KR101903359B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면은, n형 반도체층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 배치된 활성층 및 상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 배치되며, AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y<1)으로 이루어지되 Al의 함량은 상기 p형 반도체층에 가까울수록 감소하고 p형 도펀트의 농도는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 증가하는 차단 영역을 구비하는 전자차단층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면 구동전압 특성이 개선되고, 발광효율이 개선된 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면 구동전압 특성이 개선되고, 발광효율이 개선된 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일종인 발광다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치로서, 최근에는 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 3족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
한편, 이러한 반도체 발광소자는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 성장시킨 발광 구조물을 포함하며, n형 반도체층에서 제공되는 전자와 p형 반도체층에서 제공되는 정공이 활성층에서 재결합됨에 따라 발광이 일어난다.
그러나, 전자는 정공(hole)에 비하여 이동성이 높은 관계로 발광영역인 활성층을 지나 비발광 영역으로 오버플로우(overflow)되는 경향이 있고, 이 경우 비발광 영역에서 정공과 재결합하게 되어 발광효율이 감소한다.
이와 같은 전자의 오버플로우를 방지하기 위해 전자차단층을 채용하는 것이 일반적이나, 전자차단층은 이를 이루는 물질에 포함되는 알루미늄(Al) 성분으로 인해 p형 도펀트의 활성화를 저해하고 발광소자의 구동전압을 높이는 문제가 있으며, 아울러, 활성층으로의 정공의 이동을 방해하는 문제가 있다.
본 발명의 목적 중 하나는 p형 도펀트의 불활성화를 완화하여 구동전압 특성이 개선되고, 오버플로우 전자를 차단하되 정공의 이동성을 확보함으로써 발광효율이 향상된 반도체 발광소자를 제공함에 있다.
다만, 본 발명의 목적은 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결 수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시형태는, n형 반도체층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 배치된 활성층 및 상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 배치되며, AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y<1)으로 이루어지되 Al의 함량은 상기 p형 반도체층에 가까울수록 감소하고 p형 도펀트의 농도는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 증가하는 차단 영역을 구비하는 전자차단층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 전자차단층은 상기 차단 영역을 복수 개 구비하며, 상기 복수의 차단 영역 사이에는 상기 차단 영역보다 밴드갭 에너지가 낮은 우물 영역이 구비될 수 있다.
여기서, 상기 복수의 차단 영역은 상기 p형 반도체층에 가까운 것일수록 Al의 함량이 낮은 것일 수 있다.
이 경우, 상기 우물 영역의 밴드갭 에너지는 상기 p형 반도체층의 밴드갭 에너지와 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 상기 우물 영역은 p-GaN으로 구성되는 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y<1)으로 이루어지는 복수의 차단 영역의 Al의 함량은 x값이 상기 활성층과 접하는 전자차단층의 계면에서 상기 p형 반도체층에 접하는 전자차단층의 계면으로 갈수록 1에서 0으로 점차 감소함으로써 낮아지는 것일 수 있다.
또한, 상기 차단 영역 및 우물 영역은 서로 교대로 배치되어 초격자 구조를 이룰 수 있다.
또한, 상기 복수의 차단 영역 중 상기 활성층에 가장 가까운 차단 영역의 두께는 나머지 복수의 차단 영역보다 두껍게 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 나머지 복수의 차단 영역의 두께는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 단계적으로 감소할 수 있다.
또한, 상기 복수의 차단 영역 중 상기 활성층에 가장 가까운 차단 영역의 두께는 나머지 복수의 차단 영역보다 얇게 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 나머지 복수의 차단 영역의 두께는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 단계적으로 증가할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 p형 반도체층의 p형 도펀트는 Mg을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 활성층은 양자우물층 및 양자장벽층이 교대로 적층된 구조를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, p형 도펀트 활성화 비율을 높임으로써 구동전압 특성이 개선되고, 전자와 정공의 비발광 결합이 감소됨과 동시에 활성층으로의 정공 이동성이 최대한 확보됨으로써 발광효율이 개선된 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 종래의 전자차단층을 구비하는 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 설명하기 위한 에너지 밴드 다이어그램이다.
도 3은 종래의 전자차단층을 구비하는 반도체 발광소자의 SIMS 데이터 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 설명하기 위한 에너지 밴드 다이어그램이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전자차단층 의 부분 단면 확대도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 설명하기 위한 에너지 밴드 다이어그램이다.
도 2는 종래의 전자차단층을 구비하는 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 설명하기 위한 에너지 밴드 다이어그램이다.
도 3은 종래의 전자차단층을 구비하는 반도체 발광소자의 SIMS 데이터 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 설명하기 위한 에너지 밴드 다이어그램이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전자차단층 의 부분 단면 확대도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 설명하기 위한 에너지 밴드 다이어그램이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것으로서 개별적인 실시 형태는 서로 합쳐진 형태로 제공될 수 있음은 평균적인 지식을 가진 자에게 자명하다 할 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2 및 도 3은 종래의 전자차단층을 구비하는 반도체 발광소자를 설명하기 위한 도면으로, 도 2는 종래의 전자차단층을 구비하는 반도체 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램이며, 도 3은 종래의 전자차단층을 구비하는 반도체 발광소자의 SIMS 데이터 그래프이다. 도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 설명하기 위한 에너지 밴드 다이어그램이다. 도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 전자차단층의 부분 단면 확대도이다. 또한, 도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 발광소자의 에너지 밴드를 설명하기 위한 에너지 밴드 다이어그램이다.
우선, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광소자(100)는 기판(110), 상기 기판(110) 상에 적층 형성되는 n형 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 반도체층(150)을 포함하며, 상기 활성층(130)과 p형 반도체층(150) 사이에는 전자차단층(140)이 구비된다. 여기서, n형 및 p형 반도체층(120, 150)의 일부에는 제1 및 제2 전극(161, 162)이 각각 형성되어 발광소자 구동을 위한 전압이 인가될 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극(161, 162)은 당 기술 분야에서 공지된 전기전도성 물질, 예컨대, Ag, Al, Ni, Cr 등의 물질 중 하나 이상을 증착하거나 스퍼터링하는 등의 공정으로 형성될 수 있다.
상기 기판(110)은 반도체 성장용 기판으로 제공되는 것으로, 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN 등과 같이 전기 절연성, 도전성, 반도체 물질을 이용 할 수 있다. 이 경우, 바람직하게 사용될 수 있는 것은 전기 절연성을 갖는 사파이어로서, 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
다만, 상기 C면에 질화물 박막을 성장할 경우, 질화물 박막에는 압전 효과로 인하여 내부에 강한 전계가 형성될 수 있다. 한편, 기판(110)으로 사용하기에 적합한 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮은 Si 기판을 사용하여 양산성이 향상될 수 있다. Si 기판을 이용하는 경우, 기판(110) 상에 AlxGa1 - xN (0 ≤ x ≤ 1)과 같은 물질로 이루어진 핵생성층을 형성한 후 그 위에 원하는 구조의 질화물 반도체를 성장할 수 있을 것이다.
상기 n형 및 p형 반도체층(120, 150)은 각각 n형 및 p형 도펀트가 도핑된 반도체층으로서 발광소자(100)에 각각 전자 및 정공을 제공하며, 상기 전자 및 정공은 상기 제1 및 제2 전극(161, 162)으로부터 인가되는 전위차에 의해 활성층(130)으로 이동하여 재결합됨으로써 발광소자가 발광될 수 있도록 한다.
구체적으로, 상기 n형 및 p형 반도체층(120, 150)은 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 각각 n형 도펀트가 도핑된 n-GaN층 및 p형 도펀트가 도핑된 p-GaN층으로 이루어질 수 있으며, p형 도펀트로는 Mg이 사용될 수 있다. 또한, 각각의 층은 단일층으로 이루어질 수도 있지만, 도핑 농도, 조성 등의 특성이 서로 다른 복수의 층을 구비할 수도 있다. 다만, 이에 한정된 것은 아니므로, 상기 n형 및 p형 반도체층(120, 150)은 질화물 반도체 외에도 AlINGaP나 AlInGaAs 계열의 반도체를 이용할 수도 있을 것이다.
상기 활성층(130)은 상기 n형 반도체층(120) 및 p형 반도체층(150) 사이에 형성되며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중양자우물(MQW) 구조, 예컨대, 질화물 반도체일 경우, 양자우물층은 InGaN (In, Ga 함량은 변화될 수 있음)으로 이루어지고 양자장벽층은 GaN, InGaN (In, Ga 함량은 변화될 수 있으며, 양자우물층보다 In 함량이 낮을 수 있음), AlInGaN (Al, In, Ga 함량은 변화될 수 있음) 등으로 이루어진 영역을 구비할 수 있다.
상기와 같은 n형 및 p형 반도체층(120, 150)과 활성층(130)은 당 기술 분야에서 공지된 유기 금속 화학 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 분자선 에피탁시(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화 기상 에피탁시(Hydride Vapor Phase epitaxy, HVPE) 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 형성될 수 있을 것이다. 또한, 따로 도시하지는 않았지만, n형 반도체층(120)에 작용하는 응력을 완화하여 결정성을 향상시킬 수 있는 버퍼층을 n형 반도체층(120) 형성 전에 기판(110) 상에 미리 형성하여 둘 수도 있을 것이다.
한편, 전극으로부터 인가된 전위차에 의해 활성층으로 이동하는 전자는 정공보다 이동성이 높은바 활성층을 지나 p형 반도체층으로 유입(오버플로우)됨으로써 활성층이 아닌 비발광 영역에서 정공과 결합될 수 있고, 이는 비발광 결합으로서 발광소자의 광효율을 저하시킨다. 일반적으로, 이러한 비발광 결합을 줄이기 위해 활성층과 p형 반도체층 사이에 p형 반도체층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질, 예를 들면 AlxInyGa1 -x- yN (0<x≤1, 0≤y<1)으로 이루어지는 것으로서 에너지 밴드갭이 p형 반도체층보다 크도록 Al 및 In 성분이 적절하게 함유된 물질을 포함하는 전자차단층을 형성하여 전자의 오버플로우(overflow)현상을 줄일 수 있다.
도 2는 일반적으로 채용되는 종래 기술에서의 전자차단층(140')의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 활성층(130')과 p형 반도체층(150') 사이에 p형 반도체층(150')보다 전도대역을 기준으로 에너지 준위가 높은 전자차단층(140')을 형성함으로써 p형 반도체층(150')으로 오버플로우(overflow)되는 전자(E)를 차단할 수 있다. 그러나, 이와 같은 전자차단층(140')을 이루는 물질에 함유되는 Al 성분은 p형 도펀트의 불활성화를 유발하여 발광소자의 동작전압을 높이는 문제가 있다.
도 3은 이를 구체적으로 설명하기 위한 2차 이온 질량 분석(SIMS) 데이터 그래프이다. 도 3을 참조하면, 전자차단층(140')의 p형 도펀트(예를 들면 Mg) 농도는 메모리 효과에 의해 활성층(130') 측(점선 구간의 좌측)에 가까운 초기단계에 비해 p형 반도체층(150') 측에 가까운 종단(점선 구간의 우측)으로 갈수록 크게 증가할 수 있다. 한편, 상기 전자차단층(140')에 포함되는 Al 성분은 p형 도펀트의 불활성화를 유발하는바 p형 도펀트로 인한 정공 생성을 저해함으로써 구동전압 특성을 열화시키는 문제가 있다. 아울러, 상기 전자차단층(140')은 도 2에 도시된 가전자 대역 에너지준위에 나타나듯이, 발광영역인 활성층(130')으로 유입되는 정공(H)의 이동을 방해하는 문제도 있다.
이를 고려하여, 본 발명의 반도체 발광소자는 AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y<1)으로 이루어지되 Al의 함량은 상기 p형 반도체층(150)에 가까울수록 감소하고, p형 도펀트의 농도는 상기 p형 반도체층(150)에 가까울수록 증가하는 차단 영역(141)을 구비하는 전자차단층(140)을 채용할 수 있다. 또한, 상기 차단 영역(141)의 에너지 밴드갭은 오버플로우(overflow) 전자를 차단하기 위해 Al의 함량을 적절히 조절하여 p형 반도체층(150)의 에너지 밴드갭 보다 크도록 형성될 수 있다. 이처럼 Al의 함량이 상기 p형 도펀트 농도와 역비례 관계를 가지도록 하는 경우, Al에 의해 불활성화 되는 p형 도펀트 비율이 감소됨으로써 발광소자의 구동전압 특성이 개선될 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 전자차단층(140)의 밴드갭 에너지 다이어그램 및 상기 전자차단층(140)의 부분 단면 확대도이다.
도 4를 참조하면, 상기 전자차단층(140)은 상기 차단 영역(141)을 복수개 구비하되, 상기 복수의 차단 영역(141)은 p형 반도체층(150)에 가까울수록 Al 함량이 낮아지고, 상기 복수의 차단 영역(141) 사이에는 상기 차단 영역(141)보다 밴드갭 에너지가 낮은 우물 영역(142)을 포함하며, 바람직하게는, 상기 복수의 차단 영역(141)과 복수의 우물 영역(142)은 상기 전자차단층(140) 내에서 교대로 배치되어 초격자 구조를 이룰 수 있다.
구체적으로, AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y<1)으로 이루어지는 상기 복수의 차단 영역(141)의 Al 함량은 상기 x값이 p형 도펀트 농도가 가장 낮은 부분, 즉, 활성층(130)과 접하는 전자차단층(140)의 계면(이하, 제1계면이라고 한다)에서 최대값(예를 들어 x = 1)일 수 있으며, p형 반도체층(150) 측에 가까울수록 상기 x값은 점차 감소함으로써 p형 도펀트 농도가 가장 높은 부분, 즉, 상기 p형 반도체층(150)과 접하는 전자차단층(140)의 계면(이하, 제2계면이라고 한다)에서 최소값(예를 들어 x = 0)일 수 있다. 이처럼, 제1계면에서 차단 영역(141)은 AlN으로 이루어지되, p형 반도체층(150)에 가까울수록 Al의 함량은 점차 감소하여 제2계면에서 차단 영역(141)은 GaN으로 이루어질 수 있다.
이와 같이 Al 함량이 p형 도펀트 농도에 따라 점차 감소하는 경우 차단 영역(141)의 에너지 밴드갭은 도 4에 도시된 바와 같이 점차 감소하는 특성을 나타내며, 상술한 바와 같이 오버플로우 전자를 효과적으로 차단하는 한편, 전자차단층(140) 형성으로 인한 정공(H)의 이동성 저하를 완화하고, 아울러 p형 도펀트의 불활성화 문제를 효과적으로 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 전자차단층(140)은 InyGa1 - yN (0≤y<1)으로 이루어지는 우물 영역(142)을 포함할 수 있다. 상기 우물 영역(142)은 예를 들어, p형 도펀트를 포함하는 GaN으로 이루어지는 물질을 포함할 수 있으며, 차단 영역(141)과 달리 Al을 포함하지 않으므로 p형 도펀트 불활성화 현상을 보다 효과적으로 저감시킬 수 있다. 아울러, 상기 우물 영역(142)의 에너지 밴드갭은 도 4에 도시된 바와 같이 상기 p형 반도체층(150)의 에너지 밴드갭과 실질적으로 동일할 수 있으며, 이 경우, 우물 영역(142)의 에너지 밴드갭이 p형 반도체층(150)의 에너지 밴드갭보다 큰 경우에 비해 활성층(130)으로 이동하는 정공 이동성 저하 문제를 보다 효과적으로 줄일 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 전자차단층의 밴드갭 에너지 다이어그램이다.
도 6을 참조하면, 전자차단층(140)의 복수의 차단 영역(141) 중 활성층(130)에 가장 가까운 차단 영역(141a)의 두께는 나머지 차단 영역(141)보다 두껍게 형성될 수 있다. 나머지 차단 영역(141)의 두께는 일정하거나, p형 반도체층(150)에 가까울수록 단계적으로 감소하도록 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 복수의 차단 영역(141) 중 활성층(130)에 가장 가까운 차단 영역(141a)의 두께는 나머지 차단 영역(141)의 두께보다 얇게 형성될 수 있다. 이 경우, 나머지 차단 영역(141)의 두께는 p형 반도체층(150)에 가까울수록 단계적으로 증가할 수 있다.
이와 같이, 복수의 차단 영역(141)의 각 두께를 적절히 선택함으로써 발광소자가 보다 적합한 특성을 가지도록 의도할 수 있다. 예를 들어, 활성층(130)에 가장 가까운 차단 영역(141a)을 나머지 차단 영역(141)보다 두껍게 형성하는 경우, 활성층(130)으로의 정공 이동성은 상대적으로 열화되되 전자는 보다 효과적으로 활성층(130)에 구속시킬 수 있다. 또한 반대로, 활성층(130)에 가장 가까운 차단 영역(141)을 나머지 차단 영역(141)보다 얇게 형성하는 경우, 오버플로우 되는 전자의 차단 비율은 상대적으로 낮아지되 활성층(130)으로의 정공 이동성은 보다 개선될 수 있다.
또한, 도면에 도시하지는 않았지만, p형 반도체층(150)에 가장 가까운 차단 영역(141b)이 나머지 복수의 차단 영역(141)보다 두껍게 형성되거나, 얇게 형성될 수 있다. 얇게 형성되는 경우, 보다 효과적으로 p형 도펀트의 활성화를 유도할 수 있으며, 이와 같은 두께 가변은 원하는 발광소자의 특성에 따라 당업자에 의해 적절하게 선택될 수 있을 것이다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 반도체 발광소자 110: 기판
120: n형 반도체층 130: 활성층
140: 전자차단층 141: 차단 영역
142: 우물 영역 150: p형 반도체층
161: 제1 전극 162: 제2 전극
120: n형 반도체층 130: 활성층
140: 전자차단층 141: 차단 영역
142: 우물 영역 150: p형 반도체층
161: 제1 전극 162: 제2 전극
Claims (13)
- n형 반도체층 및 p형 반도체층;
상기 n형 반도체층 및 상기 p형 반도체층 사이에 배치된 활성층; 및
상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 배치되며, AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y<1)으로 이루어지되 Al의 함량은 상기 p형 반도체층에 가까울수록 감소하고 p형 도펀트의 농도는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 증가하는 복수의 차단 영역을 구비하는 전자차단층;
을 포함하고,
상기 복수의 차단 영역은 상기 p형 반도체층에 가까운 것일수록 Al의 함량이 낮은 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,
상기 복수의 차단 영역 사이에는 상기 차단 영역보다 밴드갭 에너지가 낮은 우물 영역이 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 삭제
- 제2항에 있어서,
상기 우물 영역의 밴드갭 에너지는 상기 p형 반도체층의 밴드갭 에너지와 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,
상기 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y<1)으로 이루어지는 복수의 차단 영역의 Al의 함량은 x값이 상기 활성층과 접하는 전자차단층의 계면에서 상기 p형 반도체층에 접하는 전자차단층의 계면으로 갈수록 1에서 0으로 점차 감소함으로써 낮아지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,
상기 차단 영역 및 상기 우물 영역은 서로 교대로 배치되어 초격자 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,
상기 복수의 차단 영역 중 상기 활성층에 가장 가까운 차단 영역의 두께는 나머지 복수의 차단 영역보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제7항에 있어서,
상기 나머지 복수의 차단 영역의 두께는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 단계적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,
상기 복수의 차단 영역 중 상기 활성층에 가장 가까운 차단 영역의 두께는 나머지 복수의 차단 영역보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제9항에 있어서,
상기 나머지 복수의 차단 영역의 두께는 상기 p형 반도체층에 가까울수록 단계적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. - 삭제
- 삭제
- 삭제
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