KR101684859B1 - 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드 - Google Patents

발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은,제1 반응 챔버에서, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층 및 언도프 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 언도프 질화물 반도체층이 성장된 상태의 상기 기판을 제2 반응 챔버로 이송하는 단계와, 상기 제2 반응 챔버에서, 상기 언도프 질화물 반도체층 상에 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계와, 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 활성층을 성장시키는 단계 및 상기 활성층 상에 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.

Description

발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드 {Manufacturing method of light emitting diode and light emitting diode manufactured by the same}
본 발명은 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일종인 발광다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 발광 다이오드는 필라멘트에 기초한 발광 장치에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 3족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
이러한 3족 질화물 반도체를 이용한 발광소자를 구성하는 질화물 반도체 단결정은 사파이어나 SiC 기판 등을 이용하여 그 위에 성장되며, 이러한 반도체 단결정을 성장시키기 위하여 일반적으로 가스 상태인 다수의 소스를 기판 상에 증착시키는 기상 증착 공정을 이용한다. 반도체 발광소자의 발광 성능이나 신뢰성은 이를 구성하는 반도체층의 품질(결정성, 도핑 균일성 등)에 큰 영향을 받으며, 이 경우, 반도체층의 품질은 반도체 박막을 성장시키는 데에 사용되는 기상 증착 장치의 구조, 내부 환경, 사용 조건 등에 의하여 좌우될 수 있다. 따라서, 당 기술 분야에서는 기상 증착 공정을 최적화하여 반도체층의 품질을 개선시킬 수 있는 방안이 요구된다.
본 발명의 일 목적은 발광 다이오드를 제조함에 있어서 공정 시스템의 운용 능력과 생산성을 향상시키며, 나아가, 이에 의하여 얻어진 반도체층의 결정성이 향상되도록 하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
제1 반응 챔버에서, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층 및 언도프 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 언도프 질화물 반도체층이 성장된 상태의 상기 기판을 제2 반응 챔버로 이송하는 단계와, 상기 제2 반응 챔버에서, 상기 언도프 질화물 반도체층 상에 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계와, 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 활성층을 성장시키는 단계 및 상기 활성층 상에 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 기판을 제2 반응 챔버로 이송하는 단계 중에 상기 언도프 질화물 반도체층의 적어도 일부는 대기에 노출될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계는 상기 제2 반응 챔버에서 실행될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 활성층을 성장시키는 단계는 상기 제2 반응 챔버에서 실행되며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계는 상기 활성층이 성장된 상태의 상기 기판을 제3 반응 챔버로 이송하는 단계 및 상기 제3 반응 챔버에서, 상기 활성층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 활성층을 성장시키는 단계는 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층이 성장된 상태의 상기 기판을 제3 반응 챔버로 이송하는 단계 및 상기 제3 반응 챔버에서, 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 활성층을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계는 상기 활성층이 성장된 상태의 상기 기판을 제4 반응 챔버로 이송하는 단계 및 상기 제4 반응 챔버에서, 상기 활성층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층은 n형 GaN으로 이루어지며, 상기 언도프 질화물 반도체층은 언도프 GaN으로 이루어질 수 있다.
한편 본 발명의 다른 측면은,
제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층 사이에 개재된 활성층 및 상기 제1 도전형 질화물 반도체층이 두께 방향으로 2개의 영역으로 나뉘도록 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 사이에 개재된 언도프 질화물 반도체층을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층은 n형 GaN으로 이루어지며, 상기 언도프 질화물 반도체층은 언도프 GaN으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태의 경우, 발광 다이오드를 제조함에 있어서 공정 시스템의 운용 능력과 생산성이 향상될 수 있으며, 나아가, 이에 의하여 얻어진 반도체층의 결정성이 향상될 수 있다. 특히, 2개 이상의 반응 챔버를 이용하여 발광 다이오드를 이루는 반도체층을 성장시킬 경우, 기판의 이송 과정에서 반도체층에 미치는 오염을 최소화할 수 있다.
도 1 내지 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 다이오드 제조방법을 개략적으로 나타내는 공정별 단면도이다.
도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1 내지 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 다이오드 제조방법을 개략적으로 나타내는 공정별 단면도이다. 우선, 도 1에 도시된 것과 같이, 기판(101) 상에 제1 도전형 질화물 반도체층(102)을 성장시킨다. 본 단계의 경우, 제1 반응 챔버(201)에서 수행되며, 제1 도전형 질화물 반도체층(102)의 성장은 유기 금속 화학 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 수소화 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE), 분자선 에피탁시(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 등의 공정을 이용할 수 있다. 이 경우, 구체적으로 도시하지는 않았으나, 제1 반응 챔버(201)는 기판(101)이 배치되는 서셉터나 소스 가스를 도입시키기 위한 가스 유로 등을 구비하는 구조로 이해될 수 있을 것이다.
기판(101)은 반도체 성장용 기판으로 제공되며, 예컨대, 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN, Si 등의 물질로 이루어진 기판을 사용할 수 있다. 이 경우, 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 질화물 박막의 성장이 비교적 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다. 제1 도전형 질화물 반도체층(102)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 반도체로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되는 것은 아니지만, Si 등과 같은 n형 불순물이 도핑될 수 있다. 구체적인 일 예로서, 제1 도전형 질화물 반도체층(102)는 n형 GaN으로 이루어질 수 있다. 한편, 따로 도시하지는 않았으나, 제1 도전형 질화물 반도체층(102)의 성장 전에 언도프 반도체층 등으로 이루어진 버퍼층을 성장시켜 제1 도전형 질화물 반도체층(102)의 결정성 저하를 최소화할 수 있을 것이다.
이어서, 도 2에 도시된 것과 같이, 제1 도전형 질화물 반도체층(102) 상에 언도프 질화물 반도체층(103)을 성장시키며, 본 단계 역시, 제1 반응 챔버(201)에서 수행된다. 본 실시 형태의 경우, 2개 이상의 반응 챔버를 이용하여 발광 다이오드를 구성하는 반도체층을 성장하는데 반응 챔버 간에 기판을 이송 과정에서 제1 도전형 질화물 반도체층(102)이 대기 중에 노출되면 표면에 의도하지 않은 오염이 발생하여 품질이 저하될 수 있다. 예를 들어, Si 도핑된 GaN이 대기 중에 노출될 경우, Si 산화물이 표면에 생길 수 있다. 본 실시 형태에서는 후술할 바와 같이, 기판(101)이 이송된 후 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(도 3에서 104)을 성장시킴과 더불어, 제1 반응 챔버(201)에 언도프 질화물 반도체층(103)을 제1 도전형 반도체층(102) 상에 성장한다. 이에 따라, 기판(101)을 이송하는 과정에서 제1 도전형 질화물 반도체층(102)을 보호할 수 있어 의도하지 않은 산화물의 생성을 최소화할 수 있다. 이 경우, 구체적인 일 예로서, 언도프 질화물 반도체층(103)은 언도프 GaN으로 이루어질 수 있다. 한편, 본 명세서에서 사용된 '언도프'의 개념은 고유한 도핑 농도를 갖는 질화물 반도체에 고의로 도핑하지 않은 상태를 의미한다.
이어서, 도 3에 도시된 것과 같이, 제2 반응 챔버(202)에서 언도프 질화물 반도체층(103) 상에 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(104)을 성장시킨다. 이를 위하여, 제1 도전형 질화물 반도체층(102) 및 언도프 질화물 반도체층(103)이 성장된 상태의 기판(101)을 제1 반응 챔버(201)로부터 제2 반응 챔버(202)로 이송한다. 기판(101)의 이송 방법은 특별히 제한되지는 않으며, 인위적인 이송이나 로드락 챔버를 통한 이송 등을 모두 이용할 수 있으나, 본 실시 형태에서 제안하는 방법은 대기에 노출된 상태에서 이송되는 경우에 특히 유용할 수 있다. 이 경우, 앞서 설명한 바와 같이, 언도프 질화물 반도체층(103)에 의하여 이송 과정에서 대기 노출에 의한 제1 도전형 질화물 반도체층(102)의 손상을 최소화될 수 있다. 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(104)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 반도체로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되는 것은 아니지만, Si 등과 같은 n형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(104)은 제1 도전형 질화물 반도체층(102)과 동일한 물질, 예컨대, n형 GaN으로 이루어질 수 있다.
한편, 본 실시 형태의 경우, 발광구조물을 이루는 반도체층을 성장함에 있어서 2개 이상의 반응 챔버를 이용하며, 이로부터 성장 과정에서 불량 발생 시의 공정상 발생하는 비용과 시간의 부담이 줄어들 수 있다. 이를 구체적으로 설명하면, 발광구조물을 구성하는 반도체층들, 예컨대, 제1 및 도전형 제2 반도체층(101, 106)과 활성층(105)을 제1 및 제2 반응 챔버(201, 202)에서 각각 한번에 성장시킬 경우, 상대적으로 긴 시간 동안 각 챔버(201, 202)가 작동되며, 불량 발생 시 소요된 공정 시간과 소스 가스 등의 부담이 본 실시 형태와 같은 분할 성장 방식보다 상대적으로 높다. 또한, 하나의 증착 설비에서 상대적으로 짧은 시간 안에 1회의 성장 공정이 종료될 수 있으므로, 후속 성장 공정 전까지 적용될 수 있는 설비의 유지 보수 단계가 보다 탄력적으로 실행될 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 반응 챔버(201, 202)는 서로 동일한 증착 공정을 이용할 수도 있으나, 서로 다른 증착 공정 장치일 수 있다. 즉, 제1 및 제2 반응 챔버(201, 202)가 모두 MOCVD 장비일 수도 있으나, 제1 반응 챔버(201)는 HVPE 장비이고, 제2 반응 챔버(202)는 MOCVD 장비일 수 있다. 또한, 같은 MOCVD 장비라도 그 구조를 달리할 수도 있으며, 예를 들어, 제1 반응 챔버(201)는 반응 가스가 서셉터의 수직 상방으로부터 주입되는 장비이고, 제2 반응 챔버(202)가 서셉터에 평행한 방향으로 주입되는 장비일 수도 있을 것이다.
이러한 공정상의 장점과 더불어, 발광구조물을 구성하는 각 반도체층은 성장 온도와 소스 가스 분위기 등의 조건에 서로 차이가 있으므로, 복수의 반응 챔버(201, 202)를 각 반도체층의 성장 조건에 맞도록 유지함으로써 설비 관리가 용이하게 되며, 장치의 열화가 감소될 수 있다. 또한, 성장 조건이 일정하게 유지된 반응 챔버(201, 202)에서 발광구조물을 나누어 성장시킬 경우, 각 반도체층의 결정 품질이나 도핑 특성 등도 우수해질 수 있다. 즉, 제1 도전형 질화물 반도체층(102)이 예컨대, n형 GaN을 포함하여 이루어진다고 했을 경우, 약 1000 ~ 1300℃의 온도에서 성장되며, 제2 도전형 질화물 반도체층(106)이 p형 GaN을 포함하여 이루어진다고 했을 경우, 상대적으로 낮은 성장 온도, 약 700 ~ 1100℃의 온도에서 성장되므로, 성장 온도와 소스 가스 분위기가 제2 도전형 질화물 반도체층(106)에 적합한 제2 반응 챔버(202)를 이용함으로써 제2 도전형 질화물 반도체층(106)의 품질이 향상될 수 있다. 다만, 본 실시 형태에서는 제2 반응 챔버(202)에서 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(104)을 성장시키는 점에서, 제1 및 제2 반응 챔버(201, 202)의 성장 조건을 일정하게 유지하기 어려울 수 있으므로, 후술할 다른 실시 예와 같이, 추가적인 반응 챔버를 이용할 수 있다.
이어서, 도 4에 도시된 것과 같이, 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(104) 상에 활성층(105) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(106)을 성장시킨다. 본 단계의 경우, 기판(101)을 이송하지 않고 제2 반응 챔버(202)에서 실행될 수 있으며, 다만, 후술할 바와 같이, 반응 챔버 내부의 상태를 각 반도체층에 더욱 적합하게 유지하기 위하여 다른 챔버에서 실행될 수도 있을 것이다. 활성층(105)은 제1 도전형 질화물 반도체층(102, 104) 및 제2 도전형 질화물 반도체층(106) 사이에 배치되어 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조로 이루어질 수 있다. 다중 양자우물 구조의 경우, AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)으로 이루어진 다층 구조, 예컨대, InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다. 이 경우, 활성층(105) 역시, 제1 도전형 질화물 반도체층(102, 104)과 같은 방식으로 MOCVD 공정 등을 이용하여 성장될 수 있을 것이다. 또한, 제2 도전형 질화물 반도체층(106)은 p형 질화물 반도체, 예컨대, Mg나 Zn 등으로 도핑된 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 반도체로 이루어질 수 있다. 구체적인 일 예로서, 제2 도전형 질화물 반도체층(106)은 p형 GaN으로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 5에 도시된 것과 같이, 제2 도전형 질화물 반도체층(106) 성장이 완료된 후에는 발광구조물의 일부 제거에 의하여 노출된 제1 도전형 질화물 반도체층(102)의 일면과 제2 도전형 질화물 반도체층(106) 상에 제1 및 제2 전극(107, 108)을 형성한다. 제1 및 제2 전극(107, 108)은 광 반사 성능이나 오믹 컨택 성능 등을 고려하여 당 기술 분야에서 공지된 물질을 증착, 스퍼터링 등의 공정으로 형성할 수 있을 것이다. 다만, 도 5에 도시된 전극(107, 108)의 형태는 일 예일 뿐이며, 발광구조물의 다양한 위치에 전극이 형성될 수 있을 것이다. 예를 들어, 발광구조물의 식각을 따로 하지 않고, 기판(101)을 제거한 후 이에 의해 노출된 제1 도전형 질화물 반도체층(102) 표면에 전극을 형성할 수도 있을 것이다. 이러한 방식으로 완성된 발광 다이오드의 경우, 제1 도전형 질화물 반도체층(102, 104)이 두께 방향으로 2개의 영역(102, 104)으로 나뉘도록 그 사이에 언도프 질화물 반도체층(103)이 개재된 구조를 갖는다.
한편, 앞선 실시 형태에서는 2개의 반응 챔버(201, 202)를 사용하여 반도체층을 분할 성장하였으나, 필요에 따라, 반응 챔버의 개수는 늘어날 수 있다. 도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 우선, 앞선 실시 형태와 달리, 도 6의 실시 형태의 경우, 제2 반응 챔버(202)에서 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(104) 및 활성층(105)을 성장한 후에 기판(101)을 제3 반응 챔버(203)로 이송한다. 이 경우, 이송 과정에서, 활성층(105)이 손상되지 않도록 진공 상태의 로드락 챔버를 이용하는 것이 바람직할 수 있다. 기판(101)이 제3 반응 챔버(203)로 이송된 후에는 활성층(105) 상에 추가적인 제2 도전형 질화물 반도체층(106)을 성장한다. 본 실시 형태와 같이, 제2 도전형 질화물 반도체층(106)을 별도의 전용 챔버(203)에서 성장함으로써 제2 반응 챔버(203)를 제2 도전형 질화물 반도체층(106)의 성장에 적합한 조건으로 유지할 수 있으므로, 제2 도전형 질화물 반도체층(106)의 결정성이 향상되는 한편, 공정의 효율성도 향상될 수 있을 것이다.
나아가, 도 7의 실시 형태와 같이, 활성층(105)도 전용 챔버에서 성장될 수 있으며, 이에 따라, 발광 효율에 큰 영향을 미치는 활성층(105)의 결정 품질 향상을 기대할 수 있다. 즉, 제2 반응 챔버(202)에서 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(104)을 성장한 후 기판(101)을 제3 반응 챔버(203)로 이송하여 활성층(105)을 성장하며, 이후 다시, 기판(101)을 제4 반응 챔버(204)로 이송하여 제2 도전형 질화물 반도체층(106)을 성장할 수 있을 것이다. 다만, 도 7의 실시 형태에서는 기판(101)을 제3 반응 챔버(203)로 이송하는 과정에서 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층(104)이 손상되지 않도록 진공 상태의 로드락 챔버를 이용하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 기판 102: 제1 도전형 질화물 반도체층
103: 언도프 질화물 반도체층 104: 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층
105: 활성층 106: 제2 도전형 질화물 반도체층
107, 108: 제1 및 제2 전극 201: 제1 반응 챔버
202: 제2 반응 챔버 203: 제3 반응 챔버
204: 제4 반응 챔버

Claims (10)

  1. 제1 반응 챔버에서, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층 및 언도프 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계;
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 언도프 질화물 반도체층이 성장된 상태의 상기 기판을 제2 반응 챔버로 이송하는 단계;
    상기 제2 반응 챔버에서, 상기 언도프 질화물 반도체층 상에 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계;
    상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 활성층을 성장시키는 단계; 및
    상기 활성층 상에 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계;
    를 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 제2 반응 챔버로 이송하는 단계 중에 상기 언도프 질화물 반도체층의 적어도 일부는 대기에 노출되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계는 상기 제2 반응 챔버에서 실행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 활성층을 성장시키는 단계는 상기 제2 반응 챔버에서 실행되며,
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계는 상기 활성층이 성장된 상태의 상기 기판을 제3 반응 챔버로 이송하는 단계 및
    상기 제3 반응 챔버에서, 상기 활성층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 활성층을 성장시키는 단계는 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층이 성장된 상태의 상기 기판을 제3 반응 챔버로 이송하는 단계 및 상기 제3 반응 챔버에서, 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 활성층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계는 상기 활성층이 성장된 상태의 상기 기판을 제4 반응 챔버로 이송하는 단계 및 상기 제4 반응 챔버에서, 상기 활성층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층은 서로 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 상기 추가적인 제1 도전형 질화물 반도체층은 n형 GaN으로 이루어지며, 상기 언도프 질화물 반도체층은 언도프 GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
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  10. 삭제
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