JP4178836B2 - 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4178836B2 JP4178836B2 JP2002155507A JP2002155507A JP4178836B2 JP 4178836 B2 JP4178836 B2 JP 4178836B2 JP 2002155507 A JP2002155507 A JP 2002155507A JP 2002155507 A JP2002155507 A JP 2002155507A JP 4178836 B2 JP4178836 B2 JP 4178836B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium nitride
- compound semiconductor
- layer
- semiconductor layer
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims description 153
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 133
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 150
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 7
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBXAHYGPIWPTIF-UHFFFAOYSA-N CC=1C(C=CC=1)([Mg])C Chemical compound CC=1C(C=CC=1)([Mg])C XBXAHYGPIWPTIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法に関し、更に詳細には動作電圧が低く、信頼性の高い窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
GaN、GaInN、AlGaInN等のIII −V族窒化ガリウム系化合物半導体は、禁制帯幅が2.8〜6.8eVにわたっているため、赤色から紫外領域での発光が可能な半導体発光素子の材料として注目されている。
そして、III −V族窒化ガリウム系化合物半導体を構成要素とする窒化ガリウム系半導体素子として、例えば青色や緑色の発光ダイオード(LED) や、約405nmの紫色領域で発振するGaN系半導体レーザ素子などが、開発、実用化されている。
【0003】
ここで、図2を参照して、GaN系半導体レーザ素子の構成を説明する。図2はGaN系半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
GaN系半導体レーザ素子10は、図2に示すように、サファイア基板12と、サファイア基板12上に横方向成長法により形成されたGaN−ELO構造層14と、GaN−ELO構造層14上にMOCVD法により順次成長させた、n型GaNコンタクト層16、n型AlGaNクラッド層18、n型GaNガイド層20、GaInN多重量子井戸(MQW)構造の活性層22、p型GaNガイド層24、p型AlGaNクラッド層26、及びp型GaNコンタクト層28の積層構造とを備えている。
【0004】
p−AlGaNクラッド層26の上部層、及びp−GaNコンタクト層28は、GaN−ELO構造層14の種結晶部と会合部との間に位置するストライプ状リッジ30として形成されている。
更に、p−AlGaInクラッド層26の残り層、p−GaN光ガイド層24、活性層22、n−GaN光ガイド層20、n−AlGaInクラッド層18、及びn−GaNコンタクト層16の上部層は、リッジ30と平行なメサ32として形成されている。
【0005】
p−GaNコンタクト層28上を開口して、リッジ30の両側面及びp−AlGaInクラッド層26の残り層上には、SiO2 膜34が成膜されている。
p−GaNコンタクト層28上には、Pd/Pt/Auの積層金属膜からなるp側電極36が、また、n−GaNコンタクト層16上には、Ti/Pt/Auの積層金属膜からなるn側電極38が設けてある。
【0006】
次に、有機金属気相成長法(MOCVD)法を用いて上述の半導体レーザ素子10を製造する従来の方法を説明する。
窒素源としてアンモニア(NH3 )、Ga、Al、及びInのIII 族元素金属の原料として、それぞれ、トリメチルガリウム(TMG) 、トリメチルアルミニウウム(TMA) 、及びトリメチルインジウム(TMI)を使用する。
ドーパントはn型用にはSi、p型用にはMgであり、それぞれの原料としてモノシラン(SiH4 )とbis−メチルシクロペンタジエニルマグネシウム(MeCp2 Mg)を使用する。
尚、アンモニア原料、及びIII 族元素金属の原料等の原料は、上述のものに限られるものではない。
【0007】
先ず、サファイア基板12上に横方向成長法を適用してGaN−ELO構造層14を形成する。次いで、GaN−ELO構造層14上に、MOCVD法によりn型GaNコンタクト層16、n型AlGaNクラッド層18、n型GaNガイド層20、及びGaInN多重量子井戸(MQW)構造からなる活性層22を順次成長させる。
更に、p型GaNガイド層24、p型AlGaNクラッド層26、及びp型GaN層28を順次成長させる。
【0008】
積層構造を形成するに当たり、p型AlGaNクラッド層26を成長させた後、p型GaN層28を成長させる際には、先ず、基板温度約1,000℃でp型GaN層28を成長させる。
次いで、p型GaN層28の成長が終了した時点で、TMG及びMeCp2 Mgの供給を停止し、NH3 ガスだけを供給し続けながら基板温度を室温程度に下げて、積層構造の形成が終了する。
【0009】
次いで、リッジ30及びメサ32を形成し、SiO2 膜34を成膜する。続いて、SiO2 膜34を開口してp側電極36及びn側電極38を形成する。
更に、劈開し、チップ化して、GaN系半導体レーザ素子10を製造することができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来のGaN系半導体レーザ素子には、動作電圧が高いという問題があって、例えば電流50mA注入時に7.0V以上の動作電圧を必要とすることもあった。
動作電圧が高いと、消費電力を低減することが難しくなり、また信頼性の向上、或いは長寿命化を図る上でも制約となる。更には、電源の供給電圧に制約されて、小型化、軽量化が難しく、半導体レーザ素子を光源とする機器の携帯性を向上させることが難しくなる。
【0011】
また、GaN系半導体レーザ素子では、しきい値電流を低下させ、注入電流対光出力の効率を高めるために、p側電極としてp型コンタクト層上に例えば幅3μmほどのストライプ状の電極を形成しているものの、p側電極を構成する金属膜がp型コンタクト層から剥がれ易く、一旦剥がれが部分的にでも生じると、それがμmオーダーの領域であっても、p側電極とp型コンタクト層との接触抵抗が大幅に増加する。
更には、剥がれが生じた場合、電流注入の不均一による発光特性の低下や動作電圧上昇による消費電力の増大、極端な場合にはレーザ発振が停止することもある。これでは、GaN系半導体レーザ素子の信頼性を高めることが難しい。
【0012】
以上の説明では、GaN系半導体レーザ素子を例に挙げて説明しているが、この問題は、発光ダイオード、電子デバイス等を含む窒化ガリウム系半導体素子全般に該当する問題である。
そこで、本発明の目的は、動作電圧が低く、信頼性の高い窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
GaN系半導体レーザ素子の動作電圧が高い原因の一つは、n型化合物半導体層と比べてキャリア濃度や移動度が低く、抵抗値が高くなるp型化合物半導体層の特性に起因してp側電極の接触抵抗が高くなることである。
【0014】
p型半導体層の電気抵抗を減少させることは技術的に難しい。そこで、本発明者は、上述の課題を解決するために、p型半導体層自体の電気抵抗を低減することに代わる解決案を探す過程で、p側電極の金属膜の下地になるp型GaNコンタクト層の最表面モフォロジ(凹凸の状況)を原子間力顕微鏡(AFM)で観察したところ、図3に示すように、表面にテラス型の平坦な面やステップ(段差)構造は存在するものの、表面が、比較的、平坦であることを見い出した。図3は従来のGaN系半導体レーザ素子のp側電極金属膜の下地膜であるp型GaNコンタクト層の最表面モフォロジを示す図である。尚、図3は写真を写した図であって、元の写真は参考写真(1)として別途特許庁に提出している。
更に、図3の線B−B′でp型GaNコンタクト層の表層部の断面を調べると、図4に示すように、表面の凹凸が比較的少なく、nmオーダーの凹部は存在せず、凹凸の段差は0.5nm程度であった。段差の数値0.5nmは、GaN、AlN及びInNの格子定数cに非常に近い値である。また、表面全域の凹凸(高さ)の標準偏差(Rms)は0.186nmであった。図4は従来のGaN系半導体レーザ素子の図4の線B−B′でのp型GaNコンタクト層の表層部の断面図である。
【0015】
上述のように、表面の凹凸が比較的乏しく、段差も低いと、p側電極金属膜と下地膜との密着性が悪く、接触面積が小さくなり、固着性も悪くなる。
そこで、本発明者は、p側電極金属膜の下地膜に凹凸を付けることを着想した。そして、本発明者は、下地膜を成長させた後の降温過程で、下地膜上に再エピタキシャル成長層を分散的かつミクロ的に設けることにより、下地膜上に凹凸が形成できることに注目し、次の実験を行った。
【0016】
実験例
本実験例では、前述の半導体レーザ素子10のp型GaNコンタクト層28を成膜する際、従来と同様にして、基板温度約1,000℃でMOCVD法によりGaN層をエピタキシャル成長させ、所定膜厚のp型GaNコンタクト層28を形成した。
続いて、TMG、TMI、NH3 ガス及びMeCp2 Mgを導入しながら基板温度を約700℃まで1分間ないし2分間かけて降温し、700℃の温度を5秒間ないし60秒間維持した。
次いで、TMG、TMI、及びMeCp2 Mgの供給を停止し、NH3 ガスだけを導入しながら基板温度を室温にまで冷却した。
【0017】
形成したp型GaNコンタクト層28の最表面モフォロジをAFMで観察したところ、以下のことが判った。
(1)図5に示すように、p型GaNコンタクト層28の表面全域に、GaN結晶の格子定数より深い深さで、溝幅が3nm以上100nm以下の溝状の凹部40が、5nm以上300nm以下の間隔で不規則な網目状に延在している。図5は実験例のp型GaNコンタクト層の最表面モフォロジを示す図である。尚、図5は写真を写した図であって、元の写真は参考写真(2)として別途特許庁に提出している。
(2)AFMの測定結果から、図5のA−A′で示した線の断面を描いたところ、図6に示すような断面形状を得た。図6は図5の線A−A′での実験例のp型GaNコンタクト層の表層部の断面図である。
図6より、凹凸の段差の大きさ、つまり凹凸を構成する凸部42の頂部と凸部42に隣接する凹部44の底部との高さの差(段差)の典型値が1〜2nmであることが判った。ウルツ鉱型GaN、AlNおよびInNの格子定数cは、それぞれ、約0.519nm、約0.498nm、及び約0.576nmであるから、凹凸の段差は、それらの格子定数より明らかに大きな値である。
また、p型GaNコンタクト層28の表面全域のいずれの1μm幅領域でも、凹凸が幅方向の線上に2個以上位置するように、凹凸が表面全域に分散して存在している。
(3)1μm四方を走査して得られた測定結果を示している図5では、凹凸(高さ)の標準偏差(Rms)の値は0.466nmであった。また、p型GaNコンタクト層28の表面全域の走査(測定)したところ、表面全域のいずれの1μm四方の領域に存在する凹凸も、凹凸のRms(高さの標準偏差)が0.25nmより大きいことが判った。
【0018】
以上の実験結果から、所定の膜厚のp型GaNコンタクト層28を所定温度で成膜した後、所定温度から室温に降温する際の降温過程の条件を変えることにより、GaN結晶の格子定数より大きい段差を有する凹凸が表面全域に分散して形成されることを確認することができた。
また、表面に凹凸の有るp型GaNコンタクト層28にp側電極金属膜を形成したところ、金属膜とp型GaNコンタクト層28との密着性が向上し、接触面積が著しく増大することにより、接触抵抗が大幅に減少したこと、及び金属膜が凹部に進入して金属膜とp型GaNコンタクト層28とが強固に固着されるので、p側電極金属膜がp型GaNコンタクト層28から剥がれるようなことが無くなったことを確認することができた。
【0019】
上記目的を達成するために、以上の実験に基づいて、本発明に係る窒化ガリウム系半導体素子は、金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層(以下、下地化合物半導体層と言う)上に有する窒化ガリウム系半導体素子において、
下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの1μm幅領域でも、下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より深い深さの凹部が幅方向の線上に2個以上存在するように、凹部が表面全域に分散して存在していることを特徴としている。
【0020】
また、本発明に係る窒化ガリウム系半導体素子は、金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層(以下、下地化合物半導体層と言う)上に有する窒化ガリウム系半導体素子において、
下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの1μm幅領域でも、凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差(段差)が下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より大きな凹凸が幅方向の線上に2個以上存在するように、凹凸が表面全域に分散して存在していることを特徴としている。
【0021】
また、本発明に係る窒化ガリウム系半導体素子は、金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層(以下、下地化合物半導体層と言う)上に有する窒化ガリウム系半導体素子において、
下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域に凹凸が分散して存在し、表面全域のいずれの1μm四方の領域に存在する凹凸も、凹凸のRms(高さの標準偏差)が0.25nmより大きいことを特徴としている。
【0022】
更には、本発明に係る窒化ガリウム系半導体素子は、金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層(以下、下地化合物半導体層と言う)上に有する窒化ガリウム系半導体素子において、
下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域に、下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より深い溝深さで、溝幅が3nm以上100nm以下の溝状の凹部が、5nm以上300nm以下の間隔で不規則な網目状に延在していることを特徴としている。
【0023】
本発明で、窒化ガリウム系化合物半導体とは、V族として窒素(N)を有し、組成がAlaBbGacInd NxPyAsz(a+b+c+d=1、0≦a、b、c、d≦1、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y、z≦1)で表示される組成を有する化合物半導体である。
また、窒化ガリウム系半導体素子とは、少なくとも一部の化合物半導体層が窒化ガリウム系化合物半導体で形成されている、発光素子、受光素子、電子デバイス等を含む半導体素子である。
【0024】
本発明に係る窒化ガリウム系半導体素子では、以下の4つの要件のうちの少なくともいずれかが下地化合物半導体層上に存在する凹凸について満足されることより、金属膜と下地化合物半導体層との密着性が向上し、接触面積が著しく増大して、接触抵抗が大幅に減少し、また、金属膜が凹部に進入して金属膜と下地化合物半導体層とが強固に密着して固着されるので、金属膜が下地化合物半導体層から剥がれ難くなる。
(1)下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの1μm幅領域でも、下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より深い深さの凹部が幅方向の線上に2個以上存在するように、凹部が表面全域に分散して存在していること。
(2)下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの1μm幅領域でも、凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差(段差)が下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より大きな凹凸が幅方向の線上に2個以上存在するように、凹凸が表面全域に分散して存在していること。
(3)表面全域のいずれの1μm四方の領域に存在する凹凸も、凹凸のRms(高さの標準偏差)が0.25nmより大きいこと。
(4)下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より深い深さで、溝幅が3nm以上100nm以下の溝状の凹部が、5nm以上300nm以下の間隔で不規則な網目状に延在していること。
【0025】
本発明は、窒化ガリウム系半導体素子の構成を問わず、発光素子、受光素子、電子素子等に適用できるが、特に下地化合物半導体層がp型半導体層である半導体発光素子に好適に適用できる。抵抗が高いp型半導体層の抵抗を低減できるからである。
【0026】
本発明に係る窒化ガリウム系半導体素子の製造方法は、金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層(以下、下地化合物半導体層と言う)上に有する窒化ガリウム系半導体素子の製造方法において、下地化合物半導体層を成長させる際、
所定膜厚の下地化合物半導体層を第1の所定温度でエピタキシャル成長させた後、下地化合物半導体を成長させる原料ガスを成膜チャンバに導入し続けつつ第1の所定温度より低い第2の所定温度に降温するステップと、
第2の所定温度で所定時間維持するステップと、
次いで、窒素原料ガス以外の原料ガスの供給を停止し、窒素原料ガスを導入し続けつつ室温まで降温するステップと
を有することを特徴としている。
【0027】
本発明方法では、第1の所定温度から第2の所定温度に降温するステップで、また、第2の所定温度に維持するステップで、下地窒化ガリウム系化合物半導体の原料ガスを成膜チャンバに導入することにより、窒化ガリウム系化合物半導体が下地化合物半導体層の表面全域に分散してミクロ的に成長し、下地化合物半導体層の表面に凹凸を形成する。
具体的には、下地窒化ガリウム系化合物半導体層をGaNで形成するときには、第1の所定温度が800℃以上1050℃以下、第2の所定温度が400℃以上850℃以下、所定時間が5秒以上60秒以下である。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下に、実施形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
窒化ガリウム系化合物半導体の実施形態例
本実施形態例は本発明に係る半導体レーザ素子をGaN系半導体レーザ素子に適用した実施形態の一例であって、図1は本実施形態例のGaN系半導体レーザ素子のp側電極金属膜の下地膜であるp型GaNコンタクト層の幅1μmの表層部の断面図である。
本実施形態例のGaN系半導体レーザ素子は、p型GaNコンタクト層の表面全域に凹凸部が分散して形成されていることを除いて、前述の半導体レーザ素子10と同じ構成を備えている。
【0029】
p型GaNコンタクト層の表面全域に形成された凹凸部は、p型GaNコンタクト層の表面全域のいずれの1μm幅領域でも、図1に示すように、凹凸部又は凹部が幅方向の線上に2個以上位置するように、凹凸が表面全域に分散して存在し、かつ、凹凸を構成する凸部46の頂部と凸部46に隣接する凹部48の底部との高さの差(段差)がGaN結晶の格子定数より大きい。
また、表面全域のいずれの1μm四方の領域に存在する凹凸も、凹凸のRms(高さの標準偏差)が0.25nmより大きい。更には、表面全域にGaN結晶の格子定数より深い深さで、溝幅が3nm以上100nm以下の溝状の凹部が、5nm以上300nm以下の間隔で不規則な網目状に延在している。
【0030】
本実施形態例では、凹凸の存在により、p側電極36の金属膜とp型GaNコンタクト層28との密着性が向上し、接触面積が著しく増大することにより、接触抵抗が大幅に減少し、加えて金属膜が凹部48に進入して金属膜とp型GaNコンタクト層28とが強固に密着して固着されるので、金属膜がp型GaNコンタクト層28から剥がれるようなことが無くなる。
本実施形態例の半導体レーザ素子では、電流50mA注入時の動作電圧が6.0V以下であって、従来のGaN系半導体レーザ素子10の動作電圧7.0Vに比べて1.0V以上低下している。
【0031】
製造方法の実施形態例
本実施形態例は、本発明に係る窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を上述のGaN系半導体レーザ素子の製造に適用した実施形態の一例である。
以下に図2を参照して、本実施形態例の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を説明する。
前述した従来の製造方法と同じ原料を使い、同様にして、図2に示すように、サファイア基板12上に横方向成長法を適用してGaN−ELO構造層14を形成し、MOCVD法によりGaN−ELO構造層14上に、n型GaNコンタクト層16、n型AlGaNクラッド層18、n型GaNガイド層20、及びGaInN多重量子井戸(MQW)構造からなる活性層22を順次成長させる。
更に、p型GaNガイド層24、p型AlGaNクラッド層26及びp型GaN層28を順次成長させる。
【0032】
積層構造の形成で、p型AlGaNクラッド層26を成長させた後、p型GaN層28を成長させる際には、先ず、基板温度約1,000℃で所定膜厚のp型GaN層28を成長させる。
次いで、本実施形態例では、p型GaNコンタクト層28の成長を終了した時点で、TMG、TMI、MeCp2 Mg、及びNH3 ガスを成膜チャンバに供給し続けながら、基板温度を1分間ないし2分間かけて1,000℃から700℃に降温し、700℃で5秒間から60秒間維持する。次に、TMG、TMI、及びMeCp2 Mgの供給を停止し、NH3 ガスだけを供給しながら室温に下げて、積層構造の形成を終了する。
【0033】
形成したp型GaNコンタクト層28の最表面モフォロジをAFMで観察したところ、深さの典型値が1〜2nmである溝状凹部が表面全域に数十〜数百nm間隔で不規則な網目状に広がった構造になっていることが判った。
また、p型GaNコンタクト層28の表面全域のいずれの1μm幅領域でも、凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差(段差)がGaN結晶の格子定数より大きな凹凸が幅方向の線上に2個以上存在するように、凹凸が表面全域に分散して存在していること、及び、表面全域のいずれの1μm四方の領域の凹凸も、凹凸の高さの標準偏差(Rms)の値が、0.25nmより大きいことが確認できた。
【0034】
次いで、従来の方法と同様にして、ストライプ状リッジ30及びメサ32を形成し、リッジ30の両側面及びp−AlGaInクラッド層26の残り層上にSiO2 膜34を成膜する。続いて、p−GaNコンタクト層28上にp側電極36を、n−GaNコンタクト層16上にn側電極38を設ける。
これにより、動作電圧が低く、p側電極36の金属膜とp型GaNコンタクト層との密着性及び固着性が向上してp側電極36が剥がれ難いGaN系半導体レーザ素子を製造することができる。
【0035】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の4つの要件のうちの少なくともいずれかが下地化合物半導体層上に存在する凹凸について満足されることより、金属膜と下地化合物半導体層との密着性が向上し、接触面積が著しく増大して、接触抵抗が大幅に減少し、また、金属膜が凹部に進入して金属膜と下地化合物半導体層とが強固に密着して固着されるので、金属膜が下地化合物半導体層から剥がれ難くなる。
(1)下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの1μm幅領域でも、下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より深い深さの凹部が幅方向の線上に2個以上存在するように、凹部が表面全域に分散して存在していること。
(2)下地化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの1μm幅領域でも、凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差(段差)が下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より大きな凹凸が幅方向の線上に2個以上存在するように、凹凸が表面全域に分散して存在していること。
(3)表面全域のいずれの1μm四方の領域に存在する凹凸も、凹凸のRms(高さの標準偏差)が0.25nmより大きいこと。
(4)下地化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より深い深さで、溝幅が3nm以上100nm以下の溝状の凹部が、5nm以上300nm以下の間隔で不規則な網目状に延在していること。
【0036】
本発明方法は、動作電圧が低く、信頼性の高い窒化ガリウム系半導体素子を製造する方法を実現している。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例のGaN系半導体レーザ素子のp側電極の金属膜の下地膜であるp型GaNコンタクト層の表層部の断面図である。
【図2】GaN系半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図3】従来のGaN系半導体レーザ素子のp側電極の金属膜の下地膜であるp型GaNコンタクト層の最表面モフォロジを示す図である。
【図4】従来のGaN系半導体レーザ素子の図4の線B−B′でのp型GaNコンタクト層の表層部の断面図である。
【図5】実験例のp型GaNコンタクト層の最表面モフォロジを示す図である。
【図6】図5の線A−A′での実験例のp型GaNコンタクト層の表層部の断面図である。
【符号の説明】
10……GaN系半導体レーザ素子、12……サファイア基板、14……GaN−ELO構造層、16……n型GaNコンタクト層、18……n型AlGaNクラッド層、20……n型GaNガイド層、22……GaInN多重量子井戸(MQW)構造の活性層、24……p型GaNガイド層、26……p型AlGaNクラッド層、28……p型GaNコンタクト層、30……ストライプ状リッジ
32……メサ、34……SiO2 膜、36……p側電極、38……n側電極、40……溝状凹部、42……凸部、44……凹部、46……凸部、48……凹部。
Claims (9)
- 金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層上に有し、
前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域のいずれの1μm幅領域でも、凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差(段差)が前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より大きく、2.9nm以下の凹凸が幅方向の線上に2個以上存在するように、凹凸が表面全域に分散して存在している窒化ガリウム系半導体素子。 - 金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層上に有し、
前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域に凹凸が分散して存在し、前記凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差(段差)が前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より大きく、2.9nm以下であり、かつ前記表面全域のいずれの1μm四方の領域に存在する前記凹凸も、凹凸のRms(高さの標準偏差)が0.25nmより大きい窒化ガリウム系半導体素子。 - 金属膜からなる電極を下地窒化ガリウム系化合物半導体層上に有し、
前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層の電極金属膜と接する表面全域に凹凸が分散して存在し、前記凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差(段差)が前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より大きく、2.9nm以下であり、前記凹凸を構成する凹部からなる溝が3nm以上100nm以下の幅及び5nm以上300nm以下の間隔で不規則な網目状に延在している窒化ガリウム系半導体素子。 - 前記表面全域のいずれの1μm四方の領域に存在する前記凹凸も、凹凸のRms(高さの標準偏差)が0.25nmより大きい請求項3に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
- 前記凹凸を構成する凸部の頂部と凸部に隣接する凹部の底部との高さの差(段差)が前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層を構成する結晶の格子定数より大きく、2nm以下である請求項1〜4のうちのいずれか1項に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
- 前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層がp型半導体層である請求項1から5のうちのいずれか1項に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
- 前記窒化ガリウム系半導体素子が発光素子である請求項1から6のうちのいずれか1項に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
- 前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層の前記凹凸は前記下地窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後の降温過程で形成されたものである請求項1から7のうちのいずれか1項に記載の窒化ガリウム系半導体素子。
- 金属膜からなる電極を下地GaN層上に有する窒化ガリウム系半導体素子の製造方法において、
前記下地GaN層を成長させる際、
所定膜厚の前記下地GaN層を800℃以上1050℃以下の第1の所定温度でエピタキシャル成長させた後、前記下地GaN層を成長させる原料ガスを成膜チャンバに導入し続けつつ前記第1の所定温度より低い400℃以上850℃以下の第2の所定温度に降温するステップと、
前記第2の所定温度で5秒以上60秒以下の所定時間維持するステップと、
次いで、窒素原料ガス以外の原料ガスの供給を停止し、窒素原料ガスを導入し続けつつ室温まで降温するステップと
を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002155507A JP4178836B2 (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 |
US10/445,601 US20040056267A1 (en) | 2002-05-29 | 2003-05-27 | Gallium nitride semiconductor device and method of producing the same |
US11/045,652 US20050145856A1 (en) | 2002-05-29 | 2005-01-28 | Gallium nitride semiconductor device and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002155507A JP4178836B2 (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003347238A JP2003347238A (ja) | 2003-12-05 |
JP2003347238A5 JP2003347238A5 (ja) | 2005-04-07 |
JP4178836B2 true JP4178836B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=29772017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002155507A Expired - Lifetime JP4178836B2 (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20040056267A1 (ja) |
JP (1) | JP4178836B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005069388A1 (ja) * | 2004-01-20 | 2005-07-28 | Nichia Corporation | 半導体発光素子 |
WO2005124950A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Nec Corporation | Iii族窒化物半導体光素子およびその製造方法 |
US7781780B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-08-24 | Bridgelux, Inc. | Light emitting diodes with smooth surface for reflective electrode |
JP2012064663A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
KR101684859B1 (ko) * | 2011-01-05 | 2016-12-09 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 발광 다이오드 |
US9614136B2 (en) * | 2012-04-02 | 2017-04-04 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
CN113410356B (zh) * | 2021-07-21 | 2023-11-17 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
JP2000049114A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Sony Corp | 電極およびその形成方法ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3833848B2 (ja) * | 1999-05-10 | 2006-10-18 | パイオニア株式会社 | 3族窒化物半導体素子製造方法 |
GB2350927A (en) * | 1999-06-12 | 2000-12-13 | Sharp Kk | A method growing nitride semiconductor layer by molecular beam epitaxy |
TW472400B (en) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | United Epitaxy Co Ltd | Method for roughing semiconductor device surface to increase the external quantum efficiency |
JP4148664B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2008-09-10 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法 |
GB2376563A (en) * | 2001-06-13 | 2002-12-18 | Sharp Kk | A method of growing a magnesium-doped nitride semiconductor material |
US6744075B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-06-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of forming the same |
JP3569807B2 (ja) * | 2002-01-21 | 2004-09-29 | 松下電器産業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
US6847057B1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-01-25 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor light emitting devices |
-
2002
- 2002-05-29 JP JP2002155507A patent/JP4178836B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-27 US US10/445,601 patent/US20040056267A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-01-28 US US11/045,652 patent/US20050145856A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040056267A1 (en) | 2004-03-25 |
US20050145856A1 (en) | 2005-07-07 |
JP2003347238A (ja) | 2003-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101241477B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 | |
JP3909811B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP3594826B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP3930161B2 (ja) | 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法 | |
JP4405085B2 (ja) | 縦型窒化インジウムガリウムled | |
JP3639789B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
KR101365604B1 (ko) | 유기금속 화학기상증착법을 이용한 비극성 질화인듐갈륨 박막들, 이중 구조들 및 소자들의 제조 | |
EP2105974B1 (en) | Method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting diode | |
US20110210312A1 (en) | Iii-nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof | |
JP2010521059A (ja) | 深紫外線発光素子及びその製造方法 | |
JP2004349387A (ja) | 半導体基体及びこの製造方法 | |
US20110220867A1 (en) | Superlattice free ultraviolet emitter | |
JP2011258994A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11354839A (ja) | GaN系半導体発光素子 | |
JP4377600B2 (ja) | 3族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び3族窒化物半導体装置 | |
JP4260276B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP2008288397A (ja) | 半導体発光装置 | |
US20050145856A1 (en) | Gallium nitride semiconductor device and method of producing the same | |
JPH11354842A (ja) | GaN系半導体発光素子 | |
WO2005124950A1 (ja) | Iii族窒化物半導体光素子およびその製造方法 | |
JP3667995B2 (ja) | GaN系量子ドット構造の製造方法およびその用途 | |
JP4743989B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体基板の製造方法 | |
EP1553669A1 (en) | Group iii nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same | |
JPH11354843A (ja) | Iii族窒化物系量子ドット構造の製造方法およびその用途 | |
JP3763701B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040427 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040427 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040604 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080321 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080805 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080818 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4178836 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |