠设置在所述衬底10表面的缓冲层20、非掺层30、上述技术方案所述的复合N型阻挡层40、N型导电层50、应力释放层60、有源层70、 P型阻挡层(80)、P型导电层90和金属接触层100，所述非掺层30表面与所述复合N型阻挡层40中的低温氮化镓层41接触。
本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片包括衬底10；本发明对所述衬底10的材质没有特殊要求，在本发明的具体实施例中，所述衬底10的材质优选为Al2O3(如蓝宝石)、SiC、GaN、ZnO、Si、GaP、InP或Ge，更优选为Al2O3，在本发明的具体实施例中，所述衬底10为图形化Al2O3衬底或镜面Al2O3衬底。
本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片包括设置在所述衬底10表面的缓冲层20，在本发明的具体实施例中，当所述衬底为Al2O3衬底时，所述缓冲层20优选设置在所述Al2O3衬底的C面。在本发明的具体实施例中，所述缓冲层优选为GaN缓冲层或AlGaN缓冲层，本发明对所述缓冲层20 的厚度没有特殊要求。
本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片包括设置在所述缓冲层20表面的非掺层30，在本发明的具体实施例中，所述非掺层30优选为GaN非掺层，本发明对所述非掺层30的厚度没有特殊要求。
本发明提供的氮化镓基发光二极管外延片包括设置在所述非掺层30表面的所述复合N型阻挡层40；在本发明中，所述非掺层30表面设置所述低温氮化镓层41。
本发明提供了的氮化镓基发光二极管外延片，包括设置在所述复合N型阻挡层40表面的N型导电层50，在本发明中，当所述复合N型阻挡层40 的最外层为氮化硅层42时，所述氮化硅层42表面设置所述N型导电层50，当所述复合N型阻挡层40的最外层为氮化铝层43时，所述氮化铝层43表面设置所述N型导电层50。
在本发明中，所述N型导电层50的材质优选为优选为N型杂质掺杂的氮化镓，所述N型杂质元素优选为硅元素、锗元素、锡元素、碲元素、氧元素和碳元素中的一种或多种，更优选为硅元素。本发明对所述低温氮化镓层41的掺杂浓度没有特殊要求。本发明对所述N型导电层50的厚度没有特殊要求。
本发明提供了的氮化镓基发光二极管外延片，包括设置在所述N型导电层50表面的应力释放层60。
本发明对所述应力释放层60的材质没有特殊要求，本发明对所述应力释放层60的厚度没有特殊要求。
本发明提供了的氮化镓基发光二极管外延片，包括设置在所述应力释放层60表面的有源层70。
在本发明中，所述有源层70包括量子肼层和量子垒层，本发明对所述量子肼层和量子垒层没有要求。
本发明提供了的氮化镓基发光二极管外延片，包括设置在所述有源层70 表面的P型阻挡层80。
本发明对所述P型阻挡层80的材质没有特殊要求，本发明对所述P型阻挡层80的厚度没有要求。
本发明提供了的氮化镓基发光二极管外延片，包括设置在P型阻挡层 80表面的P型导电层90。
在本发明中，所述P型导电层90的材质优选为P型掺杂的氮化镓，所述P型掺杂元素优选为镁元素、锌元素、铍元素和钙元素中的一种或多种，本发明对所述P型导电层90的掺杂浓度没有特殊要求。本发明对所述P型导电层90的厚度没有要求。
本发明提供了的氮化镓基发光二极管外延片，包括设置在P型导电层 90表面的金属接触层100。
在本发明中，所述金属接触层100的材质优选为P型掺杂的氮化镓，所述P型掺杂元素优选为镁元素、锌元素、铍元素和钙元素中的一种或多种，本发命对所述金属接触层100的掺杂浓度没有特殊要求。本发明对金属接触层100的厚度没有要求。
在本发明中，所述氮化镓基发光二极管外延片(如图1所示)的制备方法优选包括以下步骤：在所述衬底10表面依次层叠制备缓冲层20、非掺层 30、复合N型阻挡层40、N型导电层50、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100，所述非掺层30表面设置所述低温氮化镓层41。
在本发明中，所述缓冲层20、非掺层30、N型导电层50、应力释放层 60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100优选采用金属有机化学气相沉积法制备，在本发明的具体实施例中，沉积用载气优选为H2、N2或H2和N2的混和气，沉积用氮源优选为氨气，沉积用镓源优选为三甲基镓何/或三乙基镓，沉积用铟源优选为三甲基铟，沉积用铝源优选为三甲基铝，沉积用N型掺杂剂优选为硅烷，所述硅烷的规格优选为200ppm，沉积用P型掺杂剂优选为二茂镁。本发明对上述各层的沉积厚度没有特殊要求，本发明对上述各层沉积时的具体操作没有特殊要求。
在本发明中，所述金属有机化学气相沉积法优选采用美国维易科 (VEECO)厂商提供的K465i金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)设备进行。
在本发明中，所述复合N型阻挡层40的制备方法已在上文中进行说明，在此不再一一赘述。
如图7所示，本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片，包括衬底 10和依次层叠设置在所述衬底10表面的缓冲层20、第一非掺层301、上述技术方案所述的复合N型阻挡层40、第二非掺层302、N型导电层50、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100，所述第一非掺层301表面与所述复合N型阻挡层40中的所述低温氮化镓层 41接触。
在本发明中，所述第一非掺层301表面设置所述低温氮化镓层41，当所述复合N型阻挡层40的最外层为氮化硅层42时，所述最外层的氮化硅层 42表面设置所述第二非掺层302；当所述复合N型阻挡层40的最外层为氮化铝层43时，所述最外层的氮化铝层43表面设置所述第二非掺层302。本发明所述第一非掺层301和第二非掺层302的厚度没有特殊要求，在本发明的具体实施例中，所述第一非掺层301的厚度优选大于或等于所述第二非掺层302的厚度。
在本发明中，所述衬底10、缓冲层20、复合N型阻挡层40、N型导电层50、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100的保护范围优选与上述记载的保护范围相同，在此不再一一赘述。
在本发明中，所述氮化镓基发光二极管外延片(如图7所示)的制备方法优选包括以下步骤：在所述衬底10表面依次层叠制备缓冲层20、第一非掺层301、复合N型阻挡层40、第二非掺杂层302、N型导电层50、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100，所述非掺层30表面设置所述低温氮化镓层41。
在本发明中，所述缓冲层20、第一非掺层301、第二非掺杂层302、N 型导电层50、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100优选采用金属有机化学气相沉积法制备，在本发明的具体实施例中，沉积用载气优选为H2、N2或H2和N2的混和气，沉积用氮源优选为氨气，沉积用镓源优选为三甲基镓何/或三乙基镓，沉积用铟源优选为三甲基铟，沉积用铝源优选为三甲基铝，沉积用N型掺杂剂优选为硅烷，所述硅烷的规格优选为200ppm，沉积用P型掺杂剂优选为二茂镁。本发明对上述各层的沉积厚度没有特殊要求，本发明对上述各层沉积时的具体操作没有特殊要求。
在本发明中，所述金属有机化学气相沉积法优选采用美国维易科 (VEECO)厂商提供的K465i金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)设备进行。
在本发明中，所述复合N型阻挡层40的制备方法已在上文中进行说明，在此不再一一赘述。
如图8所示，本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延片，包括衬底10和依次层叠设置在所述衬底10表面的缓冲层20、非掺层30、第一N型导电层501、上述技术方案所述的复合N型阻挡层40、第二N型导电层502、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100，所述第一N型导电层501表面与所述的复合N型阻挡层40中的所述低温氮化镓层41接触。
在本发明中，所述第一N型导电层501表面设置所述低温氮化镓层41，当所述复合N型阻挡层40的最外层为氮化硅层42时，所述最外层的氮化硅层42表面设置所述第二N型导电层502；当所述复合N型阻挡层40的最外层为氮化铝层43时，所述最外层的氮化铝层43表面设置所述第二N型导电层502。本发明所述第一N型导电层501和第二N型导电层502的厚度没有特殊要求，在本发明的具体实施例中，所述第一N型导电层501的厚度优选小于或等于所述第二N型导电层502的厚度。
在本发明中，所述衬底10、缓冲层20、非掺层30、复合N型阻挡层40、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100 的保护范围优选与上述记载的保护范围相同，在此不再一一赘述。
在本发明中，所述氮化镓基发光二极管外延片(如图8所示)的制备方法优选包括以下步骤：在所述衬底10表面依次层叠制备缓冲层20、非掺层 30、第一N型导电层501，复合N型阻挡层40、第二N型导电层502、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100，所述非掺层30表面设置所述低温氮化镓层41。
在本发明中，所述缓冲层20、第一N型导电层501、第二N型导电层 502、应力释放层60、有源层70、P型阻挡层80、P型导电层90和金属接触层100优选采用金属有机化学气相沉积法制备，在本发明的具体实施例中，沉积用载气优选为H2、N2或H2和N2的混和气，沉积用氮源优选为氨气，沉积用镓源优选为三甲基镓何/或三乙基镓，沉积用铟源优选为三甲基铟，沉积用铝源优选为三甲基铝，沉积用N型掺杂剂优选为硅烷，所述硅烷的规格优选为200ppm，沉积用P型掺杂剂优选为二茂镁。本发明对上述各层的沉积厚度没有特殊要求，本发明对上述各层沉积时的具体操作没有特殊要求。
在本发明中，所述金属有机化学气相沉积法优选采用美国维易科(VEECO)厂商提供的K465i金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)设备进行。
在本发明中，所述复合N型阻挡层40的制备方法已在上文中进行说明，在此不再一一赘述。
下面将结合本发明中的实施例，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
按照图2所示的工艺流程，采用的美国维易科(VEECO)厂商提供的 K465i金属有机化学气相沉积设备，
在图形化蓝宝石衬底10C面依次沉积生长缓冲层20、非掺层30；
在非掺层30表面沉积生长复合N型阻挡层40中的低温镓氮层41，沉积参数为：沉积温度为850℃，沉积载气为氢气和氮气的混合器，沉积载气的压力为100torr，氮源氨气的流量设定为40sl，镓源三乙基镓流量设定为 1000sccm，以硅烷为N型掺杂剂，沉积时间为3000s，生长厚度为300nm的低温镓氮层41；
在低温镓氮层41表面依次沉积生长一层氮化硅层42和一层氮化铝层43；
氮化硅层42沉积参数为：沉积温度为950℃，沉积载气为氮气，沉积载气的压力为100torr，氮源氨气的流量设定为10sl，硅烷的流量设定为100sccm，沉积时间为100s，生长厚度为1nm的硅氮层42；
氮化铝层43沉积参数为：沉积温度为950℃，沉积载气为氮气，沉积载气的压力为100torr，氮源氨气的流量设定为2sl，铝源三甲基铝流量设定为 10sccm，以硅烷为N型掺杂剂，沉积时间为100s，生长厚度为1nm的氮化铝层43；
在氮化铝层43表面依次沉积生长N型导电层50、应力释放层60、有源层70、电子阻挡层80、P型导电层90、金属接触层100；得到氮化镓基发光二极管外延片。
图1为本实施例制备的氮化镓基发光二极管外延片结构示意图，图3为本发明实施例1制备的氮化镓基发光二极管外延片的局部剖面图，由图3可看出，在本实施例中，复合N型阻挡层形成高阻隔绝，有效阻挡了电子往高缺陷密度的非掺层方向泄露，同时形貌上形成锥形坑，密度为2×e8～5×e8个 /cm2，能够减少有源区发出的光子在外延层内部的全反射，也减少了光子进入非掺层并被缺陷捕获的概率，提高了出光比例；而且复合N型阻挡层也起到了阻隔缺陷和应力释放的作用。
实施例2
本实施例的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：低温镓氮层 41沉积温度为880℃，生长时间为1200s，生长厚度为200nm。
本实施例与实施例1相比，提升了低温镓氮层41的生长温度并且减薄了低温镓氮层41的厚度，由外延结构剖面分析可以看出，低温镓氮层41中产生的V坑尺寸变小，形貌上V坑导致的粗糙度下降，对整个结构的出光效率提升比实施例1略有下降。
实施例3
本实施例的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：在低温镓氮层41表面依次沉积生长一层氮化铝层43和一层氮化硅层42。
图4为本发明实施例3的局部剖面图，参照图4可看出，实施例3与实施例1相比，氮化硅层42和氮化铝层43的沉积顺序相反，因氮化硅晶格尺寸比氮化镓大，氮化铝晶格尺寸比氮化镓小，实施例3在实施例1的基础上，调换了氮化硅层42和氮化铝层43的沉积顺序，导致复合N型阻挡层内的应力状态有所改变，对后续生长的外延层内的应力状态和翘曲状态均有所影响。，实施例3制备得到氮化镓基发光二极管外延片翘曲(外延片中心点上翘)比实施例1的凸。
实施例4
本实施例的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：在低温镓氮层41表面依次沉积生长氮化硅层42、氮化铝层43、氮化硅层42和氮化铝层43；氮化硅层42沉积时间为50s，生长厚度为0.5nm，氮化铝层43沉积时间为50s，生长厚度为0.5nm。
图5为本发明实施例4的局部剖面图，参照图5可看出，实施例4与实施例1相比，氮化硅层42和氮化铝层43由单层改为两个周期层叠生长的超晶格结构(当氮化硅层42和氮化铝层43间隔交替沉积且每一层至少两遍，且氮化硅层42和氮化铝层43的单层厚度均＜100nm时为超晶格结构)，同时保持总厚度不变，超晶格的导入使单层厚度减薄，氮化硅和氮化镓以及氮化铝和氮化镓间晶格失配引起的缺陷、内应力等不良效应得到明显缓解。
实施例5
本实施例的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：在低温镓氮层41表面依次沉积生长氮化铝层43、氮化硅层42、氮化铝层43和氮化硅层42和；氮化硅层42沉积时间为50s，生长厚度为0.5nm，氮化铝层43沉积时间为50s，生长厚度为0.5nm。
图6为本发明实施例3的局部剖面图，参照图6可看出，实施例5与实施例3相比，硅氮层42和铝氮层43由单层改为两个周期层叠生长的超晶格结构，同时保持总厚度不变，超晶格的导入使单层厚度减薄，氮化硅和氮化镓以及氮化铝和氮化镓间晶格失配引起的缺陷、内应力等不良效应得到明显缓解。
以上5个实施例证明了本发明通过复合N型阻挡层40形成高阻隔绝，有效阻挡了电子往高缺陷密度的非掺层方向泄露，同时形貌上也形成锥形坑，减少有源区发出的光子在外延层内部的全反射，也减少了光子进入非掺层并被缺陷捕获的概率，提高了出光比例；另外复合N型阻挡层也起到了阻隔缺陷和应力释放的作用。本发明通过调整复合N型阻挡层40中低温镓氮层41 的生长温度和厚度来调整锥形坑的尺寸和密度；本发明通过调整硅氮层42 和铝氮层43的层数、生长顺序、厚度等来调整氮化镓基发光二极管外延片结构内应力和翘曲状态。
实施例6
本实施例的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：在缓冲层20 表面沉积第一非掺层301，在所述第一非掺层301表面沉积所述复合N型阻挡层40，复合N型阻挡层(40)为低温镓氮层41、氮化硅层42和氮化铝层 43，在所述氮化铝层43表面沉积第二非掺层302，在所述第二非掺层表面沉积所述N型导电层50。
实施例7
本实施例的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：在非掺层30 表面沉积所述第一导电层501，在所述第一导电层501表面沉积所述复合N 型阻挡层40，复合N型阻挡层40为低温镓氮层41、氮化硅层42和氮化铝层43，在所述氮化铝层43表面沉积第二导电层502，在所述第二导电层502 表面沉积所述应力释放层60。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种氮化镓基发光二极管外延片的复合N型阻挡层，其特征在于，包括低温氮化镓层(41)和设置在所述低温氮化镓层(41)表面的循环层，所述循环层包括至少一层氮化硅层(42)和至少一层氮化铝层(43)，所述氮化硅层(42)和氮化铝层(43)间隔层叠设置，所述氮化硅层(42)和氮化铝层(43)的层数相同。
2.根据权利要求1所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所述氮化硅层(42)的层数为2～10层。
3.根据权利要求1所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所有氮化硅层(42)的总厚度为0.5～5nm；所有氮化铝层(43)的总厚度为0.5～5nm。
4.根据权利要求1所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所述低温氮化镓层(41)的厚度为50～500nm。
5.根据权利要求1所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所述复合N型阻挡层(40)的表面具有锥形坑结构。
6.根据权利要求5所述的复合N型阻挡层，其特征在于，所述复合N型阻挡层(40)表面的锥形坑的密度为2×e8～5×e8个/cm2。
7.根据权利要求5或6所述的复合N型阻挡层，其特征在于，单个锥形坑的深度独立为50～500nnm，单个锥形坑的底面直径独立为50～500nm。
