JP2006086164A

JP2006086164A - 発光ダイオードの構造

Info

Publication number: JP2006086164A
Application number: JP2004266518A
Authority: JP
Inventors: Cheng-Tsang Yu; 正璋游; 如欽 ▲じょ▼; Ru-Chin Tu; Liang-Wen Wu; 良文武; Tzu-Chi Wen; 子稷温; Honin Kan; 奉任簡
Original assignee: Formosa Epitaxy Inc
Current assignee: Formosa Epitaxy Inc
Priority date: 2004-09-14
Filing date: 2004-09-14
Publication date: 2006-03-30

Abstract

【課題】発光ダイオードの構造の提供。
【解決手段】表面にｎ型窒化ガリウム系材料で形成されたｎ型コンタクト層を具えた基板上に堆積され、順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層、窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層及びもう一つ窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具えたバリア層と、該バリア層の上に堆積された発光層と、該発光層の上に位置し順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム層、窒化シリコン層、及びもう一つの窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具えたもう一つのバリア層と、最上層のバリア層の上に堆積され且つマグネシウムドープのｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料で形成されて上端にオームコンタクトのｐ型電極層が形成されたｐ型コンタクト層と、前述のｎ型コンタクト層の一側に形成されたオームコンタクトのｎ型電極層とを具えた。
【選択図】図１

Description

本発明は一種の発光ダイオードの構造に係り、特にバリア層と発光層を具えた発光ダイオードの構造に関する。

伝統的な窒化ガリウム（ＧａＮ）系発光ダイオードの構造は、その発光層がシリコン（Ｓｉ）ドープ窒化ガリウムをバリアとする多重量子井戸構造とされ、電子正孔対を窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）井戸で結合するよう局限して、内部量子効率（ｉｎｔｅｒｎａｌｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を向上し装置の操作電圧を下げている。ただしこの部分の光子はこのシリコンドープ窒化ガリウムのバリアに吸収され、全体の多重量子井戸構造から脱出することができず、外部量子効率（ｅｘｔｅｒｎａｌｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が下がる。このほか、圧電効果が多重量子井戸構造応力の増加を形成してＶ形欠陥を発生する。

上述の従来の構造の欠点を克服するため、本発明は提供される。本発明の目的は、窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）／窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）を伝統的なシリコンドープ窒化ガリウムをバリアとする多重量子井戸構造の代わりに採用し、有効にバリアと井戸の界面を粗化できるようにし、光子のこの多重量子井戸からの脱出の確率を増し、外部量子効率を高められるようにすることにある。更に窒化シリコン中のシリコンを窒化アルミニウムインジウムガリウムバリア層に拡散させて装置の操作電圧を下げる。更には窒化アルミニウムインジウムガリウム層の格子定数と井戸をマッチングさせ、圧電効果により形成される多重量子井戸構造応力増加の問題を解決できるようにする。

