JP2009239243A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009239243A JP2009239243A JP2008183787A JP2008183787A JP2009239243A JP 2009239243 A JP2009239243 A JP 2009239243A JP 2008183787 A JP2008183787 A JP 2008183787A JP 2008183787 A JP2008183787 A JP 2008183787A JP 2009239243 A JP2009239243 A JP 2009239243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aln
- layer
- source gas
- gan
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 73
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 196
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 99
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 86
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
- H01S5/3063—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping using Mg
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】n型窒化物半導体層と;前記n型窒化物半導体層上に形成された活性層と;前記活性層上にAlNとGaNが交互に反復的に成長されて形成された超格子構造のAlN/GaN層と;前記超格子構造のAlN/GaN層上に形成されたp型窒化物半導体層と;を含み、前記AlN及び前記GaNのうち少なくとも一つはp型ドーパントがドーピングされたp型であることを特徴とする発光素子を構成する。
【選択図】図2
Description
物ソースを用いた各ソースガスを反応器内に供給することで、前記基板上に窒化物半導体層を成長させる金属有機化学気相成長法を使用して成長される。
れるが、このとき、Mgは、水素と結合してp型窒化物半導体層の結晶性を悪化させると同時に、p型窒化物半導体層の電気伝導性に寄与しない憂いがある。このようなMgのドーピングによる問題点は、発光素子の漏洩電流増加、逆電圧特性劣化及び不良な電流拡散をもたらし、発光素子の発光効率及び輝度を減少させる。
ことが好ましい。
るGaソースガスの供給を中断してu-GaN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し
、前記過程を反復的に行うことができる。
器内に供給されるp型ドーパントソースガス、Alソースガスの供給を中断して前記p型AlN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、前記反応器内にp型ドーパントソースガス、Gaソースガス及びNH3ガスを供給してp型AlN層上にp-GaN層を成長さ
せ、前記反応器内に供給されるp型ドーパントソースガス、Gaソースガスの供給を中断してp-GaN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、前記過程を反復的に行うこと
ができる。
に供給されるp型ドーパントソースガス、Gaソースガスの供給を中断してp-GaN層
の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、前記過程を反復的に行うことが好ましい。
造の場合、量子障壁層と量子井戸層が交互に2回以上20回以下に反復形成される。前記活性層27は、要求される発光波長によって組成が決定され、青色及び緑色系列の可視光線を放出するためにはInGaNが活性層(量子井戸層)に適している。量子障壁層は、
前記量子井戸層に比べてバンドギャップの大きい窒化物、例えば、GaNまたはInGa
Nで形成される。
ドーピングされていないAlNとMgがドーピングされたp-GaN、Mgがドーピング
されたp型のAlNとMgがドーピングされたp-GaNである。ここでは、p型ドーパ
ントとしてMgを使用する場合を説明したが、本発明がこれに制限されることなく、その他にZnを使用することもできる。
、T1時間の間に行われる。
ガリウム(TMGa)またはトリエチルガリウム(TEGa)を使用することができる。
にある。
bの成長を中断させる(S09)。前記成長中断は、T4時間の間行われる。
中断段階を複数回反復的に実施する(S11)。このとき、成長されるp型AlN層28a及びu-GaN層28bは、積層された全体厚さが300〜400Åで形成される。超
格子構造のAlN/GaN層28は、10乃至100対をなすことができる。これによって、超格子構造をなすp型AlN層28a及びu-GaN層28bのそれぞれの厚さは、
前記全体厚さを具現するための厚さに決定される。
を形成することで、その上に成長される窒化物半導体層に電位が成長されることを遮断することができ、p型窒化物半導体層29の結晶性を高め、ホール濃度を高めることができ、AlN/GaN層28内へのMgの拡散も妨害し、所望の部分に適切にドーピングすることができる。
光放出効果を測定した。
たし、Mgの流量が180sccm付近であるときに最上の光放出量が確認された。
光放出効果を測定した。
0%)
たが、本発明は、これに制限されるものでない。
、Gaソースガスの供給を中断してp-GaN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し
、前記過程を反復的に行うことで、Mgドーピングされたp型AlNとMgドーピングされたp-GaNからなる超格子構造のAlN/GaN層を形成することができる。
gソースガス、Gaソースガスの供給を中断してp−GaN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、前記過程を反復的に行うことで、MgドーピングされていないAlNとMgドーピングされたp-GaNからなる超格子構造のAlN/GaN層を形成することが
できる。
23 バッファ層
25 n型窒化物半導体層
27 活性層
28 Aln/GaN層
29 p型窒化物半導体層
31 透明電極層
33 n-電極
35 p-電極
Claims (19)
- n型窒化物半導体層と;
前記n型窒化物半導体層上に形成された活性層と;
前記活性層上にAlNとGaNが交互に反復的に成長されて形成された超格子構造のAlN/GaN層と;
前記超格子構造のAlN/GaN層上に形成されたp型窒化物半導体層と;を含み、
前記AlN及び前記GaNのうち少なくとも一つは、p型ドーパントがドーピングされたp型であることを特徴とする発光素子。 - 前記p型窒化物半導体層は、p-GaNであることを特徴とする請求項1に記載の発光
素子。 - 前記超格子構造のAlN/GaN層は、
前記交互に反復的に成長された前記AlNと前記GaNからなる各対ごとにドーピングされるp型ドーパントの量が同一であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記超格子構造のAlN/GaN層は、
前記交互に反復的に成長された前記AlNと前記GaNからなる各対ごとにドーピングされるp型ドーパントの量が可変的であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記p型ドーパントは、MgまたはZnであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記AlNは、p型ドーパントでドーピングされたp-AlNであることを特徴とする
請求項1に記載の発光素子 - 前記超格子構造のAlN/GaN層は、前記GaNが前記AlNより厚く形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 基板上にn型窒化物半導体層を形成する段階と;
前記n型窒化物半導体層上に活性層を形成する段階と;
前記活性層上にAlNとGaNを交互に反復的に成長させて超格子構造のAlN/GaN層を形成する段階と;
前記超格子構造のAlN/GaN層上にp型窒化物半導体層を形成する段階と;を含み、
前記AlN及び前記GaNのうち少なくとも一つは、p型ドーパントがドーピングされたp型であることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記p型窒化物半導体層は、p-GaNであることを特徴とする請求項8に記載の発光
素子の製造方法。 - 前記超格子構造のAlN/GaN層は、前記GaNが前記AlNより厚く形成されたことを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。
- 前記超格子構造のAlN/GaN層の形成段階は、
反応器内で行われ、
前記反応器内にp型ドーパントソースガス、Nソースガス、Alソースガスを含む各ソースガスを供給し、前記活性層上にp型ドーパントがドーピングされたp型AlN層を成長させ、
前記反応器内に供給されるp型ドーパントソースガス、Alソースガスの 中断して前
記p型AlN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、
前記反応器内にGaソースガス及びNH3ガスを供給し、p型AlN層上にu-GaN
層を成長させ、
前記反応器内に供給されるGaソースガスの供給を中断してu-GaN層の成長を中断
させ、NH3ガスを供給し、
前記過程を反復的に行うことを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。 - 前記超格子構造のAlN/GaN層の形成段階を行った後、
前記反応器内にGaソースガス、Nソースガス、p型ドーパントソースガスを含む各ソースガスを供給し、前記基板上にp型ドーパントがドーピングされた前記p型窒化物半導体層を成長させることを含む請求項11に記載の発光素子の製造方法。 - 前記過程の反復時、各反復時ごとに前記供給される前記p型ドーパントソースガスを同一の流量で供給することを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。
- 前記過程の反復時、各反復時ごとに前記供給される前記p型ドーパントソースを互いに異なる流量で供給することを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。
- 前記超格子構造のAlN/GaN層の形成段階は、
反応器内で行われ、
前記反応器内にp型ドーパントソースガス、Nソースガス、Alソースガスを含む各ソースガスを供給し、前記活性層上にp型ドーパントがドーピングされたp型AlN層を成長させ、
前記反応器内に供給されるp型ドーパントソースガス、Alソースガスの供給を中断して前記p型AlN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、
前記反応器内にp型ドーパントソースガス、Gaソースガス及びNH3ガスを供給してp型AlN層上にp-GaN層を成長させ、
前記反応器内に供給されるp型ドーパントソースガス、Gaソースガスの供給を中断してp-GaN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、
前記過程を反復的に行うことを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。 - 前記超格子構造のAlN/GaN層の形成段階は、
反応器内で行われ、
前記反応器内にNソースガス、Alソースガスを含む各ソースガスを供給して前記活性層上にAlN層を成長させ、
前記反応器内に供給されるAlソースガスの供給を中断して前記AlN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、
前記反応器内にp型ドーパントソースガス、Gaソースガス及びNH3ガスを供給してAlN層上にp-GaN層を成長させ、
前記反応器内に供給されるp型ドーパントソースガス、Gaソースガスの 中断してp-GaN層の成長を中断させ、NH3ガスを供給し、
前記過程を反復的に行うことを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。 - 前記p型ドーパントソースガスは、CP2MgまたはDMZnであることを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。
- 前記p型ドーパントソースガスは、CP2MgまたはDMZnであることを特徴とする請求項15に記載の発光素子の製造方法。
- 前記p型ドーパントソースガスは、CP2MgまたはDMZnであることを特徴とする請求項16に記載の発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080027494A KR101308130B1 (ko) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR10-2008-0027494 | 2008-03-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009239243A true JP2009239243A (ja) | 2009-10-15 |
JP5322523B2 JP5322523B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=40790902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008183787A Expired - Fee Related JP5322523B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-07-15 | 発光素子及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20090242870A1 (ja) |
EP (1) | EP2105974B1 (ja) |
JP (1) | JP5322523B2 (ja) |
KR (1) | KR101308130B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7902545B2 (en) * | 2008-05-14 | 2011-03-08 | Baker Hughes Incorporated | Semiconductor for use in harsh environments |
TW201230389A (en) * | 2010-10-27 | 2012-07-16 | Univ California | Method for reduction of efficiency droop using an (Al,In,Ga)N/Al(x)In(1-x)N superlattice electron blocking layer in nitride based light emitting diodes |
KR20130129683A (ko) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 포항공과대학교 산학협력단 | 그레이드 초격자 구조의 전자 차단층을 갖는 반도체 발광 소자 |
KR101952437B1 (ko) * | 2012-07-13 | 2019-04-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5874592B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2016-03-02 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US20150243845A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-08-27 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US9773889B2 (en) | 2014-07-18 | 2017-09-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Method of semiconductor arrangement formation |
CN106299051A (zh) * | 2016-08-05 | 2017-01-04 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
US10516076B2 (en) | 2018-02-01 | 2019-12-24 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Dislocation filter for semiconductor devices |
CN109166910B (zh) * | 2018-09-06 | 2020-07-14 | 中山大学 | 一种p型AlGaN半导体材料及其外延制备方法 |
CN113471060B (zh) * | 2021-05-27 | 2022-09-09 | 南昌大学 | 一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法 |
CN115986014B (zh) * | 2022-11-17 | 2024-04-12 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种设有连接层的外延片及包含该外延片的发光二极管 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05110139A (ja) * | 1991-10-12 | 1993-04-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。 |
JP2001156003A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | P型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びp型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 |
JP2006128527A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Osaka Gas Co Ltd | GaN系化合物半導体の製造方法 |
JP2008034852A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 超格子を有する半導体層構造 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5270247A (en) * | 1991-07-12 | 1993-12-14 | Fujitsu Limited | Atomic layer epitaxy of compound semiconductor |
JPH09213641A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有機金属気相成長による急峻なヘテロ界面の作製方法 |
US6677619B1 (en) * | 1997-01-09 | 2004-01-13 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
US6266355B1 (en) * | 1997-09-12 | 2001-07-24 | Sdl, Inc. | Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking |
US6599133B2 (en) * | 1997-11-18 | 2003-07-29 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for growing III-V compound semiconductor structures with an integral non-continuous quantum dot layer utilizing HVPE techniques |
JP2001223429A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP3453558B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2003-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP4389723B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2009-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子を形成する方法 |
US7332365B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-02-19 | Cree, Inc. | Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method |
US7683379B2 (en) * | 2004-07-30 | 2010-03-23 | Fujikura Ltd. | Light emitting element and manufacturing method thereof |
US7910937B2 (en) * | 2005-02-02 | 2011-03-22 | Agency For Science, Technology And Research | Method and structure for fabricating III-V nitride layers on silicon substrates |
JP2006245066A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
US7342261B2 (en) * | 2005-05-16 | 2008-03-11 | Dong-Sing Wuu | Light emitting device |
JP5025168B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2012-09-12 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体積層構造体の製造方法 |
US7691757B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
US7723719B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-05-25 | Palo Alto Research Center Incorporated | Light emitting devices with inhomogeneous quantum well active regions |
-
2008
- 2008-03-25 KR KR1020080027494A patent/KR101308130B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-14 EP EP08012675.8A patent/EP2105974B1/en not_active Not-in-force
- 2008-07-15 JP JP2008183787A patent/JP5322523B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-18 US US12/193,588 patent/US20090242870A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-08-04 US US12/535,244 patent/US8716046B2/en active Active
-
2010
- 2010-05-06 US US12/775,119 patent/US8716048B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05110139A (ja) * | 1991-10-12 | 1993-04-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。 |
JP2001156003A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | P型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びp型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 |
JP2006128527A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Osaka Gas Co Ltd | GaN系化合物半導体の製造方法 |
JP2008034852A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 超格子を有する半導体層構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100216272A1 (en) | 2010-08-26 |
EP2105974A3 (en) | 2012-08-22 |
US8716046B2 (en) | 2014-05-06 |
JP5322523B2 (ja) | 2013-10-23 |
US20090242870A1 (en) | 2009-10-01 |
US20090291519A1 (en) | 2009-11-26 |
US8716048B2 (en) | 2014-05-06 |
KR20090102203A (ko) | 2009-09-30 |
EP2105974B1 (en) | 2017-11-01 |
EP2105974A2 (en) | 2009-09-30 |
KR101308130B1 (ko) | 2013-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5322523B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP5634368B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8513694B2 (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method of the device | |
JP5995302B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
KR100784065B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP6587673B2 (ja) | 発光素子 | |
US20210328099A1 (en) | Method of manufacturing nitride semiconductor light-emitting element | |
KR20070081862A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 | |
JP5568009B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20130102210A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2007200933A (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
KR100925164B1 (ko) | p형 질화물 반도체층 형성 방법 및 그것을 갖는 발광 소자 | |
JP2009076864A (ja) | 窒化物系発光素子 | |
JP2007214378A (ja) | 窒化物系半導体素子 | |
JP2008227103A (ja) | GaN系半導体発光素子 | |
KR100881053B1 (ko) | 질화물계 발광소자 | |
KR100906972B1 (ko) | 질화물계 발광소자 | |
KR20120131147A (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR101423719B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100972974B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 기판의 표면개선방법, 이로부터 제조된 ⅲ족질화물 기판 및 이러한 ⅲ족 질화물 기판을 이용한 질화물반도체 발광 소자 | |
JP2004158893A (ja) | 3族窒化物半導体発光素子 | |
JP2004274083A (ja) | 3族窒化物半導体発光素子 | |
JP2004260219A (ja) | 3族窒化物半導体発光素子 | |
KR100723177B1 (ko) | InGaN 질화물층 형성방법 및 다중양자우물구조의활성층 형성방법 | |
KR20100094094A (ko) | 발광 소자 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091020 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091021 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121226 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130716 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5322523 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |