JP2000286448A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 - Google Patents
Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 title claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 19
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/26—Materials of the light emitting region
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- Y10S977/00—Nanotechnology
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な製造工程の変更だけで、高キャリア濃
度ｎ+ 層側へのキャリアの閉じ込め効果を十分に確保す
る。 【解決手段】 サファイア基板１１の上には窒化アルミ
ニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設
けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜
厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ+ 層１３が形成されて
いる。この高キャリア濃度ｎ+ 層１３の上には、ノンド
ープのInx Ga1-X N (0<x<1) から成る膜厚約３０００Å
の中間層１４が形成されている。次に、膜厚約２５０Å
のGaN から成るｎ型クラッド層１５が積層され、更に、
ｎ型クラッド層１５の上には、膜厚約30ÅのGa0.8In0.2
N から成る井戸層１６１が計３層、膜厚約70ÅのGaN か
ら成るバリア層１６２が計２層交互に積層され、これに
より、２周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の発光層１
６が形成されている。
度ｎ+ 層側へのキャリアの閉じ込め効果を十分に確保す
る。 【解決手段】 サファイア基板１１の上には窒化アルミ
ニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設
けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜
厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ+ 層１３が形成されて
いる。この高キャリア濃度ｎ+ 層１３の上には、ノンド
ープのInx Ga1-X N (0<x<1) から成る膜厚約３０００Å
の中間層１４が形成されている。次に、膜厚約２５０Å
のGaN から成るｎ型クラッド層１５が積層され、更に、
ｎ型クラッド層１５の上には、膜厚約30ÅのGa0.8In0.2
N から成る井戸層１６１が計３層、膜厚約70ÅのGaN か
ら成るバリア層１６２が計２層交互に積層され、これに
より、２周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の発光層１
６が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高光度の III族窒
化物系化合物半導体発光素子に関する。
化物系化合物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来技術による III族窒化物系
化合物半導体発光素子２００の構造を示した模式的断面
図である。本 III族窒化物系化合物半導体発光素子２０
０は、基板上に III族窒化物系化合物半導体から成る層
が積層された従来の発光素子の代表的なものの１つと考
えられる。
化合物半導体発光素子２００の構造を示した模式的断面
図である。本 III族窒化物系化合物半導体発光素子２０
０は、基板上に III族窒化物系化合物半導体から成る層
が積層された従来の発光素子の代表的なものの１つと考
えられる。
【０００３】本 III族窒化物系化合物半導体発光素子２
００は、サファイア基板１１を基板とし、その上に、窒
化アルミニウム(AlN) より成るバッファ層１２、シリコ
ン(Si)ドープのGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層１
３、中間層１４、GaN から成るｎ型クラッド層１５上に
GaInN から成る井戸層１６１とＧａＮから成るバリア層
１６２とが交互に積層された多重量子井戸構造(MQW) の
発光層１６、ｐ型AlGaNから成るｐ型クラッド層１８、
及び、ｐ型GaN から成るｐ型コンタクト層１９が順次積
層されたものである。
００は、サファイア基板１１を基板とし、その上に、窒
化アルミニウム(AlN) より成るバッファ層１２、シリコ
ン(Si)ドープのGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層１
３、中間層１４、GaN から成るｎ型クラッド層１５上に
GaInN から成る井戸層１６１とＧａＮから成るバリア層
１６２とが交互に積層された多重量子井戸構造(MQW) の
発光層１６、ｐ型AlGaNから成るｐ型クラッド層１８、
及び、ｐ型GaN から成るｐ型コンタクト層１９が順次積
層されたものである。
【０００４】上記の発光素子２００においては、各バリ
ア層１６２の膜厚は、それぞれ概ね７０〜８０Å程度
と、略均一になっており、更に、色純度の向上の観点か
ら、InGaN より成る中間層１４を設けると共に、バリア
層１６２と同じ膜厚で同じ組成のｎ型クラッド層１５を
形成していた。
ア層１６２の膜厚は、それぞれ概ね７０〜８０Å程度
と、略均一になっており、更に、色純度の向上の観点か
ら、InGaN より成る中間層１４を設けると共に、バリア
層１６２と同じ膜厚で同じ組成のｎ型クラッド層１５を
形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の発光素子２００
等の従来の III族窒化物系化合物半導体発光素子におい
ては、発光層１６の下のｎ型クラッド層１５の膜厚が、
バリア層１６２の膜厚と略同じため、発光層１６の高キ
ャリア濃度ｎ+ 層１３側へのキャリアの閉じ込め効果が
十分には得られず、色純度は非常に良好であるものの、
発光効率が低いという問題があった。
等の従来の III族窒化物系化合物半導体発光素子におい
ては、発光層１６の下のｎ型クラッド層１５の膜厚が、
バリア層１６２の膜厚と略同じため、発光層１６の高キ
ャリア濃度ｎ+ 層１３側へのキャリアの閉じ込め効果が
十分には得られず、色純度は非常に良好であるものの、
発光効率が低いという問題があった。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的は、色純度を維持しつつ、
発光層の高キャリア濃度ｎ+ 層側へのキャリアの閉じ込
め効果を十分に確保することにより、高光度の発光素子
を提供することである。また、本発明の更なる目的は、
上記のキャリアの閉じ込め効果をもたらす本発明のｎ型
クラッド層と中間層との相乗効果により、更に、より高
光度の発光素子を提供することである。
されたものであり、その目的は、色純度を維持しつつ、
発光層の高キャリア濃度ｎ+ 層側へのキャリアの閉じ込
め効果を十分に確保することにより、高光度の発光素子
を提供することである。また、本発明の更なる目的は、
上記のキャリアの閉じ込め効果をもたらす本発明のｎ型
クラッド層と中間層との相乗効果により、更に、より高
光度の発光素子を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めには、以下の手段が有効である。即ち、第１の手段
は、井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井
戸構造の発光層を備えた III族窒化物系化合物半導体発
光素子において、発光層に接して設けられるｎ型クラッ
ド層をバリア層の膜厚よりも厚くすることである。
めには、以下の手段が有効である。即ち、第１の手段
は、井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井
戸構造の発光層を備えた III族窒化物系化合物半導体発
光素子において、発光層に接して設けられるｎ型クラッ
ド層をバリア層の膜厚よりも厚くすることである。
【０００８】また、第２の手段は、上記の第１の手段に
おいて、ｎ型クラッド層の膜厚を１００Å以上とするこ
とである。
おいて、ｎ型クラッド層の膜厚を１００Å以上とするこ
とである。
【０００９】また、第３の手段は、上記の第１の手段に
おいて、ｎ型クラッド層の膜厚を５００Å以下とするこ
とである。
おいて、ｎ型クラッド層の膜厚を５００Å以下とするこ
とである。
【００１０】また、第４の手段は、上記の第１乃至第３
のいずれか１つの手段において、ｎ型クラッド層の発光
層とは反対の面に接して中間層を備えることである。
のいずれか１つの手段において、ｎ型クラッド層の発光
層とは反対の面に接して中間層を備えることである。
【００１１】また、第５の手段は、上記の第１乃至第４
のいずれか１つの手段において、中間層をＩｎx Ｇａ
1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）より形成することである。
のいずれか１つの手段において、中間層をＩｎx Ｇａ
1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）より形成することである。
【００１２】また、第６の手段は、上記の第１乃至第４
のいずれか１つの手段において、中間層をＩｎx Ｇａ
1-x Ｎ（0.01≦ｘ≦0.05）より形成することである。以
上の手段により、前記の課題を解決することができる。
のいずれか１つの手段において、中間層をＩｎx Ｇａ
1-x Ｎ（0.01≦ｘ≦0.05）より形成することである。以
上の手段により、前記の課題を解決することができる。
【００１３】
【作用及び発明の効果】本発明の手段によれば、多重量
子井戸構造の発光層１６に接して、バリア層より膜厚の
厚いｎ型クラッド層１５が構成されるため、発光に寄与
するキャリアが、発光層１６から高キャリア濃度ｎ+ 層
１３側に逃げ難くなる。即ち、このｎ型クラッド層１５
により、キャリアに対する閉じ込め効果が十分に得られ
るため、発光効率が向上する。
子井戸構造の発光層１６に接して、バリア層より膜厚の
厚いｎ型クラッド層１５が構成されるため、発光に寄与
するキャリアが、発光層１６から高キャリア濃度ｎ+ 層
１３側に逃げ難くなる。即ち、このｎ型クラッド層１５
により、キャリアに対する閉じ込め効果が十分に得られ
るため、発光効率が向上する。
【００１４】また、上記のｎ型クラッド層１５の膜厚
は、１００Å以上が望ましく、更に、より望ましくは、
１５０〜５００Åがよい。膜厚が１００Åよりも薄い
と、膜厚が薄過ぎてキャリヤを確実に発光層に閉じ込め
ておくことが難しくなる。また、膜厚が５００Åよりも
厚くなると、色純度が悪化する。また、生産性の面で
も、ｎ型クラッド層１５の膜厚は、５００Å以下が望ま
しい。
は、１００Å以上が望ましく、更に、より望ましくは、
１５０〜５００Åがよい。膜厚が１００Åよりも薄い
と、膜厚が薄過ぎてキャリヤを確実に発光層に閉じ込め
ておくことが難しくなる。また、膜厚が５００Åよりも
厚くなると、色純度が悪化する。また、生産性の面で
も、ｎ型クラッド層１５の膜厚は、５００Å以下が望ま
しい。
【００１５】更に、ｎ型クラッド層の直下に中間層を備
えれば、より高輝度の発光素子を実現できる。この中間
層を形成する半導体としては、ＧａＩｎＮが良い。
えれば、より高輝度の発光素子を実現できる。この中間
層を形成する半導体としては、ＧａＩｎＮが良い。
【００１６】また、この発光素子の発光強度は、Ｉｎx
Ｇａ1-x Ｎより成る中間層のインジウム（Ｉｎ）組成比
ｘと強い相関を持つ。上記の発光素子１００の発光強度
は、インジウム（Ｉｎ）組成比ｘが、ほぼ0.03の辺りで
鋭いピークを持っており、「0.01≦ｘ≦0.05」の範囲に
おいて高光度を示す。
Ｇａ1-x Ｎより成る中間層のインジウム（Ｉｎ）組成比
ｘと強い相関を持つ。上記の発光素子１００の発光強度
は、インジウム（Ｉｎ）組成比ｘが、ほぼ0.03の辺りで
鋭いピークを持っており、「0.01≦ｘ≦0.05」の範囲に
おいて高光度を示す。
【００１７】インジウム組成比ｘが0.01よりも小さい
と、発光光度が落ちる。また、インジウム組成比ｘが0.
05よりも大きくなるとインジウムが多過ぎて中間層の結
晶性が劣化するため、それ以降に積層される各半導体層
が良質に形成されなくなり、発光光度が落ちる。
と、発光光度が落ちる。また、インジウム組成比ｘが0.
05よりも大きくなるとインジウムが多過ぎて中間層の結
晶性が劣化するため、それ以降に積層される各半導体層
が良質に形成されなくなり、発光光度が落ちる。
【００１８】尚、本発明における III族窒化物系化合物
半導体とは、一般式としてAlx GayIn1-x-y N （０≦ｘ
≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で示されるもので
あるが、更に III族元素としてボロン（Ｂ）、タリウム
（Ｔｌ）を含んでも良く、また、窒素（Ｎ）の一部をリ
ン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマ
ス（Ｂｉ）で置き換えても良い。従って、 III族窒化物
系化合物半導体発光素子におけるバッファ層、バリア
層、井戸層、クラッド層、コンタクト層、中間層、キャ
ップ層などの各層は、例えば、ＡｌＧａＮや、ＩｎＧａ
Ｎ等の、任意の混晶比の４元、３元、２元系のAlxGay I
n1-x-y N （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦
１）より形成しても良い。
半導体とは、一般式としてAlx GayIn1-x-y N （０≦ｘ
≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で示されるもので
あるが、更に III族元素としてボロン（Ｂ）、タリウム
（Ｔｌ）を含んでも良く、また、窒素（Ｎ）の一部をリ
ン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマ
ス（Ｂｉ）で置き換えても良い。従って、 III族窒化物
系化合物半導体発光素子におけるバッファ層、バリア
層、井戸層、クラッド層、コンタクト層、中間層、キャ
ップ層などの各層は、例えば、ＡｌＧａＮや、ＩｎＧａ
Ｎ等の、任意の混晶比の４元、３元、２元系のAlxGay I
n1-x-y N （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦
１）より形成しても良い。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。図１は、サファイア基板１１上に形
成された III族窒化物系化合物半導体で形成された発光
素子１００の模式的な断面構成図である。基板１１の上
には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッ
ファ層１２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープの
GaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ+ 層１
３が形成されている。この高キャリア濃度ｎ+ 層１３の
上にノンドープのInx Ga1-XN (0<x<1) から成る膜厚約
３０００Åの中間層１４が形成されている。
基づいて説明する。図１は、サファイア基板１１上に形
成された III族窒化物系化合物半導体で形成された発光
素子１００の模式的な断面構成図である。基板１１の上
には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッ
ファ層１２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープの
GaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ+ 層１
３が形成されている。この高キャリア濃度ｎ+ 層１３の
上にノンドープのInx Ga1-XN (0<x<1) から成る膜厚約
３０００Åの中間層１４が形成されている。
【００２０】そして、中間層１４の上には、膜厚約２５
０ÅのGaN から成るｎ型クラッド層１５が積層され、そ
の上に、膜厚約30ÅのGa0.8In0.2N から成る井戸層１６
１と、膜厚約70ÅのGaN から成るバリア層１６２とが交
互に積層された多重量子井戸構造(MQW) の発光層１６が
形成されている。井戸層１６１は計３層、バリア層１６
２は計２層である。発光層１６の上には膜厚約７０Åの
ＧａＮキャップ層が形成され、その上にｐ型Al0.12Ga
0.88N から成る膜厚約３００Åのｐ型クラッド層１８が
形成されている。さらに、ｐ型クラッド層１８の上には
ｐ型GaN から成る膜厚約100nm のｐ型コンタクト層１９
が形成されている。
０ÅのGaN から成るｎ型クラッド層１５が積層され、そ
の上に、膜厚約30ÅのGa0.8In0.2N から成る井戸層１６
１と、膜厚約70ÅのGaN から成るバリア層１６２とが交
互に積層された多重量子井戸構造(MQW) の発光層１６が
形成されている。井戸層１６１は計３層、バリア層１６
２は計２層である。発光層１６の上には膜厚約７０Åの
ＧａＮキャップ層が形成され、その上にｐ型Al0.12Ga
0.88N から成る膜厚約３００Åのｐ型クラッド層１８が
形成されている。さらに、ｐ型クラッド層１８の上には
ｐ型GaN から成る膜厚約100nm のｐ型コンタクト層１９
が形成されている。
【００２１】又、ｐ型コンタクト層１９の上には金属蒸
着による透光性の正電極２０Ａが、ｎ+ 層１３上には負
電極２０Ｂが形成されている。透光性の正電極２０Ａ
は、ｐ型コンタクト層１９に接合する膜厚約15Åのコバ
ルト(Co)と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)とで構成
されている。負電極２０Ｂは膜厚約 200Åのバナジウム
(V) と、膜厚約1.8 μｍのアルミニウム(Al)又はAl合金
で構成されている。正電極２０Ａ上の一部には、Coもし
くはNiとAu、Al、又は、それらの合金から成る膜厚約1.
5 μｍの電極パッド２１が形成されている。
着による透光性の正電極２０Ａが、ｎ+ 層１３上には負
電極２０Ｂが形成されている。透光性の正電極２０Ａ
は、ｐ型コンタクト層１９に接合する膜厚約15Åのコバ
ルト(Co)と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)とで構成
されている。負電極２０Ｂは膜厚約 200Åのバナジウム
(V) と、膜厚約1.8 μｍのアルミニウム(Al)又はAl合金
で構成されている。正電極２０Ａ上の一部には、Coもし
くはNiとAu、Al、又は、それらの合金から成る膜厚約1.
5 μｍの電極パッド２１が形成されている。
【００２２】次に、この発光素子１００の製造方法につ
いて説明する。上記発光素子１００は、有機金属気相成
長法（以下「MOVPE 」と略す）による気相成長により製
造された。用いられたガスは、アンモニア(NH3) 、キャ
リアガス(H2,N2) 、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)（以
下「TMG 」と記す）、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)
3)（以下「TMA 」と記す）、トリメチルインジウム(In
(CH3)3)（以下「TMI 」と記す）、シラン(SiH4)とシク
ロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2) （以下「CP
2Mg 」と記す）である。
いて説明する。上記発光素子１００は、有機金属気相成
長法（以下「MOVPE 」と略す）による気相成長により製
造された。用いられたガスは、アンモニア(NH3) 、キャ
リアガス(H2,N2) 、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)（以
下「TMG 」と記す）、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)
3)（以下「TMA 」と記す）、トリメチルインジウム(In
(CH3)3)（以下「TMI 」と記す）、シラン(SiH4)とシク
ロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2) （以下「CP
2Mg 」と記す）である。
【００２３】まず、有機洗浄により洗浄したａ面を主面
とした単結晶の基板１１をMOVPE 装置の反応室に載置さ
れたサセプタに装着する。次に、常圧でH2を反応室に流
しながら温度1100℃で基板１１をベーキングした。次
に、基板１１の温度を400 ℃まで低下させて、H2、NH3
及びTMA を供給してAlN のバッファ層１２を約25nmの膜
厚に形成した。
とした単結晶の基板１１をMOVPE 装置の反応室に載置さ
れたサセプタに装着する。次に、常圧でH2を反応室に流
しながら温度1100℃で基板１１をベーキングした。次
に、基板１１の温度を400 ℃まで低下させて、H2、NH3
及びTMA を供給してAlN のバッファ層１２を約25nmの膜
厚に形成した。
【００２４】次に、基板１１の温度を1150℃に保持し、
H2、NH3 、TMG 及びシランを供給し、膜厚約4.0 μｍ、
電子濃度2 ×1018/cm3のGaN から成る高キャリア濃度ｎ
+ 層１３を形成した。次に、基板１１の温度を８５０℃
にし、N2又はH2、NH3 、TMG 及びTMI を供給して、膜厚
約３０００ÅのIn0.03Ga0.97Ｎから成る中間層１４を形
成した。
H2、NH3 、TMG 及びシランを供給し、膜厚約4.0 μｍ、
電子濃度2 ×1018/cm3のGaN から成る高キャリア濃度ｎ
+ 層１３を形成した。次に、基板１１の温度を８５０℃
にし、N2又はH2、NH3 、TMG 及びTMI を供給して、膜厚
約３０００ÅのIn0.03Ga0.97Ｎから成る中間層１４を形
成した。
【００２５】上記の中間層１４を形成した後、基板１１
の温度は８５０℃のままにし、N2又はH2、NH3 及びTMG
を供給して、膜厚約２５０ÅのGaN から成るｎ型クラッ
ド層１５を形成した。その後、N2又はH2、NH3 、TMG 及
びTMI を供給して、膜厚約30ÅのGa0.8In0.2N から成る
井戸層１６１を形成した。次に、ｎ型クラッド層１５と
同一条件で、膜厚約70ÅのGaN から成るバリア層１６２
を形成した。更に、井戸層１６１を２層、バリア層１６
２を１層、各々同一条件で交互に形成して、ＭＱＷ構造
の発光層１６を形成した。更に、発光層１６上にバリア
層１６２と同一条件で７０Åよりも厚くキャップ層１７
を形成した。
の温度は８５０℃のままにし、N2又はH2、NH3 及びTMG
を供給して、膜厚約２５０ÅのGaN から成るｎ型クラッ
ド層１５を形成した。その後、N2又はH2、NH3 、TMG 及
びTMI を供給して、膜厚約30ÅのGa0.8In0.2N から成る
井戸層１６１を形成した。次に、ｎ型クラッド層１５と
同一条件で、膜厚約70ÅのGaN から成るバリア層１６２
を形成した。更に、井戸層１６１を２層、バリア層１６
２を１層、各々同一条件で交互に形成して、ＭＱＷ構造
の発光層１６を形成した。更に、発光層１６上にバリア
層１６２と同一条件で７０Åよりも厚くキャップ層１７
を形成した。
【００２６】次に、基板１１の温度を1150℃に保持し、
N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びCP 2Mg を供給して、膜
厚約３００Å、マグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al
0.12Ga 0.88N から成るｐ型クラッド層１８を形成した。
次に、基板１１の温度を1100℃に保持し、N2又はH2、NH
3 、TMG 及びCP2Mg を供給して、膜厚約100nm 、Mgをド
ープしたｐ型GaN から成るｐ型コンタクト層１９を形成
した。
N2又はH2、NH3 、TMG 、TMA 及びCP 2Mg を供給して、膜
厚約３００Å、マグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al
0.12Ga 0.88N から成るｐ型クラッド層１８を形成した。
次に、基板１１の温度を1100℃に保持し、N2又はH2、NH
3 、TMG 及びCP2Mg を供給して、膜厚約100nm 、Mgをド
ープしたｐ型GaN から成るｐ型コンタクト層１９を形成
した。
【００２７】次に、ｐ型コンタクト層１９の上にエッチ
ングマスクを形成し、所定領域のマスクを除去して、マ
スクで覆われていない部分のｐ型コンタクト層１９、ｐ
型クラッド層１８、発光層１６、中間層１４、ｎ+ 層１
３の一部を塩素を含むガスによる反応性イオンエッチン
グによりエッチングして、ｎ+ 層１３の表面を露出させ
た。次に、以下の手順で、ｎ+ 層１３に対する負電極２
０Ｂと、ｐ型コンタクト層１９に対する透光性の正電極
２０Ａとを形成した。
ングマスクを形成し、所定領域のマスクを除去して、マ
スクで覆われていない部分のｐ型コンタクト層１９、ｐ
型クラッド層１８、発光層１６、中間層１４、ｎ+ 層１
３の一部を塩素を含むガスによる反応性イオンエッチン
グによりエッチングして、ｎ+ 層１３の表面を露出させ
た。次に、以下の手順で、ｎ+ 層１３に対する負電極２
０Ｂと、ｐ型コンタクト層１９に対する透光性の正電極
２０Ａとを形成した。
【００２８】(1) フォトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィによりｎ+ 層１３の露出面上の所定領域に窓を
形成して、10-4Ｐａオーダ以下の高真空に排気した後、
膜厚約 200Åのバナジウム(V) と膜厚約 1.8μｍのAlを
蒸着した。次に、フォトレジストを除去する。これによ
りｎ+ 層１３の露出面上に負電極２０Ｂが形成される。 (2) 次に、表面上にフォトレジストを一様に塗布して、
フォトリソグラフィにより、ｐ型コンタクト層１９の上
の電極形成部分のフォトレジストを除去して、窓部を形
成する。 (3) 蒸着装置にて、フォトレジスト及び露出させたｐ型
コンタクト層１９上に、10-4Ｐａオーダ以下の高真空に
排気した後、膜厚約15ÅのCoを成膜し、このCo上に膜厚
約60ÅのAuを成膜する。
グラフィによりｎ+ 層１３の露出面上の所定領域に窓を
形成して、10-4Ｐａオーダ以下の高真空に排気した後、
膜厚約 200Åのバナジウム(V) と膜厚約 1.8μｍのAlを
蒸着した。次に、フォトレジストを除去する。これによ
りｎ+ 層１３の露出面上に負電極２０Ｂが形成される。 (2) 次に、表面上にフォトレジストを一様に塗布して、
フォトリソグラフィにより、ｐ型コンタクト層１９の上
の電極形成部分のフォトレジストを除去して、窓部を形
成する。 (3) 蒸着装置にて、フォトレジスト及び露出させたｐ型
コンタクト層１９上に、10-4Ｐａオーダ以下の高真空に
排気した後、膜厚約15ÅのCoを成膜し、このCo上に膜厚
約60ÅのAuを成膜する。
【００２９】(4) 次に、試料を蒸着装置から取り出し、
リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したCo、Au
を除去し、ｐ型コンタクト層１９上に透光性の正電極２
０Ａを形成する。 (5) 次に、透光性の正電極２０Ａ上の一部にボンディン
グ用の電極パッド２１を形成するために、フォトレジス
トを一様に塗布して、その電極パッド２１の形成部分の
フォトレジストに窓を開ける。次に、CoもしくはNiとA
u、Al、又は、それらの合金を膜厚1.5 μｍ程度に、蒸
着により成膜させ、(4) の工程と同様に、リフトオフ法
により、フォトレジスト上に堆積したCoもしくはNiとA
u、Al、又はそれらの合金から成る膜を除去して、電極
パッド２１を形成する。
リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したCo、Au
を除去し、ｐ型コンタクト層１９上に透光性の正電極２
０Ａを形成する。 (5) 次に、透光性の正電極２０Ａ上の一部にボンディン
グ用の電極パッド２１を形成するために、フォトレジス
トを一様に塗布して、その電極パッド２１の形成部分の
フォトレジストに窓を開ける。次に、CoもしくはNiとA
u、Al、又は、それらの合金を膜厚1.5 μｍ程度に、蒸
着により成膜させ、(4) の工程と同様に、リフトオフ法
により、フォトレジスト上に堆積したCoもしくはNiとA
u、Al、又はそれらの合金から成る膜を除去して、電極
パッド２１を形成する。
【００３０】(6) その後、試料雰囲気を真空ポンプで排
気し、O2ガスを供給して圧力 3Paとし、その状態で雰囲
気温度を約 550℃にして、3 分程度、加熱し、ｐ型コン
タクト層１９と正電極２０Ａとの合金化処理、ｎ+ 層１
３と負電極２０Ｂとの合金化処理を行った。このように
して、発光素子１００を形成した。
気し、O2ガスを供給して圧力 3Paとし、その状態で雰囲
気温度を約 550℃にして、3 分程度、加熱し、ｐ型コン
タクト層１９と正電極２０Ａとの合金化処理、ｎ+ 層１
３と負電極２０Ｂとの合金化処理を行った。このように
して、発光素子１００を形成した。
【００３１】また、主波長が５１０ｎｍから５３０ｎｍ
の緑色発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子で
は、ｐ型クラッド層１８の膜厚は、 180Åから５００Å
の範囲で比較的高い光度を示すことが、実験の結果より
判っている。ｐ型クラッド層１８の膜厚は、より望まし
くは、２４０Åから３６０Åの範囲が最適であり、この
範囲において最も高い発光出力を得られる。
の緑色発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子で
は、ｐ型クラッド層１８の膜厚は、 180Åから５００Å
の範囲で比較的高い光度を示すことが、実験の結果より
判っている。ｐ型クラッド層１８の膜厚は、より望まし
くは、２４０Åから３６０Åの範囲が最適であり、この
範囲において最も高い発光出力を得られる。
【００３２】更に、主波長が４６０ｎｍから４７５ｎｍ
の青色発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子で
は、ｐ型クラッド層１８の膜厚は、９０Åから３９０Å
の範囲で比較的高い光度を示すことが、実験の結果より
判っている。ｐ型クラッド層１８の膜厚は、より望まし
くは、１２０Åから３００Åの範囲が最適であり、この
範囲において最も高い発光出力を得られる。
の青色発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子で
は、ｐ型クラッド層１８の膜厚は、９０Åから３９０Å
の範囲で比較的高い光度を示すことが、実験の結果より
判っている。ｐ型クラッド層１８の膜厚は、より望まし
くは、１２０Åから３００Åの範囲が最適であり、この
範囲において最も高い発光出力を得られる。
【００３３】また、ｐ型にドープされたAlx Ga1-x N よ
り成るｐ型クラッド層１８のアルミニウム(Al)組成比ｘ
は、0.10〜0.14が望ましい。0.10よりも小さいと、キャ
リヤを発光層に閉じ込めておくことが難しくなるため発
光出力が低くなり、0.14よりも大きいと、結晶の格子定
数の違いにより発光層に及ぼす応力が大きくなるため発
光出力が低くなる。
り成るｐ型クラッド層１８のアルミニウム(Al)組成比ｘ
は、0.10〜0.14が望ましい。0.10よりも小さいと、キャ
リヤを発光層に閉じ込めておくことが難しくなるため発
光出力が低くなり、0.14よりも大きいと、結晶の格子定
数の違いにより発光層に及ぼす応力が大きくなるため発
光出力が低くなる。
【００３４】なお、上記の実施例では、発光素子１００
の発光層１６は、２周期のＭＱＷ構造としたが、発光層
の周期数は、特に限定されるものではない。即ち、本発
明は、任意の周期数を持つ III族窒化物系化合物半導体
発光素子に対して適用することができる。
の発光層１６は、２周期のＭＱＷ構造としたが、発光層
の周期数は、特に限定されるものではない。即ち、本発
明は、任意の周期数を持つ III族窒化物系化合物半導体
発光素子に対して適用することができる。
【００３５】また、バリア層、井戸層、クラッド層、コ
ンタクト層、その他の層は、任意の混晶比の４元、３
元、２元系のAlx Gay In1-x-y N （０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１）としても良い。
ンタクト層、その他の層は、任意の混晶比の４元、３
元、２元系のAlx Gay In1-x-y N （０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１）としても良い。
【００３６】又、ｐ型不純物としてMgを用いたがベリリ
ウム(Be)、亜鉛(Zn)等のII族元素を用いることができ
る。又、本発明は発光素子のみならず受光素子にも利用
することができる。
ウム(Be)、亜鉛(Zn)等のII族元素を用いることができ
る。又、本発明は発光素子のみならず受光素子にも利用
することができる。
【図１】本発明の具体的な実施例に係わる III族窒化物
系化合物半導体発光素子１００の構造を示した模式的断
面図。
系化合物半導体発光素子１００の構造を示した模式的断
面図。
【図２】従来技術による III族窒化物系化合物半導体発
光素子２００の構造を示した模式的断面図。
光素子２００の構造を示した模式的断面図。
１１ … サファイア基板 １２ … バッファ層 １３ … 高キャリア濃度ｎ+ 層 １４ … 中間層 １５ … ｎ型クラッド層 １６ … 発光層 １６１ … 井戸層 １６２ … バリア層 １７ … キャップ層 １８ … ｐ型クラッド層 １９ … ｐ型コンタクト層 ２０Ａ … 正電極 ２０Ｂ … 負電極 ２１ … 電極パッド １００ … 発光素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兼山 直樹 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA04 AA11 CA05 CA34 CA40 CA46 CA53 CA57 CA65 CA74 CA82 CA88 CA92 5F073 AA74 CA07 CA17 CB05 CB07 CB22 DA05 DA21 EA07
Claims (6)
- 【請求項１】 井戸層とバリア層とが交互に積層され
た、多重量子井戸構造の発光層を備えた III族窒化物系
化合物半導体発光素子において、 前記発光層に接して設けられるｎ型クラッド層を前記バ
リア層の膜厚よりも厚くしたことを特徴とする III族窒
化物系化合物半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記ｎ型クラッド層の膜厚が、 １００Å以上であることを特徴とする請求項１に記載の
III族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記ｎ型クラッド層の膜厚が、 ５００Å以下であることを特徴とする請求項１に記載の
III族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記ｎ型クラッド層の発光層とは反対の
面に接して中間層を備えたことを特徴とする請求項１乃
至請求項３のいずれか１項に記載の III族窒化物系化合
物半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記中間層は、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（０＜
ｘ＜１）より形成されていることを特徴とする請求項１
乃至請求項４のいずれか１項に記載の III族窒化物系化
合物半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記中間層は、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（0.01
≦ｘ≦0.05）より形成されていることを特徴とする請求
項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の III族窒化物
系化合物半導体発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071999A JP2000286448A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| EP00105047A EP1049178A3 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-09 | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device |
| US09/522,832 US6861663B2 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-10 | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071999A JP2000286448A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286448A true JP2000286448A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14006367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9071999A Pending JP2000286448A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6861663B2 (ja) |
| EP (1) | EP1049178A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000286448A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003163373A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| WO2006011675A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Nitride compound semiconductor and process for producing the same |
| KR100608928B1 (ko) | 2004-11-30 | 2006-08-08 | 광주과학기술원 | Ⅲ－ⅴ 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100680430B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2007-02-08 | 도요다 고세이 가부시키가이샤 | Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자 |
| WO2007138656A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子 |
| WO2007138657A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子 |
| KR100853935B1 (ko) * | 2002-03-06 | 2008-08-25 | 주식회사 엘지이아이 | 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법 |
| WO2009107516A1 (ja) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ |
| US8053756B2 (en) | 2006-05-26 | 2011-11-08 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting element |
| KR20120079632A (ko) * | 2011-01-05 | 2012-07-13 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드 |
| CN112768576A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-05-07 | 天津三安光电有限公司 | 一种发光二极管及制备方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308460A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子とその光ピックアップ装置 |
| DE10056475B4 (de) * | 2000-11-15 | 2010-10-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit verbesserter p-Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| TWI281758B (en) * | 2004-04-28 | 2007-05-21 | Showa Denko Kk | Transparent positive electrode |
| US7863623B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device |
| KR100931509B1 (ko) * | 2006-03-06 | 2009-12-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102006025964A1 (de) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mehrfachquantentopfstruktur, strahlungsemittierender Halbleiterkörper und strahlungsemittierendes Bauelement |
| TWI321366B (en) | 2007-02-09 | 2010-03-01 | Huga Optotech Inc | Epi-structure with uneven multi-quantum well and the method thereof |
| JP4191227B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2008-12-03 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子並びにランプ |
| WO2011040213A1 (en) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP2494597A4 (en) * | 2009-10-30 | 2015-03-18 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| US8575592B2 (en) * | 2010-02-03 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses |
| JP5730608B2 (ja) | 2011-02-16 | 2015-06-10 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 積層基板及びその製造方法 |
| DE102016112294A1 (de) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterschichtenfolge |
| CN106449914B (zh) * | 2016-08-25 | 2018-11-27 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777350A (en) * | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
| JP2735057B2 (ja) | 1994-12-22 | 1998-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP3538275B2 (ja) | 1995-02-23 | 2004-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2839077B2 (ja) | 1995-06-15 | 1998-12-16 | 日本電気株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| KR100267839B1 (ko) * | 1995-11-06 | 2000-10-16 | 오가와 에이지 | 질화물 반도체 장치 |
| JPH1056236A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体レーザ素子 |
| JP3304787B2 (ja) * | 1996-09-08 | 2002-07-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| EP1017113B1 (en) * | 1997-01-09 | 2012-08-22 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP4365898B2 (ja) | 1997-03-07 | 2009-11-18 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子、及び半導体レーザ光源装置 |
| WO1998039827A1 (fr) * | 1997-03-07 | 1998-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element electroluminescent semi-conducteur a base de nitrure de gallium muni d'une zone active presentant une structure de multiplexage a puits quantique et un dispostif semi-conducteur a sources de lumiere utilisant le laser |
| CN1159750C (zh) * | 1997-04-11 | 2004-07-28 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物半导体的生长方法 |
| JPH1174621A (ja) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体発光素子 |
| EP0908988A3 (en) * | 1997-10-06 | 2001-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| JP3517867B2 (ja) * | 1997-10-10 | 2004-04-12 | 豊田合成株式会社 | ＧａＮ系の半導体素子 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP9071999A patent/JP2000286448A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-09 EP EP00105047A patent/EP1049178A3/en not_active Withdrawn
- 2000-03-10 US US09/522,832 patent/US6861663B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100680430B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2007-02-08 | 도요다 고세이 가부시키가이샤 | Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 발광 소자 |
| JP2003163373A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| KR100853935B1 (ko) * | 2002-03-06 | 2008-08-25 | 주식회사 엘지이아이 | 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법 |
| GB2432047B (en) * | 2004-07-30 | 2008-10-08 | Sumitomo Chemical Co | Nitride compound semiconductor and process for producing the same |
| GB2432047A (en) * | 2004-07-30 | 2007-05-09 | Sumitomo Chemical Co | Nitride compound semiconductor and process for producing the same |
| WO2006011675A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Nitride compound semiconductor and process for producing the same |
| KR100608928B1 (ko) | 2004-11-30 | 2006-08-08 | 광주과학기술원 | Ⅲ－ⅴ 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JPWO2007138656A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2009-10-01 | ローム株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| WO2007138657A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子 |
| WO2007138656A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子 |
| US8053756B2 (en) | 2006-05-26 | 2011-11-08 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting element |
| JP5087540B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-12-05 | ローム株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| WO2009107516A1 (ja) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ |
| US7949026B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-05-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride semiconductor laser |
| KR20120079632A (ko) * | 2011-01-05 | 2012-07-13 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드 |
| JP2012142581A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Samsung Led Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法及びこれにより製造された発光ダイオード |
| KR101684859B1 (ko) | 2011-01-05 | 2016-12-09 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드 |
| CN112768576A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-05-07 | 天津三安光电有限公司 | 一种发光二极管及制备方法 |
| CN112768576B (zh) * | 2021-01-25 | 2022-04-12 | 天津三安光电有限公司 | 一种发光二极管及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6861663B2 (en) | 2005-03-01 |
| EP1049178A3 (en) | 2002-03-27 |
| US20020056836A1 (en) | 2002-05-16 |
| EP1049178A2 (en) | 2000-11-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040423 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050426 |