8.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底(10)和依次层叠设置在所述衬底(10)表面的缓冲层(20)、非掺层(30)、权利要求1所述的复合N型阻挡层(40)、N型导电层(50)、应力释放层(60)、有源层(70)、P型阻挡层(80)、P型导电层(90)和金属接触层(100)；所述非掺层(30)表面与所述复合N型阻挡层(40)中的低温氮化镓层(41)接触。
9.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底(10)和依次层叠设置在所述衬底(10)表面的缓冲层(20)、第一非掺层(301)、权利要求1所述的复合N型阻挡层(40)、第二非掺层(302)、N型导电层(50)、应力释放层(60)、有源层(70)、P型阻挡层(80)、P型导电层(90)和金属接触层(100)，所述第一非掺层(301)表面与所述复合N型阻挡层(40)中的所述低温氮化镓层(41)接触。
10.一种氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底(10)和依次层叠设置在所述衬底(10)表面的缓冲层(20)、非掺层(30)、第一N型导电层(501)、权利要求1所述的复合N型阻挡层(40)、第二N型导电层(502)、应力释放层(60)、有源层(70)、P型阻挡层(80)、P型导电层(90)和金属接触层(100)，所述第一N型导电层(501)表面与所述的复合N型阻挡层(40)中的所述低温氮化镓层(41)接触。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111060296.2A CN113764556A (zh) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | 一种氮化镓基发光二极管外延片的复合n型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111060296.2A CN113764556A (zh) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | 一种氮化镓基发光二极管外延片的复合n型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113764556A true CN113764556A (zh) | 2021-12-07 |
Family
ID=78794641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111060296.2A Pending CN113764556A (zh) | 2021-09-10 | 2021-09-10 | 一种氮化镓基发光二极管外延片的复合n型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113764556A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115050817A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-09-13 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种晶体管及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086164A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードの構造 |
| KR20070100851A (ko) * | 2006-04-09 | 2007-10-12 | 오인모 | 양질의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 박막층 성장을위한 호모에피택셜 기판 및 발광 다층구조체 성장용 템플렛제작 및 성장 |
| CN105023979A (zh) * | 2015-06-03 | 2015-11-04 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 |
| CN108962981A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-12-07 | 北京大学 | 一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法 |
| CN109473514A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-03-15 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN109768136A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-05-17 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN112582508A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-03-30 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管的外延片及其制备方法 |
| CN113206175A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-08-03 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
-
2021
- 2021-09-10 CN CN202111060296.2A patent/CN113764556A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086164A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードの構造 |
| KR20070100851A (ko) * | 2006-04-09 | 2007-10-12 | 오인모 | 양질의 그룹 3족 질화물계 단결정 반도체 박막층 성장을위한 호모에피택셜 기판 및 발광 다층구조체 성장용 템플렛제작 및 성장 |
| CN105023979A (zh) * | 2015-06-03 | 2015-11-04 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 |
| CN108962981A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-12-07 | 北京大学 | 一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法 |
| CN109473514A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-03-15 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN109768136A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-05-17 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN112582508A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-03-30 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管的外延片及其制备方法 |
| CN113206175A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-08-03 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115050817A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-09-13 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种晶体管及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106653970B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其生长方法 | |
| CN109545925B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN109802020B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN106816501B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 | |
| CN115472718B (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 | |
| CN109524522B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN108847435B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN109860358B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN109671813B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| TW201332151A (zh) | 半導體裝置製造方法 | |
| CN109786530B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN115020558B (zh) | 一种高复合效率的发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN109326697B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN109994580B (zh) | 发光二极管的外延片及其制作方法 | |
| CN110047982B (zh) | 发光二极管、外延片及其制备方法 | |
| CN109545922B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN115020559A (zh) | 一种发光二极管及其外延结构 | |
| CN109346568B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN101330121B (zh) | 氮化物半导体发光装置的制造方法 | |
| CN109473516B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法 | |
| CN109273571B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 | |
| CN109103312B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 | |
| CN106876531A (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制备方法 | |
| CN113764556A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片的复合n型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片 | |
| CN109786522B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |