JPH11354843A - Ｉｉｉ族窒化物系量子ドット構造の製造方法およびその用途 - Google Patents
Ｉｉｉ族窒化物系量子ドット構造の製造方法およびその用途Info
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- JPH11354843A JPH11354843A JP15610898A JP15610898A JPH11354843A JP H11354843 A JPH11354843 A JP H11354843A JP 15610898 A JP15610898 A JP 15610898A JP 15610898 A JP15610898 A JP 15610898A JP H11354843 A JPH11354843 A JP H11354843A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 キャップ層形成時における意図しない量子ド
ットの発生を抑制し、意図したとおりの仕様、組成、発
光特性を有する III族窒化物系量子ドット構造および半
導体発光素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ＧａＮ系材料（Ａ）からなるベース層ａ
の上面（ベース面）の表面状態をアンチサーファクタン
トＳによって変化させ、ＧａＮ系材料（Ｂ）からなる量
子ドットｂと、ＧａＮ系材料（Ｃ）からなるキャップ層
ｃとを形成するに際し、キャップ層の材料（Ｃ）を２元
の III族窒化物系の半導体材料とすることによって、キ
ャップ層成長のための供給原料ガスからの有害な量子ド
ットの発生を阻止し、キャップ層ｃの組成を安定させ
る。
ットの発生を抑制し、意図したとおりの仕様、組成、発
光特性を有する III族窒化物系量子ドット構造および半
導体発光素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ＧａＮ系材料（Ａ）からなるベース層ａ
の上面（ベース面）の表面状態をアンチサーファクタン
トＳによって変化させ、ＧａＮ系材料（Ｂ）からなる量
子ドットｂと、ＧａＮ系材料（Ｃ）からなるキャップ層
ｃとを形成するに際し、キャップ層の材料（Ｃ）を２元
の III族窒化物系の半導体材料とすることによって、キ
ャップ層成長のための供給原料ガスからの有害な量子ド
ットの発生を阻止し、キャップ層ｃの組成を安定させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、 III族窒化物系の
半導体材料からなる量子ドット構造の製造方法と、その
用途である半導体発光素子の製造方法に関するものであ
る。
半導体材料からなる量子ドット構造の製造方法と、その
用途である半導体発光素子の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】III族窒化物系の半導体材料（例えば、
ＧａＮ、ＩｎＧａＮなど）からなる発光素子は、近年高
輝度の発光ダイオード（ＬＥＤ）が実現されたのを機会
に研究が活発に行われており、半導体レーザの室温連続
発振の報告も聞かれる様になっている。
ＧａＮ、ＩｎＧａＮなど）からなる発光素子は、近年高
輝度の発光ダイオード（ＬＥＤ）が実現されたのを機会
に研究が活発に行われており、半導体レーザの室温連続
発振の報告も聞かれる様になっている。
【０００３】上記発光素子のなかでも、緑色〜青色の短
い波長の発光が得られ、しかも高い発光効率が得られる
ものとして、発光層（活性層）にＩｎＧａＮの量子井戸
層を用いたものがある。ＩｎＧａＮを用いて量子井戸層
を形成する場合、その熱力学的な不安定性から、層全体
にわたって均一な組成比にはならず、層中で局所的にＩ
ｎ組成比の異なった部分が発生する。この部分は量子ド
ットに似た性質をもつ。ＩｎＧａＮの量子井戸層を発光
層として用いた発光素子では、この量子ドット的な部位
が、層の厚み方向のみならず３次元的な方向について励
起子を閉じ込める作用を示し、この部分でキャリアの再
結合発光が起きると言われており、これがＩｎＧａＮ量
子井戸層が高い発光効率で発光し得る要因の１つとされ
ている。
い波長の発光が得られ、しかも高い発光効率が得られる
ものとして、発光層（活性層）にＩｎＧａＮの量子井戸
層を用いたものがある。ＩｎＧａＮを用いて量子井戸層
を形成する場合、その熱力学的な不安定性から、層全体
にわたって均一な組成比にはならず、層中で局所的にＩ
ｎ組成比の異なった部分が発生する。この部分は量子ド
ットに似た性質をもつ。ＩｎＧａＮの量子井戸層を発光
層として用いた発光素子では、この量子ドット的な部位
が、層の厚み方向のみならず３次元的な方向について励
起子を閉じ込める作用を示し、この部分でキャリアの再
結合発光が起きると言われており、これがＩｎＧａＮ量
子井戸層が高い発光効率で発光し得る要因の１つとされ
ている。
【０００４】ＩｎＧａＮ量子井戸層中の量子ドット的な
部位は、ＩｎＧａＮ自体の性質によってＩｎＧａＮ層中
に存在するものである。他方、ＧａＡｓ系の材料では、
ドット材料と基板材料との格子不整合を利用した量子ド
ットの形成が知られている。
部位は、ＩｎＧａＮ自体の性質によってＩｎＧａＮ層中
に存在するものである。他方、ＧａＡｓ系の材料では、
ドット材料と基板材料との格子不整合を利用した量子ド
ットの形成が知られている。
【０００５】これらに対して、近年、 III族窒化物系の
半導体材料（ III族窒化物系材料）からなる結晶層をベ
ース層として、その層上面（ベース面）にアンチサーフ
ァクタントによる特殊な表面処理を施し、特定の気相成
長法を用いることによって、該ベース面上にこれと格子
整合性の良好な III族窒化物系材料を量子ドットとして
突起状に結晶成長させ得ることが明らかとなった（App
l.Phys.Lett.69(1996)4096 ）。この III族窒化物系の
量子ドットの形成のメカニズムは、前記ＩｎＧａＮや、
ＧａＡｓ系における量子ドットの形成とは全く異なるも
のである。
半導体材料（ III族窒化物系材料）からなる結晶層をベ
ース層として、その層上面（ベース面）にアンチサーフ
ァクタントによる特殊な表面処理を施し、特定の気相成
長法を用いることによって、該ベース面上にこれと格子
整合性の良好な III族窒化物系材料を量子ドットとして
突起状に結晶成長させ得ることが明らかとなった（App
l.Phys.Lett.69(1996)4096 ）。この III族窒化物系の
量子ドットの形成のメカニズムは、前記ＩｎＧａＮや、
ＧａＡｓ系における量子ドットの形成とは全く異なるも
のである。
【０００６】上記アンチサーファクタントを用いる方法
では、 III族窒化物系の量子ドットを形成した後、さら
に別の III族窒化物系材料を用い、ベース面上の残りの
領域を出発面として量子ドットを埋め込む層（キャップ
層）を成長させ、 III族窒化物系量子ドット構造として
いる。
では、 III族窒化物系の量子ドットを形成した後、さら
に別の III族窒化物系材料を用い、ベース面上の残りの
領域を出発面として量子ドットを埋め込む層（キャップ
層）を成長させ、 III族窒化物系量子ドット構造として
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
アンチサーファクタントを用いた量子ドット構造の製造
方法では、キャップ層を成長させる際に、該キャップ層
を形成するための原料の供給によって、先の量子ドット
に加えて意図せぬ量子ドットがベース面上に発生する場
合があることを、本発明者等は新たに見い出した。そし
てこのような意図せぬ量子ドットを含んだ量子ドット構
造を発光素子に用いると、本来意図して形成した量子ド
ットからの発光だけでなく、意図せず発生した量子ドッ
トから他の波長光が発せられ、発光色の単色性が悪くな
る等、発光素子にとって有害な現象が発生することを見
い出した。そこで、本発明者等は、このような意図しな
い量子ドットの発生を阻止し、 III族窒化物系量子ドッ
ト構造の仕様や組成などを安定させることを解決すべき
課題としたのである。
アンチサーファクタントを用いた量子ドット構造の製造
方法では、キャップ層を成長させる際に、該キャップ層
を形成するための原料の供給によって、先の量子ドット
に加えて意図せぬ量子ドットがベース面上に発生する場
合があることを、本発明者等は新たに見い出した。そし
てこのような意図せぬ量子ドットを含んだ量子ドット構
造を発光素子に用いると、本来意図して形成した量子ド
ットからの発光だけでなく、意図せず発生した量子ドッ
トから他の波長光が発せられ、発光色の単色性が悪くな
る等、発光素子にとって有害な現象が発生することを見
い出した。そこで、本発明者等は、このような意図しな
い量子ドットの発生を阻止し、 III族窒化物系量子ドッ
ト構造の仕様や組成などを安定させることを解決すべき
課題としたのである。
【０００８】本発明の目的は、上記のような III族窒化
物系量子ドット構造の製造において、キャップ層形成時
に起こる意図しない量子ドットの発生を抑制し、意図し
たとおりの仕様、組成、発光特性を有する III族窒化物
系量子ドット構造の製造方法を提供し、さらにこれを半
導体発光素子の製造方法に応用することである。
物系量子ドット構造の製造において、キャップ層形成時
に起こる意図しない量子ドットの発生を抑制し、意図し
たとおりの仕様、組成、発光特性を有する III族窒化物
系量子ドット構造の製造方法を提供し、さらにこれを半
導体発光素子の製造方法に応用することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意研究
の結果、意図しない量子ドットが発生するのは、キャッ
プ層の組成を３元以上とする場合であることを見い出し
た。キャップ層の組成を３元以上として原料を供給する
と、供給した原料のなかから、成長すべきキャップ層の
組成とは異なる組成にて意図しない量子ドットが先ず形
成され、次に、成長すべきキャップ層が成長することが
わかった。即ち、意図しない量子ドットの発生を阻止
し、安定したキャップ層を形成するには、キャップ層の
組成を２元とすればよいことがわかったのである。
の結果、意図しない量子ドットが発生するのは、キャッ
プ層の組成を３元以上とする場合であることを見い出し
た。キャップ層の組成を３元以上として原料を供給する
と、供給した原料のなかから、成長すべきキャップ層の
組成とは異なる組成にて意図しない量子ドットが先ず形
成され、次に、成長すべきキャップ層が成長することが
わかった。即ち、意図しない量子ドットの発生を阻止
し、安定したキャップ層を形成するには、キャップ層の
組成を２元とすればよいことがわかったのである。
【００１０】本発明によるＧａＮ系量子ドット構造の製
造方法は、以下の特徴を有するものである。 （１） III族窒化物系の半導体材料（Ａ）からなる結晶
層をベース層とし、該ベース層上面の表面状態をアンチ
サーファクタントによって変化させた後、下記（ｉ）の
格子整合性を有する III族窒化物系の半導体材料（Ｂ）
を気相成長法にて供給することによって、ベース層上面
に材料（Ｂ）からなる量子ドットを形成し、次に、前記
材料（Ｂ）とは異なる２元の III族窒化物系の半導体材
料（Ｃ）によって、前記量子ドットを埋め込んでベース
面上に成長する結晶層を形成する工程を有することを特
徴とする III族窒化物系量子ドット構造の製造方法。
造方法は、以下の特徴を有するものである。 （１） III族窒化物系の半導体材料（Ａ）からなる結晶
層をベース層とし、該ベース層上面の表面状態をアンチ
サーファクタントによって変化させた後、下記（ｉ）の
格子整合性を有する III族窒化物系の半導体材料（Ｂ）
を気相成長法にて供給することによって、ベース層上面
に材料（Ｂ）からなる量子ドットを形成し、次に、前記
材料（Ｂ）とは異なる２元の III族窒化物系の半導体材
料（Ｃ）によって、前記量子ドットを埋め込んでベース
面上に成長する結晶層を形成する工程を有することを特
徴とする III族窒化物系量子ドット構造の製造方法。
【００１１】上記および下記の説明でいう（ｉ）の格子
整合性とは、次に示す格子整合性をいう。 （ｉ）ベース層上面の表面状態をアンチサーファクタン
トによって変化させることなく、該ベース層上面に III
族窒化物系の半導体材料（Ｂ）を直接的に結晶成長させ
たとき、該ベース層上面に膜状に結晶成長し得るよう
な、ベース層の材料（Ａ）に対する材料（Ｂ）の格子整
合性。
整合性とは、次に示す格子整合性をいう。 （ｉ）ベース層上面の表面状態をアンチサーファクタン
トによって変化させることなく、該ベース層上面に III
族窒化物系の半導体材料（Ｂ）を直接的に結晶成長させ
たとき、該ベース層上面に膜状に結晶成長し得るよう
な、ベース層の材料（Ａ）に対する材料（Ｂ）の格子整
合性。
【００１２】（２）上記量子ドットを埋め込んでベース
面上に成長する結晶層を、新たにベース層とする繰り返
しの態様にて、量子ドットとこれを埋め込む結晶層との
形成を繰り返し、それによって最初のベース層上に、量
子ドットとこれを埋め込む結晶層との組を１段としてこ
れを２段以上積層し、多重の量子ドット構造とするもの
である上記（１）記載の製造方法。
面上に成長する結晶層を、新たにベース層とする繰り返
しの態様にて、量子ドットとこれを埋め込む結晶層との
形成を繰り返し、それによって最初のベース層上に、量
子ドットとこれを埋め込む結晶層との組を１段としてこ
れを２段以上積層し、多重の量子ドット構造とするもの
である上記（１）記載の製造方法。
【００１３】（３）材料（Ｂ）のバンドギャップが、材
料（Ａ）および材料（Ｃ）の各々のバンドギャップより
も小さいものである上記（１）記載の製造方法。
料（Ａ）および材料（Ｃ）の各々のバンドギャップより
も小さいものである上記（１）記載の製造方法。
【００１４】（４）材料（Ｃ）がＧａＮまたはＡｌＮで
ある上記（３）記載の製造方法。
ある上記（３）記載の製造方法。
【００１５】また、本発明による III族窒化物系量子ド
ット構造の製造方法の用途は、上記（１）〜（４）のい
ずれかに記載の製造方法によって得られる III族窒化物
系量子ドット構造を、発光に係る部分として形成するこ
とを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。
ット構造の製造方法の用途は、上記（１）〜（４）のい
ずれかに記載の製造方法によって得られる III族窒化物
系量子ドット構造を、発光に係る部分として形成するこ
とを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。
【００１６】本発明でいう III族窒化物系の半導体材料
とは、式ＩｎX ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦
１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で表されるものであ
る。この III族窒化物系の半導体材料のなかには、Ａｌ
ＮのようにＧａを含まないものもあるが、以下、「 III
族窒化物系」を「ＧａＮ系」とも呼んで説明する。
とは、式ＩｎX ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦
１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で表されるものであ
る。この III族窒化物系の半導体材料のなかには、Ａｌ
ＮのようにＧａを含まないものもあるが、以下、「 III
族窒化物系」を「ＧａＮ系」とも呼んで説明する。
【００１７】また、ベース層を構成するＧａＮ系材料
（Ａ）を「ベース材料」、量子ドットを構成するＧａＮ
系材料（Ｂ）を「ドット材料」、量子ドットを埋め込ん
でベース面上に成長する結晶層を「キャップ層」、該キ
ャップ層を構成するＧａＮ系材料（Ｃ）を「ドット材
料」とも呼んで説明する。
（Ａ）を「ベース材料」、量子ドットを構成するＧａＮ
系材料（Ｂ）を「ドット材料」、量子ドットを埋め込ん
でベース面上に成長する結晶層を「キャップ層」、該キ
ャップ層を構成するＧａＮ系材料（Ｃ）を「ドット材
料」とも呼んで説明する。
【００１８】本発明でいうＧａＮ系量子ドット構造は、
ＧａＮ系材料からなる量子ドットが、そのドット材料と
は異なる組成比のＧａＮ系材料からなるベース層とキャ
ップ層とによって包含された構造をいう。
ＧａＮ系材料からなる量子ドットが、そのドット材料と
は異なる組成比のＧａＮ系材料からなるベース層とキャ
ップ層とによって包含された構造をいう。
【００１９】
【作用】上記したとおり、本発明者等は、アンチサーフ
ァクタントによって表面処理がなされたベース面上に、
３元以上の組成のＧａＮ系材料をその組成比に従って気
相にて原料供給したとき、先ず、供給した原料のなかか
ら、供給した組成比とは異なる組成比をもって量子ドッ
トが先に形成され、次に、これを埋めるキャップ層が形
成される現象があることを新たな知見として得た。本発
明では、この現象をもとに、キャップ材料の組成を２元
のＧａＮ系材料に限定することとした。この限定によっ
て、キャップ層の組成は、多元混晶とした場合のような
大きな変動ではなく、化学量論組成からの微小な変動だ
けの実質的に一定した組成となり、意図せぬ量子ドット
の発生は阻止され、常に意図したとおりの仕様、組成の
ＧａＮ系量子ドット構造が安定して形成される。
ァクタントによって表面処理がなされたベース面上に、
３元以上の組成のＧａＮ系材料をその組成比に従って気
相にて原料供給したとき、先ず、供給した原料のなかか
ら、供給した組成比とは異なる組成比をもって量子ドッ
トが先に形成され、次に、これを埋めるキャップ層が形
成される現象があることを新たな知見として得た。本発
明では、この現象をもとに、キャップ材料の組成を２元
のＧａＮ系材料に限定することとした。この限定によっ
て、キャップ層の組成は、多元混晶とした場合のような
大きな変動ではなく、化学量論組成からの微小な変動だ
けの実質的に一定した組成となり、意図せぬ量子ドット
の発生は阻止され、常に意図したとおりの仕様、組成の
ＧａＮ系量子ドット構造が安定して形成される。
【００２０】ここで、ＧａＮ系材料が結晶成長するよう
に気相成長法にて原料ガスを供給するとは、そのＧａＮ
系材料がその組成のとおりのＧａＮ系結晶として形成さ
れるような元素の比にて、原料ガスを気相成長法の条件
下でベース面上に供給することである。
に気相成長法にて原料ガスを供給するとは、そのＧａＮ
系材料がその組成のとおりのＧａＮ系結晶として形成さ
れるような元素の比にて、原料ガスを気相成長法の条件
下でベース面上に供給することである。
【００２１】ドット材料は、ベース材料に対して上記
（ｉ）の格子整合性を有する。即ち、ベース面の表面状
態を何ら変化させることなく従来通りの結晶成長法・成
長条件にてベース面上にキャップ材料を成長させた場合
には、ドット材料は、従来知られているとおり、膜とし
てベース面上を全面覆う結晶層として成長する材料であ
る。即ち、ドット材料とベース材料とは、共にＧａＮ系
材料であって少なくともその程度に格子整合していると
いうことである。
（ｉ）の格子整合性を有する。即ち、ベース面の表面状
態を何ら変化させることなく従来通りの結晶成長法・成
長条件にてベース面上にキャップ材料を成長させた場合
には、ドット材料は、従来知られているとおり、膜とし
てベース面上を全面覆う結晶層として成長する材料であ
る。即ち、ドット材料とベース材料とは、共にＧａＮ系
材料であって少なくともその程度に格子整合していると
いうことである。
【００２２】ドット材料とベース材料とが、共にＧａＮ
系材料であってしかも上記のような格子整合の関係にあ
る状態において、ベース面上に、ドット材料を膜状とし
てではなく量子ドットとして成長させるためには、ベー
ス面にアンチサーファクタント（ベース面の表面状態を
変化させる物質）を作用させる。ベース面の表面状態の
変化については、詳しくは解明されていないが、表面自
由エネルギーが小さくなる変化であると考えられる。表
面状態をこのように変化させることによって、ＧａＮ系
材料からなる層上に、ＧａＮ系材料が量子ドットとして
成長する。
系材料であってしかも上記のような格子整合の関係にあ
る状態において、ベース面上に、ドット材料を膜状とし
てではなく量子ドットとして成長させるためには、ベー
ス面にアンチサーファクタント（ベース面の表面状態を
変化させる物質）を作用させる。ベース面の表面状態の
変化については、詳しくは解明されていないが、表面自
由エネルギーが小さくなる変化であると考えられる。表
面状態をこのように変化させることによって、ＧａＮ系
材料からなる層上に、ＧａＮ系材料が量子ドットとして
成長する。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の製造方法によって
ＧａＮ系量子ドット構造が形成される様子を示す断面図
である。ＧａＮ系材料（ベース材料（Ａ））からなる結
晶層をベース層ａとし、該ベース層の上面をベース面と
する。ベース層ａは、気相成長装置の槽内に配置されて
おり、ベース面上にＧａＮ系材料が結晶成長可能な環境
となっている。
ＧａＮ系量子ドット構造が形成される様子を示す断面図
である。ＧａＮ系材料（ベース材料（Ａ））からなる結
晶層をベース層ａとし、該ベース層の上面をベース面と
する。ベース層ａは、気相成長装置の槽内に配置されて
おり、ベース面上にＧａＮ系材料が結晶成長可能な環境
となっている。
【００２４】本発明によるＧａＮ系量子ドット構造の製
造方法は、この状態から、先ず図１（ａ）に示すよう
に、槽内にアンチサーファクタントＳを供給し、ベース
面と接触させてその表面状態を変化させる。次に、図１
（ｂ）に示すように、量子ドットを構成すべきＧａＮ系
材料をドット材料（Ｂ）として、その原料ガスＢ１を供
給し、ベース面上に該材料（Ｂ）からなる量子ドットｂ
を形成する。このドット材料（Ｂ）は、ベース材料
（Ａ）に対して上記（ｉ）の格子整合性を有するもので
ある。次に、図１（ｃ）に示すように、ドット材料
（Ｂ）とは異なる組成で２元のＧａＮ系材料をキャップ
材料（Ｃ）として、その原料ガスＣ１を供給し、量子ド
ットｂを埋め込んで結晶成長するキャップ層ｃをベース
面上に形成し、ＧａＮ系量子ドット構造を得る。このよ
うな製造方法とすることによって、キャップ層の原料ガ
スを供給しても、該原料から意図せぬ量子ドットが発生
することはない。
造方法は、この状態から、先ず図１（ａ）に示すよう
に、槽内にアンチサーファクタントＳを供給し、ベース
面と接触させてその表面状態を変化させる。次に、図１
（ｂ）に示すように、量子ドットを構成すべきＧａＮ系
材料をドット材料（Ｂ）として、その原料ガスＢ１を供
給し、ベース面上に該材料（Ｂ）からなる量子ドットｂ
を形成する。このドット材料（Ｂ）は、ベース材料
（Ａ）に対して上記（ｉ）の格子整合性を有するもので
ある。次に、図１（ｃ）に示すように、ドット材料
（Ｂ）とは異なる組成で２元のＧａＮ系材料をキャップ
材料（Ｃ）として、その原料ガスＣ１を供給し、量子ド
ットｂを埋め込んで結晶成長するキャップ層ｃをベース
面上に形成し、ＧａＮ系量子ドット構造を得る。このよ
うな製造方法とすることによって、キャップ層の原料ガ
スを供給しても、該原料から意図せぬ量子ドットが発生
することはない。
【００２５】本発明によって得られる量子ドット構造
は、図３に示すように、半導体発光素子における発光現
象に係る部分として好ましく利用することができる。そ
の場合、発光する部分である量子ドットに電子およびホ
ールを効率よく注入するため、ベース材料、キャップ材
料のバンドギャップよりも、ドット材料のバンドギャッ
プを小さくすることが必要となる。このバンドギャップ
の大小関係とする態様について、以下説明する。
は、図３に示すように、半導体発光素子における発光現
象に係る部分として好ましく利用することができる。そ
の場合、発光する部分である量子ドットに電子およびホ
ールを効率よく注入するため、ベース材料、キャップ材
料のバンドギャップよりも、ドット材料のバンドギャッ
プを小さくすることが必要となる。このバンドギャップ
の大小関係とする態様について、以下説明する。
【００２６】ベース材料、ドット材料、キャップ材料
は、ともに上記式ＩｎX ＧａY ＡｌZＮで表される窒化
物半導体である。本発明ではキャップ材料の組成を２元
のＧａＮ系材料に限定しているから、ドット材料は、そ
の限定されたキャップ材料よりもバンドギャップの小さ
いＧａＮ系材料であって、かつ上記（ｉ）の格子整合性
を有するものであればよい。ドット材料とキャップ材料
との好ましい組合せは、（ドット材料／キャップ材料）
のように表記するとして、（ＧａＮ／ＡｌＮ）、（Ｉｎ
ＧａＮ／ＧａＮ）などが挙げられる。
は、ともに上記式ＩｎX ＧａY ＡｌZＮで表される窒化
物半導体である。本発明ではキャップ材料の組成を２元
のＧａＮ系材料に限定しているから、ドット材料は、そ
の限定されたキャップ材料よりもバンドギャップの小さ
いＧａＮ系材料であって、かつ上記（ｉ）の格子整合性
を有するものであればよい。ドット材料とキャップ材料
との好ましい組合せは、（ドット材料／キャップ材料）
のように表記するとして、（ＧａＮ／ＡｌＮ）、（Ｉｎ
ＧａＮ／ＧａＮ）などが挙げられる。
【００２７】ベース材料は、ドット材料よりもバンドギ
ャップの大きいＧａＮ系材料が発光素子には好ましく、
またドット材料にとって上記（ｉ）の格子整合性の対象
となるものであればよい。
ャップの大きいＧａＮ系材料が発光素子には好ましく、
またドット材料にとって上記（ｉ）の格子整合性の対象
となるものであればよい。
【００２８】ベース面にＧａＮ系材料を量子ドットとし
て形成するには、上記作用の説明で述べたように、ベー
ス面にその表面状態を変化させる物質（アンチサーファ
クタント）を作用させる。ベース面にアンチサーファク
タントを作用させるには、ベース面とアンチサーファク
タントとを接触させればよい。接触の方法は限定されな
いが、例えば、ＭＯＣＶＤ法によって、ＡｌＮからなる
ベース層を成長させた後、該ベース面上に、ＧａＮから
なる量子ドットを形成する場合であれば、ＭＯＣＶＤ装
置内でベース層が成長した後、装置内にガス状のアンチ
サーファクタントを供給して、該ガスをベース面に接触
させる方法が挙げられる。
て形成するには、上記作用の説明で述べたように、ベー
ス面にその表面状態を変化させる物質（アンチサーファ
クタント）を作用させる。ベース面にアンチサーファク
タントを作用させるには、ベース面とアンチサーファク
タントとを接触させればよい。接触の方法は限定されな
いが、例えば、ＭＯＣＶＤ法によって、ＡｌＮからなる
ベース層を成長させた後、該ベース面上に、ＧａＮから
なる量子ドットを形成する場合であれば、ＭＯＣＶＤ装
置内でベース層が成長した後、装置内にガス状のアンチ
サーファクタントを供給して、該ガスをベース面に接触
させる方法が挙げられる。
【００２９】アンチサーファクタントをガス状として供
給するには、例えば、テトラエチルシランをアンチサー
ファクタントとするのであれば、その溶液にＨ2 ガスを
バブリングさせることにより、Ｈ2 ガスをキャリアガス
として供給する方法が挙げられる。
給するには、例えば、テトラエチルシランをアンチサー
ファクタントとするのであれば、その溶液にＨ2 ガスを
バブリングさせることにより、Ｈ2 ガスをキャリアガス
として供給する方法が挙げられる。
【００３０】アンチサーファクタントとして用いられる
物質は、上記（ｉ）の格子整合性を有するＧａＮ系材料
がドット状に成長する程度に、ベース面の表面状態を変
化させる物質であればよく、ベース材料とドット材料と
の組合せによって適当なものが選択でき、限定されな
い。例えば、ＡｌＮからなるベース層上にＧａＮを量子
ドットとして形成させる場合、アンチサーファクタント
としては、テトラエチルシランが挙げられる。その他、
ベース材料とドット材料との組合せに応じて、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、またはこれらの混合ガス、Ｃｐ2 Ｍ
ｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）等が挙げ
られる。
物質は、上記（ｉ）の格子整合性を有するＧａＮ系材料
がドット状に成長する程度に、ベース面の表面状態を変
化させる物質であればよく、ベース材料とドット材料と
の組合せによって適当なものが選択でき、限定されな
い。例えば、ＡｌＮからなるベース層上にＧａＮを量子
ドットとして形成させる場合、アンチサーファクタント
としては、テトラエチルシランが挙げられる。その他、
ベース材料とドット材料との組合せに応じて、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、またはこれらの混合ガス、Ｃｐ2 Ｍ
ｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）等が挙げ
られる。
【００３１】量子ドットおよびキャップ層を成長させる
ときの原料供給法を含む結晶成長方法は、気相成長法に
従えばよく、特にＭＯＣＶＤ、ＭＢＥなどが好ましい方
法として挙げられる。
ときの原料供給法を含む結晶成長方法は、気相成長法に
従えばよく、特にＭＯＣＶＤ、ＭＢＥなどが好ましい方
法として挙げられる。
【００３２】個々の量子ドットの大きさ、形状、また量
子ドットの分散の度合いは、アンチサーファクタントの
供給量、量子ドットの成長温度、ベース材料の組成をパ
ラメータとして変化させることによって制御することが
できる。
子ドットの分散の度合いは、アンチサーファクタントの
供給量、量子ドットの成長温度、ベース材料の組成をパ
ラメータとして変化させることによって制御することが
できる。
【００３３】以上は、１つの量子ドット構造を製造する
方法であるが、これを繰り返すことによって、多重の量
子ドット構造を容易に形成することができる。即ち、図
２に５段の例を挙げて示すように、先ず、アンチサーフ
ァクタントの処理によってベース層ａの上面に量子ドッ
トｂ１を形成し、さらにキャップ層ｃ１を形成し、量子
ドット構造とする。この状態で、量子ドットとキャップ
層との組を１段として数える。そのキャップ層ｃ１の上
面を新たにベース面として、再びアンチサーファクタン
トの処理によって量子ドットｂ２とキャップ層ｃ２との
組（２段目）を成長させるという繰り返しの態様にて、
最初のベース層ａ上に、量子ドットとキャップ層との組
を（ｂ１、ｃ１）〜（ｂ５、ｃ５）として、５段まで積
層し、多重量子ドット構造とするのである。
方法であるが、これを繰り返すことによって、多重の量
子ドット構造を容易に形成することができる。即ち、図
２に５段の例を挙げて示すように、先ず、アンチサーフ
ァクタントの処理によってベース層ａの上面に量子ドッ
トｂ１を形成し、さらにキャップ層ｃ１を形成し、量子
ドット構造とする。この状態で、量子ドットとキャップ
層との組を１段として数える。そのキャップ層ｃ１の上
面を新たにベース面として、再びアンチサーファクタン
トの処理によって量子ドットｂ２とキャップ層ｃ２との
組（２段目）を成長させるという繰り返しの態様にて、
最初のベース層ａ上に、量子ドットとキャップ層との組
を（ｂ１、ｃ１）〜（ｂ５、ｃ５）として、５段まで積
層し、多重量子ドット構造とするのである。
【００３４】多重量子ドット構造の各段の量子ドットの
材料は、上記説明と同様、そのベース層の材料よりもバ
ンドギャップの小さい材料であればよい。多重量子ドッ
ト構造において、各段の量子ドットのバンドギャップが
その周囲の材料のバンドギャップよりも小さいのであれ
ば、各段のキャップ材料同士は、互いに異なるバンドギ
ャップでもよい。
材料は、上記説明と同様、そのベース層の材料よりもバ
ンドギャップの小さい材料であればよい。多重量子ドッ
ト構造において、各段の量子ドットのバンドギャップが
その周囲の材料のバンドギャップよりも小さいのであれ
ば、各段のキャップ材料同士は、互いに異なるバンドギ
ャップでもよい。
【００３５】本発明による量子ドット構造の製造方法を
用いたＧａＮ系発光素子の製造例を図３に示す。同図で
は、説明のために簡単な構造のＬＥＤを例として示して
いる。同図に示すように、結晶基板１上に、ＧａＮ系材
料からなる結晶層を順次成長させて積み重ね、上記説明
によって形成される量子ドット構造３を含む積層体Ｓを
形成し、これにｐ型側の電極５とｎ型側の電極６を設け
て構成する。層２はｎ型コンタクト層、層４はｐ型コン
タクト層である。
用いたＧａＮ系発光素子の製造例を図３に示す。同図で
は、説明のために簡単な構造のＬＥＤを例として示して
いる。同図に示すように、結晶基板１上に、ＧａＮ系材
料からなる結晶層を順次成長させて積み重ね、上記説明
によって形成される量子ドット構造３を含む積層体Ｓを
形成し、これにｐ型側の電極５とｎ型側の電極６を設け
て構成する。層２はｎ型コンタクト層、層４はｐ型コン
タクト層である。
【００３６】図３の例における伝導型（ｐ型、ｎ型）の
上下位置関係は、伝導型を形成するための加工上の理由
から、結晶基板側をｎ型とし上層側をｐ型とする一般的
なものとなっている。また、同図の例では、結晶基板に
絶縁体（サファイア結晶基板）を用いており、層２の上
面を露出させ、その面に電極６を設けるという電極の配
置となっている。しかし、ｐ／ｎ型の上下が逆の態様
や、結晶基板が導電性を有する場合の電極配置なども自
由に選択してよい。
上下位置関係は、伝導型を形成するための加工上の理由
から、結晶基板側をｎ型とし上層側をｐ型とする一般的
なものとなっている。また、同図の例では、結晶基板に
絶縁体（サファイア結晶基板）を用いており、層２の上
面を露出させ、その面に電極６を設けるという電極の配
置となっている。しかし、ｐ／ｎ型の上下が逆の態様
や、結晶基板が導電性を有する場合の電極配置なども自
由に選択してよい。
【００３７】図３の量子ドット構造３におけるベース層
ａとキャップ層ｃの伝導型は、同じであっても、互いに
異なるものであってもよく、発光素子における発光部分
としてどのように用いるかによって選択すればよい。図
３の例における量子ドット構造３では、第１伝導型（図
ではｎ型）のベース層ａと、多数の量子ドットｂと、第
２伝導型（図ではｐ型）のキャップ層ｃとからなる。ベ
ース層ａとキャップ層ｃはクラッド層としての役割を果
たし、量子ドットｂがその中で発光部としての役割を果
たす。また、ベース層ａとキャップ層ｃの伝導型を同じ
として、これらをさらにバンドギャップの大きいｎ型、
ｐ型のクラッド層で挟んだ構造としてもよい。
ａとキャップ層ｃの伝導型は、同じであっても、互いに
異なるものであってもよく、発光素子における発光部分
としてどのように用いるかによって選択すればよい。図
３の例における量子ドット構造３では、第１伝導型（図
ではｎ型）のベース層ａと、多数の量子ドットｂと、第
２伝導型（図ではｐ型）のキャップ層ｃとからなる。ベ
ース層ａとキャップ層ｃはクラッド層としての役割を果
たし、量子ドットｂがその中で発光部としての役割を果
たす。また、ベース層ａとキャップ層ｃの伝導型を同じ
として、これらをさらにバンドギャップの大きいｎ型、
ｐ型のクラッド層で挟んだ構造としてもよい。
【００３８】図３の発光素子を構成するための結晶基板
は、ＧａＮ系結晶が成長可能なものであればよく、例え
ば、従来からＧａＮ系結晶を成長させる際に汎用されて
いる、サファイア、水晶、ＳｉＣ等が挙げられる。なか
でも、サファイアのＣ面、Ａ面、６Ｈ−ＳｉＣ基板、特
にＣ面サファイア基板が好ましい。またこれら材料の表
面に、ＧａＮ系結晶との格子定数や熱膨張係数の違いを
緩和するためのＺｎＯ、ＭｇＯやＡｌＮ等のバッファー
層を設けたものであっても良く、さらにはＧａＮ系結晶
の薄膜を表層に有するものでもよい。図３の例では、基
礎となるサファイア結晶基板１ａ上に、格子整合性を改
善するためのバッファー層１ｂが形成されたものを結晶
基板１として用いている。
は、ＧａＮ系結晶が成長可能なものであればよく、例え
ば、従来からＧａＮ系結晶を成長させる際に汎用されて
いる、サファイア、水晶、ＳｉＣ等が挙げられる。なか
でも、サファイアのＣ面、Ａ面、６Ｈ−ＳｉＣ基板、特
にＣ面サファイア基板が好ましい。またこれら材料の表
面に、ＧａＮ系結晶との格子定数や熱膨張係数の違いを
緩和するためのＺｎＯ、ＭｇＯやＡｌＮ等のバッファー
層を設けたものであっても良く、さらにはＧａＮ系結晶
の薄膜を表層に有するものでもよい。図３の例では、基
礎となるサファイア結晶基板１ａ上に、格子整合性を改
善するためのバッファー層１ｂが形成されたものを結晶
基板１として用いている。
【００３９】
【実施例】本実施例では、本発明による量子ドット構造
の製造方法を用いながら、図３に示す構造のＬＥＤを実
際に製作した。本実施例は、量子ドット構造部分におけ
るベース材料をＡｌＮとし、ドット材料をＧａＮとし、
キャップ材料をＡｌＮとしたＧａＮ系量子ドット構造を
発光素子中に形成した例である。
の製造方法を用いながら、図３に示す構造のＬＥＤを実
際に製作した。本実施例は、量子ドット構造部分におけ
るベース材料をＡｌＮとし、ドット材料をＧａＮとし、
キャップ材料をＡｌＮとしたＧａＮ系量子ドット構造を
発光素子中に形成した例である。
【００４０】〔結晶基板１の形成〕最も基礎の結晶基板
１ａとしてはサファイアＣ面基板を用いた。まずこのサ
ファイア基板１ａをＭＯＣＶＤ装置内に配置し、水素雰
囲気下で１２００℃まで昇温し、サーマルエッチングを
行った。その後温度を５００℃まで下げＡｌ原料として
トリメチルアルミニウム（以下ＴＭＡ）、Ｎ原料として
アンモニアを流し、ＡｌＮ低温バッファー層１ｂを３０
ｎｍ成長させ、結晶基板１を得た。
１ａとしてはサファイアＣ面基板を用いた。まずこのサ
ファイア基板１ａをＭＯＣＶＤ装置内に配置し、水素雰
囲気下で１２００℃まで昇温し、サーマルエッチングを
行った。その後温度を５００℃まで下げＡｌ原料として
トリメチルアルミニウム（以下ＴＭＡ）、Ｎ原料として
アンモニアを流し、ＡｌＮ低温バッファー層１ｂを３０
ｎｍ成長させ、結晶基板１を得た。
【００４１】〔ｎ型コンタクト層２の形成〕成長温度を
１０００℃に昇温し、Ｇａ原料としてトリメチルガリウ
ム（以下ＴＭＧ）、Ｎ原料としてアンモニア、ドーパン
ト原料としてシランを流し、ｎ型ＧａＮコンタクト層２
を３μｍ成長させた。
１０００℃に昇温し、Ｇａ原料としてトリメチルガリウ
ム（以下ＴＭＧ）、Ｎ原料としてアンモニア、ドーパン
ト原料としてシランを流し、ｎ型ＧａＮコンタクト層２
を３μｍ成長させた。
【００４２】〔量子ドット構造３の形成〕 ベース層ａの形成；成長温度を１１００℃とし、ＴＭ
Ａ、アンモニア、ドーパント原料としてシランを供給
し、ベース層ａとしてｎ型ＡｌＮ層を０．５μｍ成長さ
せた。ベース層ａは、ｎ型クラッド層としての機能を果
たす層である。
Ａ、アンモニア、ドーパント原料としてシランを供給
し、ベース層ａとしてｎ型ＡｌＮ層を０．５μｍ成長さ
せた。ベース層ａは、ｎ型クラッド層としての機能を果
たす層である。
【００４３】ベース面の表面処理；温度を１０００℃
とし、Ｈ2 ガスをキャリアとしてテトラエチルシランを
供給し、ベース面に１０秒間接触させた。
とし、Ｈ2 ガスをキャリアとしてテトラエチルシランを
供給し、ベース面に１０秒間接触させた。
【００４４】量子ドットｂの形成；成長温度を１００
０℃とし、ＴＭＧ、アンモニアを供給し、ＧａＮからな
る量子ドットｂを形成した。量子ドット個々の高さｈの
平均は約６ｎｍ、個々の幅ｗの平均は４０ｎｍであっ
た。また、ベース面上における量子ドットの分散の度合
い（密度、即ち単位面積当たりの量子ドットの数）は、
約３×１０9 ｃｍ-2であった。
０℃とし、ＴＭＧ、アンモニアを供給し、ＧａＮからな
る量子ドットｂを形成した。量子ドット個々の高さｈの
平均は約６ｎｍ、個々の幅ｗの平均は４０ｎｍであっ
た。また、ベース面上における量子ドットの分散の度合
い（密度、即ち単位面積当たりの量子ドットの数）は、
約３×１０9 ｃｍ-2であった。
【００４５】キャップ層ｃの形成；成長温度を１１０
０℃とし、ＴＭＡ、アンモニア、ドーパント原料として
ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）
を供給し、キャップ層ｃとしてｐ型ＡｌＮ層を０．５μ
ｍ成長させた。キャップ層ｃは、ｐ型クラッド層として
の機能を果たす層である。
０℃とし、ＴＭＡ、アンモニア、ドーパント原料として
ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）
を供給し、キャップ層ｃとしてｐ型ＡｌＮ層を０．５μ
ｍ成長させた。キャップ層ｃは、ｐ型クラッド層として
の機能を果たす層である。
【００４６】〔ｐ型コンタクト層４の形成〕成長温度を
１０００℃とし、ＴＭＧ、アンモニア、およびドーパン
ト原料としてＣｐ2 Ｍｇを供給し、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層４を１μｍ成長させた。
１０００℃とし、ＴＭＧ、アンモニア、およびドーパン
ト原料としてＣｐ2 Ｍｇを供給し、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層４を１μｍ成長させた。
【００４７】〔電極の形成等〕試料を装置から取り出
し、窒素雰囲気、８００℃で２０分間アニール処理を行
った。最後に、ｐ型コンタクト層上にｐ型電極５を形成
し、またドライエッチングにより積層体の上面からｐ型
層と量子ドット構造の一部をエッチング除去し、ｎ型コ
ンタクト層２の上面を露出させ、ｎ型電極６を形成し、
ＬＥＤとした。
し、窒素雰囲気、８００℃で２０分間アニール処理を行
った。最後に、ｐ型コンタクト層上にｐ型電極５を形成
し、またドライエッチングにより積層体の上面からｐ型
層と量子ドット構造の一部をエッチング除去し、ｎ型コ
ンタクト層２の上面を露出させ、ｎ型電極６を形成し、
ＬＥＤとした。
【００４８】このＬＥＤを、Ｔｏ−１８ステム台にマウ
ントし、２０ｍＡでの光度の測定を行ったところ、５０
ｍｃｄであった。また、この発光素子から発せられた光
のスペクトルを測定したところ、設計値どおりの単一の
ピークを有するものであり、本発明者らが提起した問題
が解消されていることがわかった。
ントし、２０ｍＡでの光度の測定を行ったところ、５０
ｍｃｄであった。また、この発光素子から発せられた光
のスペクトルを測定したところ、設計値どおりの単一の
ピークを有するものであり、本発明者らが提起した問題
が解消されていることがわかった。
【００４９】比較例 上記実施例において、キャップ層の材料をＡｌＧａＮと
して、該キャップ層形成時に（原料ガス）ＴＭＧ、ＴＭ
Ａ、アンモニアを供給したこと以外は、上記実施例と同
様にＬＥＤを作製した。キャップ層成長時においては、
先ず、正規の量子ドットｂに加えて別の量子ドットが新
たに発生し、本来意図した量子ドット構造の仕様が変化
した。
して、該キャップ層形成時に（原料ガス）ＴＭＧ、ＴＭ
Ａ、アンモニアを供給したこと以外は、上記実施例と同
様にＬＥＤを作製した。キャップ層成長時においては、
先ず、正規の量子ドットｂに加えて別の量子ドットが新
たに発生し、本来意図した量子ドット構造の仕様が変化
した。
【００５０】このＬＥＤを、上記実施例と同様に２０ｍ
Ａでの光度の測定を行ったところ、２５ｍｃｄであっ
た。また、この発光素子から発せられた光のスペクトル
を測定したところ、本来意図した発光波長のピークに加
え、意図せず発生した量子ドットからの発光と思われる
別の波長のピークが存在していた。
Ａでの光度の測定を行ったところ、２５ｍｃｄであっ
た。また、この発光素子から発せられた光のスペクトル
を測定したところ、本来意図した発光波長のピークに加
え、意図せず発生した量子ドットからの発光と思われる
別の波長のピークが存在していた。
【００５１】
【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法によっ
て、本発明者等が発見した問題点（即ち、意図しない量
子ドットの発生）は抑制され、意図したとおりの仕様、
組成、発光特性を有する III族窒化物系量子ドット構
造、半導体発光素子が得られるようになった。
て、本発明者等が発見した問題点（即ち、意図しない量
子ドットの発生）は抑制され、意図したとおりの仕様、
組成、発光特性を有する III族窒化物系量子ドット構
造、半導体発光素子が得られるようになった。
【図１】本発明の製造方法によってＧａＮ系量子ドット
構造が形成される様子を示す断面図である。同図では、
他の層と区別するために、ベース層にハッチングを施し
ている。
構造が形成される様子を示す断面図である。同図では、
他の層と区別するために、ベース層にハッチングを施し
ている。
【図２】図１に示す製造方法を繰り返すことによって得
られるＧａＮ系の多重量子ドット構造の一例を示す断面
図である。同図では、断面を示すハッチングを省略して
いる。
られるＧａＮ系の多重量子ドット構造の一例を示す断面
図である。同図では、断面を示すハッチングを省略して
いる。
【図３】本発明によって製造されたＧａＮ系半導体発光
素子の一例を示す断面図である。同図では、説明のため
に、各層の厚み、量子ドット・電極の寸法などを誇張し
て示しており、実際の比率とは異なる。また、他の層と
区別するために、電極、ベース層、キャップ層にハッチ
ングを施している。
素子の一例を示す断面図である。同図では、説明のため
に、各層の厚み、量子ドット・電極の寸法などを誇張し
て示しており、実際の比率とは異なる。また、他の層と
区別するために、電極、ベース層、キャップ層にハッチ
ングを施している。
Ｓ アンチサーファクタント ａ ベース層 Ｂ１ ドット材料 ｂ 量子ドット Ｃ１ キャップ材料 ｃ キャップ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 悟 北海道札幌市中央区宮の森一条13丁目２− ３ ソレアード宮の森３−２ (72)発明者 青柳 克信 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内 (72)発明者 大内 洋一郎 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 岡川 広明 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 只友 一行 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 III族窒化物系の半導体材料（Ａ）から
なる結晶層をベース層とし、該ベース層上面の表面状態
をアンチサーファクタントによって変化させた後、下記
（ｉ）の格子整合性を有する III族窒化物系の半導体材
料（Ｂ）を気相成長法にて供給することによって、ベー
ス層上面に材料（Ｂ）からなる量子ドットを形成し、 次に、前記材料（Ｂ）とは異なる２元の III族窒化物系
の半導体材料（Ｃ）によって、前記量子ドットを埋め込
んでベース面上に成長する結晶層を形成する工程を有す
ることを特徴とする III族窒化物系量子ドット構造の製
造方法。 （ｉ）ベース層上面の表面状態をアンチサーファクタン
トによって変化させることなく、該ベース層上面に III
族窒化物系の半導体材料（Ｂ）を直接的に結晶成長させ
たとき、該ベース層上面に膜状に結晶成長し得るよう
な、ベース層の材料（Ａ）に対する材料（Ｂ）の格子整
合性。 - 【請求項２】 上記量子ドットを埋め込んでベース面上
に成長する結晶層を、新たにベース層とする繰り返しの
態様にて、量子ドットとこれを埋め込む結晶層との形成
を繰り返し、それによって最初のベース層上に、量子ド
ットとこれを埋め込む結晶層との組を１段としてこれを
２段以上積層し、多重の量子ドット構造とするものであ
る請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 材料（Ｂ）のバンドギャップが、材料
（Ａ）および材料（Ｃ）の各々のバンドギャップよりも
小さいものである請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】 材料（Ｃ）がＧａＮまたはＡｌＮである
請求項３記載の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の製造方
法を用い、該製造方法によって得られる III族窒化物系
量子ドット構造を、発光に係る部分として形成すること
を特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15610898A JPH11354843A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Ｉｉｉ族窒化物系量子ドット構造の製造方法およびその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15610898A JPH11354843A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Ｉｉｉ族窒化物系量子ドット構造の製造方法およびその用途 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354843A true JPH11354843A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15620495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15610898A Pending JPH11354843A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Ｉｉｉ族窒化物系量子ドット構造の製造方法およびその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354843A (ja) |
Cited By (10)
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-
1998
- 1998-06-04 JP JP15610898A patent/JPH11354843A/ja active Pending
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