請求項１の発明は、表面にｎ型窒化ガリウム系材料で形成されたｎ型コンタクト層を具えた基板上に堆積される発光ダイオードの構造であり、バリア層、発光層、もう一つのバリア層、ｐ型コンタクト層を具え、
該バリア層は、該ｎ型コンタクト層の上に堆積され、順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層（そのうちｘ≧０、ｙ≧０、１≧ｘ＋ｙ≧０）、窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層（そのうちｘ≧０、ｙ≧０）、及びもう一つの窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具え、
該発光層は該バリア層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層の上に堆積され、窒化アルミニウムインジウムガリウム層を形成し、且つ該発光層の上に前述と同じバリア層が更に形成され、
該もう一つのバリア層は、該発光層の上に堆積され、順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム層、窒化シリコン層、及びもう一つの窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具え、
該ｐ型コンタクト層は、最上層のバリア層の上に堆積され、且つマグネシウムドープのｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料で形成され、並びにその上端にオームコンタクトのｐ型電極層が形成され、
各バリア層中の各窒化アルミニウムインジウムガリウム層のバンドギャップが発光層の窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層より大きく、且つ前述のｎ型コンタクト層の一側にｎ型電極層が形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの構造において、各バリア層が、複数層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層及び複数層の窒化シリコン層を具え、各窒化アルミニウムインジウムガリウム層と窒化シリコン層が反復する周期性構造を形成し、且つ最上層の窒化シリコン層の上に窒化アルミニウムインジウムガリウム層が形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの構造において、各バリア層中の窒化アルミニウムインジウムガリウム層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの構造において、各窒化シリコン層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層とされ、そのうち、ｘ≧０、ｙ≧０であることを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の発光ダイオードの構造において、発光層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜１００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項６の発明は、表面にｎ型窒化ガリウム系材料で形成されたｎ型コンタクト層を具えた基板上に堆積される発光ダイオードの構造であり、複数のバリア層、複数の発光層、一つのｐ型コンタクト層を具え、
各バリア層は、順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層（そのうちｘ≧０、ｙ≧０、１≧ｘ＋ｙ≧０）、窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層（そのうちｘ≧０、ｙ≧０）、及びもう一つの窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具え、
各発光層は、窒化アルミニウムインジウムガリウム層で形成され、
該ｐ型コンタクト層は、最上層のバリア層の上に堆積され、且つマグネシウムドープのｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料で形成され、並びにその上端にオームコンタクトのｐ型電極層が形成され、
該ｎ型コンタクト層の一側にオームコンタクトのｎ型電極層が形成され、
前述の各バリア層中の各窒化アルミニウムインジウムガリウム層のバンドギャップが発光層の窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層より大きく、且つ前述の各バリア層と発光層が順に反復して周期性構造を形成し、且つ最底層のバリア層はｎ型コンタクト層の上に形成され、最上層の発光層の上にバリア層が形成され、並びに最上層のバリア層の上に該ｐ型コンタクト層が形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項７の発明は、請求項６記載の発光ダイオードの構造において、各バリア層が、複数層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層及び複数層の窒化シリコン層を具え、各窒化アルミニウムインジウムガリウム層と窒化シリコン層が反復する周期性構造を形成し、且つ最上層の窒化シリコン層の上に窒化アルミニウムインジウムガリウム層が形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項８の発明は、請求項６記載の発光ダイオードの構造において、各バリア層中の窒化アルミニウムインジウムガリウム層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項９の発明は、請求項６記載の発光ダイオードの構造において、各窒化シリコン層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層とされ、そのうち、ｘ≧０、ｙ≧０であることを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。
請求項１０の発明は、請求項６記載の発光ダイオードの構造において、発光層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜１００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造としている。

本発明は従来の構造の欠点を克服し、本発明は窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）／窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）を伝統的なシリコンドープ窒化ガリウムをバリアとする多重量子井戸構造の代わりに採用し、有効にバリアと井戸の界面を粗化できるようにし、光子のこの多重量子井戸からの脱出の確率を増し、外部量子効率を高められるようにする。更に窒化シリコン中のシリコンを窒化アルミニウムインジウムガリウムバリア層に拡散させて装置の操作電圧を下げる。更には窒化アルミニウムインジウムガリウム層の格子定数と井戸をマッチングさせ、圧電効果により形成される多重量子井戸構造応力増加の問題を解決する。

上述の目的を達成するため、本発明は発光ダイオードの量子井戸構造を提供し、それは、表面にｎ型窒化ガリウム系材料で形成されたｎ型コンタクト層を具えた基板上に堆積される構造であり、順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層、窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層、及びもう一つの窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具えた一つ或いは複数のバリア層と、該バリア層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層の上に堆積された一つ或いは複数の発光層と、最上層のバリア層の上に堆積されマグネシウムドープのｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料で形成されて上端にオームコンタクトのｐ型電極層が形成されたｐ型コンタクト層と、上記ｎ型コンタクト層の一側に形成されたオームコンタクトのｎ型電極層と、を具えている。

本発明の目的及び機能は以下の具体的実施例と添付の図面により更に説明されるが、理解を助けるために図面中、ある部分の寸法とその他の部分の関係する寸法の比は誇張表示されている。

図１は本発明の発光ダイオードの構造の第１実施例を示し、図２は図１のバリア層の断面図である。

図１に示されるように、本発明の発光ダイオードの構造の第１実施例は、基板１０１、ｎ型コンタクト層１０２、バリア層１０３、発光層１０４及びｐ型コンタクト層１０５を具えている。

該基板１０１は、その材質がＣ−Ｐｌａｎｅ或いはＲ−Ｐｌａｎｅ或いはＡ−Ｐｌａｎｅｎｏ酸化アルミニウム単結晶（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）で形成されるか、或いはＳｉＣ（６Ｈ−ＳｉＣ或いは４Ｈ−ＳｉＣ）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ或いはＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ で形成されるか、或いは格子定数が窒化物半導体に接近する単結晶酸化物で形成され、そのうち一般に常用されるのはサファイヤ或いはＳｉＣであり、この基板１０１の上にｎ型コンタクト層１０２が形成される。該ｎ型コンタクト層１０２は、窒化ガリウム（ＧａＮ）材料で形成され、その一側にオームコンタクトのｎ型電極層１０２ａが形成され、且つ上方にバリア層１０３が形成される。

図２を参照されたい。該バリア層１０３は、第１窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ａ、窒化シリコン層１０３ｂ、及び第２窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ｃを具え、該第１窒化アルミニウムインジウムガリウム層は、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、該ｎ型コンタクト層１０２の上に厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層で、そのうちｘ≧０、ｙ≧０、１≧ｘ＋ｙ≧０であり、そのバンドギャップは発光層１０４より大きい。該窒化シリコン層１０３ｂは、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、該第１窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ａの上に厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層であり、そのうちｘ≧０、ｙ≧０であり、該第２窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ｃは、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、該窒化シリコン層１０３ｂの上に厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層である。

該発光層１０４は、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、該バリア層１０３の上に厚さ５〜１００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層で、そのうちｘ≧０、ｙ≧０、１≧ｘ＋ｙ≧０であり、且つ該発光層１０４の上に更に前述と同じバリア層１０３が形成される。

該ｐ型コンタクト層１０５は、マグネシウムドープのｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料で形成され、その上端にオームコンタクトのｐ型電極層１０５ａが形成される。

図３に示されるのは図１の実施例のバリア層の別の実施方式の断面図である。図３に示されるように、該バリア層１０３は、複数層の第１窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ａ、複数層の窒化シリコン層１０３ｂ、及び一つの第２窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ｃを具え、各第１窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ａは摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層で、そのうちｘ≧０、ｙ≧０、１≧ｘ＋ｙ≧０であり、各窒化シリコン層１０３ｂは摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層であり、そのうちｘ≧０、ｙ≧０であり、該第２窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ｃは、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層である。そのうち、各第１窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ａと窒化シリコン層１０３ｂは順に反復形成された周期性構造をなし（成長周期重複回数≧２回）、且つ最底層の第１窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ａはｎ型コンタクト層１０２の上に形成され、最上層の窒化シリコン層１０３ｂの上に第２窒化アルミニウムインジウムガリウム層１０３ｃが形成される。

図３に示されるバリア層１０３の実施例に基づき、前述の図１に示される本発明の発光ダイオードの構造の実施例中、少なくとも一つのバリア層１０３は周期性の構造（成長周期重複回数≧２回）を形成するものとされる。

図４は本発明の発光ダイオードの構造の別の実施例を示す。それは、基板１０１、ｎ型コンタクト層１０２、複数のバリア層１０３、複数の発光層１０４、及びｐ型コンタクト層１０５を具え、且つ各層の形成は前述の実施例と同じ方式とされる。そのうち、各バリア層１０３と発光層１０４は順に反復形成された周期性構造（成長周期重複回数≧２回）とされ、且つ最底層のバリア層１０３は該ｎ型コンタクト層１０２の上に形成され、最上層の発光層１０４の上にもう一つのバリア層１０３が形成され、最上層のバリア層１０３の上にｐ型コンタクト層１０５が形成される。

前述の各バリア層１０３中の各窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層は、そのバンドギャップが発光層１０４の窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層より大きい。
前述の図４に示される各バリア層１０３は、図２に示される簡単な構造を形成するか、或いは図３に示される周期性構造（成長周期重複回数≧２回）を形成する。

以上は本発明の好ましい実施例の説明であって本発明の範囲を限定するものではなく、同じ発明の精神の下でなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。

本発明の発光ダイオードの構造の第１実施例の表示図である。図１の実施例のバリア層の断面図である。図１の実施例のバリア層の別の実施方式の断面図である。本発明の発光ダイオードの構造の第２実施例の表示図である。

符号の説明

１０１基板
１０２ｎ型コンタクト層
１０２ａｎ型電極層
１０３バリア層
１０３ａ第１窒化アルミニウムインジウムガリウム層
１０３ｂ窒化シリコン層
１０３ｃ第２窒化アルミニウムインジウムガリウム層
１０４発光層
１０５ｐ型コンタクト層
１０５ａｐ型電極層

Claims

表面にｎ型窒化ガリウム系材料で形成されたｎ型コンタクト層を具えた基板上に堆積される発光ダイオードの構造であり、バリア層、発光層、もう一つのバリア層、ｐ型コンタクト層を具え、
該バリア層は、該ｎ型コンタクト層の上に堆積され、順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層（そのうちｘ≧０、ｙ≧０、１≧ｘ＋ｙ≧０）、窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層（そのうちｘ≧０、ｙ≧０）、及びもう一つの窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具え、
該発光層は該バリア層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層の上に堆積され、窒化アルミニウムインジウムガリウム層を形成し、且つ該発光層の上に前述と同じバリア層が更に形成され、
該もう一つのバリア層は、該発光層の上に堆積され、順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム層、窒化シリコン層、及びもう一つの窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具え、
該ｐ型コンタクト層は、最上層のバリア層の上に堆積され、且つマグネシウムドープのｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料で形成され、並びにその上端にオームコンタクトのｐ型電極層が形成され、
各バリア層中の各窒化アルミニウムインジウムガリウム層のバンドギャップが発光層の窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層より大きく、且つ前述のｎ型コンタクト層の一側にｎ型電極層が形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造。
請求項１記載の発光ダイオードの構造において、各バリア層が、複数層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層及び複数層の窒化シリコン層を具え、各窒化アルミニウムインジウムガリウム層と窒化シリコン層が反復する周期性構造を形成し、且つ最上層の窒化シリコン層の上に窒化アルミニウムインジウムガリウム層が形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造。
請求項１記載の発光ダイオードの構造において、各バリア層中の窒化アルミニウムインジウムガリウム層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造。
請求項１記載の発光ダイオードの構造において、各窒化シリコン層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層とされ、そのうち、ｘ≧０、ｙ≧０であることを特徴とする、発光ダイオードの構造。
請求項１記載の発光ダイオードの構造において、発光層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜１００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造。
表面にｎ型窒化ガリウム系材料で形成されたｎ型コンタクト層を具えた基板上に堆積される発光ダイオードの構造であり、複数のバリア層、複数の発光層、一つのｐ型コンタクト層を具え、
各バリア層は、順に堆積された窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層（そのうちｘ≧０、ｙ≧０、１≧ｘ＋ｙ≧０）、窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層（そのうちｘ≧０、ｙ≧０）、及びもう一つの窒化アルミニウムインジウムガリウム層を具え、
各発光層は、窒化アルミニウムインジウムガリウム層で形成され、
該ｐ型コンタクト層は、最上層のバリア層の上に堆積され、且つマグネシウムドープのｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料で形成され、並びにその上端にオームコンタクトのｐ型電極層が形成され、
該ｎ型コンタクト層の一側にオームコンタクトのｎ型電極層が形成され、
前述の各バリア層中の各窒化アルミニウムインジウムガリウム層のバンドギャップが発光層の窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）層より大きく、且つ前述の各バリア層と発光層が順に反復して周期性構造を形成し、且つ最底層のバリア層はｎ型コンタクト層の上に形成され、最上層の発光層の上にバリア層が形成され、並びに最上層のバリア層の上に該ｐ型コンタクト層が形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造。
請求項６記載の発光ダイオードの構造において、各バリア層が、複数層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層及び複数層の窒化シリコン層を具え、各窒化アルミニウムインジウムガリウム層と窒化シリコン層が反復する周期性構造を形成し、且つ最上層の窒化シリコン層の上に窒化アルミニウムインジウムガリウム層が形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造。
請求項６記載の発光ダイオードの構造において、各バリア層中の窒化アルミニウムインジウムガリウム層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造。
請求項６記載の発光ダイオードの構造において、各窒化シリコン層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜３００Åでエピタキシャル成長した窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）層とされ、そのうち、ｘ≧０、ｙ≧０であることを特徴とする、発光ダイオードの構造。
請求項６記載の発光ダイオードの構造において、発光層の窒化アルミニウムインジウムガリウム層が、摂氏４００〜１０００度の成長温度で、厚さ５〜１００Åでエピタキシャル成長した窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成されたことを特徴とする、発光ダイオードの構造。